CN108307282B - Mems麦克风焊接质量的验证方法 - Google Patents

Mems麦克风焊接质量的验证方法 Download PDF

Info

Publication number
CN108307282B
CN108307282B CN201711436262.2A CN201711436262A CN108307282B CN 108307282 B CN108307282 B CN 108307282B CN 201711436262 A CN201711436262 A CN 201711436262A CN 108307282 B CN108307282 B CN 108307282B
Authority
CN
China
Prior art keywords
mems microphone
mems
welding quality
air pressure
chip
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201711436262.2A
Other languages
English (en)
Other versions
CN108307282A (zh
Inventor
端木鲁玉
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Weifang Goertek Microelectronics Co Ltd
Original Assignee
Weifang Goertek Microelectronics Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Weifang Goertek Microelectronics Co Ltd filed Critical Weifang Goertek Microelectronics Co Ltd
Priority to CN201711436262.2A priority Critical patent/CN108307282B/zh
Publication of CN108307282A publication Critical patent/CN108307282A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN108307282B publication Critical patent/CN108307282B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04RLOUDSPEAKERS, MICROPHONES, GRAMOPHONE PICK-UPS OR LIKE ACOUSTIC ELECTROMECHANICAL TRANSDUCERS; DEAF-AID SETS; PUBLIC ADDRESS SYSTEMS
    • H04R19/00Electrostatic transducers
    • H04R19/04Microphones
    • HELECTRICITY
    • H04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04RLOUDSPEAKERS, MICROPHONES, GRAMOPHONE PICK-UPS OR LIKE ACOUSTIC ELECTROMECHANICAL TRANSDUCERS; DEAF-AID SETS; PUBLIC ADDRESS SYSTEMS
    • H04R29/00Monitoring arrangements; Testing arrangements

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Acoustics & Sound (AREA)
  • Signal Processing (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • General Health & Medical Sciences (AREA)
  • Otolaryngology (AREA)
  • Electrostatic, Electromagnetic, Magneto- Strictive, And Variable-Resistance Transducers (AREA)

Abstract

本发明提供一种MEMS麦克风焊接质量的验证方法,包括:将气密工装固定在MEMS麦克风上,其中,气密工装包括活塞、以及与活塞相连接的推杆,活塞与MEMS麦克风的声孔相对应;气密工装用于压缩MEMS麦克风的封装结构内的气体;通过设置在封装结构内的气压计模块测试封装结构内的气压;根据气压计模块测试获取的气压变化值与预设气压判定MEMS麦克风的焊接质量;若气压计模块测试获取的气压变化值大于预设气压,则MEMS麦克风的焊接质量合格;若气压计模块测试获取的气压变化值小于预设气压,则MEMS麦克风的焊接质量不合格。利用本发明,能够解决现有的焊接质量检验方法存在焊接裂缝、分层难以发现等问题。

Description

MEMS麦克风焊接质量的验证方法
技术领域
本发明涉及麦克风技术领域,更为具体地,涉及一种MEMS麦克风焊接质量的验证方法。
背景技术
MEMS(Microelectromechanical Systems,微机电系统)麦克风是一种用微机械加工技术制作出来的电能换声器,其具有体积小、频响特性好、噪声低等特点。随着电子设备的小巧化、薄型化发展,MEMS麦克风被越来越广泛地运用到这些设备上。
MEMS麦克风的底部声孔焊接时,需要确保声孔周围良好密闭焊接,以避免漏声,降低MEMS麦克风产品性能;目前的通用做法是用X-ray检验产品的焊接质量,但此检验方法很难发现焊接裂缝、分层等隐患,仍有部分不良品流出;并且X-Ray操作复杂,对人体及产品器件也有损伤。
为解决上述问题,本发明提供一种MEMS麦克风焊接质量的验证方法。
发明内容
鉴于上述问题,本发明的目的是提供一种MEMS麦克风焊接质量的验证方法,以解决现有的焊接质量检验方法存在焊接裂缝、分层难以发现等问题。
本发明提供一种MEMS麦克风焊接质量的验证方法,包括:
将气密工装固定在MEMS麦克风上,其中,气密工装包括活塞、以及与活塞相连接的推杆,活塞与MEMS麦克风的声孔相对应;
气密工装用于压缩MEMS麦克风的封装结构内的气体;
通过设置在封装结构内的气压计模块测试封装结构内压缩过的气体的气压;
根据气压计模块测试获取的气压变化值与预设气压判定MEMS麦克风的焊接质量;
若气压计模块测试获取的气压变化值大于预设气压,则MEMS麦克风的焊接质量合格;
若气压计模块测试获取的气压小于预设气压,则MEMS麦克风的焊接质量不合格。
此外,优选的方案是,推杆推动活塞,压缩封装结构内的气体。
此外,优选的方案是,MEMS麦克风通过焊锡与终端基板焊接,在终端基板上与声孔相对应的位置设置有通孔。
此外,优选的方案是,气密工装固定在终端基板上,并且,气密工装通过通孔以及声孔压缩MEMS麦克风封装结构内的气体。
此外,优选的方案是,封装结构由外壳和PCB板形成,在封装结构内部设置有声学MEMS芯片、第一ASIC芯片、第二MEMS芯片以及第二ASIC芯片,其中,在PCB板上设置有使声学MEMS芯片与外部连通的声孔。
此外,优选的方案是,气压计模块设置在声学MEMS芯片、第一ASIC芯片、第二MEMS芯片或者第二ASIC芯片任一芯片上。
此外,优选的方案是,第一ASIC芯片通过金属线分别与声学MEMS芯片、第二MEMS芯片、PCB板电连接。
此外,优选的方案是,声学MEMS芯片、第二MEMS芯片、第一ASIC芯片以及第二ASIC芯片均通过导电胶或者锡膏固定在PCB板上。
从上面的技术方案可知,本发明提供的MEMS麦克风焊接质量的验证方法,通过气密工装以及气压计模块检测MEMS麦克风密封结构内的气压检测MEMS麦克风的焊接质量,此方法可有效提升焊接质量检验的方便性、可靠性以及检验效率。
为了实现上述以及相关目的,本发明的一个或多个方面包括后面将详细说明的特征。下面的说明以及附图详细说明了本发明的某些示例性方面。然而,这些方面指示的仅仅是可使用本发明的原理的各种方式中的一些方式。此外,本发明旨在包括所有这些方面以及它们的等同物。
附图说明
通过参考以下结合附图的说明,并且随着对本发明的更全面理解,本发明的其它目的及结果将更加明白及易于理解。在附图中:
图1为根据本发明实施例的MEMS麦克风焊接质量的验证方法流程;
图2为根据本发明实施例的MEMS麦克风焊接检测剖面示意图;
图3为根据本发明实施例的气密工装结构示意图;
图4为根据本发明实施例的MEMS麦克风与终端基板焊接效果示意图。
其中的附图标记包括:1、外壳,2、PCB板,3、声学MEMS芯片,4、金属线,5、第一ASIC芯片,6、声孔,7、焊盘,8、焊锡,9、焊盘,10、终端基板,11、通孔,12、气密工装,121、工装主体,122、推杆,123、活塞,13、MEMS麦克风,14、气压计模块,15、第二MEMS芯片,16、第二ASIC芯片。
在所有附图中相同的标号指示相似或相应的特征或功能。
具体实施方式
在下面的描述中,出于说明的目的,为了提供对一个或多个实施例的全面理解,阐述了许多具体细节。然而,很明显,也可以在没有这些具体细节的情况下实现这些实施例。
针对前述提出的现有的焊接质量检验方法存在焊接裂缝、分层难以发现等问题,本发明提供了MEMS麦克风焊接质量的验证方法,此方法可有效提升焊接质量检验的方便性、可靠性以及检验效率。
以下将结合附图对本发明的具体实施例进行详细描述。
为了说明本发明提供的MEMS麦克风焊接质量的验证方法,图1示出了根据本发明实施例的MEMS麦克风焊接质量的验证方法流程。
如图1所示,本发明提供的MEMS麦克风焊接质量的验证方法,包括:
S110:将气密工装固定在MEMS麦克风上,其中,气密工装包括活塞、以及与活塞相连接的推杆,活塞与MEMS麦克风的声孔相对应;
S120:气密工装用于压缩MEMS麦克风的封装结构内的气体;
S130:通过设置在封装结构内的气压计模块测试封装结构内压缩过的气体的气压;
S140:根据气压计模块测试获取的气压变化值与预设气压判定MEMS麦克风的焊接质量;
S150:若气压计模块测试获取的气压变化值大于预设气压,则MEMS麦克风的焊接质量合格;
S160:若气压计模块测试获取的气压变化值小于预设气压,则MEMS麦克风的焊接质量不合格。
上述为本发明MEMS麦克风焊接质量的详细验证方法,在MEMS麦克风中设置气压计模块,通过MEMS麦克风中的气体的压力的变化来检验MEMS麦克风焊接的质量。
为了说明本发明提供的MEMS麦克风的结构,图2至图4分别从不同角度对MEMS麦克风的结构进行了示例性标示。具体地,图2示出了根据本发明实施例的MEMS麦克风焊接检测剖面结构;图3示出了根据本发明实施例的气密工装结构;图4示出了根据本发明实施例的MEMS麦克风效果。
在图2至图4共同所示的实施例中,本发明提供的MEMS麦克风包括由外壳1和PCB板2形成的封装结构,在封装结构内部设置有声学MEMS芯片3、第一ASIC芯片5、第二MEMS芯片15以及第二ASIC芯片16,其中,在PCB板2上设置有使声学MEMS芯片3与外部连通的声孔6;并且,气密工装12通过声孔6压缩封装结构内的气体的气压。
其中,气压计模块14设置在声学MEMS芯片3、第一ASIC芯片5、第二MEMS芯片15或者第二ASIC芯片16任一芯片上。
其中,第一ASIC芯片5通过金属线4分别与声学MEMS芯片3、第二MEMS芯片、PCB板电连接。
其中,声学MEMS芯片3、第二MEMS芯片15、第一ASIC芯片5以及第二ASIC芯片16均通过导电胶或者锡膏固定在PCB板2上。
图3示出了根据本发明实施例的气密工装的结构,如图3所示,气密工装包括工装主体121、设置在工装主体121内的活塞123、以及与活塞123相连接的推杆122。
其中,活塞123与声孔相对应,推杆推动工装主体121内的活塞123,活塞123沿着工装主体121的内壁运动,以压缩封装结构内的气体;并且活塞的直径稍大于声孔的直径,使得气密工装的气密性保持良好的气密性。
其中,气密工装12对准声孔6,推动推杆122,推杆122推动活塞123,并压缩封装结构内的气体,此时气压计模块14测试封装结构的气体的气压,如测得气压变化值大于预设气压△P,则判定MEMS麦克风焊接质量良好;如气压计模块14测得气压变化值小于预期设定气压△P,在MEMS麦克风焊接异常。
气压计模块14与外部终端无线连通,将测得的气压传输到外部终端上,从而得出气压变化值,来判断MEMS麦克风焊接质量是否良好。
其中,需要说明的是,预设气压△P根据气密工装的推杆速度、标准MEMS麦克风的焊接质量等确定的,不同型号的MEMS麦克风预设气压△P数值是不同的。
在图4所示的实施例中,MEMS麦克风13通过焊锡8与终端基板10焊接,在终端基板10上与声孔6相对应的位置设置有通孔11。其中,气密工装12固定在终端基板10上,并且,气密工装12通过通孔11以及声孔6压缩MEMS麦克风13封装结构内的气体。
其中,在MEMS麦克风13的PCB板2上设置焊盘7,同时在终端基板10也设置有焊盘9,当MEMS麦克风13与终端基板10焊接时,PCB板2上的焊盘7通过焊锡8与终端基板10的焊盘9焊接在一起,使得MEMS麦克风13与终端基板10良好的焊接在一起。
通过上述实施方式可以看出,本发明提供的MEMS麦克风焊接质量的验证方法,通过气密工装以及气压计模块检测MEMS麦克风密封结构内的气压检测MEMS麦克风的焊接质量,此方法可有效提升焊接质量检验的方便性、可靠性以及检验效率。
如上参照附图以示例的方式描述了根据本发明提出的MEMS麦克风焊接质量的验证方法。但是,本领域技术人员应当理解,对于上述本发明所提出的MEMS麦克风焊接质量的验证方法,还可以在不脱离本发明内容的基础上做出各种改进。因此,本发明的保护范围应当由所附的权利要求书的内容确定。

Claims (8)

1.一种MEMS麦克风焊接质量的验证方法,包括:
将气密工装固定在MEMS麦克风上,其中,所述气密工装包括工装主体、设置在所述工装主体内的活塞、以及与所述活塞相连接的推杆,所述活塞与所述MEMS麦克风的声孔相对应,并且所述活塞的直径稍大于所述声孔的直径;
所述气密工装用于压缩所述MEMS麦克风的封装结构内的气体;
通过设置在所述封装结构内的气压计模块测试所述封装结构内压缩过的气体的气压;
根据所述气压计模块测试获取的气压变化值与预设气压判定所述MEMS麦克风的焊接质量;
若所述气压计模块测试获取的气压变化值大于所述预设气压,则所述MEMS麦克风的焊接质量合格;
若所述气压计模块测试获取的气压变化值小于所述预设气压,则所述MEMS麦克风的焊接质量不合格。
2.如权利要求1所述的MEMS麦克风焊接质量的验证方法,其中,
所述推杆推动所述活塞,压缩所述封装结构内的气体。
3.如权利要求1所述的MEMS麦克风焊接质量的验证方法,其中,
所述MEMS麦克风通过焊锡与终端基板焊接,在所述终端基板上与所述声孔相对应的位置设置有通孔。
4.如权利要求3所述的MEMS麦克风焊接质量的验证方法,其中,
所述气密工装固定在所述终端基板上,并且,所述气密工装通过所述通孔以及所述声孔压缩所述MEMS麦克风封装结构内的气体。
5.如权利要求1所述的MEMS麦克风焊接质量的验证方法,其中,
所述封装结构由外壳和PCB板形成,在所述封装结构内部设置有声学MEMS芯片、第一ASIC芯片、第二MEMS芯片以及第二ASIC芯片,其中,在所述PCB板上设置有使所述声学MEMS芯片与外部连通的声孔。
6.如权利要求5所述的MEMS麦克风焊接质量的验证方法,其中,
所述气压计模块设置在所述声学MEMS芯片、所述第一ASIC芯片、所述第二MEMS芯片或者所述第二ASIC芯片任一芯片上。
7.如权利要求5所述的MEMS麦克风焊接质量的验证方法,其中,
所述第一ASIC芯片通过金属线分别与所述声学MEMS芯片、所述第二MEMS芯片、所述PCB板电连接。
8.如权利要求5所述的MEMS麦克风焊接质量的验证方法,其中,
所述声学MEMS芯片、所述第二MEMS芯片、所述第一ASIC芯片以及所述第二ASIC芯片均通过导电胶或者锡膏固定在所述PCB板上。
CN201711436262.2A 2017-12-26 2017-12-26 Mems麦克风焊接质量的验证方法 Active CN108307282B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201711436262.2A CN108307282B (zh) 2017-12-26 2017-12-26 Mems麦克风焊接质量的验证方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201711436262.2A CN108307282B (zh) 2017-12-26 2017-12-26 Mems麦克风焊接质量的验证方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN108307282A CN108307282A (zh) 2018-07-20
CN108307282B true CN108307282B (zh) 2020-08-07

Family

ID=62867429

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201711436262.2A Active CN108307282B (zh) 2017-12-26 2017-12-26 Mems麦克风焊接质量的验证方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN108307282B (zh)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN112291692B (zh) * 2020-10-13 2022-01-28 皓骏科技(北京)有限公司 检测装置

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20040120540A1 (en) * 2002-12-20 2004-06-24 Matthias Mullenborn Silicon-based transducer for use in hearing instruments and listening devices
CN104135706A (zh) * 2014-07-31 2014-11-05 歌尔声学股份有限公司 直压式气密检测设备以及气密检测方法
CN104236815A (zh) * 2013-06-10 2014-12-24 和硕联合科技股份有限公司 气密测试设备及气密测试方法

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20040120540A1 (en) * 2002-12-20 2004-06-24 Matthias Mullenborn Silicon-based transducer for use in hearing instruments and listening devices
CN104236815A (zh) * 2013-06-10 2014-12-24 和硕联合科技股份有限公司 气密测试设备及气密测试方法
CN104135706A (zh) * 2014-07-31 2014-11-05 歌尔声学股份有限公司 直压式气密检测设备以及气密检测方法

Also Published As

Publication number Publication date
CN108307282A (zh) 2018-07-20

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US9310229B2 (en) Sensor system and method for manufacturing a sensor system
CN105236343B (zh) 介质隔离式压力传感器封装结构
JP3987386B2 (ja) 圧力センサ
US8459108B2 (en) Angular rate sensor
US9510120B2 (en) Apparatus and method for testing sound transducers
EP3128305A1 (en) A hermetic pressure sensor
CN104030233A (zh) 顶部端口微机电系统腔体封装
CN107219027B (zh) 一种陶瓷电容压力传感器的封装结构
CN108307282B (zh) Mems麦克风焊接质量的验证方法
CN113155354A (zh) 金属密封压力传感器
CN110132462B (zh) 压力传感器封装结构及其封装方法
CN101571440A (zh) 一种应用于器件级真空封装的真空度测量装置
CN201852666U (zh) 集成压力芯片的压力变送器
CN201892596U (zh) 气体压力变送器
JPWO2017138647A1 (ja) 圧力検出装置とその製造方法
JP2003315188A (ja) 半導体圧力センサ
CN111397668A (zh) 一种传感器芯体、芯体制造及封装方法和传感器
CN217878130U (zh) 一种微差压压力传感器的封装结构
US20220034732A1 (en) Sensor for detecting pressure and/or filling level and/or flow rate and/or density and/or mass and/or temperature
CN211425746U (zh) 差压传感器
CN212851004U (zh) 组合传感器芯片结构、组合传感器及电子设备
JP2009222693A (ja) 圧電振動子の気密検査装置
JP2014232025A (ja) 電子装置
CN220230785U (zh) 一种压力传感器
CN209878186U (zh) 压力传感器封装结构

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
TA01 Transfer of patent application right
TA01 Transfer of patent application right

Effective date of registration: 20200605

Address after: 261031 building 10, Geer phase II Industrial Park, No. 102, Ronghua Road, Ronghua community, Xincheng street, high tech Zone, Weifang City, Shandong Province

Applicant after: Weifang goer Microelectronics Co.,Ltd.

Address before: 261031 Dongfang Road, Weifang high tech Industrial Development Zone, Shandong, China, No. 268

Applicant before: GOERTEK Inc.

GR01 Patent grant
GR01 Patent grant