CN108292616A - 对半导体基底进行化学处理的设备和方法 - Google Patents
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Abstract
用来对半导体基底(2)进行化学处理的设备(1)具有预处理装置(5)，其沿半导体基底(2)的传送方向(3)设置在第一涂敷装置(8)和第二涂敷装置(9)之前。预处理装置(5)用来在半导体基底(2)上生成环绕的边界区域，因此将随后借助第一涂敷装置(8)涂敷的流体(33)限定和保持在基底顶侧(27)上。第一涂敷装置(8)设置在第二涂敷装置(9)的工艺池(40)的上方，使得流体(33)在处理基底底侧(39)期间完全覆盖着基底顶侧(33)。
Description
本专利申请要求德国专利申请DE 10 2015 223 227.1的优先权，其内容通过引用并入本申请中。
技术领域
本发明涉及一种按权利要求1前序部分所述的、对半导体基底进行化学处理的设备。此外，本发明还涉及一种对半导体基底进行化学处理的方法。
背景技术
由WO 2011/047894 A1公知一种借助工艺介质对硅质基底进行化学处理的设备。首先在工艺池之前用防护液体将硅质基底的基质顶侧完全润湿。随后，在工艺池的上方将工艺介质涂敷到硅质基底的基底底侧上，该工艺介质在基底底侧上对硅质基底进行化学处理。通过该防护液体，保护该基底顶侧免受工艺介质的影响。在工艺池的上方再次将防护液体涂敷到基底顶侧上，以补偿从基底顶侧上流走的防护液体。缺点是，一方面防护液体会从基底顶侧上滴下，从而会影响工艺介质的质量，必须在基底顶侧按剂量补充(nachdosiert)防护液体。另一方面的缺点是，在按期望将防护液体的滴下情况保持得最小时，基底表面却不能完全被工艺介质润湿，或者不能在工艺介质的整个涂敷期间保持润湿状态。
发明内容
因此本发明的目的是，说明一种设备，它能够以简单且经济地方式对半导体基底进行化学处理。
此目的通过具有权利要求1的特征的装置得以实现。通过沿传送方向置于涂敷装置之前的预处理装置，首先在半导体基底上生成环绕的边界区域，该边界区域形成了待涂敷的流体、尤其是待涂敷的防护流体的边界，因此将随后涂敷在基底顶侧上的流体保持在此边界区域上。该环绕的边界区域优选击退(abweisen)该流体环绕的边界区域借助预处理装置在基底端侧和/或在基底顶侧上生成，该基底端侧将基底顶侧和基底底侧连接起来。基底顶侧通过环绕的且限定流体的边界区域构成边界区域的内部空间，流体能够以简单的方式加入或涂敷到该边界区域中。因为边界区域将流体保持在基底顶侧上，所以只需对流体进行大致的配量。因此流体不会从基底顶侧上滴落，从而该流体不会影响工艺流体的质量。因此不需要按剂量补充工艺流体(这样做会增加工艺流体的消耗)，因此该设备1具有高的经济性。该工艺流体优选是工艺液体。该工艺液体尤其包含氢氟酸和/或硝酸，因此工艺液体构成浸蚀溶液。第一涂敷装置设置在第二涂敷装置的工艺池的上方，因此该流体一方面能够及时地涂敷在基底顶侧上，另一方面在借助工艺流体处理基底底侧时避免经涂敷的流体由于经涂敷的流体的表面张力从内部空间的角部中撤回。即，所述流体的涂敷推迟如此之长，使得基底顶侧尽可能长时间地在边界区域的内部被流体覆盖，尤其直至借助工艺流体对基底底侧进行处理结束。按本发明的设备能够尤其用来对半导体晶片进行化学处理，以制造太阳能电池。
如果该流体构成为防护流体，则能够在处理基底底侧之前及时、但尽可能晚地在工艺池的上方涂敷该防护流体，因此防护流体能够在边界区域内尽可能长时间地完全覆盖着基底顶侧，尤其直到借助工艺流体进行的处理结束和/或半导体基底不再位于工艺池的上方。待涂敷的流体尤其是防护液体。防护液体尤其是含水的。如果应用水或蒸馏水作为防护液体，则边界区域优选构成为疏水的。
如果该流体构成为处理流体、尤其是处理液体，则也能够对基底顶侧进行化学处理。例如借助处理液体清除发射体的导电不活跃的、明显掺杂的最上层。该最上层也称为“死层”。该处理流体尤其构成为浸蚀溶液。该浸蚀溶液是碱性的或酸性的。
根据权利要求2的设备确保以简单且经济的方式对半导体基底进行化学处理。由于间距A，第一涂敷装置设置在工艺池的第一端部的附近，即设置在工艺池的起点上。因此一方面确保流体及时地、尤其在用工艺流体处理基底底侧之前涂敷到基底顶侧上，另一方面使流体的涂敷尽可能推迟，使得流体在基底底侧的处理期间不会从内部空间的角部撤回，该内部空间是通过边界区域限定的。所述撤回例如由于流体的表面张力而引起的。因此不需要借助沿传送方向后置的其它涂敷装置来按剂量补充流体、尤其是防护流体。
根据权利要求3的设备确保以简单且经济的方式对半导体基底进行化学处理。清洁装置能够以简单的方式清洁基底顶侧的预处理流体、尤其是预处理液体。
根据权利要求4的设备确保以简单的方式对基底顶侧进行清洁。清洁装置尤其具有涂敷喷嘴，用来清洁流体涂敷到基底顶侧上。清洁流体尤其是清洁液体，例如水。
根据权利要求5的设备确保以简单且经济的方式对半导体基底进行化学处理。通过清除装置，流体能够借助后置的第一涂敷装置以简单的方式涂敷到经清洁的基底顶侧上。因此作为流体，既能够涂敷防护流，也能够涂敷处理流体。清除装置例如包括轧辊，其借助挤压力将清洁流体从基底顶侧上清除。此外，清除装置还例如包括鼓风机，其借助流体流(尤其是气流)将清洁流体从基底顶侧上清除。清除装置优选包括收集池，其设置在半导体基底的下方并且收集被清除的清洁流体。
根据权利要求6的设备确保以简单且经济的方式对半导体基底进行化学处理。所述至少一个测位传感器查明各半导体基底的传输位置，该传输位置用来操控第一涂敷装置。所述至少一个测位传感器尤其设置在清洁装置之前，且尤其设置在预处理装置之间，因此根据各半导体基底的经查明的传输位置来操控清洁装置和第一涂敷装置。优选沿着传送方向设置正好一个测位传感器，其中根据经查明的传输位置和经查明的传送速度来操控清洁装置和/或第一涂敷装置。
根据权利要求7的设备确保以简单且经济的方式对半导体基底进行化学处理。所述控制装置优选这样构成，即根据经查明的传输位置和经查明的传送速度来接通且再次断开第一涂敷装置和/或清洁装置的涂敷泵，因此该流体和/或清洁流体能够精确地涂敷在基底顶侧上。
根据权利要求8的设备确保以简单且经济的方式对半导体基底进行化学处理。该预处理池用来形成预处理流体或预处理液体的液体池，和/或用来收集经涂敷的且从半导体基底上滴落的预处理液体。该预处理流体优选在半导体基底上具有铲除效应，其中通过局部或分层地铲除半导体基底，形成了边界区域。该预处理流体优选是液态的浸蚀溶液。
根据权利要求9的设备确保以简单且经济的方式对半导体基底进行化学处理。由于这些输送滚轮沿着预处理池进行设置并且延伸到预处理池中，该预处理液体能够在输送期间涂敷到半导体基底上，从而生成边界区域。半导体基底例如间接用预处理液体润湿。为此，预处理液体(例如液态的浸蚀溶液)借助输送滚轮涂敷到基底底侧上。预处理液体由于其表面张力自动地移至基底端侧，并且润湿该基底端侧，以形成环绕的边界区域。在直接润湿的情况下，半导体基底借助输送滚轮输送到预处理液体的液体池附近，因此基底底侧能够直接通过液体池润湿。由于其表面张力和/或由于半月板的形成(Meniskusbildung)，预处理液体能够自动一直移至基底顶侧上的边缘区域。因此，边界区域在基底端侧上形成，必要时在基底顶侧上形成。预处理液体尤其通过其表面张力并且通过毛细管效应(其通过基底表面的粗焅度产生)自动地朝基底端侧移动，必要时朝基底顶侧移动。为此，基底表面在预处理之前以拉紧的方式作用在预处理液体上。基底表面在预处理之前尤其构成为亲水的。预处理池具有这样的长度，使得在期望的传送速度的情况下也能够确保预处理流体或预处理液体的最少作用时间。设置在工艺池上的输送滚轮以相应的方式延伸优选延伸到工艺池中，因此工艺液体在传输期间被涂敷到半导体基底的基底底侧上。
根据权利要求10的设备确保以简单且经济的方式对半导体基底进行化学处理。通过液位调节器以简单的方式确保预处理液体的涂敷。在间接润湿的情况下，如此调节液位，使得预处理液体的液位计这样位于基底底侧之下，即位于输送滚轮的高度水平之下，即输送滚轮随时都浸入预处理液体中。为此，液位计与输送滚轮的直径相比更少地位于基底底侧的下方。液位计优选位于基底底侧下方的1mm至30mm、尤其5mm至25mm，尤其10mm至20mm处。在直接润湿的情况下如此调节液位计，使得液位计位于基底底侧下方的0mm至5mm处。这一点足以用预处理液体润湿基底端侧，必要时润湿基底顶侧，从而形成边界区域。预处理液体的温度尤其处在5℃和25℃之间的温度范围内，优选处在室温下。该预处理液体尤其构成为浸蚀溶液，其酸浓度占重量的0.1％至50％，尤其占重量的0.1％至5％。尤其氢氟酸、硝酸、硫酸和/或过磷酸作为酸来用。第二涂敷装置优选具有相应的液位调节器，用于容纳在工艺池中的工艺液体。
根据权利要求11的设备确保以简单且经济的方式对半导体基底进行处理。通过输送装置，水平地输送各自的半导体基底。通过调节输送滚轮的旋转速度，沿传送方向对半导体基底的传送速度进行调节，使得在传送速度尽可能高的情况下确保预处理液体具有足够长的作用时间，以便形成边界区域。尤其通过旋转速度调节器精确地获知各半导体基底的传送速度，因此能够借助传送速度和唯一一个查明的传输位置来操控、尤其是接通和断开第一涂敷装置和/或清洁装置。
此外本发明的目的是，创造一种能够以简单且经济地方式对半导体基底进行化学处理的方法、。
此目的通过具有权利要求12的特征的方法得以实现。按本发明的方法的优点相当于按本发明的设备的已述优点。按本发明的方法尤其也能够借助权利要求1至11的特征改进。i尤其在半导体基底的基底端侧和/或在基底顶侧上生成边界区域。从侧面在半导体基底上形成的边界区域能够简单地生成，并且足以将流体保持在基底顶侧上。通过在基底顶侧上生成的边界区域，将流体有效地保持在基底顶侧上。边界区域尤其在基底顶侧的边缘区域中构成。该边缘区域从半导体基底的环绕的边缘开始，小于2mm，尤其小于1.5mm，尤其小于1mm。该预处理流体优选相当于工艺流体。因此简化了工艺流体或预处理流体的供应。
根据权利要求13的方法确保以简单的方式对基底顶侧进行清洁。尤其借助涂敷喷嘴将清洁流体涂敷到基底顶侧上。清洁流体尤其是清洁液体，例如水。
根据权利要求14的方法确保以简单且经济的方式对半导体基底进行化学处理。通过清除流体流，流体能够以简单的方式涂敷到经清洁的基底顶侧上。因此作为流体，既能够涂敷防护流，也能够涂敷处理流体。所述清除例如借助轧辊实现，其借助挤压力将清洁流体从基底顶侧上清除。此外，所述清除还例如借助鼓风机实现，其借助流体流(尤其是气流)将清洁流体从基底顶侧上清除。经清除的清洁流体在半导体基底的下方例如借助收集池收集。
附图说明
本发明的其它特征、优点和细节从实施例的以下描述中得出。其中：
图1示出了对半导体基底进行化学处理的设备；
图2在扩大的视图中示出了在该设备的第一运行方式时的预处理装置；
图3在正视图中示出了按图2的预处理装置；以及
图4在扩大的视图中示出了在第二运行方式时按图2的预处理装置。
具体实施方式
设备1具有输送装置4，用来沿传送方向3水平地传输半导体基底2。此外，该设备1还包括预处理装置5、第一清洁装置6、清除装置7、第一涂敷装置8、第二涂敷装置9、第二清洁装置10和干燥装置11。该预处理装置5沿传送方向3设置在这些涂敷装置8、9之前。这些半导体基底2尤其构成为半导体晶片，优选构成为硅质晶片。
为了传输半导体基底2，输送装置4具有多个输送滚轮12，它们沿着传送方向3从预处理装置5一直设置到干燥装置11。这些输送滚轮12借助电驱动马达13和未详细示出的转换机制以旋转的方式运转。围绕着各旋转轴线14的旋转速度ω借助测速传感器15测得。在该预处理装置5之前还设置有测位传感器51，用来探测各半导体基底2的传输位置x0。
预处理装置5具有预处理池16，其用来容纳预处理流体17。预处理流体17构成为容纳在预处理池16中的液体，该预处理池构成为液体池。为了测量预处理液体17在预处理池16中的液位h，预处理装置5具有液位测量传感器18。该液位测量传感器18例如设置在预处理池16上。
预处理池16沿传送方向3具有在0.3m和1.5m、尤其在0.4m和1.2m、尤其在0.5m和0.8m之间的长度。这些输送滚轮12在预处理池16的区域中延伸到预处理池16中，并且延伸到容纳其中的预处理液体17中。为了调节液位h，预处理装置5具有储备容器19，其通过导管20和泵21与预处理池16相连。
在设备1的控制装置22中集成着液位调节器23，其与液位测量传感器18和泵21处于信号相通的状态。在控制装置22中集成着用于输送滚轮12的旋转速度调节器24，其与测速传感器15和驱动马达13处于信号相通的状态。液位调节器23和旋转速度调节器24尤其是预处理装置5的一部分。
第一清洁装置6沿传送方向5设置在预处理装置5之后，用来清除预处理液体14以及用来清洁半导体基底2。清洁装置6具有涂敷喷嘴25，其设置在输送滚轮12以及在这些输送滚轮上传输的半导体基底2之上。涂敷喷嘴25用来将涂敷清洁流体26在半导体基底2上，尤其涂敷到半导体基底2的基底顶侧27上。涂敷喷嘴25通过导管28和所属的涂敷泵29与储备容器30相连。涂敷泵29与控制装置22处于信号相关的状态。清洁流体26尤其构成为清洁液体。清洁液体26优选是水、尤其是蒸馏水。
该清除装置7沿传送方向3设置在第一清洁装置6之前。该清除装置7包括置于输送滚轮7之上的清除元件31和置于输送滚轮12之下的收集池32。该清除元件31例如构成为轧辊，其借助挤压力抵靠在各半导体基底2的基底顶侧27上，并且将清洁液体26从基底顶侧27压到收集池32中。备选地，该清除元件31例如构成为鼓风机，其借助指向基底顶侧27的流体流(尤其是气流)将清洁液体26从基底顶侧27清除到收集池32中。
这些涂敷装置8、9沿传送方向3设置在清除装置7之后。第一涂敷装置8用来将流体33涂敷到半导体基底2的各基底顶侧27上。第一涂敷装置8具有涂敷喷嘴34，其设置在输送滚轮12以及在这些输送滚轮上传输的半导体基底2之上。涂敷喷嘴34通过导管35和所属的涂敷泵36与储备容器37相连。涂敷泵36与控制装置22处于信号相关的状态。流体33尤其构成为液体。
第二涂敷装置9用来将工艺流体38涂敷到半导体基底2的各基底底侧39上。预处理流体38构成为容纳在工艺池40中的液体。与预处理装置5相对应的是，第二涂敷装置5具有液位测量传感器41、储备容器42和液位调节器45，该储备容器通过导管43和泵44与工艺池40相连。就第二涂敷装置9的构造而言，请参照预处理装置5的描述。
工艺池40具有第一端部46和沿传送方向3置于后方的第二端部47，其中工艺池40在这两个端部46、47之间具有长度L。第一涂敷装置8、尤其是其涂敷喷嘴34设置在工艺池40的上方。涂敷喷嘴34朝第一端部46具有间距A，其中适用的是：0.01L≤A≤0.3L，尤其0.05L≤A≤0.25L，并且尤其0.1L≤A≤0.2L。
该第二清洁装置10和后置的干燥装置11沿传送方向3设置在这些涂敷装置8、9之后。
该设备1的在第一运转方式中的工作原理如下：
预处理装置5用来在各自的半导体基底2上生成环绕的边界区域48，其将随后借助第一涂敷装置8待涂敷的流体或待涂敷的液体限制在基底顶侧上，因此液体33被保持在基底顶侧27上。为此，预处理池16中的液位借助液位调节器23这样进行调节，使得输送滚轮12浸入由预处理液体17构成的流体池中。输送滚轮12在其围绕着所属的旋转轴线14旋转时携带着来自液体池的预处理液体17，从而间接地借助输送滚轮12对各半导体基底2的基底底侧39进行润湿。预处理液体17的液位计S和基底底侧39之间的间距d在5mm和10mm之间。预处理液体17从基底底侧39自动地移至环绕的基底端侧49。
预处理液体17构成为浸蚀溶液，并且尤其具有氢氟酸和/或硝酸。氢氟酸和/或硝酸的浓度占重量的0.1％至50％，尤其占重量的0.1％至5％。预处理液体17的温度在7℃和25℃之间，例如是20℃。预处理液体17的有效时间通过输送滚轮12的旋转速度ω和/或预处理池16的长度来调节。
通过构成为浸蚀溶液的预处理液体17，在基底端侧49上浸蚀上方层(其拉紧预处理液体17)，因此将击退预处理液体17的下方层暴露在外。击退预处理液体17的下方层优选构成疏水的。通过暴露下方层，自动断开开朝预处理液体17的接触，从而降低浸蚀率并且自动结束浸蚀过程。因此通过此浸蚀过程已经在基底端侧49上产生了环绕的边界区域48，该边界区域在基底顶侧27上环绕地形成内部空间50的边界。
随后将各自的半导体基底2传输至第一清洁装置6，其借助涂敷喷嘴将清洁流体26或清洁液体涂敷到基底顶侧27上。根据查明的传输位置x0以及从传送速度ω中查明的传送速度，使涂敷泵29接通并随后再次关闭，使得清洁流体26只涂敷到各基底顶侧27上。该清洁流体随后借助清除装置7再次从各自的基底顶侧27上去除，从而将预处理液体17从基度表面或基底顶侧27上冲走。借助清洁流体26冲走的预处理液体17在输送滚轮12的下方被收集到收集池32中和/或在此被清除。清洁流体26这样构成，即它被边界区域48限定，使得清洁流体保持在基底顶侧27上。通过该边界区域48，只需对清洁流体26进行大致的配量。
随后将各自的半导体基底2传输至涂敷装置8、9。借助涂敷喷嘴34将流体33或液体涂敷到基底顶侧27上。为此，根据查明的传输位置x0以及从传送速度ω中查明的传送速度，借助控制装置22使涂敷泵36接通和关闭，使得流体33只涂敷到各基底顶侧27上。
流体33例如构成为防护流体或防护液体。防护液体33被边界区域48限定，使得防护液体保持在基底顶侧27上。通过该边界区域48，只需对防护液体进行大致的配量。由于涂敷喷嘴34设置在工艺池40的上方并且设置在第一端部46的附近，所以一方面在用工艺流体38给基底底侧39处理之前及时地涂敷防护液体33，但另一方面也尽量晚地涂敷，使得防护液体33在处理基底底侧39期间完全覆盖基底顶侧27，并且尤其不会自动地(例如由于表面张力)从内腔50的角落中撤回。因此不需要借助另一涂敷装置来按剂量补充防护液体33。该防护液体优选构成为水、尤其是蒸馏水。由于基底顶侧27上的防护液体33，对基底顶侧27进行保护，以避免通过工艺液体38进行的不期望的化学处理。由于防护液体33保持在边界区域48内，所以防护液体不会滴到工艺池40中，从而污染或稀释工艺液体38。因此不必为了维持浸蚀效应而按剂量补充工艺液体38，从而降低了化学物质的消耗。
流体33例如构成为处理流体、尤其是处理液体。处理液体33优选被边界区域48限定，使得防护液体保持在基底顶侧27上。如果处理液体33相当于工艺液体38，则处理液体33的滴落就完全不是问题了。处理液体33优选是液态的浸蚀溶液。
因此根据需求，选择流体33，作为防护流体或处理流体，尤其作为防护液体或处理液体。为此，必须往储备容器37中放入防护流体或处理流体。因此通过简单地更换包含在储备容器37中的流体33，借助该设备1能够执行不同的处理工艺。
第二涂敷装置9借助输送滚轮12将工艺流体38或工艺液体涂敷到基底底侧上。该工艺液体38构成为浸蚀溶液，并且包含氢氟酸和/或硝酸，以便在基底底侧39上对各自的半导体基底2进行化学处理。预处理液体17和工艺液体38优选构成为一样的，因此只需提供浸蚀溶液。该浸蚀溶液尤其能够保存在共同的储备容器19、42中。工艺池40中的液位借助液位测量传感器41、泵44和液位调节器45进行调节。
在进行化学处理之后，各自的半导体基底2在清洁装置10中进行清洁并随后在干燥装置11中进行干燥。各经过化学处理的半导体基底2现在可用于其它加工步骤了。
在第二运转方式该设备1的工作原理中如下：
与第一运转方式不同的是，预处理池16中的液位如此调节，使得预处理液体17直接和/或通过半月板的形成直接润湿各半导体基底2的基底底侧39。该液位h如此调节，使得液位计S具有在0mm和5mm之间的间距。因此通过液位计S，直接用预处理液体17润湿基底底侧39。预处理液体17自动地在环绕的基底端侧49上朝基底顶侧27运动。预处理液体17在基底顶侧27上润湿1mm至10mm的环绕的边缘区域。预处理液体17在基底端侧49上并且局部地在基底顶侧27的边缘区域中浸蚀上方层，从而将位于下方的下方层暴露出来，其在清洁流体26和流体33上起击退(abweisend)作用。由于自限的浸蚀过程，在基底顶侧27上只在达1mm的环绕的边缘区域中暴露了下方层，相反在其余的边缘区域中只浸蚀上方层。因此，基底端侧49以及基底顶侧27上的暴露在外的边缘区域构成环绕的边界区域48。
随后将各经预处理的半导体基底2传输至第一清洁装置6和清除装置7，并随后传输至涂敷装置8、9。环绕的边界区域48再次在基底顶侧27上限定了清洁流体26和流体33(尤其是防护液体)的边界。就其它运转方式而言，请参照第一运转方式的描述。
按本发明的设备和按本发明的方法尤其适合加工太阳能电池，这些太阳能电池已形成纹理、加有涂层、热扩散、植入离子和/或已以热量方式、湿式化学方式和/或自然方式氧化。
Claims (14)
1.一种用来对半导体基底进行化学处理的设备，其具有：
-输送装置(4)，其用来沿传送方向(3)输送半导体基底(2)；
-第一涂敷装置(8)，其用来将流体(33)、尤其是防护流体涂敷到所述半导体基底(2)的基底顶侧(27)上；
-第二涂敷装置(9)，其用来将工艺流体(38)涂敷到所述半导体基底(2)的待处理的基底底侧(39)上；
其特征在于，
为了在所述半导体基底(2)上生成环绕的、限定所述待涂敷的流体(33)的边界区域(48)，预处理装置(5)沿所述传送方向(3)设置在所述涂敷装置(8，9)之前，并且
所述第一涂敷装置(8)设置在所述第二涂敷装置(9)的工艺池(40)的上方。
2.根据权利要求1所述的设备，其特征在于，
所述工艺池(40)在第一端部(46)和沿所述传送方向(3)后置的第二端部(47)之间具有长度L，并且所述第一涂敷装置(8)朝所述第一端部(46)沿所述传送方向(3)具有间距A，其中适用的是：0.01L≤A≤0.3L，尤其0.05L≤A≤0.25L，并且尤其0.1L≤A≤0.2L。
3.根据权利要求1或2所述的设备，其特征在于，
在所述预处理装置(5)和所述涂敷装置(8，9)之间设置有用来清洁所述基底顶侧(27)的清洁装置(6)。
4.根据权利要求3所述的设备，其特征在于，
所述清洁装置(6)构造得用来将清洁流体(26)涂敷到所述基底顶侧(27)上。
5.根据权利要求4所述的装置，其特征在于，
在所述清洁装置(6)和所述涂敷装置(8，9)之间设置有清除装置(7)，用来将清洁流体(26)从所述基底顶侧(27)上清除下来。
6.根据权利要求1至5中任一项所述的设备，其特征在于，
用来查明所述半导体基底(2)的传输位置(x0)的至少一个测位传感器(51)设置在所述第一涂敷装置(8)、尤其所述预处理装置(5)之前。
7.根据权利要求6所述的设备，其特征在于，
所述控制装置(22)这样构成，即根据所述查明的传输位置(x0)来操控所述第一涂敷装置(8)和/或所述清洁装置(6)的涂敷泵(29，36)。
8.根据权利要求1至7中任一项所述的设备，其特征在于，
所述预处理装置(5)具有用于预处理流体(17)、尤其是预处理液体的预处理池(16)。
9.根据权利要求1至8中任一项所述的设备，其特征在于，
所述输送装置(4)具有多个输送滚轮(12)，其中设置在所述预处理池(16)上的所述输送滚轮(12)延伸到所述预处理池(16)中。
10.根据权利要求8或9所述的设备，其特征在于，
所述预处理装置(5)具有用于预处理液体(17)的液位调节器(23)，所述预处理液体容纳在所述预处理池(16)中。
11.根据权利要求9至11中任一项所述的设备，其特征在于，
所述输送装置(4)具有用于所述输送滚轮(12)的旋转速度调节器(24)。
12.一种用来对半导体基底进行化学处理的方法，其具有以下步骤：
-提供半导体基底(2)；
-在所述半导体基底(2)上生成环绕的边界区域(48)，所述边界区域包围且限定待涂敷到基底顶侧(27)上的流体(33)、尤其是防护流体；
-在具有工艺流体(38)的工艺池(40)的上方在所述边界区域(48)的内部空间(50)中将流体(33)涂敷到所述基底顶侧(27)上；
-将所述工艺流体(38)涂敷到待处理的基底底侧(39)上；
13.根据权利要求12所述的方法，其特征在于，
在生成所述边界区域(48)之后，尤其通过涂敷清洁流体(26)对所述基底顶侧(27)进行清洁。
14.根据权利要求13所述的方法，其特征在于，
在涂敷所述流体(33)之前，将所述清洁流体(26)从所述基底顶侧(27)上清除。
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