CN108281367B - 提高基板温度均匀度的基座 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了提高基板温度均匀度的基座,包括PECVD腔室和基座，所述PECVD腔室的底部连接有反应腔室，PECVD腔室的顶部插有气体注入管，气体注入管的底部连接有等离子电极，反应腔室的底部插有竖直的移送手段，移送手段的顶部安装有基座，所述基座包括板状本体、电热线和主杆体，基座上放置有基板，基座的板状本体底面形成有凹槽槽体，凹槽槽体内放置有主电热线，主杆体为两侧开口的中空管状，主电热线向基座的中心延伸，并穿过基座的中心槽，中心槽内设有中心电热线，中心电热线上设有电热缠线，电热缠线内缠绕有云母板，本发明体加热均匀，平衡了中心槽温度与周边温度的差别，保证蒸镀膜成膜厚度均匀。

Description

提高基板温度均匀度的基座
技术领域
本发明涉及基座技术领域，尤其涉及提高基板温度均匀度的基座。
背景技术
一般的等离子化学气相蒸着装备由反应腔室和腔室盖形成与外部隔绝的反应空间，在上述反应空间内，设置有通过移送手段可上下移送并电路接地的基座，等离子化学气相蒸着腔室经基座与上述等离子电极从高频电源加载高能量将注入的气体激活为等离子状态并以此基座上形成蒸镀膜层，加载到等离子电极的高能量电压使PECVD腔室内通过气体注入管注入的蒸镀绝缘气体因高阶电压而变成等离子状态，并蒸镀到被加基座上的基座表面形成一定厚度的蒸镀膜。
原有的基座在电热线收敛的中心部位没能均匀地发生热传导，因此温度较周边更低，而且电热线为了将温度传导至中心部位而持续升温，而使电热线发生早期断线的问题。
发明内容
本发明的目的是为了解决现有技术中存在的缺点，而提出的提高基板温度均匀度的基座。
为了实现上述目的，本发明采用了如下技术方案：
提高基板温度均匀度的基座，包括PECVD腔室和基座，所述PECVD腔室的底部连接有反应腔室，PECVD腔室的侧面设有腔室盖，PECVD腔室的顶部设有通孔，且通孔内插有气体注入管，气体注入管竖直放置，且气体注入管的底部连接有等离子电极，反应腔室的底部插有竖直的移送手段，移送手段沿反应腔室的中心向反应腔室内延伸，移送手段的顶部安装有基座，所述基座包括板状本体、电热线和主杆体，基座上放置有基板，基座的板状本体底面形成有凹槽槽体，凹槽槽体内放置有主电热线，主杆体为两侧开口的中空管状，主电热线向基座的中心延伸，并穿过基座的中心槽，中心槽内设有中心电热线，中心电热线上设有电热缠线，电热缠线内缠绕有云母板。
优选的，所述等离子电极的结构为T字型结构，T字杆倒立放置，等离子电极的竖直部分连接有气体注入管，等离子电极的水平部分设有喷射孔，并且喷射孔位于远离气体注入管的一侧。
优选的，所述等离子电极与高频电源的输出端电性相连。
优选的，所述基座的凹槽槽体包括主电热线埋设槽和中心槽，且主电热线埋设槽设有特定纹理，中心槽形成在底面中央部位，并且主电热线埋设槽的两端连接于中心槽的侧面。
优选的，所述电热缠线的曲折部位沿垂直于中心槽底面的方向向外侧延伸。
优选的，所述云母板由多层云母片叠加，并且云母板的层与层之间缠绕有电热丝。
本发明的有益效果是：
1、本装置可以制动调节温度，使中心部位温度在可调整状态，使板状本体整体加热均匀，得到基板上的蒸镀膜成膜厚度均匀的效果。
2、云母板经电热线加热，放热均匀并且热量持续时间持久，具备了中心电热线可加热板状本体的中心部位，平衡了中心槽温度与周边温度的差别。
附图说明
图1为本发明提出的提高基板温度均匀度的基座的等离子化学气相蒸着装备解构的结构示意图；
图2为本发明提出的提高基板温度均匀度的基座的中心电热线结构示意图；
图3为本发明提出的提高基板温度均匀度的基座的A-A剖视结构示意图。
图中：1PECVD腔室、2反应腔室、3腔室盖、4移送手段、5基板、6基座、7等离子电极、7a喷射孔、8气体注入管、9高频电源、10中心电热线、11电热缠线、12主电热线、13云母板、14中心槽。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。
参照图1-3，提高基板温度均匀度的基座，包括PECVD腔室1和基座6，其特征在于，PECVD腔室1的底部连接有反应腔室2，PECVD腔室1的侧面设有腔室盖3，PECVD腔室1的顶部设有通孔，且通孔内插有气体注入管8，气体注入管8竖直放置，且气体注入管8的底部连接有等离子电极7，反应腔室2的底部插有竖直的移送手段4，移送手段4沿反应腔室2的中心向反应腔室2内延伸，移送手段4的顶部安装有基座6，基座6包括板状本体、电热线和主杆体，基座6上放置有基板5，基座6的板状本体底面形成有凹槽槽体，凹槽槽体内放置有主电热线12，主杆体为两侧开口的中空管状，主电热线12向基座6的中心延伸，并穿过基座6的中心槽14，中心槽14内设有中心电热线10，中心电热线10上设有电热缠线11，电热缠线11内缠绕有云母板13，等离子电极7的结构为T字型结构，T字杆倒立放置，等离子电极7的竖直部分连接有气体注入管8，等离子电极7的水平部分设有喷射孔7a，并且喷射孔7a位于远离气体注入管8的一侧，等离子电极7与高频电源9的输出端电性相连，基座6的凹槽槽体包括主电热线埋设槽和中心槽，且主电热线埋设槽设有特定纹理，中心槽形成在底面中央部位，并且主电热线埋设槽的两端连接于中心槽的侧面，电热缠线11的曲折部位沿垂直于中心槽14底面的方向向外侧延伸，云母板13由多层云母片叠加，并且云母板13的层与层之间缠绕有电热丝。
本实施例中，主电热线12从中心槽14向半径方向内向凸出，中心电热线10上缠绕有云母板13，并且中心电热线10的上方连接的电热缠线11向上延伸，这样中心电热线10与主电热线12向上延伸，并随着移送手段4进行移动，便可以调节温度，使中心部位温度在可调整状态，使板状本体整体加热均匀，得到基板5的蒸镀膜成膜厚度均匀的效果，云母板13经电热线加热，放热均匀并且热量持续时间持久，具备了中心电热线10可加热板状本体的中心部位，平衡了中心槽14温度与周边温度的差别。
以上所述，仅为本发明较佳的具体实施方式，但本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，根据本发明的技术方案及其发明构思加以等同替换或改变，都应涵盖在本发明的保护范围之内。

Claims (3)

1.提高基板温度均匀度的基座，包括PECVD腔室(1)和基座(6)，其特征在于，所述PECVD腔室(1)的底部连接有反应腔室(2)，PECVD腔室(1)的侧面设有腔室盖(3)，PECVD腔室(1)的顶部设有通孔，且通孔内插有气体注入管(8)，气体注入管(8)竖直放置，且气体注入管(8)的底部连接有等离子电极(7)，反应腔室(2)的底部插有竖直的移送手段(4)，移送手段(4)沿反应腔室(2)的中心向反应腔室(2)内延伸，移送手段(4)的顶部安装有基座(6)，所述基座(6)包括板状本体、电热线和主杆体，基座(6)上放置有基板(5)，基座(6)的板状本体底面形成有凹槽槽体，所述基座(6)的凹槽槽体包括主电热线埋设槽和中心槽(14)，且主电热线埋设槽设有特定纹理，中心槽(14)形成在底面中央部位，并且主电热线埋设槽的两端连接于中心槽(14)的侧面；
主电热线埋设槽内放置有主电热线(12)，主杆体为两侧开口的中空管状，主电热线(12)向基座(6)的中心延伸，并穿过基座(6)的中心槽(14)，中心槽(14)内设有中心电热线(10)，中心电热线(10)上设有电热缠线(11)，所述电热缠线(11)的曲折部位沿垂直于中心槽(14)底面的方向向外侧延伸；
所述电热缠线(11)内缠绕有云母板(13)，所述云母板(13)由多层云母片叠加，并且云母板(13)的层与层之间缠绕有电热丝。
2.根据权利要求1所述的提高基板温度均匀度的基座，其特征在于，所述等离子电极(7)的结构为T字型结构，T字杆倒立放置，等离子电极(7)的竖直部分连接有气体注入管(8)，等离子电极(7)的水平部分设有喷射孔(7a)，并且喷射孔(7a)位于远离气体注入管(8)的一侧。
3.根据权利要求1所述的提高基板温度均匀度的基座，其特征在于，所述等离子电极(7)与高频电源(9)的输出端电性相连。
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