CN108271418B - 触摸屏湿水状态检测方法及电容触控装置 - Google Patents

触摸屏湿水状态检测方法及电容触控装置 Download PDF

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Abstract

一种触摸屏湿水状态检测方法及电容触控装置，方法包括：获取根据电容阵列网络中每一个耦合电容电极之间的介质为空气时耦合电容输出的样本特征数据统计得到的基准特征数据值（S101）；获取电容阵列网络中每一个耦合电容输出的实时特征数据，根据每一个耦合电容输出的实时特征数据与所述基准特征数据，判断对应的耦合电容是否处于湿水状态（S102）。可以在终端的触控屏处于湿水状态后有选择的调整触控功能或者关闭电路中的部分电源。

Description

触摸屏湿水状态检测方法及电容触控装置
技术领域
本发明实施例涉及触控技术领域，尤其涉及一种触摸屏湿水状态检测方法及电容触控装置。
背景技术
触控技术如应用在智能终端上，可以让使用者只要通过手势操作即可实现终端的操作，摆脱了传统的机械键盘，使人机交互更为直截了当。根据感应原理可将触控技术分为：电阻式(Resistive)、电容式(Capacitive)、音波式(Surface Acoustic Wave)及光学式(Optics)等四种。目前，在智能终端上应用最多的是电容式触控技术。
电容技术触摸屏CTP(Capacity Touch Panel)是利用人体的电流感应进行工作，当用户触摸电容屏时，由于人体电场，用户手指和工作面形成一个耦合电容，通过检测该耦合电容的电容值从而实现一系列触控操作的功能。
对于电容触控技术中，又可以划分为表面电容式触控技术和投射式电容触控技术，而目前在智能终端商应用更多的则是投射式电容触控技术，在投射式电容触控技术中，上下电极细分成矩阵式分布，沿着X轴、Y轴交叉分布，形成电容矩阵，当手指触碰时透用X、Y轴之扫描即可侦测在触碰位置电容变化，进而计算手指的触控位置，据此实现一系列的触控操作功能。
但是，在智能终端使用的过程，终端的屏幕中会出现湿水情况，这就导致触控操作的所有功能难以正常实现，或者对终端本身造成破坏，从而有必要禁止所有或者部分触摸功能防止错误触控动作，或者关闭电路中的某些电源防止出现短路，例如USB处。
因此，亟待提供一种湿水状态检测方法及装置，用于在终端的触控屏处于湿水状态后有选择的调整触控功能或者关闭电路中的部分电源。
发明内容
本发明实施例的目的在于提供一种触摸屏湿水状态检测方法及电容触控装置，用以至少解决现有技术中的上述问题。
为实现本发明实施例的目的，本发明实施例提供了一种触摸屏湿水状态检测方法，其包括：
获取根据电容阵列网络中每一个耦合电容电极之间的介质为空气时耦合电容输出的样本特征数据统计得到的基准特征数据值；
获取电容阵列网络中每一个耦合电容输出的实时特征数据，根据每一个耦合电容输出的实时特征数据与所述基准特征数据，判断对应的耦合电容是否处于湿水状态。
为实现本发明实施例的目的，本发明实施例提供了一种电容触控装置，其包括：处理器以及电容阵列网络，所述处理器用于获取根据电容阵列网络中每一个耦合电容电极之间的介质为空气时耦合电容输出的样本特征数据统计得到的基准特征数据；以及获取电容阵列网络中每一个耦合电容输出的实时特征数据，根据每一个耦合电容输出的实时特征数据与所述基准特征数据，判断对应的耦合电容是否处于湿水状态。
本发明实施例中，通过获取根据电容阵列网络中每一个耦合电容电极之间的介质为空气时耦合电容输出的样本特征数据统计得到的基准特征数据值；以及获取电容阵列网络中每一个耦合电容输出的实时特征数据，根据每一个耦合电容输出的实时特征数据与所述基准特征数据，判断对应的耦合电容是否处于湿水状态，从而可以在终端的触控屏处于湿水状态后有选择的调整触控功能或者关闭电路中的部分电源。
附图说明
图1为本发明实施例一湿水状态检测方法流程示意图；
图2为本发明实施例二湿水状态检测方法流程示意图；
图3-图5为将分别是实施例一中互电容情形下的一个具体示例的电容基准值的数据、实时电容值的数据、电容差值的数据列表；
图6-图8分别是实施例一中自电容情形下的一个具体示例的电容基准值的数据、实时电容值的数据、电容差值的数据列表；
图9为本发明实施例三中湿水状态检测方法流程示意图；
图10为本发明实施例四中湿水状态检测方法流程示意图；
图11为本发明实施例五中湿水状态检测方法流程示意图；
图12为本发明实施例六中电容触控装置结构示意图；
图13为本发明实施例七中电容触控装置的一具体结构示意图。
具体实施方式
以下将配合图式及实施例来详细说明本申请的实施方式，藉此对本申请如何应用技术手段来解决技术问题并达成技术功效的实现过程能充分理解并据以实施。
本发明下述实施例中，通过获取根据电容阵列网络中每一个耦合电容电极之间的介质为空气时耦合电容输出的样本特征数据统计得到的基准特征数据值；以及获取电容阵列网络中每一个耦合电容输出的实时特征数据，根据每一个耦合电容输出的实时特征数据与所述基准特征数据，判断对应的耦合电容是否处于湿水状态，从而可以在终端的触控屏处于湿水状态后有选择的调整触控功能或者关闭电路中的部分电源等。
图1为本发明实施例一湿水状态检测方法流程示意图；如图1所示，其包括：
S101、获取根据电容阵列网络中每一个耦合电容电极之间的介质为空气时耦合电容输出的样本特征数据统计得到的基准特征数据；
本实施例中，触控屏的电容阵列网络可由驱动电极和感应电极组成，耦合电容可以是指驱动电极和感应电极之间形成的电容节点。与耦合电容的电极之间介质为空气相比，在没有手指触控时，如果驱动电极和感应电极之间的介质为空气时，耦合电容输出的特征数据将会变小，据此，将电容阵列网络直接置入水中，测量每个耦合电容输出的样本特征数据，该样本特征数据反映电容的大小，比如可以是电容输出的电压信号，或者是对电压信号进行数字化的结果，对这些样本特征数据进行统计分析得到基准特征数据。
S102、获取电容阵列网络中每一个耦合电容输出的实时特征数据，根据每一个耦合电容输出的实时特征数据与所述基准特征数据，判断对应的耦合电容是否处于湿水状态；
如前所述，入水前后，同一耦合电容输出的实时特征数据将会变小，即；在无任何触控的前提下，入水前耦合电容输出的特征数据为基准特征数据，而入水后输出的实时特征数据相对其变小。因此，本实施例中，步骤S102中，通过所述实时特征数据的值与所述基准特征数据的值进行比对，如果所述实时特征数据的值小于所述基准特征数据的值，判定对应的耦合电容处于湿水状态。
图2为本发明实施例二湿水状态检测方法流程示意图；如图2所示，其包括：
S201、获取根据电容阵列网络中每一个耦合电容电极之间的介质为空气时耦合电容输出的样本特征数据统计得到的基准特征数据；
S202、每一个耦合电容输出的实时特征数据与各自对应的基准特征数据基准进行比对，确定实时特征数据差值；
本实施例中，为了提高湿水状态检测的准确率，通过每一个耦合电容输出的实时特征数据与各自对应的特征数据基准进行比对，确定特征数据差值。
S203、如果所述实时特征数据差值大于第一阈值，确认判定对应的耦合电容已处于湿水状态。
本实施例中，可以通过将电容阵列网络置于水中，获得每个耦合电容输出的样本特征数据，每个耦合电容输出的样本特征数据与对应的基准特征数据进行差值得到样本特征数据差值，对这些差值进行统计运算从而确定出第一阈值，比如对所有耦合电容对应的样本特征差值数据进行平均运算得到第一阈值。
表一NxM电容阵列的互电容的实时电容值的数据
A00 A01 A02 A03 ... ... A0(M-3) A0(M-2) A0(M-1)
A10 A11 A12 A13 ... ... A1(M-3) A1(M-2) A1(M-1)
A20 A21 A22 A23 ... ... A2(M-3) A2(M-2) A2(M-1)
... ... ... ... ... ... ... ... ...
A(N-2)0 A(N-2)1 A(N-2)2 A(N-2)3 ... ... A(N-2)(M-3) A(N-2)(M-2) A(N-2)(M-1)
A(N-1)0 A(N-1)1 A(N-1)2 A(N-1)3 ... ... A(N-1)(M-3) A(N-1)(M-2) A(N-1)(M-1)
参见表一中，有N行驱动检测通道，M行感应检测通道，形成了NxM互电容，该NxM互电容的实时电容值的数据分别为A00……A(N-1)(M-1),这些电容值的数据作为实时特征数据。
表二NxM电容阵列的自电容的实时电容值的数据
CX0 CX1 CX2 CX3 ... ... CX(N-3) CX(N-2) CX(N-1)
CY0 CY1 CY2 CY3 ... ... CY(M-3) CY(M-2) CY(M-1)
参见表二，以上的X方向有N个对地电容，Y方向有M个通道，有M个对地电容，总共N+M个自电容，该N+M个自电容的实时电容值的数据分别为CX0……CX(N-1),CY0……CY(M-1)，这些电容值的数据作为实时特征数据。
表三进水后NxM电容阵列的互电容的电容差值的数据
D00 D01 D02 D03 ... ... D0(M-3) D0(M-2) D0(M-1)
D10 D11 D12 D13 ... ... D1(M-3) D1(M-2) D1(M-1)
D20 D21 D22 D23 ... ... D2(M-3) D2(M-2) D2(M-1)
... ... ... ... ... ... ... ... ...
D(N-2)0 D(N-2)1 D(N-2)2 D(N-2)3 ... ... D(N-2)(M-3) D(N-2)(M-2) D(N-2)(M-1)
D(N-1)0 D(N-1)1 D(N-1)2 D(N-1)3 ... ... D(N-1)(M-3) D(N-1)(M-2) D(N-1)(M-1)
参见表三，为互电容情形时，入水后实时电容值与入水前且无触控时互基准电容值的差值数据D20……D(N-1)(M-1)，作为特征数据差值。
表四NxM电容阵列的自电容的电容差值的数据
EX0 EX1 EX2 EX3 ... EX(N-3) EX(N-2) EX(N-1)
EY0 EY1 EY2 EY3 ... ... EY(M-3) EY(M-2) EY(M-1)
参见表四，为自电容情形时，入水后实时实时电容值与入水前且无触控时基准电容值的差值数据EX0……EX(N-1),EY0……EY(M-1)，作为特征数据差值。
图3-图5分别是实施例一中互电容情形下的一个具体示例的电容基准值的数据、实时电容值的数据、电容差值的数据列表。
参见上述图3至图5所示，入水后，互电容输出的实时电容值存在部分突然减小的情形，而参见图5，没有进水部分的互电容，电容差值相对来说较小，可以忽略不计。而进水部分的互电容，电容差值相对来说较大。在一个具体实施方式中，为了区别入水部分和未入水部分的互电容，设置了第一阈值具体的可以设置为111，以较为准确的区别出湿水状态。第一阈值可以通过上述实施例二中的方法得到，详细不再赘述。需要说明的是，图3-图5中的具体数据只要反映出互电容的电容值大小即可，其与具体的检测电路有关，详细不再赘述。
图6-图8分别是实施例一中自电容情形下的一个具体示例的电容基准值的数据、实时电容值的数据、电容差值的数据列表。参照上述互电容的情形，适用于自电容情形的第一阈值可以2549。
本实施例中，还可以根据处于湿水状态的耦合电容的坐标，确定湿水区域位置；和/或，根据处于湿水状态的耦合电容的个数，确定湿水区域的总面积。
图9为本发明实施例三中湿水状态检测方法流程示意图；如图9所示，其包括：
S301、获取根据电容阵列网络中每一个耦合电容电极之间的介质为空气时耦合电容输出的样本特征数据统计得到的基准特征数据；
S302、获取电容阵列网络中每一个耦合电容输出的实时特征数据，每一个耦合电容输出的实时特征数据与各自对应的基准特征数据进行比对，确定实时特征数据差值；
S303、如果所述特征数据差值大于所述第一阈值，判定对应的耦合电容处于湿水状态。
本实施例中，步骤S301-S303可参见上述实施例的记载，详细不再赘述。
S304、对大于第一阈值的不同耦合电容输出的所述实时特征数据差值进行方差统计，如果统计出的方差小于第二阈值，则向智能终端的系统上报所述湿水状态。
本实施例中，与上述实施例不同的是，相对于由于手指触控导致的耦合电容的变化值来说，考虑到水由于各处的接触比较一致，因此耦合电容的变化值的方差就会较小，即特征数据差值的方差较小。因此，本实施例中，类似上述统计第一阈值的方法，统计出第二阈值，通过特征数据差值的方差与第二阈值的比对，从而进一步确定了湿水状态的发生，进一步将湿水状态上报给系统，由系统根据湿水状态的具体情形比如湿水区域的总面积、湿水区域的位置调整触控操作功能的实现防止误操作的发生等，或者进一步关闭终端中的部分电源防止对终端造成损坏等。
图10为本发明实施例四中湿水状态检测方法流程示意图；如图10所示，其包括：
S401、根据电容阵列网络中每一个耦合电容电极之间的介质为空气时耦合电容输出的样本特征数据统计得到基准特征数据；
S402、获取电容阵列网络中每一个耦合电容输出的实时特征数据，每一个耦合电容输出的实时特征数据与所述基准特征数据进行比对；
S403、如果所述实时特征数据小于所述基准特征数据，判定对应的耦合电容处于湿水状态，根据处于湿水状态的耦合电容的个数，确定湿水区域的总面积；
本实施例中，步骤S401-S403参见上述实施例，在此不再赘述。
S404、如果统计出的湿水的总面积大于设定的第三阈值，则向智能终端的系统上报所述湿水状态。
本实施例中，第三阈值可以作为湿水严重程度的一个判断标准，第四阈值可以用户自定义，如果湿水区域的总面积小于第三阈值，判定当前湿水状态不会对终端带来影响。而当湿水区域的总面积大于第三阈值，判定当前湿水状态会对终端带来影响，此时向智能终端的系统上报所述湿水状态，由系统根据湿水区域的总面积调整触控操作功能的实现防止误操作的发生等，或者进一步关闭终端中的部分电源防止对终端造成损坏等。
图11为本发明实施例五中湿水状态检测方法流程示意图；如图11所示，其包括：
S501、根据电容阵列网络中每一个耦合电容电极之间的介质为空气时耦合电容输出的样本特征数据统计得到基准特征数据；
S502、对电容阵列网络中每一个耦合电容输出的实时特征数据进行多次采样以生成各耦合电容对应的平均实时特征数据；
步骤S502中对电容阵列网络中每一个耦合电容输出的实时特征数据进行多次采样以生成各耦合电容对应的平均实时特征数据包括：对每次采样得到的实时特征数据进行去抖处理，根据去抖后的实时特征数据以生成各耦合电容对应的平均实时特征数据。通过去抖处理，防止在进入水的过程中，存在不稳定的情况，防止实时特征数据发生突变导致数据失准。
本实施例中，所述多次采样的采样频率大于湿水前的采样频率，比如通过控制刷新率从而提高采样频率，提高实时特征数据的采样准确性。
S503、根据各耦合电容输出的平均实时特征数据与所述基准特征数据，判断对应的耦合电容是否处于湿水状态；
本实施例中，如所述平均实时特征数据的值小于所述基准特征数据的值，判定对应的耦合电容处于湿水状态。
本实施例或其他实施例中，根据处于湿水状态的耦合电容的坐标，确定湿水区域位置；和/或根据处于湿水状态的耦合电容的个数，确定湿水区域的总面积。
可替代地，在另一实施例中还可以通过每一个耦合电容输出的平均实时特征数据与各自对应的特征数据基准进行比对，确定特征数据差值；如果所述特征数据差值大于所述第一阈值，判定对应的耦合电容处于湿水状态。
参照上述实施例，在图11实施例的基础上，在另一实施例中，还包括：对大于第一阈值的不同耦合电容输出的所述实时特征数据差值进行方差统计，如果统计出的方差小于第二阈值，则向智能终端的系统上报所述湿水状态。
参照上述实施例，在图11实施例的基础上，在另一实施例中，如果统计出的湿水区域的总面积大于设定的第三阈值，则向智能终端的系统上报所述湿水状态。
参照上述实施例，所述电容阵列网络为自电容阵列网络，所述耦合电容为自电容；或者，所述电容阵列网络为互电容阵列网络，所述耦合电容为互电容。
图12为本发明实施例六中电容触控装置结构示意图；如图12所示，其包括：处理器601以及电容阵列网络602，所述处理器601以及电容阵列网络，所述处理器用于获取根据电容阵列网络中每一个耦合电容电极之间的介质为空气时耦合电容输出的样本特征数据统计得到的基准特征数据；获取电容阵列网络中每一个耦合电容输出的实时特征数据，根据每一个耦合电容输出的实时特征数据与所述基准特征数据，判断对应的耦合电容是否处于湿水状态。
在本实施例或其他实施例中，所述处理器601进一步用于如果所述实时特征数据的值小于所述基准特征数据的值，判定对应的耦合电容处于湿水状态。或者，所述处理器进一步用于每一个耦合电容输出的实时特征数据与各自对应的基准特征数据进行比对，确定实时特征数据差值；如果所述实时特征数据差值大于第一阈值，判定对应的耦合电容处于湿水状态。
进一步地，在本实施例或其他实施例中，所述处理器601进一步用于对大于第一阈值的不同耦合电容输出的所述实时特征数据差值进行方差统计，如果统计出的方差小于第二阈值，则向智能终端的系统上报所述湿水状态。
进一步地，在本实施例或其他实施例中，所述处理器601进一步用于根据处于湿水状态的耦合电容的坐标，确定湿水区域位置；和/或根据处于湿水状态的耦合电容的个数，确定湿水区域的总面积。
进一步地，在本实施例或其他实施例中，所述处理器601进一步用于如果统计出的湿水的总面积大于设定的第三阈值，则向智能终端的系统上报所述湿水状态。
可替代地，在本实施例或其他实施例中，所述处理器601进一步用于对电容阵列网络中每一个耦合电容输出的实时特征数据进行多次采样以生成各耦合电容对应的平均实时特征数据，根据各耦合电容输出的平均实时特征数据与所述基准特征数据，判断对应的耦合电容是否处于湿水状态。
进一步地，在本实施例或其他实施例中，所述处理器601进一步用于对每次采样得到的实时特征数据进行去抖处理，根据去抖后的实时特征数据以生成各耦合电容对应的平均实时特征数据。
进一步地，在本实施例或其他实施例中，所述处理器601进一步用于如果所述平均实时特征数据的值小于所述基准特征数据的值，则判定对应的耦合电容处于湿水状态。
可替代地，在本实施例或其他实施例中，所述处理器601进一步用于每一个耦合电容输出的平均实时特征数据与各自对应的基准特征数据进行比对，确定平均实时特征数据差值；如果所述平均实时特征数据差值大于第一阈值，确认对应的耦合电容处于湿水状态。
进一步地，在本实施例或其他实施例中，所述处理器601进一步用于对大于第一阈值的不同耦合电容输出的所述实时特征数据差值进行方差统计，如果统计出的方差小于第二阈值，则向智能终端的系统上报所述湿水状态。
图13为本发明实施例七中电容触控装置的一具体结构示意图；如图13所示，本实施例以耦合电容为互电容为例，即电容阵列网络为互电容阵列网络，其包括驱动通道701、感应通道702、多路复用器703、控制器704以及互电容阵列网络705，驱动通道701向耦合电容提供驱动信号，感应通道702用于接收耦合电容的输出信号，多路复用器703用于使得多个耦合电容复用同一驱动通道701或者同一感应通道702，所述控制器704用于获取根据互电容阵列网络705中每一个耦合电容电极之间的介质为空气时耦合电容输出的样本特征数据统计得到的基准特征数据；获取电容阵列网络中每一个耦合电容输出的实时特征数据，根据每一个耦合电容输出的实时特征数据与所述基准特征数据，判断对应的耦合电容是否处于湿水状态。
有关控制器704详细解释可参见上述实施例中对处理器的相关记载，在此不再赘述。
本申请的实施例所提供的装置可通过计算机程序实现。本领域技术人员应该能够理解，上述的单元以及模块划分方式仅是众多划分方式中的一种，如果划分为其他单元或模块或不划分块，只要信息对象的具有上述功能，都应该在本申请的保护范围之内。
本领域的技术人员应明白，本申请的实施例可提供为方法、装置(设备)、或计算机程序产品。因此，本申请可采用完全硬件实施例、完全软件实施例、或结合软件和硬件方面的实施例的形式。而且，本申请可采用在一个或多个其中包含有计算机可用程序代码的计算机可用存储介质(包括但不限于磁盘存储器、CD-ROM、光学存储器等)上实施的计算机程序产品的形式。
本申请是参照根据本申请实施例的方法、装置(设备)和计算机程序产品的流程图和/或方框图来描述的。应理解可由计算机程序指令实现流程图和/或方框图中的每一流程和/或方框、以及流程图和/或方框图中的流程和/或方框的结合。可提供这些计算机程序指令到通用计算机、专用计算机、嵌入式处理机或其他可编程数据处理设备的处理器以产生一个机器，使得通过计算机或其他可编程数据处理设备的处理器执行的指令产生用于实现在流程图一个流程或多个流程和/或方框图一个方框或多个方框中指定的功能的装置。
这些计算机程序指令也可存储在能引导计算机或其他可编程数据处理设备以特定方式工作的计算机可读存储器中，使得存储在该计算机可读存储器中的指令产生包括指令装置的制造品，该指令装置实现在流程图一个流程或多个流程和/或方框图一个方框或多个方框中指定的功能。
这些计算机程序指令也可装载到计算机或其他可编程数据处理设备上，使得在计算机或其他可编程设备上执行一系列操作步骤以产生计算机实现的处理，从而在计算机或其他可编程设备上执行的指令提供用于实现在流程图一个流程或多个流程和/或方框图一个方框或多个方框中指定的功能的步骤。
尽管已描述了本申请的优选实施例，但本领域内的技术人员一旦得知了基本创造性概念，则可对这些实施例作出另外的变更和修改。所以，所附权利要求意欲解释为包括优选实施例以及落入本申请范围的所有变更和修改。显然，本领域的技术人员可以对本申请进行各种改动和变型而不脱离本申请的精神和范围。这样，倘若本申请的这些修改和变型属于本申请权利要求及其等同技术的范围之内，则本申请也意图包含这些改动和变型在内。

Claims (20)

1.一种触摸屏湿水状态检测方法，其特征在于，包括：
获取根据电容阵列网络中每一个耦合电容电极之间的介质为空气时耦合电容输出的样本特征数据统计得到的基准特征数据；
获取电容阵列网络中每一个耦合电容输出的实时特征数据，每一个耦合电容输出的实时特征数据与各自对应的基准特征数据进行比对，确定实时特征数据差值；如果所述实时特征数据差值大于第一阈值，判定对应的耦合电容处于湿水状态，所述第一阈值为将电容阵列网络置于水中，获得每个耦合电容输出的样本特征数据，每个耦合电容输出的样本特征数据与对应的基准特征数据进行差值得到样本特征数据差值，对这些差值进行统计运算确定。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，还包括：对大于第一阈值的不同耦合电容输出的所述实时特征数据差值进行方差统计，如果统计出的方差小于第二阈值，则向智能终端的系统上报所述湿水状态。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，还包括：根据处于湿水状态的耦合电容的坐标，确定湿水区域位置；和/或根据处于湿水状态的耦合电容的个数，确定湿水区域的总面积。
4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，还包括：如果统计出的湿水的总面积大于设定的第三阈值，则向智能终端的系统上报所述湿水状态。
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，每一个耦合电容输出的实时特征数据与各自对应的基准特征数据进行比对，确定实时特征数据差值；如果所述实时特征数据差值大于第一阈值，判定对应的耦合电容处于湿水状态包括：每一个耦合电容进行多次采样获得的平均实时特征数据与各自对应的基准特征数据进行比对，确定平均实时特征数据差值；如果所述平均实时特征数据差值大于第一阈值，确认对应的耦合电容处于湿水状态。
6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，还包括：对大于第一阈值的不同耦合电容输出的所述实时特征数据差值进行方差统计，如果统计出的方差小于第二阈值，则向智能终端的系统上报所述湿水状态。
7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，还包括：根据处于湿水状态的耦合电容的坐标，确定湿水区域位置；和/或根据处于湿水状态的耦合电容的个数，确定湿水区域的总面积。
8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，还包括：如果统计出的湿水区域的总面积大于设定的第三阈值，则向智能终端的系统上报所述湿水状态。
9.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，还包括：对每次采样得到的实时特征数据进行去抖处理，根据去抖后的实时特征数据以生成各耦合电容对应的平均实时特征数据。
10.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述多次采样的采样频率大于湿水前的采样频率。
11.根据权利要求1-10任一项所述的方法，其特征在于，所述电容阵列网络为自电容阵列网络，所述耦合电容为自电容；或者，所述电容阵列网络为互电容阵列网络，所述耦合电容为互电容。
12.一种电容触控装置，其特征在于，包括：处理器以及电容阵列网络，所述处理器用于获取根据电容阵列网络中每一个耦合电容电极之间的介质为空气时耦合电容输出的样本特征数据统计得到的基准特征数据；每一个耦合电容输出的实时特征数据与各自对应的基准特征数据进行比对，确定实时特征数据差值；如果所述实时特征数据差值大于第一阈值，判定对应的耦合电容处于湿水状态；所述第一阈值为将电容阵列网络置于水中，获得每个耦合电容输出的样本特征数据，每个耦合电容输出的样本特征数据与对应的基准特征数据进行差值得到样本特征数据差值，对这些差值进行统计运算确定。
13.根据权利要求12所述的装置，其特征在于，所述处理器进一步用于对大于第一阈值的不同耦合电容输出的所述实时特征数据差值进行方差统计，如果统计出的方差小于第二阈值，则向智能终端的系统上报所述湿水状态。
14.根据权利要求13所述的装置，其特征在于，所述处理器进一步用于根据处于湿水状态的耦合电容的坐标，确定湿水区域位置；和/或根据处于湿水状态的耦合电容的个数，确定湿水区域的总面积。
15.根据权利要求14所述的装置，其特征在于，所述处理器进一步用于如果统计出的湿水的总面积大于设定的第三阈值，则向智能终端的系统上报所述湿水状态。
16.根据权利要求15所述的装置，其特征在于，所述处理器进一步用于每一个耦合电容进行多次采样获得的平均实时特征数据与各自对应的基准特征数据进行比对，确定平均实时特征数据差值；如果所述平均实时特征数据差值大于第一阈值，确认对应的耦合电容处于湿水状态。
17.根据权利要求16所述的装置，其特征在于，所述处理器进一步用于对大于第一阈值的不同耦合电容输出的所述实时特征数据差值进行方差统计，如果统计出的方差小于第二阈值，则向智能终端的系统上报所述湿水状态。
18.根据权利要求17所述的装置，其特征在于，所述处理器进一步用于根据处于湿水状态的耦合电容的坐标，确定湿水区域位置；和/或根据处于湿水状态的耦合电容的个数，确定湿水区域的总面积。
19.根据权利要求18所述的装置，其特征在于，所述处理器进一步用于如果统计出的湿水区域的总面积大于设定的第三阈值，则向智能终端的系统上报所述湿水状态。
20.根据权利要求12所述的装置，其特征在于，所述处理器进一步用于对每次采样得到的实时特征数据进行去抖处理，根据去抖后的实时特征数据以生成各耦合电容对应的平均实时特征数据。
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