CN108270148A - 一种新型柱状vcsel发光阵列、控制系统及控制方法 - Google Patents

一种新型柱状vcsel发光阵列、控制系统及控制方法 Download PDF

Info

Publication number
CN108270148A
CN108270148A CN201810119372.4A CN201810119372A CN108270148A CN 108270148 A CN108270148 A CN 108270148A CN 201810119372 A CN201810119372 A CN 201810119372A CN 108270148 A CN108270148 A CN 108270148A
Authority
CN
China
Prior art keywords
vcsel
light emitting
dimensional
emitting arrays
point sources
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN201810119372.4A
Other languages
English (en)
Inventor
王彦丁
刘晓萌
杨涛
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
National Institute of Metrology
Original Assignee
National Institute of Metrology
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by National Institute of Metrology filed Critical National Institute of Metrology
Priority to CN201810119372.4A priority Critical patent/CN108270148A/zh
Publication of CN108270148A publication Critical patent/CN108270148A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00Semiconductor lasers
    • H01S5/40Arrangement of two or more semiconductor lasers, not provided for in groups H01S5/02 - H01S5/30
    • H01S5/42Arrays of surface emitting lasers
    • H01S5/423Arrays of surface emitting lasers having a vertical cavity
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00Semiconductor lasers
    • H01S5/02Structural details or components not essential to laser action
    • H01S5/024Arrangements for thermal management
    • H01S5/02407Active cooling, e.g. the laser temperature is controlled by a thermo-electric cooler or water cooling
    • H01S5/02423Liquid cooling, e.g. a liquid cools a mount of the laser
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00Semiconductor lasers
    • H01S5/04Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping, e.g. by electron beams
    • H01S5/042Electrical excitation ; Circuits therefor
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00Semiconductor lasers
    • H01S5/10Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
    • H01S5/18Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities
    • H01S5/183Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities having only vertical cavities, e.g. vertical cavity surface-emitting lasers [VCSEL]

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Semiconductor Lasers (AREA)

Abstract

本发明涉及一种新型柱状VCSEL发光阵列、控制系统及控制方法,该新型柱状VCSEL发光阵列包括:柱状基底、多条一维VCSEL点源排列带;多条一维VCSEL点源排列带排布在柱状基底上,且每条一维VCSEL点源排列带相互之间不重叠;柱状基底的底部通过钎焊与多条一维VCSEL点源排列带中每个发光单元的底部电极连接;柱状基底的内部装有冷却循环水。还涉及一中该控制系统,该系统包括:新型柱状VCSEL发光阵列、可编程控制器。还涉及一种控制方法,该控制方法包括:可编程控制器根据发光指令控制新型柱状VCSEL发光阵列中的每条一维VCSEL点源排列带中的每个发光单元进行有序发光。通过本发明实现了发射出的激光阵列在不改变单个发光点发散角的前提下,实现某角度的发散角。

Description

一种新型柱状VCSEL发光阵列、控制系统及控制方法
技术领域
本发明属于VCSEL发光阵列领域,尤其涉及一种新型柱状VCSEL发光阵列、控制系统及控制方法。
背景技术
垂直腔面发射激光器(Vertical Cavity Surface Emitting Laser,即VCSEL)是很有发展前景的新型光电器件,也是光通信中革命性的光发射器件。顾名思义,边发射激光器是沿平行于衬底表面、垂直于解理面的方向出射,而面发射激光器其出光方向垂直于衬底表面,现有的VCSEL阵列单元的常见结构由反射镜、有源区和金属接触层组成。其主要结构分为两部分:中心是有源区,它有体异质结和量子阱两种结构。有源区上下是高反射率的半导体多量子阱的分布布拉格反射镜(DBR)。DBR反射镜由光学厚度为λ/4的高折射率层和低折射率层交替生长而成。VCSEL器件常制作成圆形、方形和环形结构,分别在衬底和p-DBR的外表面制作金属接触层,并在p-DBR或n-DBR上制作一个圆形出光窗口,VCSEL可形成高密度二维阵列(可以做成密集排列的二维激光阵列),也就是目前市场上的VCSEL阵列单元。
但是对于一个VCSEL阵列单元,其电极一般采用蒸镀的方式。这一过程使同一面上所有的VCSEL发光单元都具有同一个电极。因此,它们的发光时间是一致的。如果需要实现指定发光单元的发光时间各自独立可控,则需要所有发光单元都具有独立的电极,这样使得大大降低了VCSEL阵列单元的使用效率。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是:现有的VCSEL阵列单元都具有同一个电极,导致它们的发光时间是一致的。如果需要实现指定发光单元的发光时间各自独立可控,则需要所有发光单元都具有独立的电极,这样使得大大降低了VCSEL阵列单元的使用效率。
为解决上面的技术问题,本发明提供了一种新型柱状VCSEL发光阵列,该新型柱状VCSEL发光阵列包括:
柱状基底、多条一维VCSEL点源排列带;所述多条一维VCSEL点源排列带排布在所述柱状基底上,且每条一维VCSEL点源排列带相互之间不重叠;
所述柱状基底的底部通过钎焊与所述多条一维VCSEL点源排列带中每个发光单元的底部电极连接;
所述柱状基底的内部装有冷却循环水。
本发明的有益效果:上述的柱状发光阵列是使的VCSEL排列成筒形发光阵列。这样让VCSEL带中相邻两个发光单元向外的发光方向之间具有一定夹角,然后有序地发光。
进一步地,每条一维VCSEL点源排列带均按照相同方向排布在所述柱状基底上。
进一步地,每条一维VCSEL点源排列带中相邻的两个发光单元之间的向外发光方向形成预设夹角。
进一步地,每条一维VCSEL点源排列带中相邻的两个发光单元之间的向外发光方向形成预设夹角。进一步地,在水平面内,每条一维VCSEL点源排列带中的所有发光单元所发出的光均呈放射状分布,且离散覆盖360°角度空间;在竖直方向上,每条一维VCSEL点源排列带中每排发光单元的出光方向呈现相同夹角。
本发明还涉及一种基于新型柱状VCSEL发光阵列的控制系统,该控制系统包括:如上所述的新型柱状VCSEL发光阵列、可编程控制器;
所述新型柱状VCSEL发光阵列中的每条一维VCSEL点源排列带中的每个发光单元均分别独立地与所述可编程控制器连接。
本发明的有益效果:通过逻辑控制电路有序地控制新型VCSEL发光阵列中发光单元的独立的发光,实现了发射出的激光阵列在不改变单个发光点发散角的前提下,实现某角度的发散角。
本发明还涉及一种基于新型柱状VCSEL发光阵列的控制方法,该控制方法包括:
可编程控制器根据发光指令控制新型柱状VCSEL发光阵列中的每条一维VCSEL点源排列带中的每个发光单元进行有序发光。
本发明的有益效果:通过逻辑控制电路有序地控制新型VCSEL发光阵列中发光单元的独立的发光,实现了发射出的激光阵列在不改变单个发光点发散角的前提下,实现某角度的发散角。
附图说明
图1为本发明实施例1的一种新型VCSEL发光阵列的结构示意图。
具体实施方式
以下结合附图对本发明的原理和特征进行描述,所举实例只用于解释本发明,并非用于限定本发明的范围。
本发明实施例1提供了一种新型柱状VCSEL发光阵列,该新型柱状VCSEL发光阵列包括:
柱状基底、多条一维VCSEL点源排列带;所述多条一维VCSEL点源排列带排布在所述柱状基底上,且每条一维VCSEL点源排列带相互之间不重叠;
所述柱状基底的底部通过钎焊与所述多条一维VCSEL点源排列带中每个发光单元的底部电极连接;
所述柱状基底的内部装有冷却循环水。
可以理解的是,在本发明实施例1中使用的一维VCSEL点源排列带是现有技术中的,如图1所示,将多条一维VCSEL点源排列带排布在柱状基底,而且这些一维VCSEL点源排列带相互之间不重叠,在柱状基底的内部装有冷却循环水。
在本实施例1中将一维VCSEL点源排列带排布在柱状基底上,这样让VCSEL带中相邻两个发光单元向外的发光方向之间具有一定夹角,然后有序地发光。还需要明白的是,本发明实施例1中是不局限于图中所示的点数和行数,不局限于图1中所示角度,不局限于本文所述材质,也不局限于本文所述的排布和钎焊方式。
可选地,在另一实施例2中每条一维VCSEL点源排列带均按照相同方向排布在所述柱状基底上。
可选地,在另一实施例3中每条一维VCSEL点源排列带中相邻的两个发光单元之间的向外发光方向形成预设夹角。
可选地,在另一实施例4中每条一维VCSEL点源排列带中相邻的两个发光单元之间的向外发光方向形成预设夹角。进一步地,在水平面内,每条一维VCSEL点源排列带中的所有发光单元所发出的光均呈放射状分布,且离散覆盖360°角度空间;在竖直方向上,每条一维VCSEL点源排列带中每排发光单元的出光方向呈现相同夹角。
本发明实施例5中还涉及一种基于新型柱状VCSEL发光阵列的控制系统,该控制系统包括:如上所述的新型柱状VCSEL发光阵列、可编程控制器;
所述新型柱状VCSEL发光阵列中的每条一维VCSEL点源排列带中的每个发光单元均分别独立地与所述可编程控制器连接。
可以理解的是,在本实施例5中通过逻辑控制电路有序地控制新型VCSEL发光阵列中发光单元的独立的发光,实现了发射出的激光阵列在不改变单个发光点发散角的前提下,实现某角度的发散角。
本发明实施例6中还涉及一种基于新型柱状VCSEL发光阵列的控制方法,该控制方法包括:
可编程控制器根据发光指令控制新型柱状VCSEL发光阵列中的每条一维VCSEL点源排列带中的每个发光单元进行有序发光。
可以理解的是,通过逻辑控制电路有序地控制新型VCSEL发光阵列中发光单元的独立的发光,实现了发射出的激光阵列在不改变单个发光点发散角的前提下,实现某角度的发散角。
在本说明书中,对上述术语的示意性表述不必须针对的是相同的实施例或示例。而且,描述的具体特征、结构、材料或者特点可以在任一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。此外,在不相互矛盾的情况下,本领域的技术人员可以将本说明书中描述的不同实施例或示例以及不同实施例或示例的特征进行结合和组合。
以上所述仅为本发明的较佳实施例,并不用以限制本发明,凡在本发明的精神和原则之内,所作的任何修改、等同替换、改进等,均应包含在本发明的保护范围之内。

Claims (6)

1.一种新型柱状VCSEL发光阵列,其特征在于,该新型柱状VCSEL发光阵列包括:
柱状基底、多条一维VCSEL点源排列带;所述多条一维VCSEL点源排列带排布在所述柱状基底上,且每条一维VCSEL点源排列带相互之间不重叠;
所述柱状基底的底部通过钎焊与所述多条一维VCSEL点源排列带中每个发光单元的底部电极连接;
所述柱状基底的内部装有冷却循环水。
2.根据权利要求1所述的新型柱状VCSEL发光阵列,其特征在于,每条一维VCSEL点源排列带均按照相同方向排布在所述柱状基底上。
3.根据权利要求1或2所述的新型柱状VCSEL发光阵列,其特征在于,每条一维VCSEL点源排列带中相邻的两个发光单元之间的向外发光方向形成预设夹角。
4.根据权利要求3所述的新型柱状VCSEL发光阵列,其特征在于,在水平面内,每条一维VCSEL点源排列带中的所有发光单元所发出的光均呈放射状分布,且离散覆盖360°角度空间;在竖直方向上,每条一维VCSEL点源排列带中每排发光单元的出光方向呈现相同夹角。
5.一种基于新型柱状VCSEL发光阵列的控制系统,其特征在于,该控制系统包括:如权利要求1-4任一所述的新型柱状VCSEL发光阵列、可编程控制器;
所述新型柱状VCSEL发光阵列中的每条一维VCSEL点源排列带中的每个发光单元均分别独立地与所述可编程控制器连接。
6.一种基于新型柱状VCSEL发光阵列的控制方法,其特征在于,该控制方法包括:
可编程控制器根据发光指令控制新型柱状VCSEL发光阵列中的每条一维VCSEL点源排列带中的每个发光单元进行有序发光。
CN201810119372.4A 2018-02-06 2018-02-06 一种新型柱状vcsel发光阵列、控制系统及控制方法 Pending CN108270148A (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201810119372.4A CN108270148A (zh) 2018-02-06 2018-02-06 一种新型柱状vcsel发光阵列、控制系统及控制方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201810119372.4A CN108270148A (zh) 2018-02-06 2018-02-06 一种新型柱状vcsel发光阵列、控制系统及控制方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN108270148A true CN108270148A (zh) 2018-07-10

Family

ID=62773643

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201810119372.4A Pending CN108270148A (zh) 2018-02-06 2018-02-06 一种新型柱状vcsel发光阵列、控制系统及控制方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN108270148A (zh)

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101545582A (zh) * 2009-05-05 2009-09-30 浙江大学 半导体激光器阵列光束整形照明系统
CN102931585A (zh) * 2012-10-31 2013-02-13 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 一种外腔合束半导体激光光纤耦合模块
CN104332822A (zh) * 2014-11-10 2015-02-04 李德龙 用于vcsel激光器的光学汇聚方法及其封装结构
CN107370021A (zh) * 2016-05-12 2017-11-21 斯坦雷电气株式会社 表面发射激光器装置
CN206908090U (zh) * 2016-12-16 2018-01-19 意法半导体 (Alps) 有限公司 光学发射电路及电子设备

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101545582A (zh) * 2009-05-05 2009-09-30 浙江大学 半导体激光器阵列光束整形照明系统
CN102931585A (zh) * 2012-10-31 2013-02-13 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 一种外腔合束半导体激光光纤耦合模块
CN104332822A (zh) * 2014-11-10 2015-02-04 李德龙 用于vcsel激光器的光学汇聚方法及其封装结构
CN107370021A (zh) * 2016-05-12 2017-11-21 斯坦雷电气株式会社 表面发射激光器装置
CN206908090U (zh) * 2016-12-16 2018-01-19 意法半导体 (Alps) 有限公司 光学发射电路及电子设备

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN102324696B (zh) 低横向发散角布拉格反射波导边发射半导体激光器
CN109155502B (zh) 高亮度相干多结二极管激光器
CN102132466B (zh) 基于半导体二极管激光器的场耦合阵列、线阵和堆栈提供高功率高亮度激光的光电系统
CA2478174A1 (en) Mode control using transversal bandgap structure in vcsels
WO2005124948A2 (en) Ingan diode-laser pumped ii-vi semiconductor lasers
CN111029900B (zh) 基于宇称时间对称性的三腔耦合激光器
JP7452739B2 (ja) 面発光レーザ、光源装置
CN101960682A (zh) 带有至少一个电流势垒的边发射半导体激光器芯片
JP2008283037A (ja) 発光素子
US11688994B2 (en) Light source device and method of manufacturing the same
KR20160078259A (ko) 발광 장치 및 프로젝터
CN109412019B (zh) 延长腔面光源vcsel及其应用
US20170331253A1 (en) Light injector element
CN108270148A (zh) 一种新型柱状vcsel发光阵列、控制系统及控制方法
JP7027032B2 (ja) 照明用の垂直共振器型発光素子モジュール
US20070029555A1 (en) Edge-emitting LED light source
JPH09199793A (ja) 縦型空洞表面放射レーザ
US11923660B2 (en) Optoelectronic semiconductor component
US9735544B2 (en) Surface emitting laser element
CN108493766A (zh) 一种新型弧形vcsel发光阵列、制作方法、控制系统和控制方法
JP2013020768A (ja) レーザ転写装置
US20170283755A1 (en) Element for injecting light having an energy distribution
CN108471047A (zh) 一种新型vcsel发光阵列、其制作方法、控制系统及控制方法
WO2023037604A1 (ja) 面発光素子、発光装置及び面発光素子の製造方法
JP6116919B2 (ja) レーザ転写装置

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
RJ01 Rejection of invention patent application after publication

Application publication date: 20180710

RJ01 Rejection of invention patent application after publication