CN108226649A - 电容检测装置及方法 - Google Patents

Abstract

本发明提供一种电容检测装置与方法，用以于包括多个检测子时间的检测时间内获得感应电容的电容值，其中电容检测装置与方法所使用的可变储存电容的电容值于多个检测子时间内并不相同。电容检测装置与方法于每一个检测子时间内获得对应的计数值。电容检测装置与方法根据多个计数值的总计数值获得感应电容的电容值。电容检测装置与方法所使用的可变储存电容可以整合于单一芯片，且相较于传统将储存电容整合于单一芯片的作法，其具有较高的分辨率。

Description

电容检测装置及方法

技术领域

本发明涉及电容检测技术领域，具体而言，涉及一种能够整合为单一芯片又能检测微小电容变化，且保有相对较高分辨率的电容检测装置及方法。

背景技术

目前用来检测触控的电容检测装置被广泛应用于各种家电设备中。家电设备所设置的按键即以一个导体(例如，铜片)作为感测器，并且电容检测装置用来检测导体与手指之间所形成的手指电容，来藉此感应手指是否接近或触碰所述导体。另外，目前电容检测装置必须使用一个较大的储存电容来获取的电荷，才能检测出手指电容的微小变化，故此储存电容一般外挂于电容检测装置之外，而无法整合于单一芯片。

请参照图1，图1是传统电容检测装置的方框图。传统电容检测装置1为单一芯片，其外挂一个储存电容Cs，并且电性连接至少一个用以实现按键的导体20。电容检测装置1包括至少一个电容检测电路10，且每一个电容检测电路10用来检测对应导体20与手指21所形成的手指电容Cf，以判断手指21是否接近或触碰导体20。

更进一步地，电容检测电路10包括路径选择电路101、电压检测器102、路径选择信号产生器103、计数器104与运算电路105。路径选择电路101具有四个端点A、B、C、D，并由三个开关SW1～SW3所构成。电压检测器102则是由一个比较器CP所实现。

开关SW1的两端电性连接端点A、D，开关SW2的两端电性连接端点A、B，且开关SW3的两端电性连接端点C、D。开关SW1～SW3的控制端电性连接路径选择信号产生器103，以分别接收路径选择信号产生器103传送的路径选择信号S1～S3，而被控制导通或关闭。比较器CP的正输入端与输出端电性连接储存电容Cs的一端与计数器104，且比较器CP的负输入端接收第二特定电压Vref。储存电容Cs的另一端与端点C连接到接地电压GND。计数器104电性连接运算电路105，以及运算电路105电性连接路径选择信号产生器。端点A电性连接导体20，端点B电性连接第一特定电压VDD，以及端点D电性连接储存电容Cs的一端。

接着，请参照图1与图2，图2是传统电容检测装置中的感应电容电压信号与储存电容电压信号的波形图。于检测手指电容Cf的每一个检测时间内，运算电路105会先指示路径选择信号产生器103产生路径选择信号S3，使得开关SW3持续导通一放电周期(亦即，于路径选择信号S3于放电周期内为逻辑高电平)，而提供一条放电路径给储存电容Cs进行放电，以让储存电容电压V(Cs)从第二特定电压Vref降低到接地电压GND。

接着，运算电路105指示路径选择信号产生器103产生路径选择信号S2，使得开关SW2持续导通一充电周期(亦即，于路径选择信号S2于充电周期内为逻辑高电平)，而提供一条充电路径给手指电容Cf进行充电，以让手指电容电压V(Cf)从接地电压GND升高至第一特定电压VDD。然后，指示路径选择信号产生器103产生路径选择信号S1，使得开关SW1持续导通一电荷转移周期(亦即，于路径选择信号S1于电荷转移周期内为逻辑高电平)，而提供一条电荷转移路径让手指电容Cf将其储存的电荷转移至储存电容Cs，其中第二特定电压Vref小于或等于第一特定电压VDD。

然后，根据上述作法，重复地对手指电容Cf进行充电与将手指电容Cf储存的电荷转移给储存电容Cs，直到比较器CP输出正电压信号给计数器104，亦即，储存电容电压V(Cs)再次回到第二特定电压Vref。路径选择信号产生器103可以将路径选择信号S2或S1送给计数器104，计数器104可以计算路径选择信号S2或S1变化的次数(由逻辑低电平变为逻辑高电平的次数，或者由逻辑高电平变为逻辑低电平的次数，亦即，手指电容Cf进行充电与/或将手指电容Cf储存的电荷转移给储存电容Cs的次数)。当比较器CP输出正电压信号给计数器104时，计数器104会将计数值传送给运算电路105，以使运算电路105根据计数值计算出手指电容Cf的电容值。然后，运算电路105于下一个检测时间，再次地重复上述检测手指电容Cf的作法。

一般来说，手指电容Cf大概是10微微法拉第(以下称pF)～20pF之间，而储存电容Cs为固定值，例如，3000pF。若第一特定电压VDD与第二特定电压Vref分别为3伏特与1.5伏特，则依据电荷量公式，Cf*3V*N≧Cs*Vref，其中N是计数器104输出给运算电路105的计数值，故仅能为大于0的整数。假设计数值N为100，则运算电路105计算出来的手指电容Cf的电容值可以为15pF。

由于为了获得较佳的分辨率，所以储存电容Cs的容量与体积较大，故无法与电容检测装置1一起整合至单一芯片中。虽然，储存电容Cs可以减少，例如减少到300pF，以与电容检测装置1一起整合至单一芯片中，但却会发生分辨率不足的情况。例如储存电容Cs、第一特定电压VDD与第二特定电压Vref分别为300pF、3伏特与1.5伏特，则在手指电容Cf为15pF、14.9pF与13.7pF时，依据电荷量公式，Cf*3V*N≧Cs*Vref，其获得的计数值N的最小值分别为10、11与11。

简单地说，若储存电容Cs减少到300pF，则在手指电容为大于13.7pF与小于15pF时，其获得的计数值n皆为11，且即使重复地获得计数值10次并且累加，也同样地无法获得累总计数值介于101～109的情况，亦即，重复获得计数值多次并累加计数值的作法并无法增加分辨率。

发明内容

本发明实施例提供一种电容检测装置，所述电容检测装置包括至少一电容检测电路。电容检测电路用以于包括多个检测子时间的检测时间内获得感应电容的电容值，其中电容检测电路包括可变储存电容，且可变储存电容的电容值于多个检测子时间内并不相同。于每一个检测子时间内，电容检测电路用以进行：步骤a，提供放电路径将可变储存电容降低至第三特定电压；步骤b，提供充电路径将感应电容充电至第一特定电压；步骤c，提供电荷转移路径将感应电容储存的电荷转移到可变储存电容；以及步骤d，重复步骤b、c，直到可变储存电容电压提升到第二特定电压，并获得重复步骤b、c的计数值，其中第二特定电压小于等于第一特定电压。电容检测电路用以根据多个检测子时间的多个计数值的总计数值获得感应电容的电容值。

本发明实施例还提供一种电容检测方法，此电容检测方法执行于电容检测装置，用以于包括多个检测子时间的检测时间内获得感应电容的电容值。电容检测方法于多个检测子时间的每一检测时间内执行下述步骤：步骤a，设定可变储存电容的电容值，其中可变储存电容的电容值于不同的多个检测子时间内彼此不同；步骤b，提供放电路径将可变储存电容降低至第三特定电压；步骤c，提供充电路径将感应电容充电至第一特定电压；步骤d，提供电荷转移路径将感应电容储存的电荷转移到可变储存电容；以及步骤e，重复步骤c、d，直到可变储存电容电压提升到第二特定电压，并获得重复步骤c、d的计数值，其中第二特定电压小于等于第一特定电压。然后，电容检测方法获取多个检测子时间的多个计数值的总计数值，并根据总计数值获得感应电容的电容值。

据此，本发明实施例提供一种电容检测装置与电容检测方法，所述电容检测装置与电容检测方法使用的可变储存电容可以整合于单一芯片。

为使能更进一步了解本发明的特征及技术内容，请参阅以下有关本发明的详细说明与附图，但是这些说明与说明书附图仅是用来说明本发明，而非对本发明的权利要求作任何的限制。

附图说明

图1是传统电容检测装置的方框图。

图2是传统电容检测装置中的感应电容电压信号与储存电容电压信号的波形图。

图3是本发明实施例的电容检测装置的方框图。

图4是本发明实施例的电容检测方法的流程图。

附图标记说明：

1：传统电容检测装置

5：电容检测装置

20、60：导体

21、61：手指

10、50：电容检测电路

101、501：路径选择电路

102、502：电压检测器

103、503：路径选择信号产生器

104、504：计数器

105、505：运算电路

506：控制信号产生器

507：可变储存电容

A、B、C、D：端点

Cf：手指电容

CP：比较器

Cs：储存电容

Cs0～Csn：电容

GND：接地电压

S1～S3：路径选择信号

S1’～Sn’：控制信号

SW1～SW3、SW1’～SWn’：开关

V(Cf)：手指电容电压

V(Cs)：储存电容电压

VDD：第一特定电压

Vref：第二特定电压

S401～S411：步骤流程

具体实施方式

在下文将参看说明书附图更充分地描述各种例示性实施例，在说明书附图中展示一些例示性实施例。然而，本发明概念可能以许多不同形式来体现，且不应解释为限于本文中所阐述的例示性实施例。确切而言，提供这些例示性实施例使得本发明将为详尽且完整，且将向熟习此项技术者充分传达本发明概念的范畴。在诸附图中，可为了清楚而夸示层及区的大小及相对大小。类似数字始终指示类似元件，且本文中所使用的术语「或」视实际情况可能包括相关联的列出项目中的任一者或者多者的所有组合。

本发明实施例提供一种电容检测装置与方法，用以检测感应电容，例如手指电容。用以检测感应电容的检测时间被分为多个检测子时间，可变储存电容的电容值于第i与j个检测子时间内并不相同，其中i不等于j，且i与j为大于0的整数。于每个检测子时间内，先提供放电路径对可变储存电容进行放电，以将可变储存电容电压降低到第三特定电压，例如接地电压。然后，于充电周期内，提供充电路径将感应电容充电到第一特定电压，接着，于电荷转移周期内，提供电荷转移路径使感应电容储存的电荷转移到可变储存电容，并且重复上述步骤，直到可变储存电容电压由第三特定电压提升到小于或等于第一特定电压的第二特定电压后，获得电荷转移与/或充电的计数值。最后，获得多个检测子时间的多个计数值的总计数值，并且依据此总计数值计算出感应电容的电容值。

本发明实施例的电容检测装置与方法使用较小电容值的可变储存电容整合于单一芯片中，且相较于现有技术直接将较小的储存电容整合于单一芯片中的作法来说，本发明实施例的电容检测装置与方法具有较高的分辨率。

首先，请参照本公开图3，图3是本发明实施例的电容检测装置的方框图。电容检测装置5可以通过单一芯片实现，且包括至少一个电容检测电路50，且电容检测装置5电性连接至少一个用以实现按键的导体60(例如，铜片，但不以此为限)。电容检测电路50用来检测对应导体60与手指61所形成的手指电容Cf，以判断手指61是否接近或触碰导体60。在此请注意，导体60的数量与电容检测电路50的数量等于实现按键的数量。

电容检测电路50包括路径选择电路501、电压检测器502、路径选择信号产生器503、计数器504、运算电路505、控制信号产生器506与可变储存电容507。路径选择电路501具有四个端点A、B、C、D，端点A电性连接导体60，端点B用以接收第一特定电压VDD，端点C用以接收第三特定电压，例如电性连接到接地电压GND，且端点D电性连接电压检测器502与可变储存电容507。路径选择信号产生器503电性连接路径选择电路501与计数器504。计数器504又电性连接运算电路505与电压检测器502，与操作电路505又电性连接路径选择信号产生器503与控制信号产生器506，控制信号产生器506又电性连接可变储存电容507。

路径选择电路501用以接收路径选择信号产生器503所提供的一个或多个路径选择信号，以选择性地提供放电路径(端点A往端点C的路径)给可变储存电容507、充电路径(端点B往端点A的路径)给手指电容Cf或电荷转移路径(端点A往端点D的路径)给手指电容Cf与可变储存电容507。

路径选择电路501可以通过多个开关SW1～SW3来实现，但是本发明并不以此为限。于此种实现方式中，路径选择信号产生器503是产生三个路径选择信号S1～S3给路径选择电路501的多个开关SW1～SW3的控制端，以控制开关SW1～SW3导通与关闭。开关SW1的两端分别电性连接端点A与D，开关SW2的两端分别电性连接端点A与B，而开关SW3的两端分别电性连接端点C与D。

电压检测器502用以检测可变储存电容507是否被充电到第二特定电压Vref，其中第二特定电压Vref小于或等于第一特定电压VDD。电压检测器502可以通过比较器CP来实现，但是本发明并不以此为限。比较器CP的正输入端与负输入端分别接收第二特定电压Vref与电性连接可变储存电容507，且比较器CP的输出端电性连接计数器504。比较器CP可以仅在手指电容Cf将其储存的电荷转移至可变储存电容507时，才被启动，以进一步节省耗电量。另外，在其他实施例中，比较器CP的正输入端与负输入端可以改成分别电性连接可变储存电容507与接收第二特定电压Vref。

计数器504用以接收电压检测器502输出的电压检测信号，当电压检测信号表示可变储存电容507被充电到第二特定电压Vref时，计数器504会输出计数值给运算电路505，并且重置计数值。计数器504根据路径选择信号503所输出的路径选择信号S1或S2计数，更详细地说，当路径选择信号S1或S2由逻辑低电平变为逻辑高电平或由逻辑高电平变为逻辑低电平时，计数器504会将计数值加1。

运算电路505用以接收计数器504所输出的计数值，并且获得检测时间内所获得的多个计数值的总计数值，并且根据总计数值计算出手指电容Cf的电容值，其中检测时间包括多个检测子时间，且每一个检测子时间内，计数器504会输出一个计数值。

更进一步地说，于每一个检测子时间内，运算电路505会先指示控制信号产生器506传送一个或多个控制信号给可变储存电容507，设定可变储存电容507的电容值，其中可变储存电容507的电容值于不同检测子时间内并不相同。

然后，运算电路505还会指示路径选择信号产生器503产生一个或多个路径选择信号给路径选择电路501。首先，路径选择电路501会先提供放电路径(开关SW3导通，而开关SW1、SW2关闭)持续一放电周期给可变储存电容507将其可变储存电容电压降低到接地电压GND。然后，路径选择电路501提供充电路径(开关SW2导通，而开关SW1、SW3关闭)持续一充电周期将手指电容Cf充电到第一特定电压VDD，再提供电荷转移路径(开关SW1导通，而开关SW2、SW3关闭)持续一电荷转移周期将手指电容Cf所储存的电荷转移到可变储存电容507，并且持续重复地提供充电路径与电荷转移路径直到可变储存电容电压被提升到第二特定电压Vref。

接着，运算电路505会接收到此检测子时间的计数值，重复预定次数的检测子时间的操作后，运算电路505将获得预定次数的检测子时间的计数值的总计数值。在此请注意，运算电路505可以事先地储存有总计数值与手指电容Cf的电容值的对应关系的查找表，并且通过获得的总计数值与查找表来获得手指电容Cf的电容值。当然，上述使用查找表的作法并非用以限制本发明。

可变储存电容507的电容值可以通过控制信号产生器506传送的一个或多个控制信号来设定，可变储存电容507实际就是一个可编程的储存电容。可变储存电容507可以通过多个电容Cs0～Csn与开关SW1’～SWn’来实现，但是本发明并不以此为限。于此实施方式中，电容Cs0的另一端通过开关SW1’～SWn’分别与电容Cs1～Csn的一端电性连接，电容Cs0～Csn的另一端电性连接接地电压GND，且开关SW1’～SWn’的控制端接收控制信号产生器506传送的多个控制信号S1’～Sn’，而被控制导通或关闭，以藉此改变可变储存电容507的电容值。

于本发明其中一个实施例中，电容Cs0可以是300pF，而电容Cs1～Csn可以是3pF，然而，本发明并不限制于此。在其他实施例中，电容Cs0可以是300pF，而电容Cs1～Csn可以是300/21～300/2npF。电容Cs0～Csn的电容值可以依据实际需求来选择，其中n+1可以是上述预设次数，但本发明不以此为限，只要使可变储存电容507的电容值的选择数量大于预设次数，即可以实现本发明实施例的电容检测装置5。

于其他实施例中，若电容检测电路50的数量为多数个，则可以通过增加多工器于可变储存电容507于前端，来让多个电容检测电路50共用可变储存电容507。于其他实施例中，电容检测电路50的数量可以为一个，且电容检测电路50的端点A可以增设一个多工器来与多个导体60电性连接，以藉此分时地检测多个手指电容Cf。

当电容Cs0是300pF，电容Cs1～Csn是3pF，第一特定电压VDD与第二特定电压Vref分别是3伏特与1.5伏特时，且假设预设次数与n可以是10与9，则于检测时间内的第一至十个检测子时间内，可变储存电容507的电容值Cs可以分别是Cs0＝300pF、Cs0+Cs1＝303pF、…与Cs0+Cs1+Cs2+…Cs9＝327pF。接着，可以通过第一至十个检测子时间获得对应的计数值N1～N10的总计数值N，亦即，N＝N1+N2+…+N10，以及根据总计数值N获得手指电容Cf的电容值。

表一是对应计算出来的手指电容Cf为14.5pF与14.0pF时，计数值N1～N10、总计数值N与变储存电容507的电容值Cs的对照表。当手指电容Cf为14.5pF与14.0pF时，其对应的总计数值N分别为113与117，因此，相较传统减少储存电容来将储存电容整合到单一芯片中的作法，电容检测装置5的分辨率可以被提升。

表一

Cs(pf)	300	303	306	309	312	315	318	321	324	327
												Cf(pf)	N1	N2	N3	N4	N5	N6	N7	N8	N9	N10	N
14.5	11	11	11	11	11	11	12	12	12	12	113
												14.0	11	11	11	12	12	12	12	12	12	12	117

接着，请参照本公开图4，图4是本发明实施例的电容检测方法的流程图。图4的电容检测方法可以执行于如图3的电容检测装置中，然而，本发明并不以此为限，其他由软件(或固件)与硬件实现的电容检测装置亦可以用以执行图4的电容检测方法。于包括预定次数的多个检测子时间的每一个检测时间中，电容检测方法会获得多个检测子时间的多个计数值的总计数值，并通过总计数值获得感应电容(例如，手指电容，但本发明不以此为限)的电容值，其中可变储存电容的电容值于不同检测子时间内彼此不相同。

电容检测方法于每一个检测时间的步骤详细说明如下。首先，在步骤S401中，通过电容检测装置先初始化检测子时间的索引值与总计数值，其中检测子时间的索引值与总计数值的初始值分别为1与0。接着，于步骤S402中，电容检测装置根据检测子时间的索引值设定可变储存电容的电容值。

接着，在步骤S403中，电容检测装置将计数值初始化为1。然后，在步骤S404中，电容检测装置提供放电路径持续一放电周期，以对可变储存电容进行放电，而使可变储存电容电压降低到第三特定电压，例如为接地电压，其中放电周期的长度仅需要设计至足以让可变储存电容电压降低到第三特定电压的长度即可。在此请注意，步骤S403与S404的顺序可以对调，或者，步骤S403与S404可以同时进行。

之后，在步骤S405中，电容检测装置提供充电路径持续一充电周期对感应电容进行充电，使感应电容电压提升到第一特定电压，其中充电周期的长度仅需要设计至足以让可变感应电容电压提升到第一特定电压的长度即可。接着，在步骤S406中，电容检测装置提供电荷转移路径持续一电荷转移周期，以将感应电容存的电荷转移到可变储存电容，亦即，感应电容对可变储存电容充电，其中电荷转移周期的长度仅需要设计至足以让可变感应电容电压由第一特定电压降低至第三特定电压的长度即可。

接着，在步骤S407中，电容检测装置检查可变储存电容电压是否达到第二特定电压，其中第二特定电压须小于或等于第一特定电压。若可变储存电容电压达到第二特定电压，则执行步骤S409；相反地，若可变储存电容电压未达到第二特定电压，则执行步骤S408。在步骤S408中，电容检测装置将计数值增加1，然后，接着，步骤S405再次被执行。简单地说，步骤S405与S406会重复不断被执行，直到可变储存电容电压达到第二特定电压。

接着，在步骤S409中，电容检测装置将总计数值与计数值相加，以更新总计数值，并且将检测子时间的索引值增加1。然后，接着，在步骤S410中，电容检测装置判断索引值是否小于等于预定次数。若索引值小于等于预定次数，则执行步骤S402，进行另一次的检测子时间的操作；相反地，若索引值大于预定次数，则执行步骤S411。于步骤S411中，电容检测装置根据总计数值计算感应电容的电容值。

综合以上所述，本发明实施例提供一种电容检测装置与方法，通过使可变储存电容的电容值于不同检测子时间彼此不同的作法来获得不同检测子时间的多个计数值的总计数值，并根据此总计数值来获得感应电容的电容值。由于可变储存电容的电容值于不同检测子时间彼此不同，故可以藉此使用电容值较小的可变储存电容整合于单一芯片中，且相较于现有技术直接将较小的储存电容整合于单一芯片中的作法来说，本发明实施例的电容检测装置与方法具有较高的分辨率。

以上所述，仅为本发明最佳的具体实施例，而本发明的特征并不局限于此，任何本领域技术人员在本发明的领域内，可轻易思及的变化或修饰，皆可涵盖在以下本公开的权利要求。

Claims (10)

1.一种电容检测装置，其特征在于，包括：

至少一电容检测电路，用以于包括多个检测子时间的一检测时间内获得一感应电容的一电容值，其中该电容检测电路包括一可变储存电容，且该可变储存电容的一电容值于所述检测子时间内并不相同，于每一个检测子时间内，该电容检测电路用以进行：

步骤a，提供一放电路径将该可变储存电容降低至一第三特定电压；

步骤b，提供一充电路径将该感应电容充电至一第一特定电压；

步骤c，提供一电荷转移路径将该感应电容储存的电荷转移到该可变储存电容；以及

步骤d，重复该步骤b、c，直到一可变储存电容电压提升到一第二特定电压，并获得重复该步骤b、c的一计数值，其中该第二特定电压小于或等于该第一特定电压；

其中该电容检测电路用以根据所述检测子时间的所述计数值的一总计数值获得该感应电容的该电容值。

2.如权利要求1所述的电容检测装置，其特征在于，该电容检测电路包括：

一路径选择器，用以提供该放电路径、该充电路径与该电荷转移路径的其中之一；

一电压检测器，电性连接该可变储存电容，用以检测该可变储存电容电压；

一路径选择信号产生器，电性连接该路径选择器，用以提供一个或多个路径选择信号给该路径选择器选择性地提供该放电路径、该充电路径与该电荷转移路径的其中之一；

一计数器，电性连接该路径选择信号产生器，用以计数该路径选择器提供该充电路径或该电荷转路径的次数，以获得该计数值，并在该可变储存电容电压提升到该第二特定电压时，输出该计数值，并重置该计数值；

一运算电路，电性连该路径选择信号产生器与该计数器，用以指示该路径选择信号产生器产生该一个或多个路径选择信号，且接收该计数器于所述检测子时间所输出的所述计数值，获得该总计数值，并根据该总计数值获得该感应电容的该电容值；

一控制信号产生器，电性连接该运算电路，用以根据该运算电路的指示于每一个检测子时间内产生一个或多个控制信号，以决定该可变储存电容的该电容值；以及

该可变储存电容，电性连接该控制信号产生器，用以接收该一个或多个控制信号。

3.如权利要求2所述的电容检测装置，其特征在于，该路径选择器包括：

一第一开关，电性连接该可变储存电容与该感应电容，受控于该多个路径选择信号的一第一路径选择信号；

一第二开关，电性连接该第一特定电压与该感应电容，受控于该多个路径选择信号的一第二路径选择信号；以及

一第三开关，电性连接该可变储存电容与该第三特定电压，受控于该多个路径选择信号的一第三路径选择信号。

4.如权利要求2所述的电容检测装置，其特征在于，该电压检测器包括：

一比较器，具有一正输入端、一负输入端与一输出端，其中该正输入端与该负输入端分别电性该第二特定电压与该可变储存电容，或者分别电性连接该可变储存电容与该第二特定电压，以及该输出端电性连接该计数器。

5.如权利要求2所述的电容检测装置，其特征在于，该可变储存电容包括：

多个电容；以及

多个开关，受控于所述控制信号；

其中所述多个电容的其中之一的两端分别电性连接所述多个开关的第一端与该第三特定电压，以及其他所述多个电容的每一者的两端分别电性连接所述多个开关其中之一的一第二端与该第三特定电压。

6.如权利要求2所述的电容检测装置，其特征在于，该运算电路储存有一查找表，该查找表记录有该总计数值与该感应电容的电容值之间的一对照关系，以及该运算电路根据获得的该总计数值与该查找表获得该感应电容的电容值。

7.如权利要求1所述的电容检测装置，其特征在于，该感应电容为一手指与该电容检测电路电性连接的一导体所形成的一手指电容。

8.如权利要求1所述的电容检测装置，其特征在于，该第三特定电压为一接地电压，以及该第一特定压为该第二特定电压的两倍。

9.如权利要求1所述的电容检测装置，其特征在于，该电容检测装置为一单一晶片芯片。

10.一种电容检测方法，执行于一电容检测装置，用以于包括多个检测子时间的一检测时间内获得一感应电容的一电容值，其特征在于，包括：

于所述检测子时间的每一检测时间内：

步骤a，设定一可变储存电容的一电容值，其中该可变储存电容的该电容值于不同的多个检测子时间内彼此不同；

步骤b，提供一放电路径将该可变储存电容电压降低至一第三特定电压；

步骤c，提供一充电路径将该感应电容充电至一第一特定电压；

步骤d，提供一电荷转移路径将该感应电容储存的电荷转移到该可变储存电容；以及

步骤e，重复该步骤c、d，直到一可变储存电容电压提升到一第二特定电压，并获得重复该步骤c、d的一计数值，其中该第二特定电压小于或等于该第一特定电压；以及

获取所述检测子时间的所述计数值的一总计数值，并根据该总计数值获得该感应电容的该电容值。