CN108193264A - 一种用于提拉法长晶的温场 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种用于提拉法长晶的温场，具有：坩埚；侧保温层，包围坩埚；底保温层，与侧保温层连接并支撑侧保温层；调节机构，设置在侧保温层底部，调节机构支撑坩埚；调节机构具有一个上托块和两个下调节垫块，上托块底部设有一个圆锥形的凸起，下调节垫块上设有与圆锥形的凸起相适配的斜面，两个下调节垫块分别位于上托块的两侧并支撑上托块；线圈，缠绕在侧保温层和底保温层的外周；保温罩，设置在侧保温层的上部比与侧保温层连接；籽晶杆，伸入保温罩内，可方便快捷准确调节坩埚相对高度的方法，可用于温场的细微调节，能够方便、快捷、精准的微调坩埚相对高度，搭建最为合适的晶体生长温场。
Description
技术领域
本发明属于晶体生长技术领域，尤其涉及一种用于提拉法长晶的温场。
背景技术
提拉法生长晶体是一种应用极其广泛的长晶方法，其适用性广，温场调节方便，直观。在生长一种新的晶体时，我们常常需要设计一个相应的温场，其主要包括，坩埚相对于线圈的位置，坩埚外保温层的选材和厚度等，并经过实际生长结果进行调节和改善。在温场调节过程中，坩埚相对于线圈的位置高低是一个很关键的因素。坩埚作为发热体，直接产生长晶需要的热量，其相对位置的调节，直接影响坩埚的发热效率，及温场内部的温度梯度，进而对所生长晶体的质量产生影响。
另外，在晶体生长中，每一台生长设备都有细微的差异，这些差异也导致对于生长同一种晶体，其每一套温场都不尽相同。需要在温场搭建时进行微调。
在实现本发明的过程中，发明人发现现有技术至少存在以下问题：常用的温场搭建材料多为氧化锆，氧化铝陶瓷类产品，这类材料无法制作成8mm以下厚度的薄片，因此在大批量温场材料定制外，需要额外定制大量不同厚度的厚片用以搭配调节。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是提供一种可方便快捷准确调节坩埚相对高度的方法，可用于温场的细微调节，能够方便、快捷、精准的微调坩埚相对高度，搭建最为合适的晶体生长温场的用于提拉法长晶的温场。
为了解决上述技术问题，本发明所采用的技术方案是：一种用于提拉法长晶的温场，具有：
坩埚；
侧保温层，包围所述坩埚；
底保温层，与所述侧保温层连接并支撑所述侧保温层；
调节机构，设置在所述侧保温层底部，所述调节机构支撑所述坩埚；调节机构具有一个上托块和两个下调节垫块，所述上托块底部设有一个圆锥形的凸起，所述下调节垫块上设有与所述圆锥形的凸起相适配的斜面，所述两个下调节垫块分别位于所述上托块的两侧并支撑所述上托块；
线圈，缠绕在所述侧保温层和底保温层的外周；
保温罩，设置在所述侧保温层的上部比与所述侧保温层连接；
籽晶杆，伸入所述保温罩内。
所述线圈为方形紫铜线圈。
所述侧保温层和底保温层均为氧化锆保温层；所述坩埚为铱金坩埚；所述保温罩为氧化锆保温罩。
晶石晶体在所述坩埚中生长。
所述保温罩上设有观察孔。
上述技术方案中的一个技术方案具有如下优点或有益效果，在温场搭建时，通过左右调节下调节垫块的位置，来升高或者降低上托块的高度，进而微调坩埚的相对高度。可准确调节高度，微调节范围0-10mm；安装方便，搭建温场时，左右调节即可。锥面结构稳固，不会滑移。模块化定制，一种结构可以实现10mm内的微调节，不需另行定制不同厚度的垫块，节约成本。
附图说明
图1为本发明实施例中提供的用于提拉法长晶的温场的结构示意图；
图2为图1的调节机构的结构示意图；
上述图中的标记均为：1、坩埚，2、线圈，3、侧保温层，4、调节机构，41、上托块，42、下调节垫块，5、底保温层，6、籽晶杆，7、保温罩。
具体实施方式
为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本发明实施方式作进一步地详细描述。
参见图1-2，一种用于提拉法长晶的温场，具有：
坩埚；
侧保温层，包围坩埚；
底保温层，与侧保温层连接并支撑侧保温层；
调节机构，设置在侧保温层底部，调节机构支撑坩埚；调节机构具有一个上托块和两个下调节垫块，上托块底部设有一个圆锥形的凸起，下调节垫块上设有与圆锥形的凸起相适配的斜面，两个下调节垫块分别位于上托块的两侧并支撑上托块；
线圈，缠绕在侧保温层和底保温层的外周；
保温罩，设置在侧保温层的上部比与侧保温层连接；
籽晶杆，伸入保温罩内。
线圈为方形紫铜线圈。
侧保温层和底保温层均为氧化锆保温层；坩埚为铱金坩埚；保温罩为氧化锆保温罩。
晶石晶体在坩埚中生长。
保温罩上设有观察孔。
采用上述的结构后，在温场搭建时，通过左右调节下调节垫块的位置，来升高或者降低上托块的高度，进而微调坩埚的相对高度。可准确调节高度，微调节范围0-10mm；安装方便，搭建温场时，左右调节即可。锥面结构稳固，不会滑移。模块化定制，一种结构可以实现10mm内的微调节，不需另行定制不同厚度的垫块，节约成本。
上面结合附图对本发明进行了示例性描述，显然本发明具体实现并不受上述方式的限制，只要采用了本发明的方法构思和技术方案进行的各种非实质性的改进，或未经改进将本发明的构思和技术方案直接应用于其它场合的，均在本发明的保护范围之内。
Claims (5)
1.一种用于提拉法长晶的温场，其特征在于，具有：
坩埚；
侧保温层，包围所述坩埚；
底保温层，与所述侧保温层连接并支撑所述侧保温层；
调节机构，设置在所述侧保温层底部，所述调节机构支撑所述坩埚；调节机构具有一个上托块和两个下调节垫块，所述上托块底部设有一个圆锥形的凸起，所述下调节垫块上设有与所述圆锥形的凸起相适配的斜面，所述两个下调节垫块分别位于所述上托块的两侧并支撑所述上托块；
线圈，缠绕在所述侧保温层和底保温层的外周；
保温罩，设置在所述侧保温层的上部比与所述侧保温层连接；
籽晶杆，伸入所述保温罩内。
2.如权利要求1所述的用于提拉法长晶的温场，其特征在于，所述线圈为方形紫铜线圈。
3.如权利要求2所述的用于提拉法长晶的温场，其特征在于，所述侧保温层和底保温层均为氧化锆保温层；所述坩埚为铱金坩埚；所述保温罩为氧化锆保温罩。
4.如权利要求3所述的用于提拉法长晶的温场，其特征在于，晶石晶体在所述坩埚中生长。
5.如权利要求4所述的用于提拉法长晶的温场，其特征在于，所述保温罩上设有观察孔。
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| CN1227287A (zh) * | 1998-02-06 | 1999-09-01 | 索尼株式会社 | 单晶生长方法及生长装置 |
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| CN207958542U (zh) * | 2018-02-06 | 2018-10-12 | 安徽中科镭泰激光科技有限公司 | 用于提拉法长晶的温场 |
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