CN108155106A - 一种长爬电光电耦合器的制备工艺 - Google Patents

一种长爬电光电耦合器的制备工艺 Download PDF

Info

Publication number
CN108155106A
CN108155106A CN201711406926.0A CN201711406926A CN108155106A CN 108155106 A CN108155106 A CN 108155106A CN 201711406926 A CN201711406926 A CN 201711406926A CN 108155106 A CN108155106 A CN 108155106A
Authority
CN
China
Prior art keywords
chip
temperature baking
lead frame
preparation process
shell
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN201711406926.0A
Other languages
English (en)
Inventor
黄伟鹏
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Zhuhai Dapeng Electronic Technology Co Ltd
Original Assignee
Zhuhai Dapeng Electronic Technology Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Zhuhai Dapeng Electronic Technology Co Ltd filed Critical Zhuhai Dapeng Electronic Technology Co Ltd
Priority to CN201711406926.0A priority Critical patent/CN108155106A/zh
Publication of CN108155106A publication Critical patent/CN108155106A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
    • H01L21/54—Providing fillings in containers, e.g. gas fillings
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
    • H01L21/52—Mounting semiconductor bodies in containers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/16—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different main groups of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. forming hybrid circuits
    • H01L25/165—Containers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/16—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different main groups of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. forming hybrid circuits
    • H01L25/167—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different main groups of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. forming hybrid circuits comprising optoelectronic devices, e.g. LED, photodiodes

Abstract

本发明公开了一种长爬电光电耦合器的制备工艺，包括下列步骤：将引线框架放入制备模具，向模具内挤压填充树脂胶，进行外壳预制备，形成预置外壳，预置外壳内部的引线框架上设置有发射及接收芯片预留区域；在预留区域上点上导电银胶，然后放置发射及接收芯片，进行第一次高温烘烤固化；将发射及接收芯片的焊点与引线框架焊接；在发射及接收芯片区域点胶，并第二次高温烘烤；使用环氧树脂胶将外壳内预留区域完全填充，进行第三次高温烘烤固化；对金属引脚镀锡保护；产品引脚进行弯折成型。本发明在引线框架外设置预制备外壳，再使用硅胶进行内部填充绝缘保护，杜绝内部绝缘材质产生气孔现象，有效提高产品耐压安全可靠性。

Description

一种长爬电光电耦合器的制备工艺
技术领域
本发明涉及光电耦合器技术领域，具体涉及一种长爬电光电耦合器的制备工艺。
背景技术
长爬电光电耦合器属于安全器件，内部空间中高低压功能区≥0.4mm的绝缘间隙使用高耐压绝缘材质填充，以提供良好的耐压绝缘性能，长爬电结构的设计理念就是加大内部绝缘距离，传统制备式长爬电光电耦合器因制备过程的耐压材质与模具填充存在气孔问题无法杜绝，导致产品内部实际的耐压绝缘距离无法保证，气孔问题会造成高低压功能区耐压材质厚度不足，产品的安全性能存在隐患。
发明内容
基于现有技术的不足，本发明的目的在于提供一种长爬电光电耦合器的制备工艺，通过该制备工艺制备的长爬电光电耦合器解决了产品内部气孔问题，使产品的性能更加优良，耐压安全可靠性更强。
为实现上述目的，本发明的技术方案为：
一种长爬电光电耦合器的制备工艺，其特征在于包括下列步骤：
(1)制作预置外壳，将长爬电光电耦合器的引线框架放入制备模具，向模具内挤压填充树脂胶，进行外壳预制备，形成含有发射及接收芯片放置入口的预置外壳，预置外壳内部的引线框架上设置有发射及接收芯片预留区域；
(2)固晶，在预留区域的引线框架上点上导电银胶，然后在导电银胶上放置发射及接收芯片；
(3)第一次高温烘烤固化，使导电银胶将芯片粘结固化在引线框架上；
(4)焊线，将发射及接收芯片的焊点与引线框架焊接；
(5)点胶，在发射及接收芯片区域点胶，利用硅胶7的流动性及聚变性，将发射及接收芯片完全包裹保护起来；
(6)第二次高温烘烤，将硅胶进一步固化；
(7)白胶点胶，使用液态白色环氧树脂胶将外壳内预留区域完全填充；
(8)丝印刮平，对产品表面白胶进行丝印刮平；
(9)第三次高温烘烤固化，使制备的环氧树脂彻底固化；
(10)对金属引脚镀锡保护；
(11)最后对产品引脚进行弯折成型。
进一步的，在步骤(11)对产品引脚进行弯折成型后还包括对产品进行性能测试。
进一步的，步骤(3)中第一次高温烘烤固化是在160℃～180℃恒温烘烤箱中烘烤2～3个小时。
进一步的，步骤(4)中将发射及接收芯片的焊点与引线框架焊接采用的焊接方式是使用合金线并利用超声波将焊点与引线框架焊接。
进一步的，步骤(5)中在发射及接收芯片区域点胶的方式采用针筒气压挤出方式将硅胶点至发射及接收芯片所在区域。
进一步的，步骤(6)中第二次高温烘烤固化是在160℃～180℃恒温烘烤箱中烘烤3～4个小时。
进一步的，步骤(9)中第三次高温烘烤固化是在160℃～180℃恒温烘烤箱中烘烤8～9小时。
进一步的，步骤(7)中使用环氧树脂胶将外壳内预留区域完全填充采用的是将液态白色环氧树脂胶通过针筒气压挤出方式，将外壳内预留区域完全填充。
进一步的，步骤(10)中对金属引线镀锡保护采用锡金属块，通过电解置换反应，使锡层均匀稳定的结合在金属引脚表面，镀锡层厚度为2～3微米。
本发明的有益效果为：先在引线框架外设置预制备外壳，再使用高耐压性能、流动性强的硅胶进行内部填充绝缘保护，利用硅胶不易生成气泡的特性，杜绝内部绝缘材质产生气孔现象，有效提高产品耐压安全可靠性，同时使用硅胶作为光传播介质，可有效解决长爬电光耦设计发射芯片与接收芯片不对应而造成转换效率过低的问题。
附图说明
图1为本发明工艺流程图；
图2为本发明预置外壳结构示意图；
图3为本发明固晶结构示意图；
图4为本发明焊线结构示意图；
图5为本发明点胶结构示意图；
图6为本发明白胶点胶形成完整外壳结构示意图；
图7为本发明折脚结构示意图。
实施方式
以下将结合实施例和附图对本发明的构思、具体结构及产生的技术效果进行清楚、完整地描述，以充分地理解本发明的目的、特征和效果。显然，所描述的实施例只是本发明的一部分实施例，而不是全部实施例，本领域的技术人员在不付出创造性劳动的前提下所获得的其他实施例，均属于本发明保护的范围。
如图1所示，一种长爬电光电耦合器的制备工艺，其特征在于包括下列步骤：
(1)制作预置外壳，如图2所示，使用高精度制备模具，挤压填充高耐压强度环氧树脂胶，对引线框架1所有产品进行单颗产品外壳预制备；形成含有发射及接收芯片放置入口的预置外壳2，预置外壳2内部的引线框架上设置有发射及接收芯片预留区域3；
(2)固晶，如图3所示，使用高精度固晶作业机台，分别于引线框架1上单颗产品外壳内预留区域3将发射及接收芯片固定位置点上导电银胶4，然后放置发射及接收芯片5；
(3)第一次高温烘烤固化，采用恒温固化烤箱，160℃～180℃烘烤2～3小时，使导电银胶4将芯片粘结固化在引线框架1上；
(4)焊线，如图4所示，使用高精度焊线作业设备，将发射及接收芯片焊点及引线框架二焊点，使用高纯度合金线6利用超声波键合方式连接导通；
(5)点胶，如图5所示，使用高精度点胶作业设备，利用针筒气压挤出方式，将硅胶7点至发射及接收芯片区域，利用环氧树脂硅胶的流动性及聚变性，将发射及接收芯片完全包裹保护住，起到耐压绝缘并作为光传播介质；
(6)第二次高温烘烤固化，采用可程式恒温固化烤箱，160℃～180℃烘烤3～4小时，使硅胶7固化，达到良好的形态及应力缓冲效果；(7)白胶点胶，如图6所示，采用高精度点胶作业设备，将液态白色环氧树脂胶通过针筒气压挤出方式，将外壳内预留区域完全填充，形成完整外壳8，环氧树脂起到遮光耐压绝缘性能；
(8)丝印刮平：将已点白胶产品，使用高精度设备，设计专用压板，将产品固定于平台后，对产品表面白胶进行丝印刮平操作，刮平后形成产品上表面的平整形态，并达成产品整体结构的设计；
(9)进行第三次高温烘烤固化，采用恒温固化烤箱，160℃～180℃烘烤8～9小时，使制备的环氧树脂彻底固化；
(10)镀锡作业，对胶体外部露出的金属引脚进行镀锡保护作业，使用硫酸亚锡，高纯度锡金属块，通过电解置换反应，使锡层均匀稳定的结合在金属引脚表面上，镀锡层厚度下限控制在2微米；
(11)弯折成型，如图7示，使用高精度弯折成型模具，将产品从引线框架上切除下来，并保持单个状态，再进行金属引脚9弯折成型，引脚弯折后宽度系数为10.2±0.3mm；
(12)性能测试，对单颗产品进行100％测试，耐压测试5000V、1S，电性能测试针对顺向电压、漏电、压降、崩溃电压、反应上升下降时间、电流转换比等参数进行测试；
经过测试，通过本制备工艺制成的长爬电光电耦合器的各项性能指标均高于通过普通工艺制成的产品。
需要说明的是，以上所述只是本发明的较佳实施例而已，本发明并不局限于上述实施方式，只要其以相同的手段达到本发明的技术效果，都应属于本发明的保护范围。

Claims (9)

1.一种长爬电光电耦合器的制备工艺，其特征在于包括下列步骤：
(1)制作预置外壳，将长爬电光电耦合器的引线框架放入制备模具，向模具内挤压填充树脂胶，进行外壳预制备，形成含有发射及接收芯片放置入口的预置外壳，预置外壳内部的引线框架上设置有发射及接收芯片预留区域；
(2)固晶，在预留区域的引线框架上点上导电银胶，然后在导电银胶上放置发射及接收芯片；
(3)第一次高温烘烤固化，使导电银胶将芯片粘结固化在引线框架上；
(4)焊线，将发射及接收芯片的焊点与引线框架焊接；
(5)点胶，在发射及接收芯片区域点胶，利用硅胶的流动性及聚变性，将发射及接收芯片完全包裹保护起来；
(6)第二次高温烘烤，将硅胶进一步固化；
(7)白胶点胶，使用液态白色环氧树脂胶将外壳内预留区域完全填充；
(8)丝印刮平，对产品表面白胶进行丝印刮平；
(9)第三次高温烘烤固化，使制备的环氧树脂彻底固化；
(10)对金属引脚镀锡保护；
(11)最后对产品引脚进行弯折成型。
2.如权利要求1所述的长爬电光电耦合器的制备工艺，其特征在于：在步骤(11)对产品引脚进行弯折成型后还包括对产品进行性能测试。
3.如权利要求1所述的长爬电光电耦合器的制备工艺，其特征在于：步骤(3)中第一次高温烘烤固化是在160℃～180℃恒温烘烤箱中烘烤2～3个小时。
4.如权利要求1所述的长爬电光电耦合器的制备工艺，其特征在于：步骤(4)中将发射及接收芯片的焊点与引线框架焊接采用的焊接方式是使用合金线并利用超声波将焊点与引线框架焊接。
5.如权利要求1所述的长爬电光电耦合器的制备工艺，其特征在于：步骤(5)中在发射及接收芯片区域点胶的方式采用针筒气压挤出方式将硅胶点至发射及接收芯片所在区域。
6.如权利要求1所述的长爬电光电耦合器的制备工艺，其特征在于：步骤(6)中第二次高温烘烤固化是在160℃～180℃恒温烘烤箱中烘烤3～4个小时。
7.如权利要求1所述的长爬电光电耦合器的制备工艺，其特征在于：步骤(9)中第三次高温烘烤固化是在160℃～180℃恒温烘烤箱中烘烤8～9小时。
8.如权利要求1所述的长爬电光电耦合器的制备工艺，其特征在于：步骤(7)中使用环氧树脂胶将外壳内预留区域完全填充采用的是将液态白色环氧树脂胶通过针筒气压挤出方式，将外壳内预留区域完全填充。
9.如权利要求1所述的长爬电光电耦合器的制备工艺，其特征在于：步骤(10)中对金属引脚镀锡保护采用锡金属块，通过电解置换反应，使锡层均匀稳定的结合在金属引脚表面，镀锡层厚度为2～3微米。
CN201711406926.0A 2017-12-22 2017-12-22 一种长爬电光电耦合器的制备工艺 Pending CN108155106A (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201711406926.0A CN108155106A (zh) 2017-12-22 2017-12-22 一种长爬电光电耦合器的制备工艺

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201711406926.0A CN108155106A (zh) 2017-12-22 2017-12-22 一种长爬电光电耦合器的制备工艺

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN108155106A true CN108155106A (zh) 2018-06-12

Family

ID=62464362

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201711406926.0A Pending CN108155106A (zh) 2017-12-22 2017-12-22 一种长爬电光电耦合器的制备工艺

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN108155106A (zh)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109707846A (zh) * 2018-12-25 2019-05-03 北京品驰医疗设备有限公司 密封构件和密封元件的制造方法
CN112349672A (zh) * 2020-10-14 2021-02-09 珠海市大鹏电子科技有限公司 一种用于光电耦合器的引线框架及其光电耦合器

Citations (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2007033611A1 (en) * 2005-09-26 2007-03-29 Hongkong Applied Science And Technology Research Institute Co., Ltd. Opto-electronic device for optical fibre applications
CN101752465A (zh) * 2008-12-11 2010-06-23 浙江古越龙山电子科技发展有限公司 大功率发光二极管透镜封装模具及其封装方法
CN102074534A (zh) * 2009-11-24 2011-05-25 上海长丰智能卡有限公司 一种微型pcb射频模块及其封装方法
CN102306648A (zh) * 2011-08-22 2012-01-04 厦门华联电子有限公司 一种光耦合器
US20120223259A1 (en) * 2011-03-04 2012-09-06 Renesas Electronics Corporation Optical coupling element and method for manufacturing the same
CN102832294A (zh) * 2011-06-13 2012-12-19 中山市世耀光电科技有限公司 Led光源的封装方法及led光源
CN102856216A (zh) * 2012-09-14 2013-01-02 杰群电子科技（东莞）有限公司 一种方形扁平无引脚封装焊片的方法
CN102891129A (zh) * 2012-08-30 2013-01-23 无锡永阳电子科技有限公司 预塑封引线框架及其封装工艺
CN202839733U (zh) * 2012-08-15 2013-03-27 内蒙古华延芯光科技有限公司 白光led
JP2013098381A (ja) * 2011-11-01 2013-05-20 Renesas Electronics Corp 光結合素子
CN103151419A (zh) * 2011-12-07 2013-06-12 安华高科技通用Ip(新加坡)公司 光耦合器
CN103682049A (zh) * 2013-12-26 2014-03-26 四川柏狮光电技术有限公司 一种防水贴片led及其生产工艺
CN103824849A (zh) * 2014-01-27 2014-05-28 华南理工大学 一种具有强化出光结构的多led芯片封装器件及其制造方法
CN105870112A (zh) * 2016-04-30 2016-08-17 浙江单色电子科技有限公司 一种混合波长紫光led及其制造方法
CN106449625A (zh) * 2016-11-30 2017-02-22 上海应用技术大学 基于荧光基板的倒装led灯丝及其封装工艺
CN107393912A (zh) * 2017-07-31 2017-11-24 佛山市南海区正东照明有限公司 一种低热阻高光效led灯的cob封装结构及其工艺、模具

Patent Citations (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2007033611A1 (en) * 2005-09-26 2007-03-29 Hongkong Applied Science And Technology Research Institute Co., Ltd. Opto-electronic device for optical fibre applications
CN101752465A (zh) * 2008-12-11 2010-06-23 浙江古越龙山电子科技发展有限公司 大功率发光二极管透镜封装模具及其封装方法
CN102074534A (zh) * 2009-11-24 2011-05-25 上海长丰智能卡有限公司 一种微型pcb射频模块及其封装方法
US20120223259A1 (en) * 2011-03-04 2012-09-06 Renesas Electronics Corporation Optical coupling element and method for manufacturing the same
CN102832294A (zh) * 2011-06-13 2012-12-19 中山市世耀光电科技有限公司 Led光源的封装方法及led光源
CN102306648A (zh) * 2011-08-22 2012-01-04 厦门华联电子有限公司 一种光耦合器
JP2013098381A (ja) * 2011-11-01 2013-05-20 Renesas Electronics Corp 光結合素子
CN103151419A (zh) * 2011-12-07 2013-06-12 安华高科技通用Ip(新加坡)公司 光耦合器
CN202839733U (zh) * 2012-08-15 2013-03-27 内蒙古华延芯光科技有限公司 白光led
CN102891129A (zh) * 2012-08-30 2013-01-23 无锡永阳电子科技有限公司 预塑封引线框架及其封装工艺
CN102856216A (zh) * 2012-09-14 2013-01-02 杰群电子科技（东莞）有限公司 一种方形扁平无引脚封装焊片的方法
CN103682049A (zh) * 2013-12-26 2014-03-26 四川柏狮光电技术有限公司 一种防水贴片led及其生产工艺
CN103824849A (zh) * 2014-01-27 2014-05-28 华南理工大学 一种具有强化出光结构的多led芯片封装器件及其制造方法
CN105870112A (zh) * 2016-04-30 2016-08-17 浙江单色电子科技有限公司 一种混合波长紫光led及其制造方法
CN106449625A (zh) * 2016-11-30 2017-02-22 上海应用技术大学 基于荧光基板的倒装led灯丝及其封装工艺
CN107393912A (zh) * 2017-07-31 2017-11-24 佛山市南海区正东照明有限公司 一种低热阻高光效led灯的cob封装结构及其工艺、模具

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109707846A (zh) * 2018-12-25 2019-05-03 北京品驰医疗设备有限公司 密封构件和密封元件的制造方法
CN112349672A (zh) * 2020-10-14 2021-02-09 珠海市大鹏电子科技有限公司 一种用于光电耦合器的引线框架及其光电耦合器

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN103887407B (zh) 一种微型贴片发光二极管及其生产工艺
CN106449542B (zh) 一种视窗气密无硅胶的半导体发光芯片的封装结构
CN104332550B (zh) 基于氧化铍陶瓷基板的cob式led封装件及生产方法
CN108155106A (zh) 一种长爬电光电耦合器的制备工艺
CN105530017A (zh) 一种宽带收发系统接收前端的制作方法
CN103682030B (zh) Led、led装置及led制作工艺
CN205452281U (zh) 一种带弹片双层灌胶的功率模块
CN103811434A (zh) 一种ltcc无引线封装
CN108155247B (zh) 一种光电耦合器封装电镀工艺
CN108398063B (zh) 一种电子雷管芯片及其封装方法
CN109473512A (zh) 一种全无机led灯及其封装方法
CN108231603B (zh) 一种芯片封装体的制备方法以及芯片封装体
CN102456780A (zh) 发光二极管封装方法
CN104600041B (zh) 一种双面散热半导体的封装结构及其封装方法
CN108022736A (zh) 一种微功率电源模块
CN106098913B (zh) 一种提高白光led试配比测试效率的方法
CN209822681U (zh) 一种倒装smd led封装结构
CN105764266A (zh) 宽带收发系统接收前端的制作方法
CN104124324B (zh) 一种led封装玻璃及其制备方法和应用
CN207731798U (zh) 一种微功率电源模块
CN207731788U (zh) 一种电子贴片组件
CN102664080B (zh) 一种玻璃封装二极管型热敏电阻的加工工艺
CN204145887U (zh) 一种pbga封装器件与ltcc基板的装配结构
CN103398797B (zh) 热敏电阻温度传感器及其制作方法
CN202616221U (zh) 一种空腔无引线塑料扁平封装

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
RJ01 Rejection of invention patent application after publication
RJ01 Rejection of invention patent application after publication

Application publication date: 20180612