CN108148961A - 局部高频热处理工艺 - Google Patents

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CN108148961A CN201611105135.XA CN201611105135A CN108148961A CN 108148961 A CN108148961 A CN 108148961A CN 201611105135 A CN201611105135 A CN 201611105135A CN 108148961 A CN108148961 A CN 108148961A
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曲立辉
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    • Y02P10/25Process efficiency

Abstract

本发明公开了一种局部高频热处理工艺,包括:高频热处理控制器、高频加热发生器、红外温控器、红外探头、降温水循环系统、水管道和布垫,所述高频加热发生器为竖立的磁感应线圈,所述水管道在上表面形成一个置物台,所述红外探头监测器件上进行热处理区域的温度情况,所述红外温控器将监控的温度编辑成信号反馈到所述高频热处理控制器,所述高频热处理控制器根据接收的信号自动控制相应的所述高频加热发生器的开关状态。

Description

局部高频热处理工艺
技术领域
本发明涉及高频热处理领域,特别是涉及一种局部高频热处理工艺。
背景技术
高频热处理装置与一般使用的气氛加热炉相比,其优点是作业环境清洁,而且能够在短时间内高效处理小批量产品,这些优点使得它的应用越来越广泛。但是,目前高频热处理器的应用方式都是针对整体器件进行热处理,所以工艺的设计也是相对应进行整体加热的,而且加热温度的控制要求也不严格,对于特殊应用的产品,比如:要求对同种材料的器件进行局部软化的热处理方式不能满足加工条件;对于恒温加热,而且加热精度要求比较高的热处理也难以满足加工条件。
发明内容
本发明主要解决的技术问题是提供一种局部高频热处理工艺,通过高频热处理器对器件进行局部热处理,实现一种材料两种不同的金相组织结构,通过由红外温控器、高频热处理控制器和降温水循环系统组合构成的热处理实时反馈控制系统,对处理部件进行精确定位和精确控温。
为解决上述技术问题,本发明采用的一个技术方案是:提供一种局部高频热处理工艺,包括:高频热处理控制器、高频加热发生器、红外温控器、红外探头、降温水循环系统、水管道和布垫,所述高频加热发生器为直立放置的磁感应线圈,多个间隔的所述高频加热发生器排列组成加热系统,所述高频加热发生器的顶部连接所述水管道,所述水管道由所述降温水循环系统控制,所述水管道在上表面形成一个置物台,所述置物台上放置所述布垫,所述布垫上放置器件的热处理部分,所述布垫为耐高温布垫,所述红外探头监测器件上热处理区域的温度情况,所述红外探头由所述红外温控器控制,所述红外温控器将监控的温度编辑成信号反馈到所述高频热处理控制器,所述高频热处理控制器根据接收的信号自动控制相应的所述高频加热发生器的开关状态。
在本发明一个较佳实施例中,所述高频加热发生器由所述高频热处理控制器一对一控制。
在本发明一个较佳实施例中,所述红外温控器的精度为0.2摄氏度。
本发明的有益效果是:通过高频热处理器对器件进行局部热处理,实现一种材料两种不同的金相组织结构,即两种硬度,通过由红外温控器、高频热处理控制器和降温水循环系统组合构成的热处理实时反馈控制系统,对处理部件进行精确定位和精确控温。
本发明局部高频热处理工艺的有益效果是:一、通过高频热处理器对器件进行局部热处理,实现一种材料达到两种不同的金相组织结构,即两种硬度;二、通过由红外温控器、高频热处理控制器和降温水循环系统组合构成的热处理实时反馈控制系统,对处理部件进行精确定位和精确控温,达到对预订部位进行恒温热处理的要求。
以上所述仅为本发明的实施例,并非因此限制本发明的专利范围,凡是利用本发明说明书内容所作的等效结构或等效流程变换,或直接或间接运用在其它相关的技术领域,均同理包括在本发明的专利保护范围内。

Claims (3)

1.一种局部高频热处理工艺,其特征在于,包括:高频热处理控制器、高频加热发生器、红外温控器、红外探头、降温水循环系统、水管道和布垫,所述高频加热发生器为直立放置的磁感应线圈,由多个间隔的所述高频加热发生器排列组成加热系统,所述高频加热发生器的顶部连接所述水管道,所述水管道由所述降温水循环系统控制,所述水管道在上表面形成一个置物台,所述置物台上放置所述布垫,所述布垫上放置器件的热处理部分,所述布垫为耐高温布垫,所述红外探头监测器件上热处理区域的温度情况,所述红外探头由所述红外温控器控制,所述红外温控器将监控的温度编辑成信号反馈到所述高频热处理控制器,所述高频热处理控制器根据接收的信号自动控制相应的所述高频加热发生器的开关状态。
2.根据权利要求1所述的高频热处理工艺,其特征在于,所述高频加热发生器由所述高频热处理控制器一对一控制。
3.根据权利要求1所述的高频热处理工艺,其特征在于,所述红外温控器的精度为0.2摄氏度。
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