CN108147672A - 一种perc晶体硅太阳能正银浆料用玻璃粉 - Google Patents
一种perc晶体硅太阳能正银浆料用玻璃粉 Download PDFInfo
- Publication number
- CN108147672A CN108147672A CN201711477505.7A CN201711477505A CN108147672A CN 108147672 A CN108147672 A CN 108147672A CN 201711477505 A CN201711477505 A CN 201711477505A CN 108147672 A CN108147672 A CN 108147672A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- glass dust
- crystal silicon
- glass
- silver paste
- perc
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000011521 glass Substances 0.000 title claims abstract description 56
- 239000000428 dust Substances 0.000 title claims abstract description 37
- 101001073212 Arabidopsis thaliana Peroxidase 33 Proteins 0.000 title claims abstract description 31
- 101001123325 Homo sapiens Peroxisome proliferator-activated receptor gamma coactivator 1-beta Proteins 0.000 title claims abstract description 31
- 102100028961 Peroxisome proliferator-activated receptor gamma coactivator 1-beta Human genes 0.000 title claims abstract description 31
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 18
- 239000004332 silver Substances 0.000 title claims abstract description 16
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 16
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 15
- 239000013078 crystal Substances 0.000 title claims abstract description 15
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 13
- 239000010703 silicon Substances 0.000 title claims abstract description 13
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 12
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims abstract description 11
- 239000002994 raw material Substances 0.000 claims abstract description 9
- WMWLMWRWZQELOS-UHFFFAOYSA-N bismuth(iii) oxide Chemical compound O=[Bi]O[Bi]=O WMWLMWRWZQELOS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 8
- 229910003069 TeO2 Inorganic materials 0.000 claims abstract description 6
- 239000012752 auxiliary agent Substances 0.000 claims abstract description 6
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 claims abstract description 6
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 claims abstract description 6
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims abstract description 6
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 claims abstract description 6
- LAJZODKXOMJMPK-UHFFFAOYSA-N tellurium dioxide Chemical compound O=[Te]=O LAJZODKXOMJMPK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 6
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 claims abstract description 6
- FUJCRWPEOMXPAD-UHFFFAOYSA-N Li2O Inorganic materials [Li+].[Li+].[O-2] FUJCRWPEOMXPAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 5
- KKCBUQHMOMHUOY-UHFFFAOYSA-N Na2O Inorganic materials [O-2].[Na+].[Na+] KKCBUQHMOMHUOY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 5
- XUCJHNOBJLKZNU-UHFFFAOYSA-M dilithium;hydroxide Chemical compound [Li+].[Li+].[OH-] XUCJHNOBJLKZNU-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims abstract description 5
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 claims abstract description 4
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 claims abstract description 4
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 8
- 239000002893 slag Substances 0.000 claims description 8
- KLZUFWVZNOTSEM-UHFFFAOYSA-K Aluminium flouride Chemical compound F[Al](F)F KLZUFWVZNOTSEM-UHFFFAOYSA-K 0.000 claims description 6
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 238000002156 mixing Methods 0.000 claims description 5
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 claims description 5
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims description 4
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 claims description 4
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 238000001035 drying Methods 0.000 claims description 4
- NUJOXMJBOLGQSY-UHFFFAOYSA-N manganese dioxide Chemical compound O=[Mn]=O NUJOXMJBOLGQSY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 238000002844 melting Methods 0.000 claims description 4
- 230000008018 melting Effects 0.000 claims description 4
- 238000010791 quenching Methods 0.000 claims description 4
- 230000000171 quenching effect Effects 0.000 claims description 4
- 238000010792 warming Methods 0.000 claims description 4
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052593 corundum Inorganic materials 0.000 claims description 3
- FPHIOHCCQGUGKU-UHFFFAOYSA-L difluorolead Chemical compound F[Pb]F FPHIOHCCQGUGKU-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims description 3
- JEIPFZHSYJVQDO-UHFFFAOYSA-N iron(III) oxide Inorganic materials O=[Fe]O[Fe]=O JEIPFZHSYJVQDO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910001845 yogo sapphire Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910005979 Ge2O3 Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910010342 TiF4 Inorganic materials 0.000 claims description 2
- XROWMBWRMNHXMF-UHFFFAOYSA-J titanium tetrafluoride Chemical compound [F-].[F-].[F-].[F-].[Ti+4] XROWMBWRMNHXMF-UHFFFAOYSA-J 0.000 claims description 2
- 238000001238 wet grinding Methods 0.000 claims description 2
- 239000002002 slurry Substances 0.000 abstract description 4
- 239000012776 electronic material Substances 0.000 abstract description 2
- 238000005245 sintering Methods 0.000 abstract description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 6
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 5
- 238000000034 method Methods 0.000 description 5
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 3
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 3
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 2
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 2
- 206010010356 Congenital anomaly Diseases 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 229910021418 black silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000006388 chemical passivation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000002860 competitive effect Effects 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000007812 deficiency Effects 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 230000003628 erosive effect Effects 0.000 description 1
- 239000005337 ground glass Substances 0.000 description 1
- 230000013011 mating Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C12/00—Powdered glass; Bead compositions
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C1/00—Ingredients generally applicable to manufacture of glasses, glazes, or vitreous enamels
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
- H01B1/00—Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors
- H01B1/14—Conductive material dispersed in non-conductive inorganic material
- H01B1/16—Conductive material dispersed in non-conductive inorganic material the conductive material comprising metals or alloys
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0224—Electrodes
- H01L31/022408—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
- H01L31/022425—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Geochemistry & Mineralogy (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Sustainable Energy (AREA)
- Sustainable Development (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Dispersion Chemistry (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Glass Compositions (AREA)
Abstract
本发明涉及电子材料技术领域,尤其是一种PERC晶体硅太阳能正银浆料用玻璃粉,各组分的质量百分含量为:所述的玻璃粉有以下重量百分比的原料组成,20~90%TeO2、4~40%Bi2O3、0.5~15%的Li2O、Na2O和K2O的混合物、5~15%B2O3、1~10%CaO、1~3%NiO、5~15%SiO2 、5~60%腐蚀助剂。本发明的一种PERC晶体硅太阳能正银浆料用玻璃粉,玻璃粉电导率增加、介电损耗较小,能蚀穿PERC晶体硅片的氧化铝膜,制作的浆料能在730~820℃烧结,在一定程度上降低了PERC电池片的衰减问题。
Description
技术领域
本发明涉及电子材料技术领域,尤其是一种PERC晶体硅太阳能主栅正银玻璃粉。
背景技术
太阳能电池组件是新能源产业中重要的产品之一。但随着630抢装之后,国家补贴下降,组件售价急剧下跌,出现市场倒逼光伏行业必须做出技术改革的局面,光伏生产厂家降本提效迫在眉睫,如目前市场上兴起了黑硅技术,PERC技术,N型电池技术等。
PERC 的全称是钝化发射极和背面电池。简而言之,PERC 电池的概念就是仅通过增加两种不同的生产设备,实现电池效率一个百分点的提高,同时其生产成本较之常规电池又能保持竞争性。事实上,现阶段多数太阳能电池制造商都已具备 PERC 电池制造能力—至少其部分产线已配套 PERC 生产设备,并且这一趋势正在迅速不断多大。
PERC 电池结构是从常规背场电池(BSF) 结构自然衍生而来。BSF 电池具有先天的局限性,随着业界对电池提效愈来愈高的关注,这种局限性越发明显。PERC 电池的制造涉及背面钝化膜沉积,然后背面开槽以形成背接触。背面钝化材料需要具有较高的固定负电荷,同时又能提供化学钝化的能力。氧化铝具备这些条件,目前是生产 PERC 电池的首选材料。由于对电池进行了双面钝化,也就是正面也有氧化铝膜,普通的玻璃粉不能很好是蚀穿氧化铝膜,造成接触电阻变大,电池效率降低。
发明内容
为了适应PERC工艺,解决现有的技术的不足,本发明提供了一种PERC晶体硅太阳能主栅正银玻璃粉。
本发明解决其技术问题所采用的技术方案是:一种PERC晶体硅太阳能正银浆料用玻璃粉,所述的玻璃粉有以下重量百分比的原料组成:20~90%TeO2、4~40%Bi2O3、0.5~15%的Li2O、Na2O和K2O的混合物、5~15%B2O3、1~10%CaO、1~3%NiO、5~15%SiO2 、5~60%腐蚀助剂。
进一步的,包括腐蚀助剂选自PbO、Al2O3、TiO2、Al2O3、MnO2、LiF、PbF2、AlF3、TiF4、Ge2O3、Fe2O3一种或两种以上以任意比例混合的混合物。
进一步的,包括玻璃粉的Tg温度为280℃~420℃、玻璃粉Ts温度为660~820℃、玻璃粉的平均粒径为0.5~3微米。
进一步的,包括一种PERC晶体硅太阳能正银浆料用玻璃粉的制备方法,其特征是,所述的制备方法如下:
步骤1) :将玻璃粉的各组分按质量百分比称取后,放入搅拌器内混合1~2小时。
步骤2):将混合均匀的玻璃粉原料放入恒温干燥箱中,烘干1~2小时,烘干温度为100~150℃。
步骤3) :将已干燥的玻璃粉原料放入坩埚中,将坩埚放入加热设备中,将加热设备升温至800~950℃恒温下熔炼,保温1~2小时,得到澄清的玻璃溶体。
步骤4) :将玻璃溶体放入去离子水中淬冷,冷却后取出玻璃碎渣.
步骤5) :使用球磨机湿法研磨玻璃碎渣至平均粒径为0.5~3.5微米。
本发明的有益效果是:本发明的一种PERC晶体硅太阳能正银浆料用玻璃粉,可以适应PERC工艺,玻璃粉电导率增加、介电损耗较小,能蚀穿PERC晶体硅片的氧化铝膜,制作的浆料能在730~820℃烧结,在一定程度上降低了PERC电池片的衰减问题。制备步骤简单,所需成本低。
具体实施方式
下面结合实施例对本发明做进一步的说明。
一种PERC晶体硅太阳能正银浆料用玻璃粉,所述的玻璃粉有以下重量百分比的原料组成:20~90%TeO2、4~40%Bi2O3、0.5~15%的Li2O、Na2O和K2O的混合物、5~15%B2O3、1~10%CaO、1~3%NiO、5~15%SiO2 、5~60%腐蚀助剂。
具体实施例1,本实施例玻璃粉的组成及其重量百分比:35%TeO2 、5%Bi2O3、1%Li2O、10%B2O3、5%CaO、2%NiO、8%SiO2 、30% PbO、0.5%Al2O3、1%TiO2、1%MnO2、1.5%AlF3、在搅拌器中混合1个小时,混合均匀后放入恒温干燥器100℃。将已干燥的玻璃粉原料放入坩埚中,将坩埚放入加热设备中,将加热设备升温至800~950℃恒温下熔炼,保温1~2小时,得到澄清的玻璃溶体。将玻璃溶体放入去离子水中淬冷,冷却后取出玻璃碎渣,使用球磨机湿法研磨玻璃碎渣至平均粒径为0.5~3.5微米;
按上述配方比例称取银粉80%、玻璃粉3%、有机载体13%、Tego 240 0.5%,其余为溶剂,在行星式搅拌机或其它搅拌机里混合均匀,再在三辊机上分散至10μm 以下,经过400目网筛过滤,即可得到非常均匀的太阳能电池正面银浆。该浆料的粘度为210Pa.s(25℃),测试的PERC多晶硅片数为500片,对比产线结果,如表1所示。
具体实施例2,本实施例玻璃粉的组成及其重量百分比:28%TeO2、6%Bi2O3、3%Na2O、13%B2O3、3%CaO、1%NiO、10%SiO2 、20% PbO、5%Al2O3、3%TiO2、5%MnO2、3%PbF2、Fe2O3在搅拌器中混合1个小时,混合均匀后放入恒温干燥器100℃。将已干燥的玻璃粉原料放入坩埚中,将坩埚放入加热设备中,将加热设备升温至800~950℃恒温下熔炼,保温1~2小时,得到澄清的玻璃溶体。将玻璃溶体放入去离子水中淬冷,冷却后取出玻璃碎渣,使用球磨机湿法研磨玻璃碎渣至平均粒径为0.5~3.5微米;
按上述配方比例称取银粉80%、玻璃粉3%、有机载体13%、Tego 240 0.5%,其余为溶剂,在行星式搅拌机或其它搅拌机里混合均匀,再在三辊机上分散至10μm 以下,经过400目网筛过滤,即可得到非常均匀的太阳能电池正面银浆。该浆料的粘度为220Pa.s(25℃),测试的PERC多晶硅片数为500片,对比产线结果,如表1所示。
表1各实施例和对比产线例阳能电池性能
Uoc | Isc | Rs | Rsh | FF | Eta | Irev2 | |
实例一 | 0.646 | 9.2487 | 0.00134 | 232.93 | 81.56 | 19.947 | 0.09 |
实例二 | 0.6454 | 9.2595 | 0.00168 | 243.91 | 81.21 | 19.865 | 0.08 |
产线 | 0.6455 | 9.2613 | 0.00198 | 252.88 | 80.84 | 19.78 | 0.08 |
综上,本发明中的玻璃粉适应PERC工艺,在一定程度上提高了电池效率。
以上说明对本发明而言只是说明性的,而非限制性的,本领域普通技术人员理解,在不脱离所附权利要求所限定的精神和范围的情况下,可做出许多修改、变化或等效,但都将落入本发明的保护范围内。
Claims (7)
1.一种PERC晶体硅太阳能正银浆料用玻璃粉,其特征在于,所述的玻璃粉有以下重量百分比的原料组成:20~90%TeO2、4~40%Bi2O3、0.5~15%的Li2O、Na2O和K2O的混合物、5~15%B2O3、1~10%CaO、1~3%NiO、5~15%SiO2 、5~60%腐蚀助剂。
2.根据权利要求1所述的一种PERC晶体硅太阳能正银浆料用玻璃粉,其特征在于,所述腐蚀助剂选自PbO、Al2O3、TiO2、Al2O3、MnO2、LiF、PbF2、AlF3、TiF4、Ge2O3、Fe2O3一种或两种以上以任意比例混合的混合物。
3.根据权利要求1所述的一种PERC晶体硅太阳能正银浆料用玻璃粉,其特征其特征是,所述玻璃粉的Tg温度为280℃~420℃、玻璃粉Ts温度为660~820℃、玻璃粉的平均粒径为0.5~3微米。
4.一种根据权利要求1所述的一种PERC晶体硅太阳能正银浆料用玻璃粉的制备方法,其特征是,所述的制备方法如下:
步骤1) :将玻璃粉的各组分按质量百分比称取后,放入搅拌器内混合1~2小时。
5.步骤2):将混合均匀的玻璃粉原料放入恒温干燥箱中,烘干1~2小时,烘干温度为100~150℃。
6.步骤3) :将已干燥的玻璃粉原料放入坩埚中,将坩埚放入加热设备中,将加热设备升温至800~950℃恒温下熔炼,保温1~2小时,得到澄清的玻璃溶体。
7.步骤4) :将玻璃溶体放入去离子水中淬冷,冷却后取出玻璃碎渣.
步骤5) :使用球磨机湿法研磨玻璃碎渣至平均粒径为0.5~3.5微米。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201711477505.7A CN108147672A (zh) | 2017-12-29 | 2017-12-29 | 一种perc晶体硅太阳能正银浆料用玻璃粉 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201711477505.7A CN108147672A (zh) | 2017-12-29 | 2017-12-29 | 一种perc晶体硅太阳能正银浆料用玻璃粉 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN108147672A true CN108147672A (zh) | 2018-06-12 |
Family
ID=62460119
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201711477505.7A Pending CN108147672A (zh) | 2017-12-29 | 2017-12-29 | 一种perc晶体硅太阳能正银浆料用玻璃粉 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN108147672A (zh) |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN110174412A (zh) * | 2019-05-21 | 2019-08-27 | 常州聚和新材料股份有限公司 | 一种测试银浆中的玻璃对硅片表面腐蚀深度的方法 |
CN110534227A (zh) * | 2019-08-26 | 2019-12-03 | 广州市儒兴科技开发有限公司 | 一种应用于TOPCon电池N+层的高性能银浆 |
CN112777938A (zh) * | 2019-11-11 | 2021-05-11 | 江西佳银科技有限公司 | 一种晶硅太阳能正银浆料用玻璃粉及其制备方法和用途 |
CN112777935A (zh) * | 2019-11-11 | 2021-05-11 | 江西佳银科技有限公司 | 一种含纳米银玻璃粉及其制备方法 |
CN114524618A (zh) * | 2022-03-23 | 2022-05-24 | 浙江晶科新材料有限公司 | Topcon n型晶体硅太阳能电池正银浆料用玻璃粉及其制备方法 |
CN115332364A (zh) * | 2022-08-10 | 2022-11-11 | 西南交通大学 | 太阳能电池钝化涂覆料、制备方法及钝化方法 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN104478222A (zh) * | 2014-12-30 | 2015-04-01 | 山西森达源科技有限公司 | 一种适用于晶体硅太阳能电池背银浆料的无铅玻璃粉及其制备方法 |
CN105174728A (zh) * | 2014-06-10 | 2015-12-23 | 湖南利德电子浆料有限公司 | 一种晶体硅太阳能电池正银浆料用玻璃粉及其制备方法 |
CN106898412A (zh) * | 2017-04-14 | 2017-06-27 | 北京市合众创能光电技术有限公司 | 一种含微晶玻璃粉晶体硅太阳能电池正银浆料 |
-
2017
- 2017-12-29 CN CN201711477505.7A patent/CN108147672A/zh active Pending
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN105174728A (zh) * | 2014-06-10 | 2015-12-23 | 湖南利德电子浆料有限公司 | 一种晶体硅太阳能电池正银浆料用玻璃粉及其制备方法 |
CN104478222A (zh) * | 2014-12-30 | 2015-04-01 | 山西森达源科技有限公司 | 一种适用于晶体硅太阳能电池背银浆料的无铅玻璃粉及其制备方法 |
CN106898412A (zh) * | 2017-04-14 | 2017-06-27 | 北京市合众创能光电技术有限公司 | 一种含微晶玻璃粉晶体硅太阳能电池正银浆料 |
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN110174412A (zh) * | 2019-05-21 | 2019-08-27 | 常州聚和新材料股份有限公司 | 一种测试银浆中的玻璃对硅片表面腐蚀深度的方法 |
CN110534227A (zh) * | 2019-08-26 | 2019-12-03 | 广州市儒兴科技开发有限公司 | 一种应用于TOPCon电池N+层的高性能银浆 |
CN110534227B (zh) * | 2019-08-26 | 2021-05-07 | 广州市儒兴科技开发有限公司 | 一种应用于TOPCon电池N+层的高性能银浆 |
CN112777938A (zh) * | 2019-11-11 | 2021-05-11 | 江西佳银科技有限公司 | 一种晶硅太阳能正银浆料用玻璃粉及其制备方法和用途 |
CN112777935A (zh) * | 2019-11-11 | 2021-05-11 | 江西佳银科技有限公司 | 一种含纳米银玻璃粉及其制备方法 |
CN114524618A (zh) * | 2022-03-23 | 2022-05-24 | 浙江晶科新材料有限公司 | Topcon n型晶体硅太阳能电池正银浆料用玻璃粉及其制备方法 |
CN115332364A (zh) * | 2022-08-10 | 2022-11-11 | 西南交通大学 | 太阳能电池钝化涂覆料、制备方法及钝化方法 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN108147672A (zh) | 一种perc晶体硅太阳能正银浆料用玻璃粉 | |
CN106887273B (zh) | Perc晶体硅太阳能电池用背银浆料及其制备方法 | |
CN104681122B (zh) | 一种太阳能电池正面银浆及其制备方法 | |
CN102603196B (zh) | 一种玻璃混合粉及其制备方法和含该玻璃混合粉的导电银浆 | |
US9087937B2 (en) | Glass composition and its use in conductive silver paste | |
CN109180008B (zh) | 低温玻璃粉、其制备方法及含该玻璃粉的正面电极银浆料 | |
CN104376894B (zh) | 太阳能电池导电正面银浆 | |
CN106898412A (zh) | 一种含微晶玻璃粉晶体硅太阳能电池正银浆料 | |
CN104751935A (zh) | 一种高方阻高效太阳能电池正面银浆及制备方法 | |
CN102956283A (zh) | 一种新型高效晶硅太阳能电池用无铅化银浆及其制备与应用 | |
WO2013085961A1 (en) | Conductive silver paste for a metal-wrap-through silicon solar cell | |
CN102760512A (zh) | 晶硅太阳能电池正面电极形成用无铅银导电浆料及其制备方法 | |
US10497819B2 (en) | Efficient back surface field paste for crystalline silicon solar cells and preparation method thereof | |
CN115602355A (zh) | 导电浆料及其制备的太阳能电池 | |
CN109215835A (zh) | Perc电池用低电阻率高附着力背银浆料及其制备方法 | |
CN102543252B (zh) | 一种宽高温烧结窗口硅太阳能电池正银浆料 | |
CN103531266A (zh) | 一种晶硅太阳能电池背电极银浆及其制备方法 | |
CN109300573A (zh) | Perc太阳能电池用低银含高附着力背银浆料及其制备方法 | |
CN103854721B (zh) | 一种太阳能电池正面金属化银浆及其制备方法 | |
CN103199128B (zh) | 一种耐高温低翘曲铝浆 | |
CN110504045A (zh) | 一种高拉力的晶硅太阳能电池perc铝浆及其制备方法 | |
CN105174728A (zh) | 一种晶体硅太阳能电池正银浆料用玻璃粉及其制备方法 | |
CN110423012B (zh) | 一种用于perc铝浆的玻璃粉及制备方法 | |
CN109493993B (zh) | 一种用于晶硅太阳能电池正面电极的银浆料及其制备方法 | |
CN110942841A (zh) | 无铅银导体浆料及其制备工艺 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
RJ01 | Rejection of invention patent application after publication | ||
RJ01 | Rejection of invention patent application after publication |
Application publication date: 20180612 |