CN108140925B - 一种滤波单元及滤波器 - Google Patents

Abstract

一种滤波单元及滤波器，该滤波单元包括：层叠的两个腔体，每个腔体包括：介质基片，且介质基片的两个表面分别设置有金属覆盖层，其中一层金属覆盖层上刻蚀有连接的耦合槽，以及平行于与耦合槽的一排金属槽，耦合槽的一端为开口，另一端为闭口，且开口的一端对应磁壁结构，闭口的一端对应电壁结构；两个腔体之间通过耦合槽耦合连接。在上述技术方案中，采用两层腔体重叠形成滤波单元，两个腔体之间通过设置的耦合槽耦合连接形成滤波单元，并且仅需在腔室的斜边设置馈电端口，在采用上述结构时，有效的降低了传统滤波器的物理尺寸，减少了滤波单元的平面面积。

Description

一种滤波单元及滤波器

技术领域

本发明涉及到通信技术领域，尤其涉及到一种滤波单元及滤波器。

背景技术

基片集成波导技术是近年来兴起的一种可以集成在介质基片中的新型导波结构，其具有平面传输线与金属波导的双重优点，在微波电路设计中具有不可替代的优势。随着基片集成波导技术的成熟发展，大部分微波器件均可采用基片集成波导的结构实现，比如滤波器、功分器、天线等。

任何一个完整的通信系统中，滤波器都具有特殊的地位和作用，具有不可替代性；而基片集成波导滤波器在拥有众多优点的同时，不可避免的也有着缺陷。传统的基片集成波导滤波器结构尺寸较大，占据着微波单板上大量面积，不利于系统结构的小型化设计；另外，传统的基片集成波导滤波器其带外抑制性较差，以及寄生通带较近(距离主通带2f0)等劣势。本发明基片集成波导滤波器方案，在实现滤波器小型化的同时，具有更好的带外抑制特性。

现有技术一是一个小型化的基片集成波导谐振器，在结构上，其由上下两层PCB板以及若干金属化通孔构成。第一金属覆铜层、第二金属覆铜层、第一介质层以及内部若干金属化通孔围成了上层谐振器；第三金属覆铜层、第四金属覆铜层、第二介质层以及内部若干金属化通孔围成了上层谐振器；每个谐振器都围成三角形状，两个谐振器层叠的接触敷铜面上，蚀刻有金属缝隙将上下两个谐振器的耦合级联成一个谐振器；沿着金属化通孔的方向蚀刻出的金属缝隙，围成三角形状。

在现有技术一的方案中，1)其谐振器的平面面积虽然比传统的基片集成波导谐振器面积减少了17/18，但是还没有达到最小，还可以使其尺寸进一步小型化。2)由现有技术一组成的滤波器，其寄生通带距离主通带较近(3f0，f0为主通带的中心频率)，用在微波电路中，会恶化系统信噪比。

下图为与本发明方案相似的现有基片集成波导切比雪夫滤波器，其结构上是一种直接耦合的三角形基片集成波导腔体滤波器，包括等腰三角形腔体，各个等腰三角形腔体顺序排列成正多边形，其中任意两个相邻的等腰三角形腔体分别为起始腔体和末端腔体，在起始腔体和末端腔体上分别设有输入端口和输出端口，在起始腔体及与其相邻的腔体之间设有耦合窗，在末端腔体及与其相邻的腔体之间设有耦合窗，在相邻的腔体之间设有耦合窗且该相邻的腔体位于起始端腔体和末端腔体之间，上述等腰三角形腔体由设在双面覆有金属箔介质基片上的金属化通孔构成且金属化通孔按等腰三角形排列。

在现有技术二的方案中，其继承了传统腔体滤波器共有的缺点。1)滤波器尺寸过大。现有技术方案二仅仅把传统的矩形腔体变成了三角形的腔体，只是结构形式上的变化，在面积尺寸方面没有任何改善；2)滤波器寄生通带。这是一个传统的腔体滤波器，其寄生通带距离主通带较近(2f0，f0为主通带的中心频率)；3)带外抑制不够。这是一个传统的切比雪夫滤波器，其滤波单元之间采用单一的磁耦合形式，所以滤波器带外抑制不高。

发明内容

本发明提供了一种滤波单元及滤波器，用以减少滤波单元的体积，便于滤波器的小型化发展，同时，改善滤波器的带外抑制。

为了解决上述技术问题，本发明的实施例提供了一种滤波单元，该滤波单元包括：层叠的两个腔体，其中，

每个腔体包括：介质基片，设置在所述介质基片相对的两个表面的第一金属覆盖层及第二金属覆盖层，以及设置在所述介质基板上的一排第一金属化通孔、一排第二金属化通孔及一排第三金属化通孔，设置在所述第一金属覆盖层上的耦合槽；其中，

所述第一金属覆盖层呈直角三角形；

所述一排第一金属化通孔平行于所述第一金属覆盖层的斜边，且所述第一金属化通孔穿过所述第一金属覆盖层及第二金属覆盖层；

所述一排第二金属化通孔位于所述第一金属覆盖层外且平行于第一金属覆盖层的一直角边，所述一排第二金属化通孔穿过所述第二金属覆盖层，且每个一排第二金属化通孔中的金属化通孔连接有一金属片，相邻的金属片之间具有间隙，所述一排第二金属化通孔与所述金属片形成磁壁结构；

所述一排第三金属化通孔位于所述第一金属覆盖层外且平行于所述第一金属覆盖层的另一直角边，且所述一排第三金属化通孔穿过所述第二金属覆盖层，所述一排第三金属化通孔形成电壁结构；

所述耦合槽平行于所述一排第一金属化通孔，且所述耦合槽朝向所述磁壁结构的一端贯穿所述第一金属覆盖层，朝向所述电壁结构的一端为闭口；

所述两个腔室之间的耦合槽相向设置，并通过两个耦合槽耦合。

在上述技术方案中，采用两层腔体重叠形成滤波单元，两个腔体之间通过设置的耦合槽耦合连接形成滤波单元，并且仅需在腔室的斜边设置馈电端口，在采用上述结构时，有效的降低了传统滤波器的物理尺寸，减少了滤波单元的平面面积。

在具体设置时，每个腔室还包括设置在第一金属覆盖层的两个平行的金属槽；所述两个金属槽分别与所述耦合槽垂直连接，并将所述耦合槽分割成两部分，所述两个金属槽穿过所述一排第一金属化通孔，且将所述一排第一金属化通孔分割成位列在所述两个金属槽外侧的两部分；其中的一个腔室的两个金属槽之间设置有微带线。

此外，耦合槽的长度为L和宽度为W，且长度L与宽度W的比值满足L/W介于1/4～1个波长之间的条件，该波长为滤波单元的工作波长。作为一种具体的实施方式，较佳的，L/W等于半个波长。

在具体设置耦合槽时，耦合槽设置在三角形介质基板的第一覆铜层上金属通孔背离斜边的一侧，且耦合槽距离边缘金属化通孔的距离小于0.5mm。在一个具体的实施例中，耦合槽距离边缘金属化通孔的距离为0.1mm。

此外，在一个具体的实施例中，所述介质基片上还设置有平行于所述介质基片的每个直角边的一排金属化通孔，其中，一排金属化通孔中的每个金属化通孔一端穿过一层所述介质基片的金属覆盖层，另一端对应一个金属片，且所述金属片与所述金属化通孔形成磁壁结构；另一排金属化通孔中的每个金属化同层穿过所述介质层，且该金属化通孔形成电壁结构。在具体设置时，所述金属片为矩形金属片，且所述矩形金属片对应的金属化通孔位于所述矩形金属片的中心位置。

第二方面，本实施例还提供了一种滤波器，该滤波器包括上述任一项所述的滤波单元，其中的两个滤波单元连接有微带线，一个微带线作为输入线，另一个微带线作为输出线，且相邻的两个滤波单元之间共用磁壁结构或电壁结构，在所述滤波单元的个数为两个时，所述两个滤波单元通过磁耦合或电耦合连接，在所述滤波单元为多个时，所述多个滤波单元之间通过电耦合和磁耦合交替耦合连接。通过采用电耦合和磁耦合交替的耦合方式，实现了寄生通带的抑制。与传统滤波单元相比，传统滤波单元高次模工作频率在2f0处，而本发明滤波单元高次模工作频率在4f0处；所以传统滤波器的寄生通带出现在2f0处，而本发明滤波器的寄生通带出现在4f0附近(f0为滤波器中心频率)，实现了寄生通带的抑制。

在一种具体的磁耦合方式中，在所述相邻的滤波单元之间共用磁壁结构时，位于所述磁壁结构相对的一侧的金属覆盖层上设置有横截面为圆形的缝隙，所述相邻的两个滤波单元之间通过所述缝隙磁耦合连接。且在具体设置缝隙时，所述缝隙的直径为D，缝宽为S，且D/S小于十分之一波长。

在一种具体的电耦合方式中，在所述相邻的滤波单元共用电壁结构时，位于所述电壁结构相对的一侧的金属覆盖层上设置有带线，所述相邻的两个滤波单元之间通过带线实现电耦合连接。

附图说明

图1为本发明实施例提供的第一腔室的结构示意图；

图2为本发明实施例提供的第一腔室的结构示意图；

图3为本发明实施例提供的滤波单元的第二腔室的结构示意图；

图4为本发明实施例提供的滤波单元的第二腔室的结构示意图；

图5为本发明实施例提供的的滤波器的结构示意图；

图6为本发明实施例提供的滤波器与现有技术中的滤波器的对比图表；

图7a～图7d为本发明实施例提供的滤波器采用两个滤波单元的结构示意图。

附图标记：

10-第一介质基片 20-第一金属覆盖层A 30-第二金属覆盖层A

31-耦合槽 32-金属槽 33-金属片

40-第一金属化通孔A 41-第二金属化通孔A 43-第三金属化通孔A

50-第二介质基片 60-第一金属覆盖层B 70-第二金属覆盖层B

71-耦合槽 72-金属槽 73-微带线

74-金属片 80-第一金属化通孔B 81-第二金属化通孔B

82-第三金属化通孔B 90-带线 100-缝隙

具体实施方式

为了使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本发明作进一步地详细描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例，都属于本发明保护的范围。

本发明的实施例提供了一种滤波单元，该滤波单元包括：层叠的两个腔体，其中，

每个腔体包括：介质基片，设置在所述介质基片相对的两个表面的第一金属覆盖层及第二金属覆盖层，以及设置在所述介质基板上的一排第一金属化通孔、一排第二金属化通孔及一排第三金属化通孔，设置在所述第一金属覆盖层上的耦合槽；其中，

所述第一金属覆盖层呈直角三角形；

所述一排第一金属化通孔平行于所述第一金属覆盖层的斜边，且所述第一金属化通孔穿过所述第一金属覆盖层及第二金属覆盖层；

所述一排第二金属化通孔位于所述第一金属覆盖层外且平行于第一金属覆盖层的一直角边，所述一排第二金属化通孔穿过所述第二金属覆盖层，且每个一排第二金属化通孔中的金属化通孔连接有一金属片，相邻的金属片之间具有间隙，所述一排第二金属化通孔与所述金属片形成磁壁结构；

所述一排第三金属化通孔位于所述第一金属覆盖层外且平行于所述第一金属覆盖层的另一直角边，且所述一排第三金属化通孔穿过所述第二金属覆盖层，所述一排第三金属化通孔形成电壁结构；

所述耦合槽平行于所述一排第一金属化通孔，且所述耦合槽朝向所述磁壁结构的一端贯穿所述第一金属覆盖层，朝向所述电壁结构的一端为闭口；

所述两个腔室之间的耦合槽相向设置，并通过两个耦合槽耦合。

在上述具体实施例中，采用两层腔体重叠形成滤波单元，两个腔体之间通过设置的耦合槽耦合连接形成滤波单元，并且仅需在腔室的斜边设置馈电端口，在采用上述结构时，有效的降低了传统滤波器的物理尺寸，减少了滤波单元的平面面积。

为了方便理解本实施例提供的滤波单元，下面结合附图以及具体的实施例对其结构进行详细的说明。

本实施例提供的滤波单元包括两个腔体，分别为第一腔体和第二腔体，第一腔体和第二腔体之间通过耦合槽耦合连接。且其中的金属覆盖层可以为铜。

如图1所示，图1示出了本实施例提供的第一腔体的结构示意图。其包括：第一介质基片10，且第一介质基片10相对的两个表面分别设置有第一金属覆盖层20及第二金属覆盖层A30，其中第一金属覆盖层A20为直角三角形，第二金属覆盖层A30的形状不限，且第一金属覆盖层A20设置有平行于斜边的第一金属化通孔A40，该第一金属化通孔A40穿过第一金属覆盖层A20及第二金属覆盖层A30。第一介质基片10上还设置有位于第一金属覆盖层A20外，并平行于第一金属覆盖层A20一个直角边的一排第二金属化通孔A41，上述中的第一金属覆盖层A20外，是指第一金属化通孔40不穿过第一金属覆盖层A20；第二金属化通孔A41中一端穿过一层第一介质基片10及第二金属覆盖层A30，另一端连接一个金属片33，且相邻的金属片33之间具有间隙，该金属片33与第二金属化通孔A41形成磁壁结构；第一介质基片10还设置有位于第一金属覆盖层A20外，且平行于第一金属覆盖层A20另一个斜边的一排第三金属化通孔A42，该第三金属化通孔A42穿过第一介质层10，且该排第三金属化通孔A42形成电壁结构。具体的，如图2所示，图2示出了具有磁壁结构和电壁结构的第一腔室的结构。在本实施例中，第二金属化通孔A41及第三金属化通孔A43均位于第一金属覆盖层A20外，即均不穿过第一金属覆盖层A20，且都穿过第一介质基片10及第二金属覆盖层A30。在形成磁壁结构时，第二金属化通孔A41上连接有金属片33，且一排第二金属化通孔A41与一排金属片33形成磁壁结构，且该金属片33设置在第二金属覆盖层A30。在具体设置时，金属片33为矩形金属片33，且矩形金属片33对应的金属化通孔位于矩形金属片33的中心位置。在形成电壁结构时，通过形成的一排第三金属化通孔A43，该一排第三金属化通孔形成电壁结构。

此外，本实施例提供的第一腔室还设置有耦合槽31，该耦合槽31设置在第一金属覆盖层A20上，在具体设置时，耦合槽31平行于一排第一金属化通孔40。继续参考图1，由图1可以看出，耦合槽31在具体设置时，耦合槽31设置在第二覆盖层20上第一金属化通孔A40背离第二覆盖层20的斜边的一侧，且耦合槽31距离边缘第一金属化通孔A40的距离小于0.5mm。如：该距离可以为0.5mm、0.4mm、0.3mm、0.25mm、0.2mm、0.15mm、0.1mm、0.05mm等距离。较佳的，在一个具体的实施例中，耦合槽31距离边缘第一金属化通孔A40的距离为0.1mm。

在具体设置时，耦合槽31的长度为L和宽度为W，且长度L与宽度W的比值满足L/W介于1/4～1个波长之间的条件，该波长为滤波单元的工作波长。如：L/W的比值为：1/4、1/3、1/2、2/3、1等，使得第一腔室与第二腔室在耦合时，能够具有良好的耦合的效果。作为一种具体的实施例，较佳的，L/W等于半个波长。使得第一腔室和第二腔室具有良好的耦合效果。

继续参考图1，耦合槽31朝向磁壁结构的一端贯穿第一金属覆盖层A20形成开口，朝向电壁结构的一侧未贯通第一金属覆盖层A20，形成闭口。在本实施例中，耦合槽31贯穿与不贯穿的作用在于影响滤波单元内部的电磁场分布。相比现有技术本发明滤波单元的尺寸极大的减小，而为了实现这一目的，就需要改变传统滤波单元内部的电磁场结构分布。在本发明滤波单元中，其两条直角边上的耦合槽端部的结构不一样，从而形成了不同的电磁场结构。1)耦合槽贯穿。该侧的电磁场分布情况：电场平行于直角边分布，并且电场强度弱于磁场强度，使其具有磁壁的特性。2)耦合槽未贯穿。该侧的电磁场分布情况：电场垂直于直角边分布，并且电场强度强于磁场强度，使其具有电壁的特性。电壁与磁壁特性的形成，从而实现了工作频率不变的情况下，滤波单元尺寸的极大减小。

在具体设置时，第一腔室还包括设置在第一金属覆盖层A20的两个平行的金属槽32；所述两个金属槽32分别与所述耦合槽31垂直连接，并将所述耦合槽31分割成两部分，所述两个金属槽32穿过所述一排第一金属化通孔，且将所述一排第一金属化通孔分割成位列在所述两个金属槽32外侧的两部分；其中的一个腔室的两个金属槽32之间设置有微带线。如图1所示，两个金属槽32穿过第一金属化通孔A40，并将一排第一金属化通孔A40切断，位于两个金属槽32之间并未有金属化通孔。

一并参考图3及图4，图3及图4分别示出了不同结构的第二腔室的结构示意图。在本实施例中，第二腔室的结构与第一腔室的结构相近似，唯一的区别仅在于第二腔室的两个金属槽之间连接了微带线73，作为一个输入端或输出端。在具体连接时，如图4所示，微带线73与金属槽72连接。

如图3及图4所示，在第二腔室中，介质基片为第二介质基片50，位于第二介质基片50上的两层金属覆盖层分别为第一金属覆盖层B60及第二金属覆盖层B70，位于斜边的一排金属化通孔为第一金属化通孔B80，位于直角边的两排金属化通孔分别为第二金属化通孔B81及第三金属化通孔B82。且第二腔室的耦合槽71、金属槽72及金属片74与第一腔室的耦合槽31、金属槽32及金属片33的结构及功能相同在此不再详细赘述。第二腔室的第一金属覆盖层B60与第一腔室的第一金属覆盖层A20相同，第二金属覆盖层B70与第二金属覆盖层A30相同，第一金属化通孔B80与第一金属化通孔A40的设置方式相同，第二金属化通孔B81与第二金属化通孔A41的结构及设置方式相同，第三金属化通孔B82与第三金属化通孔A43的结构及设置方式相同。在此不再赘述。

在形成滤波单元时，第一腔室与第二腔室层叠，且第一腔室的耦合槽与第二腔室的耦合槽相对设置形成耦合结构，即第一腔室的第一覆铜金属层与第三腔室的第四覆铜金属层接触，完成滤波单元的组装。

如图5所示，本实施例还提供了一种滤波器，该滤波器包括上述任一项所述的滤波单元，其中的两个滤波单元连接有微带线，一个微带线作为输入线，另一个微带线作为输出线，且相邻的两个滤波单元之间共用磁壁结构或电壁结构，在所述滤波单元的个数为两个时，所述两个滤波单元通过磁耦合或电耦合连接，在所述滤波单元为多个时，所述多个滤波单元之间通过电耦合和磁耦合交替耦合连接。

在上述实施例中，通过采用电耦合和磁耦合交替的耦合方式，实现了寄生通带的抑制。

具体的，如图6所示，与传统滤波单元相比，传统滤波单元高次模工作频率在2f0处，而本发明滤波单元高次模工作频率在4f0处；所以传统滤波器的寄生通带出现在2f0处，而本发明滤波器的寄生通带出现在4f0附近(f0为滤波器中心频率)，实现了寄生通带的抑制。

其中的滤波单元的个数至少为两个，且在采用两个滤波单元时，分别为滤波单元A和滤波单元B。如图7a～图7d所示，其中，图7a和图7b示出了两个滤波单元之间共用电壁结构，且两个滤波单元之间通过带线实现电耦合。图7c和图7d示出了两个滤波单元之间共用磁壁结构，且两个滤波单元之间通过缝隙实现耦合。

在一种具体的磁耦合方式中，在相邻的滤波单元之间共用磁壁结构时，位于磁壁结构相对的一侧的金属覆盖层上设置有横截面为圆形的缝隙100，相邻的两个滤波单元之间通过缝隙100磁耦合连接。且在具体设置缝隙100时，缝隙100的直径为D，缝宽为S，且D/S小于十分之一波长。

在一种具体的电耦合方式中，在相邻的滤波单元共用电壁结构时，位于电壁结构相对的一侧的金属覆盖层上设置有带线90，相邻的两个滤波单元之间通过带线90实现电耦合连接。

如图5所示，数字A、B、C、D分别代表四个滤波单元。滤波单元A、滤波单元D分别与输入端、输出端微带线73相连；滤波单元A与滤波单元B之间，滤波单元C与滤波单元D之间，经过带线90以电耦合的方式级联；而滤波单元B与滤波单元C之间，经过圆形耦合缝隙100，以磁耦合的方式级联。其中磁耦合圆形耦合缝隙100对称的分布于第二金属覆盖层与第四金属覆盖层中，并且位于滤波单元磁壁的中间位置；电耦合带线90位于第一金属覆盖层与第三金属覆盖层，电耦合带线90与金属覆盖层相连。

在采用上述结构时，如图6所示，如图6所示，与传统滤波单元相比，传统滤波单元高次模工作频率在2f0处，而本发明滤波单元高次模工作频率在4f0处；所以传统滤波器的寄生通带出现在2f0处，而本发明滤波器的寄生通带出现在4f0附近(f0为滤波器中心频率)，实现了寄生通带的抑制。

显然，本领域的技术人员可以对本发明进行各种改动和变型而不脱离本发明的精神和范围。这样，倘若本发明的这些修改和变型属于本发明权利要求及其等同技术的范围之内，则本发明也意图包含这些改动和变型在内。

Claims (11)

1.一种滤波单元，其特征在于，包括：层叠的两个腔体，其中，

每个腔体包括：介质基片，设置在所述介质基片相对的两个表面的第一金属覆盖层及第二金属覆盖层，以及设置在所述介质基片上的一排第一金属化通孔、一排第二金属化通孔及一排第三金属化通孔，设置在所述第一金属覆盖层上的耦合槽；其中，

所述第一金属覆盖层呈直角三角形；

所述一排第一金属化通孔平行于所述第一金属覆盖层的斜边，且所述第一金属化通孔穿过所述第一金属覆盖层及第二金属覆盖层；

所述一排第二金属化通孔位于所述第一金属覆盖层外且平行于第一金属覆盖层的一直角边，所述一排第二金属化通孔穿过所述第二金属覆盖层，且每个一排第二金属化通孔中的金属化通孔连接有一金属片，相邻的金属片之间具有间隙，所述一排第二金属化通孔与所述金属片形成磁壁结构；

所述一排第三金属化通孔位于所述第一金属覆盖层外且平行于所述第一金属覆盖层的另一直角边，且所述一排第三金属化通孔穿过所述第二金属覆盖层，所述一排第三金属化通孔形成电壁结构；

所述耦合槽平行于所述一排第一金属化通孔，且所述耦合槽朝向所述磁壁结构的一端贯穿所述第一金属覆盖层，朝向所述电壁结构的一端为闭口；

所述两个腔室之间的耦合槽相向设置，并通过两个耦合槽耦合。

2.如权利要求1所述的滤波单元，其特征在于，每个腔室还包括设置在第一金属覆盖层的两个平行的金属槽；所述两个金属槽分别与所述耦合槽垂直连接，并将所述耦合槽分割成两部分，所述两个金属槽穿过所述一排第一金属化通孔，且将所述一排第一金属化通孔分割成位列在所述两个金属槽外侧的两部分；其中的一个腔室的两个金属槽之间设置有微带线。

3.如权利要求1所述的滤波单元，其特征在于，所述耦合槽的长度L和宽度W，满足L/W介于1/4～1个波长之间。

4.如权利要求3所述的滤波单元，其特征在于，所述L/W等于半个波长。

5.如权利要求1～4任一项所述的滤波单元，其特征在于，所述耦合槽距离边缘金属化通孔的距离小于0.5mm。

6.如权利要求5所述的滤波单元，其特征在于，所述耦合槽距离边缘金属化通孔的距离为0.1mm。

7.如权利要求6所述的滤波单元，其特征在于，所述金属片为矩形金属片，且所述矩形金属片对应的金属化通孔位于所述矩形金属片的中心位置。

8.一种滤波器，其特征在于，包括至少两个如权利要求1～7任一项所述的滤波单元，其中的两个滤波单元连接有微带线，一个微带线作为输入线，另一个微带线作为输出线，且相邻的两个滤波单元之间共用磁壁结构或电壁结构，在所述滤波单元的个数为两个时，所述两个滤波单元通过磁耦合或电耦合连接，在所述滤波单元的个数为三个及以上时，多个滤波单元之间通过电耦合和磁耦合交替耦合连接。

9.如权利要求8所述的滤波器，其特征在于，在所述相邻的滤波单元之间共用磁壁结构时，位于所述磁壁结构相对的一侧的金属覆盖层上设置有横截面为圆形的缝隙，所述相邻的两个滤波单元之间通过所述缝隙磁耦合连接。

10.如权利要求9所述的滤波器，其特征在于，所述缝隙的直径为D，缝宽为S，且D/S小于十分之一波长。

11.如权利要求8所述的滤波器，其特征在于，在所述相邻的滤波单元共用电壁结构时，位于所述电壁结构相对的一侧的金属覆盖层上设置有带线，所述相邻的两个滤波单元之间通过带线实现电耦合连接。