CN108140523B - 用于离子注入系统的具有唇缘的离子源内衬 - Google Patents

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Abstract

本发明公开一种离子源内衬(204)，包括具有暴露表面的衬板。所述衬板包括通孔以及环绕该通孔且自暴露表面向外延伸的唇缘(234)并且可选地包括凹部，该凹部具有自暴露表面凹陷且环绕通孔的第二表面。本发明进一步公开一种电弧腔室(202)，包括：所述离子源内衬以及具有轴部(218)和头部(250)的电极(208)，例如推斥极(248)，其中，该电极穿过所述通孔并界定衬板与轴部之间的环状间隙；以及离子源，该离子源包括电弧腔室，其中，该电弧腔室具有主体，该主体界定内部区域(212)，其中所述暴露表面暴露于所述电弧腔室内生成的电浆，以及其中，电极与主体电性隔离。唇缘(234)大体上防止微粒污染物(248’)进入环状间隙(206)。

Description

用于离子注入系统的具有唇缘的离子源内衬
相关申请的引用
本申请要求于2015年11月5日提交的美国临时申请第62/251,523号名称为“IONSOURCE LINER HAVING A LIP FOR ION IMPLANTATION SYSTEMS”的权益，其全文并入本文以供参考。
技术领域
本发明大体上涉及离子注入系统，更具体涉及一种离子源电弧腔室的内衬。
背景技术
在半导体装置的制造中，离子注入用于将半导体掺杂有杂质。离子注入系统经常被利用来在集成电路的制造期间，将例如半导体晶片的工件掺杂有来自离子束的离子，以便产生n型或p型材料的掺杂或形成钝化层。这种射束处理常用来以预定能量水平在受控浓度下将特定掺杂材料的杂质选择性注入晶片，以在制作集成电路期间产生半导体材料。该离子注入系统用于掺杂半导体晶片时，将所选的离子种类注入到工件中，以产生所需的含杂质材料。例如，从诸如锑、砷或磷等原料所生成的注入离子产生“n型”含杂质材料晶片，而“p型”含杂质材料晶片常出自利用诸如硼、镓或铟等原料所生成的离子。
典型的离子注入机包括离子源、离子引出装置、质量分析装置、射束传输装置和晶片处理装置。离子源生成所需原子或分子掺杂种类的离子。这类离子是借由引出系统从来源引出，该引出系统通常为一组电极，这些电极激励并导控来自来源的离子流动，形成离子束。在质量分析装置中从离子束中分离出所需的离子，该质量分析装置通常是磁偶极，对引出的离子束执行质量色散或质量分离。射束传输装置将离子束传输至晶片处理装置，同时维持离子束的预期性质，该射束传输装置通常是包含一系列聚焦装置的真空系统。最后，经由晶片操纵系统，将半导体晶片送进及送出晶片处理装置，该晶片操纵系统可以包括一个或多个机械臂，用于将待处理晶片置于离子束前方并将经处理晶片从离子注入机移除。
分批型离子注入机为众所周知，其通常包括旋转盘支撑件，用于移动多个硅晶片通过离子束。当该支撑件旋转晶片使其通过离子束时，离子束撞击晶片表面。串列型离子注入机亦为公知，其一次处理一个晶片。晶片支承于盒中，一次抽出一片并将其置于晶片支撑件上。再将晶片调整到注入方位，以便离子束撞击单个晶片。这类串列型注入机使用射束成型电子器件使射束自其原始轨迹偏转并且常配合晶片支撑件的协调移动来使用，以选择性掺杂或处理整个晶片表面。当晶片通过离子注入系统进行处理时，它们被传送于专用处理腔室与晶片输入站/输出站之间。常规地，使用机器人将晶片送进及送出处理腔室。
发明内容
有鉴于此，本发明提出用于增长离子源使用寿命的系统和设备。据此，下文呈现本发明的简要概述，以提供对本发明的某些方面的基本理解。本发明内容部分并非本发明的详尽综述。其既非旨在确定本发明的关键元件或主要元件，亦非限定本发明的范围。其目的在于，以简化形式呈现本发明的某些构思，作为下文具体实施方式的引言。
根据本发明的一方面，本发明提出一种离子源，诸如用于离子注入系统或各种其他处理系统的离子源。例如，所述离子源包括电弧腔室，其具有主体，该主体界定电弧腔室的内部区域。例如，一个或多个内衬可操作地耦接至电弧腔室的主体，其中一个或多个内衬大体上界定电弧腔室的内部区域的暴露表面。例如，该暴露表面被配置成暴露于电弧腔室内部区域内所产生的电浆(plasma)且至少部分地限制该电浆。
在一示例中，本发明进一步提出一种电极，诸如推斥极(repeller)，其中该电极包括具有第一直径的轴部。该轴部贯穿主体以及一个或多个内衬中的一个内衬，其中该电极与主体电性隔离。在一示例中，一个或多个内衬中的所述一个内衬包括具有第一表面的衬板，该第一表面具有凹部，该凹部具有界定于该凹部中的第二表面。进一步界定穿过该凹部的通孔，其中该通孔被配置成使轴部贯穿其中。例如，该通孔具有大于第一直径的第二直径，其中界定衬板与轴部之间的环状间隙。另外，所述衬板包括自第二表面朝第一表面延伸的唇缘，其中该唇缘环绕凹部内的通孔并且大体上防止微粒污染物进入间隙。在另一示例中，并不存在凹部，而所述唇缘自第一表面向外延伸。
根据一示例，所述第二表面自第一表面凹陷第一距离，其中所述唇缘自第二表面朝第一表面延伸第二距离。所述第一表面和第二表面中的一个或多个表面可以大体上呈平面。在一非限制性特殊示例中，所述第一距离约为第二距离的两倍。在另一示例中，所述唇缘包括第三表面，该第三表面毗邻通孔的圆周。该第三表面亦可以大体上呈平面，但还可设想其他各种配置，诸如圆形表面或者多琢面表面。在一示例中，沿通孔轴线观察时，所述凹部大体上呈U形。
在又一示例中，所述衬板界定电弧腔室的内部区域的底表面，其中所述唇缘大体上防止重力使微粒污染物进入间隙。
在还一示例中，所述唇缘具有与其相关的第三直径。所述电极可以包括具有头部的推斥极，该头部暴露于电弧腔室内部区域内所产生的电浆，其中该头部具有第四直径。在一示例中，该第四直径大于第三直径。
根据各种其他示例，本发明提出一种离子源处理腔室，其具有电极，该电极包括轴部与头部。本发明进一步提出一种用于该离子源处理腔室的内衬，其中该内衬具有穿过其中的通孔，以及其中该电极贯穿该通孔并界定轴部与通孔之间的环状间隙。例如，所述内衬进一步包括凹部，其具有自凹部延伸的唇缘，用以大体上环绕通孔并大体上防止微粒污染物通过通孔。
在另一示例中，所述电极包括推斥设备，其中该推斥设备包括可操作地耦接轴部的推斥电极。例如，该推斥电极的直径大于通孔的直径，其中轴部的直径小于通孔的直径。在另一示例中，所述唇缘的直径介于推斥电极的直径与通孔的直径之间。
据此，下文内容及附图详细阐明本发明的某些说明性方面及实施方式。这些仅表明运用本发明原理的多种不同方式中的少数几种。
附图说明
图1图示出具有内衬的示例性离子源与电弧腔室的透视图。
图2是图1的局部放大图，显示具有内衬但不具有凸起唇缘的电弧腔室。
图3图示出示例性离子源内衬的透视图。
图4图示出根据本发明数个示例的离子源与电弧腔室的透视图，该电弧腔室具有带凸起唇缘的内衬。
图5是图4的局部放大图，显示根据本发明数个示例的电弧腔室，该电弧腔室具有带凸起唇缘的内衬。
图6是根据本发明数个示例的示例性离子源的电弧腔室的平面图，该电弧腔室具有带凸起唇缘的内衬。
图7图示出根据本发明数个示例的带凸起唇缘的示例性离子源内衬的透视图。
图8图示出根据本发明数个示例的示例性离子源内衬的底部平面图。
图9图示出图8的剖视图，显示根据本发明数个示例的带凸起唇缘的离子源内衬。
具体实施方式
本发明大体上涉及通过使离子源内衬具有凸起唇缘而降低离子源的维护成本并提高其生产率的系统、设备及方法。据此，现将参照附图对本发明予以阐述，其中相同的附图标记通篇可用于指代相同的元素。应当理解，对这些方面的描述仅供说明，而不得解释为限定目的。在下文内容中，出于解释目的对诸多具体细节加以阐述，以便提供对本发明的全面理解。然而，本领域技术人员会显而易知，本发明可在不具备这些具体细节的情况下实施。
离子源(通常称作电弧离子源)产生用于注入机的离子束并且能够包括热丝阴极来产生离子，这些离子被塑成适用于晶片处理的离子束。例如，授予Sferlazzo等人的美国专利文献第5497006号公开一种具有阴极的离子源，该阴极由基座支承并相对于气闭腔室定位，以便将离子化电子喷射到该气闭腔室内。Sferlazzo等人的专利文献中所述的阴极是管状导电主体，其端盖部分延伸到气闭腔室内。丝极支承于管状主体内并喷射电子，这些电子通过电子轰击加热端盖，由此以热离子方式将离子化电子射入气闭腔室内。
例如，诸如授于Ryding等人的美国专利文献第6501078号中所公开的那些引出电极(extraction electrode)通常配合离子源使用于自其引出离子束，其中封闭腔室内形成的离子通过离子源正面的出口孔引出。离子源的正面形成第一开孔源电极(aperturedsource electrode)，处于离子源的电位。典型地，这些引出电极包括开孔抑制电极以及与第一开孔源电极(有时称作引出电极)对齐的开孔接地电极，以令离子束能够从离子源射出而穿越其中。优选地，每个开孔均具有细长狭槽配置。典型地，陶瓷绝缘体安装于抑制电极与接地电极之间，以使这两个电极电性隔离。接地电极会限制接地电极与离子源之间的电场传播到接地电极下游的区域内。抑制电极由电压源施加偏压而相对于接地端成负电位，并且操作成防止接地电极下游的离子束中的电子被吸入引出区域且进入离子源。
在Colvin等人共有的美国专利文献第9006690号中描述一种用于在离子源引出电极设备中调制电极电压的示例性系统，而在Colvin等人共有的美国专利申请公布文献第2011/0240889号中描述一种用于降低离子注入系统中微粒污染的方法，这些文献的全文并入本文以供参考。
本发明提出一种配置用于提高离子注入机的离子源处理腔室的利用率并缩短其停机时间的设备。然而，应当理解，本发明的设备亦可实施于其他半导体处理设备中，诸如CVD、PVD、MOCVD、蚀刻设备以及各种其他半导体处理设备，所有这类实施方式均应视为落入本发明的范畴内。本发明的设备有利于延长源处理腔室在预防性维修周期之间的使用时长，因此提高所述系统的综合生产率及使用寿命。
在离子注入系统中可以使用离子源(亦称作离子源处理腔室)，并且该离子源能够使用耐熔金属(钨(W)、钼(Mo)、钽(Ta)等)和石墨来构建，以便提供适当的高温性能，由此这类材料通常为半导体晶片生产者所采纳。在离子源处理腔室内使用离子源气体，其中该离子源气体本质上可以导电，也可以不导电。然而，一旦离子源气体爆裂或因装置碎裂而喷出，离子化气体的副产物便可能具有极强的腐蚀性。
离子源气体的一示例是三氟化硼(BF3)，其能够用作原料气体在离子注入系统中产生硼11或BF2离子束。在BF3分子的离子化过程中，产生三种含氟自由基。能够使用诸如钼和钨的耐熔金属来构建或垫衬离子电弧源腔室，以便在约700℃左右的操作温度下维持其结构完整性。然而，耐熔氟化物具挥发性并且即使在室温下仍具极高的蒸汽压。离子源处理腔室内形成的氟基侵蚀金属钨(钼或石墨)并且形成六氟化钨(WF6)(氟化钼或氟化碳)：
WF6→W++6F- (1)
或者
(MoF6→Mo++6F-) (2)
六氟化钨通常会在热表面上分解。例如，在图1所示的离子源100中，六氟化钨或其他生成物料可能在离子源的各个内部组件103的表面102上分解，诸如与离子源的电弧腔室108相关联的阴极104、推斥极106和弧隙光学器件(图中未示)的表面上。这称作卤素循环，如方程式(1)所示，但生成物料也可能以污染物114(例如，固态微粒污染物)的形式沉淀和/或凝结回电弧腔室108的壁部110或内衬112以及弧隙上。例如，内衬112包括可操作地耦接至电弧腔室108的主体116的可替换构件115，其中这些内衬由石墨或各种其他材料构成。例如，可替换构件115提供在电弧腔室108运作一段时间后能够轻松置换的磨损面。
沉积到内部组件103上的污染物114的另一来源出自阴极间接受热时的阴极104(例如，由钨或钽构成的阴极)，从而使用间热式阴极来启动并维持离子源电浆(例如，热离子电子发射)。例如，间热式阴极104和推斥极106(例如，对阴极)相对于电弧腔室108的主体116成负电位，并且阴极与推斥极皆可通过离子化气体来进行溅射。例如，推斥极106能够由钨、钼或石墨构建。沉积于电弧腔室108的内部组件103上的污染物114的又一来源是掺杂材料(图中未示)本身。随时间推移，这些污染物114的沉积薄膜可能受到应力而随后脱层，由此缩短离子源100的寿命。
表面状况在基板与沉积于其上的薄膜之间发挥重要作用。例如，伦敦色散力(London dispersion force)描述与物质不同部分相关的瞬时偶极或多极之间的弱作用，说明吸引性范德华力(van der Waals force)的主要部分。这些结果在探究对不同金属基板的原子和分子吸附性的深入理解上具有重大影响。整合第一原理计算(first-principles calculation)与动力速率方程分析(kinetic rate equation analysis)的多尺度建模表明从1000℃到250-300℃的生长温度的大幅下降。
由于分界区域内很难形成强原子键，故基板(例如，阴极104、内衬112和/或推斥极106)与沉积污染物114之间的热膨胀系数差异、高功率离子束与低功率离子束间转变时的热循环以及不均匀电浆边界内注入物料的分解均可能造成过早失效。这些沉积物中的残余应力包括两种类型：一种出于薄膜生长期间的瑕疵；另一种则源于基板与沉积薄膜间热膨胀系数的失配。
当污染物114的薄膜厚度增加，拉张应力和/或压缩应力将在与基板的界面处达到阈值水平，而离子源100内可能发生剥离或脱层。当发生污染物114的这种脱层时，当下脱层的污染物可能落入并穿过界定于电弧腔室108的主体116的推斥极106与内衬112之间的间隙118，如图2的局部放大图119所示，其中该间隙使施加电性偏压的推斥极与电弧腔室的主体电性解耦(decouple)。
图3图示出底部内衬120，其设置于图1和图2的离子源100中，其中该底部内衬包括凹部122和通孔124，并且该通孔被配置成接受图1和图2中的推斥极106的轴部126。照此，在轴部与底部内衬120之间设置必要的间隙118。然而，应注意，凹部122大体上呈平面，以便容纳图3的底部内衬120中的推斥极106。如图1和图2所示，推斥极106的头部遮蔽通往推斥极的轴部126与电弧腔室108的主体116之间的间隙118的视线。然而，污染物114的微小颗粒仍会落入凹部122并随后进入轴部126与底部内衬120之间的间隙118。这类污染物114具导电性并布置于间隙118中，这可能使受偏压的推斥极106与电弧腔室108的主体116电短路，由此造成计划外的维护和/或电浆不稳定，进而又影响自其形成的离子束的品质。
据此，图4和图5图示出本发明的离子源200，其结构和部件在一定程度上类似于图1和图2的离子源100；然而，图4和图5的离子源200包括示例性电弧腔室202，其底部内衬204被配置成实质上防止污染物进入电弧腔室的电极208与底部内衬之间的环状间隙206，从而大体上避免离子源过早失效。
根据一示例性方面，电弧腔室202的主体210大体上界定电弧腔室的内部区域212。另外，一个或多个内衬214可操作地耦接至电弧腔室202的主体210，其中一个或多个内衬大体上界定电弧腔室内部区域212的暴露表面216。例如，一个或多个内衬214至少包括底部内衬204。应注意，尽管本发明使用术语“底部”来引用底部内衬204，但该底部内衬不必定位于电弧腔室202的最低位置。例如，暴露表面216被配置成暴露于电弧腔室202内部区域212内所产生的电浆(图中未示)且至少局部地限制该电浆。
根据一示例，电极208包括轴部218，该轴部具有如图6所示的第一直径220，其中该轴部穿过主体210和底部内衬204。电极208与主体210电性隔离，如下文所讨论，其中底部内衬204包括衬板222，该衬板的第一表面224带有界定于其中的凹部226。例如，凹部226具有界定于其中的第二表面228，而另有一通孔230被界定成穿过该凹部，如图6和图8详示。图8图示出底部内衬204的仰视图227，而图9图示出底部内衬的剖面229，例如，其中通孔230被配置成使图4至图5中的电极208的轴部218贯穿其中。通孔230具有第二直径232，其大于图6中的轴部218的第一直径220。据此，环状间隙206被界定于衬板222与轴部218之间，从而使轴部与底部内衬204电性隔离。
根据本发明，衬板222进一步包括自第二表面228朝第一表面224延伸的唇缘234。照此，唇缘234大体上环绕底部内衬204中的凹部226内的通孔230，同时在衬板222与电极208的轴部218之间留出环状间隙204，以供其间的电性隔离。据此，唇缘234大体上防止微粒污染物因重力而进入环状间隙206，从而防止电极208与电弧腔室202的主体210和底部内衬204之间的电短路。
根据一示例，如图9所示，第二表面228自第一表面224凹陷第一距离236。在本示例中，唇缘234自第二表面228朝第一表面224延伸第二距离238。在本示例中，第一距离236约为第二距离238的两倍，但这类距离可能基于图5至图6中的电极208的设计或者其他设计准则而改变。如图9所示，第一表面224和第二表面228中的一个或多个表面大体上呈平面。然而，尽管图中未示出，但第一表面224和第二表面228中的一个或多个表面可以呈倾斜或具有曲线轮廓，并且所有这类轮廓应视为落入本发明的范围内。
根据另一示例，唇缘234包括第三表面240，其毗邻图8中通孔230的圆周242。在一示例中，第三表面240大体上呈平面，如图9所示。另外，根据另一示例，当沿通孔230的轴线244观察时，凹部226大体上呈U形，如图7所示。
根据又一示例，唇缘234具有与其相关联的第三直径246，如图9所示。例如，图6的电极208可以包括推斥极248(有时称作对阴极)，其位于电弧腔室202的底部上。例如，推斥极248具有头部250，该头部暴露于电弧腔室202的内部区域212内所产生的电浆(图中未示)，其中该头部具有第四直径252，并且该第四直径大于图9的唇缘234的第三直径246。
如图4至图6中的示例所示，衬板222界定电弧腔室202的内部区域212中的底表面246，其中唇缘234大体上避免微粒污染物248因重力而进入环状间隙206。据此，自电弧腔室202内脱层的微粒污染物248大体上因重力而落到底表面246上。
尽管推斥极106可以遮蔽通往图2的电极与电弧腔室108的主体116之间的间隙118的视线，但微小颗粒物质114终将得以成功进入间隙。然而，图4至图6的电弧腔室202中的唇缘234大体上防止微粒污染物248进入间隙206。另外，本发明的唇缘234在过程中减少气体通过间隙206泄漏，因为凸起的唇缘结构会降低导通度。这种高度挥发性且典型导电性的气体将包覆电弧腔室构造中使用的任何绝缘体并缩短其使用寿命。
在另一示例中，虽然图中未示出，但底部内衬可以是扁平衬板，其凸起唇缘自第一表面环绕推斥极轴部延伸并且其轮廓可以与图中所示那些类似或不同。据此，电弧腔室底部内衬上的唇缘或凸起部分会防止从电弧腔室内衬剥落的微小物质颗粒进入推斥极轴部与电弧腔室主体之间的间隙。这类导电物质的剥落可能使施加偏压的推斥极与电弧腔室的主体短路，从而导致计划外的维护和/或电浆不稳定，进而又影响离子束的品质。
尽管本发明的内容已就某一或某些优选实施方式得以阐明，但基于对本发明说明书及附图的阅读和理解，等同变化及修改对于本领域的技术人员而言显而易见。特别关于由上述组件(总成、装置、电路等)执行的各种功能，若非特别注明，否则用于描述这些组件的术语(包括提及“构件”)旨在对应于执行所述组件的特定功能(即功能上等同)的任意部件，即便其在结构上不等同于执行本文所述的本发明典型实施方案所公开的结构亦然。另外，虽然仅就多个实施方案中的一种方案公开本发明的特定特征，如若适于或利于任何指定或特定应用，则这一特征可结合其它实施方案的一个或多个其他特征。

Claims (15)

1.一种离子源内衬，包括：
衬板，其具有暴露表面，所述暴露表面被配置成暴露于离子源内所产生的电浆且至少部分地限制所述电浆，其中，所述暴露表面由第一表面来界定，其中，所述衬板包括穿过所述第一表面的通孔，以及其中，所述通孔被配置成使电极贯穿其中，所述电极与所述通孔之间留有环状间隙，以及其中，凸起唇缘环绕所述通孔，
其中，所述第一表面具有进一步界定于其中的凹部，以致于所述凹部包括第二表面，所述第二表面自所述第一表面凹陷第一距离，以及其中，所述凸起唇缘自所述第二表面朝所述第一表面延伸第二距离，
其中，所述第一表面和所述第二表面之一或二者呈倾斜或具有曲线轮廓。
2.如权利要求1所述的离子源内衬，其中，所述第一距离为所述第二距离的两倍。
3.如权利要求1所述的离子源内衬，其中，所述凸起唇缘包括第三表面，所述第三表面毗邻所述通孔的圆周。
4.如权利要求3所述的离子源内衬，其中，所述第三表面呈平面。
5.如权利要求1所述的离子源内衬，其中，沿所述通孔的轴线观察时，所述凹部呈U形。
6.一种离子源，包括：
电弧腔室，其具有主体，所述主体界定所述电弧腔室的内部区域；
一个或多个内衬，其可操作地耦接至所述电弧腔室的所述主体，其中，所述一个或多个内衬界定所述电弧腔室的内部区域的暴露表面，以及其中，所述暴露表面被配置成暴露于所述电弧腔室的内部区域内所产生的电浆且至少部分地限制所述电浆；以及
电极，其包括具有第一直径的轴部，其中，所述轴部贯穿所述主体以及一个或多个内衬中的一个内衬，其中，所述电极与所述主体电性隔离，以及其中，所述一个或多个内衬中的一个内衬包括具有第一表面的衬板，所述衬板具有凹部，所述凹部具有界定于其中的第二表面，其中进一步界定穿过所述凹部的通孔，其中所述通孔具有大于所述第一直径的第二直径，其中界定所述衬板与所述轴部之间的环状间隙，以及其中，所述衬板包括自所述第二表面朝所述第一表面延伸的凸起唇缘，其中，所述凸起唇缘环绕所述凹部内的所述通孔并且防止微粒污染物进入所述环状间隙，
其中，所述第二表面自所述第一表面凹陷第一距离，其中，所述凸起唇缘自所述第二表面朝所述第一表面延伸第二距离，其中，所述第一表面和所述第二表面之一或二者呈倾斜或具有曲线轮廓。
7.如权利要求6所述的离子源，其中，所述第一距离为所述第二距离的两倍。
8.如权利要求6所述的离子源，其中，所述凸起唇缘包括第三表面，所述第三表面毗邻所述通孔的圆周。
9.如权利要求8所述的离子源，其中，所述第三表面呈平面。
10.如权利要求6所述的离子源，其中，沿所述通孔的轴线观察时，所述凹部呈U形。
11.如权利要求6所述的离子源，其中，所述衬板界定所述电弧腔室的内部区域的底表面，以及其中，所述凸起唇缘防止重力使微粒污染物进入所述环状间隙。
12.如权利要求6所述的离子源，其中，所述凸起唇缘具有第三直径，其中，所述电极包括具有头部的推斥极，所述头部暴露于所述电弧腔室的内部区域内所产生的电浆，其中，所述头部具有第四直径，以及其中，所述第四直径大于所述第三直径。
13.一种离子源腔室，包括：
电极，其具有轴部和头部；以及
内衬，其具有穿过其中的通孔，其中，所述电极贯穿所述通孔并界定所述轴部与所述通孔之间的环状间隙，以及其中，所述内衬包括凹部，其具有自所述凹部延伸的凸起唇缘，用以大体上环绕所述通孔并防止微粒污染物通过所述通孔，
其中，所述内衬包括第一表面，以致于所述凹部包括第二表面，其中，所述凸起唇缘自所述第二表面朝所述第一表面延伸半程，其中，所述第一表面和所述第二表面之一或二者呈倾斜或具有曲线轮廓。
14.如权利要求13所述的离子源腔室，其中，所述电极包括推斥设备，其中，所述推斥设备包括可操作地耦接所述轴部的推斥电极，以及其中，所述推斥电极的直径大于所述通孔的直径，并且其中，所述轴部的直径小于所述通孔的直径。
15.如权利要求14所述的离子源腔室，其中，所述凸起唇缘的直径介于所述推斥电极的直径与所述通孔的直径之间。
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