CN108126766A - 一种微流控芯片表面亲水修饰方法 - Google Patents

一种微流控芯片表面亲水修饰方法 Download PDF

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Abstract

本发明公开了一种微流控芯片表面亲水修饰方法,该反应条件温和,在水溶液常温条件下就能快速进行,反应条件不会对芯片内部的电极、检测器等微结构造成损害。附着在芯片表面的聚多巴胺粘附力强,聚多巴胺分子上的亲水氨基能长时间维持芯片表面及通道内部的亲水性。此外,聚多巴胺中氧化后形成的苯醌结构很容易与含有巯基(‑SH)和氨基(‑NH2)的分子发生迈克尔加成反应和席夫碱反应,通过此步反应,芯片表面还可进一步修饰PEG等功能性分子,芯片亲水性显著提高且能长时间保持并能降低带电分子的吸附。

Description

一种微流控芯片表面亲水修饰方法
技术领域
本发明属于分析检测技术领域,涉及一种微流控芯片表面处理工艺,具体地说涉及一种微流控芯片表面高分子亲水修饰方法。
背景技术
从1990年首次提出微型全分析系统的概念开始,到2003年微流控技术被评为影响人类未来15件最重要的发明之一,微流控技术得到了飞速的发展,其中微流控芯片技术作为当前分析科学的重要发展前沿,在生物、化学、医药等领域都发挥着巨大的作用。微流控芯片技术又称“芯片实验室”(lab on a chip),是一种高度集成的生物化学自动化分析技术平台,在生物物理分析、化学检测以及疾病临床诊断等领域都有着巨大的应用前景。
微流控芯片一般包括基底和结构两部分,基底通常为玻璃和硅片材料,结构部分则多为高分子材料(如PDMS,PMMA和SU8等)搭建的微米级别的流体通道即微通道,微流控芯片及其微通道表面的性质一定程度上决定了微流控芯片的功能和应用领域。大多数基于高分子聚合物的微流控芯片表面均具有很强的疏水性,这种性质严重影响到水溶液流体向通道内的进入及在通道中的流动性,因而大大限制了被分析物的范围,降低了微流控芯片的实用性。
为解决上述技术问题,通常通过对微流控芯片表面进行适当的亲水修饰,以改善芯片的分析效率,提高灵敏度。目前,针对基于聚合物的微流控芯片进行亲水性修饰的方法大致可分为以下几类:(1)等离子体轰击,该方法方便快捷,但会对芯片表面造成损伤,且芯片亲水性会在数小时内显著减弱,恢复疏水性。(2)强氧化法,此方法能在较短时间内显著改善芯片表面的亲水性,但其应用范围较窄,特别是对于通道内具有微电极等精密结构的芯片,强氧化性可能会对电极造成不可逆损坏。(3)表面化学枝接,通过紫外或其他的引发剂诱导,可以在芯片表面实现聚合反应,枝接上亲水高分子。但该方法通常会在有机溶剂中进行,可能会对芯片主体结构造成影响。上述传统修饰方法各自存在其问题,因此亟待开发出一种高效且无损的微流控芯片修饰方法。
发明内容
为此,本发明所要解决的技术问题在于现有微流控芯片的表面修饰方法亲水性保持时间短、芯片在修饰过程中易受损且微流控芯片易对目标检测分子非特异性吸附,从而提出一种修饰效率高、修饰后亲水性保持时间久、对芯片无损伤且对目标检测分子无吸附的微流控芯片表面亲水修饰方法。
为解决上述技术问题,本发明的技术方案为:
本发明提供一种微流控芯片表面亲水修饰方法,其包括如下步骤:
S1、配制多巴胺溶液,将多巴胺溶解于Tris·HCl缓冲液中,即得多巴胺溶液,所述多巴胺溶液中多巴胺浓度为0.5-5mg/mL;
S2、多巴胺修饰微流控芯片,将微流控芯片置于所述步骤S1制得的多巴胺溶液中,搅拌反应后冲洗、浸泡并晾干,得到多巴胺修饰的微流控芯片。
作为优选,还包括如下步骤:
S3、配制PEG-NH2溶液,将PEG-NH2溶解于Tris·HCl缓冲液中,即得PEG-NH2溶液,所述PEG-NH2溶液中,PEG-NH2的浓度为0.5-5mg/mL;
S4、PEG修饰微流控芯片,将经步骤S2修饰过的微流控芯片置于所述PEG-NH2溶液中,搅拌反应后冲洗、浸泡并晾干,得到PEG修饰的微流控芯片。
作为优选,所述Tris·HCl缓冲液的pH值为8.0-9.0。
作为优选,所述步骤S1中的Tris·HCl缓冲液浓度为50mM,所述步骤S3中的Tris·HCl缓冲溶液浓度为10mM。
作为优选,
所述PEG-NH2的分子结构式为分子量为500-1000Da。
作为优选,所述步骤S2中,搅拌速度为100-500r/min,搅拌时间为1-24h,搅拌反应过程中反应温度为25℃。
作为优选,所述步骤S4中,搅拌速度为100-500r/min,搅拌时间为4-24h,搅拌反应过程中反应温度为40-60℃。
作为优选,所述步骤S2、S4中所述的搅拌反应为隔离磁力搅拌,所述隔离磁力搅拌为采用多孔PTFE薄板将微流控芯片与磁子隔离。
作为优选,所述步骤S2、S4中所述搅拌反应在敞口条件下进行,所述清洗采用去离子水清洗,清洗后还包括用去离子水浸泡的步骤。
本发明的上述技术方案相比现有技术具有以下优点:
(1)本发明所述的微流控芯片表面亲水修饰方法,其包括如下步骤:S1、将多巴胺溶解于Tris·HCl缓冲液中制得多巴胺溶液,多巴胺溶液中多巴胺浓度为0.5-5mg/mL;S2、将微流控芯片置于制得的多巴胺溶液中,搅拌反应后冲洗、浸泡并晾干,得到多巴胺修饰的微流控芯片。多巴胺(dopamine)是一种基于临苯二酚的廉价小分子,在氧化条件下,多巴胺会通过氧化、重排等一系列反应形成具有苯二醌结构的多巴醌,同时发生自聚合形成聚多巴胺,聚多巴胺交联层通过共价和非公价相互作用牢固吸附在介质表面。该反应条件温和,在水溶液常温条件下就能快速进行,反应条件不会对芯片内部的电极、检测器等微结构造成损害。附着在芯片表面的聚多巴胺粘附力强,聚多巴胺分子上的亲水氨基能长时间维持芯片表面及通道内部的亲水性。此外,聚多巴胺中氧化后形成的苯醌结构很容易与含有巯基(-SH)和氨基(-NH2)的分子发生迈克尔加成反应和席夫碱反应,通过此步反应,芯片表面还可进一步修饰其他功能性分子。
(2)本发明所述的微流控芯片表面亲水修饰方法,还包括S3、将PEG-NH2溶解于Tris·HCl缓冲液中配制PEG-NH2溶液,所述PEG-NH2溶液中,PEG-NH2的浓度为0.5~5mg/mL;S4、将经步骤S3修饰过的微流控芯片置于PEG-NH2溶液中,搅拌反应后冲洗、浸泡并晾干,得到PEG修饰的微流控芯片。通过迈克尔加成和席夫碱反应将微流控芯片接枝上PEG分子,PEG亲水性强,还可降低带电分子的吸附,PEG修饰后的微流控芯片可以用于检测带电分子如核酸、蛋白等,应用范围更广,可广泛用于高分子材料、生物医疗、化学分析,食品和环境检测等领域。
附图说明
为了使本发明的内容更容易被清楚的理解,下面根据本发明的具体实施例并结合附图,对本发明作进一步详细的说明,其中
图1A是未经修饰的Su8微流控芯片水滴接触角测试图,B是经实施例1所述方法用多巴胺修饰后的微流控芯片水滴接触角测试图;
图2是经实施例1所述方法用多巴胺修饰的Su8微流控芯片在不同放置时间下的水滴接触角测试图;
图3是未经修饰、经多巴胺修饰以及经多巴胺和PEG修饰的Su8微流控芯片水滴接触角统计数据随时间变化趋势图。
具体实施方式
实施例1
本实施例提供一种对具有Ag/AgCl薄膜电极的Su8微流控芯片表面亲水修饰方法,其包括如下步骤:
S1、配制多巴胺溶液,称取50mg多巴胺粉末,将其溶解于50mLTris·HCl缓冲溶液中,所述多巴胺浓度为1mg/mL,所述Tris·HCl缓冲溶液的pH=8.5,其浓度为50mM,得到多巴胺溶液。
S2、多巴胺修饰微流控芯片,将具有Ag/AgCl薄膜电极的Su8微流控芯片制备为尺寸1cm*1cm的芯片,并将其置于步骤S1制得的多巴胺溶液中,盛装多巴胺溶液的容器敞口,在25℃下,以400r/min的搅拌速度隔离磁力搅拌反应4h,所述隔离磁力搅拌是指采用多孔筛状PTFE薄板将磁子与微流控芯片隔离开来并进行磁力搅拌,反应后,去处微流控芯片,用去离子水冲洗1min,浸泡24h后自然晾干,即得多巴胺修饰的微流控芯片。
值得注意的是,由于在有溶解氧存在的条件下,多巴胺在水溶液中的氧化和自聚合反应速度非常快,因此,多巴胺溶液需现配现用,同时将微流控芯片放入多巴胺溶液这一过程应尽量快,不应超过2min,多巴胺修饰反应过程中需维持水溶液中的溶解氧含量,因此反应容器需敞口,且需搅拌,磁力搅拌过程中若磁子与微流控芯片直接接触,会导致芯片本体磨损,而芯片与容器壁碰撞也会导致芯片内部膜电极脱落,因此反应容器内应使用带孔的筛状PTFE隔离板,将磁子置于隔离板上,避免磁子与芯片直接接触。
实施例2
本实施例提供一种对具有Ag/AgCl薄膜电极的Su8微流控芯片表面亲水修饰方法,其包括如下步骤:
S1、配制多巴胺溶液,称取50mg多巴胺粉末,将其溶解于50mLTris·HCl缓冲溶液中,所述多巴胺浓度为1mg/mL,所述Tris·HCl缓冲溶液的pH=8.5,其浓度为50mM,得到多巴胺溶液。
S2、多巴胺修饰微流控芯片,将具有Ag/AgCl薄膜电极的Su8微流控芯片制备为尺寸1cm*1cm的芯片,并将其置于步骤S1制得的多巴胺溶液中,盛装多巴胺溶液的容器敞口,在25℃下,以100r/min的搅拌速度隔离磁力搅拌反应24h,所述隔离磁力搅拌是指采用多孔筛状PTFE薄板将磁子与微流控芯片隔离开来并进行磁力搅拌,反应后,去处微流控芯片,用去离子水冲洗1min,浸泡24h后自然晾干,即得多巴胺修饰的微流控芯片。
S3、配制PEG-NH2溶液,称取125mg分子量为500的PEG-NH2固体,将其溶解于将其溶解于50mL pH=8.5的Tris·HCl缓冲液中,所述PEG-NH2的浓度为2.5mg/mL,所述PEG-NH2的分子式为所述Tris·HCl缓冲液的浓度为10mM,得到PEG-NH2溶液。
S4、PEG修饰微流控芯片,将经步骤S2多巴胺修饰过的微流控芯片置于所述PEG-NH2溶液中,在50℃下,以400r/min的搅拌速度搅拌反应10h,搅拌过程中保持容器敞口,用多孔PTFE薄板将微流控芯片与磁子隔离,搅拌反应后用去离子水冲洗1min、用去离子水浸泡24h,并自然晾干,得到PEG修饰的微流控芯片。
实施例3
本实施例提供一种对具有Ag/AgCl薄膜电极的Su8微流控芯片表面亲水修饰方法,其包括如下步骤:
S1、配制多巴胺溶液,称取20mg多巴胺粉末,将其溶解于40mLTris·HCl缓冲溶液中,所述多巴胺浓度为0.5mg/mL,所述Tris·HCl缓冲溶液的pH=8,其浓度为50mM,得到多巴胺溶液。
S2、多巴胺修饰微流控芯片,将具有Ag/AgCl薄膜电极的Su8微流控芯片制备为尺寸1cm*1cm的芯片,并将其置于步骤S1制得的多巴胺溶液中,盛装多巴胺溶液的容器敞口,在25℃下,以500r/min的搅拌速度隔离磁力搅拌反应1h,所述隔离磁力搅拌是指采用多孔筛状PTFE薄板将磁子与微流控芯片隔离开来并进行磁力搅拌,反应后,去处微流控芯片,用去离子水冲洗1min,浸泡24h后自然晾干,即得多巴胺修饰的微流控芯片。
S3、配制PEG-NH2溶液,称取100mg分子量为500的PEG-NH2固体,将其溶解于将其溶解于200mL pH=8的Tris·HCl缓冲液中,所述PEG-NH2的浓度为0.5mg/mL,所述PEG-NH2的分子式为所述Tris·HCl缓冲液的浓度为10mM,得到PEG-NH2溶液。
S4、PEG修饰微流控芯片,将经步骤S2多巴胺修饰过的微流控芯片置于所述PEG-NH2溶液中,在60℃下,以500r/min的搅拌速度搅拌反应4h,搅拌过程中保持容器敞口,用多孔PTFE薄板将微流控芯片与磁子隔离,搅拌反应后用去离子水冲洗1min、用去离子水浸泡24h,并自然晾干,得到PEG修饰的微流控芯片。
实施例4
本实施例提供一种对具有Ag/AgCl薄膜电极的Su8微流控芯片表面亲水修饰方法,其包括如下步骤:
S1、配制多巴胺溶液,称取40mg多巴胺粉末,将其溶解于8mLTris·HCl缓冲溶液中,所述多巴胺浓度为5mg/mL,所述Tris·HCl缓冲溶液的pH=9,其浓度为50mM,得到多巴胺溶液。
S2、多巴胺修饰微流控芯片,将具有Ag/AgCl薄膜电极的Su8微流控芯片制备为尺寸1cm*1cm的芯片,并将其置于步骤S1制得的多巴胺溶液中,盛装多巴胺溶液的容器敞口,在25℃下,以400r/min的搅拌速度隔离磁力搅拌反应5h,所述隔离磁力搅拌是指采用多孔筛状PTFE薄板将磁子与微流控芯片隔离开来并进行磁力搅拌,反应后,去处微流控芯片,用去离子水冲洗1min,浸泡24h后自然晾干,即得多巴胺修饰的微流控芯片。
S3、配制PEG-NH2溶液,称取100mg分子量为1000的PEG-NH2固体,将其溶解于将其溶解于20mL pH=8的Tris·HCl缓冲液中,所述PEG-NH2的浓度为5mg/mL,所述PEG-NH2的分子式为所述Tris·HCl缓冲液的浓度为10mM,得到PEG-NH2溶液。
S4、PEG修饰微流控芯片,将经步骤S2多巴胺修饰过的微流控芯片置于所述PEG-NH2溶液中,在40℃下,以100r/min的搅拌速度搅拌反应24h,搅拌过程中保持容器敞口,用多孔PTFE薄板将微流控芯片与磁子隔离,搅拌反应后用去离子水冲洗1min、用去离子水浸泡24h,并自然晾干,得到PEG修饰的微流控芯片。
实验例
1、分别测试未经修饰的Su8微流控芯片和经实施例1所述的方法进行多巴胺修饰的Su8微流控芯片的水滴接触角,结果如图1A和B所示,由图中可以看出,经多巴胺修饰的Su8微流控芯片具有更大的水滴接触角,说明多巴胺修饰后的微流控芯片具有更好的亲水性。
2、分别测试经实施例1所述的方法进行多巴胺修饰的Su8微流控芯片在不同放置时间下的水滴接触角,结果如图2A-D所示,由图中可以看出,经过1天、5天、11天和28天的放置后芯片依然具有较大水滴接触角,说明多巴胺修饰可长期保持芯片的亲水性能。
3、分别测试未经修饰的Su8微流控芯片、经实施例2所述的方法进行多巴胺修饰的Su8微流控芯片以及经实施例2所述的方法进行多巴胺和PEG修饰的Su8微流控芯片的水滴接触角统计数据随时间变化趋势,结果如图3所示,未经修饰的芯片在不同放置时间下水滴接触角几乎无变化,经多巴胺或多巴胺和PEG修饰后的芯片水滴接触角在0-5天时增加,之后保持稳定。
显然,上述实施例仅仅是为清楚地说明所作的举例,而并非对实施方式的限定。对于所属领域的普通技术人员来说,在上述说明的基础上还可以做出其它不同形式的变化或变动。这里无需也无法对所有的实施方式予以穷举。而由此所引伸出的显而易见的变化或变动仍处于本发明创造的保护范围之中。

Claims (9)

1.一种微流控芯片表面亲水修饰方法,其特征在于,包括如下步骤:
S1、配制多巴胺溶液,将多巴胺溶解于Tris·HCl缓冲液中,即得多巴胺溶液,所述多巴胺溶液中多巴胺浓度为0.5-5mg/mL;
S2、多巴胺修饰微流控芯片,将微流控芯片置于所述步骤S1制得的多巴胺溶液中,搅拌反应后冲洗、浸泡并晾干,得到多巴胺修饰的微流控芯片。
2.根据权利要求1所述的微流控芯片表面亲水修饰方法,其特征在于,还包括如下步骤:
S3、配制PEG-NH2溶液,将PEG-NH2溶解于Tris·HCl缓冲液中,即得PEG-NH2溶液,所述PEG-NH2溶液中,PEG-NH2的浓度为0.5-5mg/mL;
S4、PEG修饰微流控芯片,将经步骤S2修饰过的微流控芯片置于所述PEG-NH2溶液中,搅拌反应后冲洗、浸泡并晾干,得到PEG修饰的微流控芯片。
3.根据权利要求2所述的微流控芯片表面亲水修饰方法,其特征在于,所述Tris·HCl缓冲液的pH值为8.0-9.0。
4.根据权利要求3所述的微流控芯片表面亲水修饰方法,其特征在于,所述步骤S1中的Tris·HCl缓冲液浓度为50mM,所述步骤S3中的Tris·HCl缓冲溶液浓度为10mM。
5.根据权利要求4所述的微流控芯片表面亲水修饰方法,其特征在于,所述PEG-NH2的分子结构式为分子量为500-1000Da。
6.根据权利要求5所述的微流控芯片表面亲水修饰方法,其特征在于,所述步骤S2中,搅拌速度为100-500r/min,搅拌时间为1-24h,搅拌反应过程中反应温度为25℃。
7.根据权利要求6所述的微流控芯片表面亲水修饰方法,其特征在于,所述步骤S4中,搅拌速度为100-500r/min,搅拌时间为4-24h,搅拌反应过程中反应温度为40-60℃。
8.根据权利要求7所述的微流控芯片表面亲水修饰方法,其特征在于,所述步骤S2、S4中所述的搅拌反应为隔离磁力搅拌,所述隔离磁力搅拌为采用多孔PTFE薄板将微流控芯片与磁子隔离。
9.根据权利要求8所述的微流控芯片表面亲水修饰方法,其特征在于,所述步骤S2、S4中所述搅拌反应在敞口条件下进行,所述清洗采用去离子水清洗,清洗后还包括用去离子水浸泡24h的步骤。
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