CN108063106B - 对准标记重现清洗装置及使晶圆上的对准标记重现的方法 - Google Patents
对准标记重现清洗装置及使晶圆上的对准标记重现的方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN108063106B CN108063106B CN201810036154.4A CN201810036154A CN108063106B CN 108063106 B CN108063106 B CN 108063106B CN 201810036154 A CN201810036154 A CN 201810036154A CN 108063106 B CN108063106 B CN 108063106B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- alignment mark
- liquid pipe
- cleaning
- wafer
- liquid
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 title claims abstract description 107
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 52
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims abstract description 156
- 239000012459 cleaning agent Substances 0.000 claims abstract description 27
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 20
- 238000001035 drying Methods 0.000 claims description 25
- 239000002274 desiccant Substances 0.000 claims description 13
- 238000004891 communication Methods 0.000 claims description 10
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N nitrogen Substances N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims description 3
- QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N nitrogen group Chemical group [N] QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- -1 polytetrafluoroethylene Polymers 0.000 claims description 3
- 229920001343 polytetrafluoroethylene Polymers 0.000 claims description 3
- 239000004810 polytetrafluoroethylene Substances 0.000 claims description 3
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 abstract description 65
- 238000005530 etching Methods 0.000 abstract description 36
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 abstract description 6
- 230000006978 adaptation Effects 0.000 abstract 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 11
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 10
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 8
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 5
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 239000010408 film Substances 0.000 description 3
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 3
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 238000007517 polishing process Methods 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- DDFHBQSCUXNBSA-UHFFFAOYSA-N 5-(5-carboxythiophen-2-yl)thiophene-2-carboxylic acid Chemical compound S1C(C(=O)O)=CC=C1C1=CC=C(C(O)=O)S1 DDFHBQSCUXNBSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 1
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 229910000040 hydrogen fluoride Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/68—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for positioning, orientation or alignment
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02041—Cleaning
- H01L21/02057—Cleaning during device manufacture
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67023—Apparatus for fluid treatment for general liquid treatment, e.g. etching followed by cleaning
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67063—Apparatus for fluid treatment for etching
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Abstract
本发明公开了一种对准标记重现清洗装置及使晶圆上的对准标记重现的方法。对准标记重现清洗装置包括基板、清洗桶、第一液管、喷嘴和真空管道。基板用于放置晶圆。清洗桶架设于晶圆的上方，清洗桶的外壁与内壁之间形成有环形空间。第一液管位于环形空间内，第一液管的出液口对应于晶圆上的对准标记，且第一液管的出液口的大小与对准标记的大小相适配。喷嘴设于清洗桶上，喷嘴与第一液管的进液口相连通，喷嘴用于向第一液管内通入刻蚀剂和清洗剂。真空管道设于清洗桶上，真空管道与环形空间相连通，真空管道的远离所述清洗桶的一端用于连接于真空设备。该对准标记重现清洗装置能够减少刻蚀剂和清洗剂的用量，减少对晶圆的二次污染。
Description
技术领域
本发明涉及半导体领域，特别涉及一种对准标记重现清洗装置及使晶圆上的对准标记重现的方法。
背景技术
随着半导体积体电路的集积度不断地提高，积体电路的设计也跟着越来越复杂，积体电路的决定尺寸也跟着越来越小。当半导体积体电路的制程进入0.1微米以下的制程时，因为积体电路是由多层线路图案重叠而成的，每层线路图案的对准对制程的品质有极大的影响。
如图1和图2所示，在晶圆10上，一般有两个对准标记100位于晶圆边缘的位置上，其总面积大小约为450平方微米左右，对准标记100是由相互垂直的多个平行沟渠101、102排列而成。沟渠101、102之间的宽度与间距大约为8微米左右，沟渠101、102之间的深度约为0.12微米左右。因此，即使对准标记100上面覆盖有好几层的薄膜，沟渠之间所造成的起伏外形仍然可以辨识的出来。
在当前的晶圆制程中，在重叠上下两层的线路图案时，通常是利用500-630nm的激光照射对准标记，利用晶圆表面反射九波所形成的光程差来辨识对准标记以完成对准。但这要求对准标记的阶梯高度必须达到一个最少值一上，如20nm以上，才能提供够清楚的对准信号，然后才进行微影蚀刻的步骤，转移光罩上的线路图案至薄膜上。然而在对准标记上的薄膜经常会或多或少地改变对准标记的起伏外形，造成对准标记的光干涉讯号中心的偏移。此外，有些材质的薄膜会吸收500-630nm的激光，使得对准标记的讯号十分不清楚。若为此而重新制造新的光罩，来去除对准标记上的薄膜，势必要花很大的制造成本与制造时间。另外，有时在制程过程中还会衍生一些其他问题。以制造浅沟渠隔离来说，在化学机械研磨过程中来去除氮化硅层上的氧化硅层：如果在化学机械研磨步骤以后才进行微影蚀刻制程，将对准标记区域上的氧化硅层蚀刻掉，对对准的影响较小；如果在化学机械研磨步骤之前就进行微影蚀刻制程，将对准标记区域上的氧化硅层蚀刻掉，则氧化硅与研浆的残渣很容易残留在对准标记的沟渠内，造成不易辨识对准标记的问题。
此外，在现有技术中，利用清洗设备或者装置使对准标记重现而进行的蚀刻、清洗的工艺过程中，通常会出现刻蚀剂、清洗剂用量过大，刻蚀剂、清洗剂、以及刻蚀残渣会造成晶圆的二次污染和成品良率降低以及操作使用不方便的问题。
综上，现有技术中的对准标记重现清洗装置具有刻蚀剂、清洗剂用量过大及易造成晶圆的二次污染的缺陷。
发明内容
本发明要解决的技术问题是为了克服现有技术中的对准标记重现清洗装置具有刻蚀剂、清洗剂用量过大及易造成晶圆的二次污染的缺陷，提供一种对准标记重现清洗装置及使晶圆上的对准标记重现的方法。
本发明是通过下述技术方案来解决上述技术问题：
一种对准标记重现清洗装置，用于使晶圆上的对准标记重现，其特点在于，所述对准标记重现清洗装置包括：
基板，所述基板用于放置所述晶圆；
清洗桶，所述清洗桶架设于所述晶圆的上方，所述清洗桶的外壁与内壁之间形成有环形空间；
第一液管，所述第一液管位于所述环形空间内，所述第一液管的出液口对应于所述晶圆上的对准标记，且所述第一液管的出液口的大小与所述对准标记的大小相适配；
喷嘴，所述喷嘴设于所述清洗桶上，所述喷嘴与所述第一液管的进液口相连通，所述喷嘴用于向所述第一液管内通入刻蚀剂和清洗剂；
真空管道，所述真空管道设于所述清洗桶上，所述真空管道与所述环形空间相连通，所述真空管道的远离所述清洗桶的一端用于连接于真空设备。
在本方案中，第一液管的出液口与晶圆上的对准标记适配，使得第一液管与对准标记对准时，第一液管的出液口能够刚好覆盖对应的对准标记，从而有利于可靠地使对准标记重现，有利于减少刻蚀剂和清洗剂的用量。另外，在刻蚀和清洗的过程中真空管道与真空设备连通，使得环形空间处于真空状态，既能够将刻蚀过程中的多余刻蚀剂及刻蚀残渣抽走，又能够将清洗过程中的清洗液和清洗残渣吸走，有利于减少对晶圆的二次污染，另外，还能够降低使对准标记重现的难度。还需要说明的是，环形空间可以增大真空吸附面积，有利于提高吸附效率。
较佳地，所述第一液管的出液口与所述清洗桶的底部相齐平。
在本方案中，第一液管与清洗桶的相对位置关系有利于保护第一液管，从而有利于提高使对准标记重现的可靠性，有利于提高成品的良率。另外，上述相对位置关系还有利于提高在刻蚀过程中对多余刻蚀剂及刻蚀残渣、在清洗过程中对多余清洗液及清洗残渣的处理效果，从而，有利于进一步减少对晶圆的二次污染。
较佳地，所述第一液管的数量与所述对准标记的数量相同。
在本方案中，一个对准标记对应一个第一液管，从而有利于提高使得对准标记重现的效率。
较佳地，所述对准标记重现清洗装置还包括：
干燥管道，所述干燥管道设于所述清洗桶上，所述干燥管道与所述环形空间相连通，所述干燥管道用于向所述环形空间内通入干燥剂。
在本方案中，清洗过程结束后，向环形空间内通入干燥剂，对环形空间内部进行干燥，从而能够进一步降低对晶圆的二次污染，有利于提高成品的良率。
较佳地，所述干燥剂为氮气。
较佳地，所述真空管道和所述干燥管道均设于所述清洗桶的顶部。
在本方案中，真空管道和干燥管道设于清洗桶的顶部，有利于提高真空吸附面积和干燥接触面积，从而有利于提高吸附效率和干燥效率，进而有利于进一步降低对晶圆的二次污染。
较佳地，所述对准标记重现清洗装置还包括：
第二液管，所述第二液管设于所述清洗桶的顶部，所述第二液管连接于所述喷嘴和所述第一液管之间，且所述喷嘴、所述第二液管和所述第一液管之间相连通。
较佳地，所述喷嘴包括：
第一喷嘴，所述第一喷嘴与所述第二液管相连通，用于向所述第二液管内通入所述刻蚀剂；
第二喷嘴，所述第二喷嘴与所述第二液管相连通，用于向所述第二液管内通入所述清洗剂。
较佳地，所述基板上设有真空回路，所述晶圆通过真空吸附设于所述基板上。
较佳地，所述第一液管和所述清洗桶的材质均为聚四氟乙烯。
本发明还提供一种使晶圆上的对准标记重现的方法，其特点在于，其利用如上所述的对准标记重现清洗装置实现，所述方法包括以下步骤：
S10、将所述晶圆设置在所述基板上；
S20、将所述第一液管的出液口与所述晶圆上的对准标记对准，并使得所述第一液管的出液口贴合于所述对准标记；
S30、通过所述喷嘴向所述第一液管内通入所述刻蚀剂的同时，使所述真空管道与所述真空设备之间相连通；
S40、通过所述喷嘴向所述第一液管内通入所述清洗剂；
S50、断开所述真空管道与所述真空设备之间的连通。
在本方案中，在刻蚀和清洗的过程中真空管道与真空设备连通，使得环形空间处于真空状态，既能够将刻蚀过程中的多余刻蚀剂及刻蚀残渣抽走，又能够将清洗过程中的清洗液和清洗残渣吸走，有利于减少对晶圆的二次污染，另外，还能够降低使对准标记重现的难度。
本发明还提供一种使晶圆上的对准标记重现的方法，其特点在于，其利用如上所述的对准标记重现清洗装置实现，所述方法包括以下步骤：
S10′、将所述晶圆设置在所述基板上；
S20′、将所述第一液管的出液口与所述晶圆上的对准标记对准，并使得所述第一液管的出液口贴合于所述对准标记；
S30′、通过所述喷嘴向所述第一液管内通入刻蚀剂的同时，使所述真空管道与所述真空设备之间相连通；
S40′、通过所述喷嘴向所述第一液管内通入清洗剂；
S50′、断开所述真空管道与所述真空设备之间的连通；
S60′、使所述干燥管道和所述环形空间连通，以向所述环形空间内通入干燥剂。
在本方案中，在清洗过程之后又增加了干燥步骤，能够对环形空间的内部进行干燥，从而能够进一步降低对晶圆的二次污染，有利于进一步提高成品的良率。
在符合本领域常识的基础上，上述各优选条件，可任意组合，即得本发明各较佳实例。
本发明的积极进步效果在于：第一液管的出液口与晶圆上的对准标记适配，使得第一液管与对准标记对准时，第一液管的出液口能够刚好覆盖对应的对准标记，从而有利于可靠地使对准标记重现，有利于减少刻蚀剂和清洗剂的用量。另外，在刻蚀和清洗的过程中真空管道与真空设备连通，使得环形空间处于真空状态，既能够将刻蚀过程中的多余刻蚀剂及刻蚀残渣抽走，又能够将清洗过程中的清洗液和清洗残渣吸走，有利于减少对晶圆的二次污染，另外，还能够降低使对准标记重现的难度。
附图说明
图1为晶圆的结构示意图。
图2为晶圆上的对准标记的结构示意图。
图3为本发明一较佳实施例的对准标记重现清洗装置的结构示意图。
图4为图3中沿A-A的剖视结构示意图。
图5为本发明一较佳实施例的对准标记重现清洗装置刻蚀及清洗时的示意图。
图6为本发明一较佳实施例的对准标记重现清洗装置干燥时的示意图。
图7为本发明一较佳实施例的使晶圆上的对准标记重现的方法。
图8为本发明另一较佳实施例的使晶圆上的对准标记重现的方法。
附图标记说明
10 晶圆
100 对准标记
101,102 沟渠
20 基板
30 清洗桶
301 环形空间
40 第一液管
50 喷嘴
501 第一喷嘴
502 第二喷嘴
60 真空管道
70 干燥管道
80 第二液管
具体实施方式
下面通过实施例的方式进一步说明本发明，但并不因此将本发明限制在的实施例范围之中。
本实施例揭示一种对准标记重现清洗装置，该对准标记重现清洗装置用于使晶圆上的对准标记重现。参照图3和图4予以理解，对准标记重现清洗装置包括基板20、清洗桶30、第一液管40、喷嘴50和真空管道60。其中，基板20用于放置晶圆10。清洗桶30架设于晶圆的上方，清洗桶30的外壁与内壁之间形成有环形空间301。第一液管40位于环形空间301内，第一液管40的出液口对应于晶圆上的对准标记，且第一液管40的出液口的大小与对准标记的大小相适配。喷嘴50设于清洗桶30上，喷嘴50与第一液管40的进液口相连通，喷嘴50用于向第一液管40内通入刻蚀剂和清洗剂。真空管道60，真空管道60设于清洗桶30上，真空管道60与环形空间301相连通，真空管道60的远离清洗桶30的一端用于连接于真空设备。
在本实施方式中，第一液管40的出液口与晶圆10上的对准标记适配，使得第一液管40与对准标记对准、接触时，第一液管40的出液口能够刚好覆盖对应的对准标记，从而有利于可靠地使对准标记重现，有利于减少刻蚀剂和清洗剂的用量。另外，在刻蚀和清洗的过程中真空管道60与真空设备连通，使得环形空间301处于真空状态，既能够将刻蚀过程中的多余刻蚀剂及刻蚀残渣抽走，又能够将清洗过程中的清洗液和清洗残渣吸走，有利于减少对晶圆的二次污染，另外，还能够降低使对准标记重现的难度。还需要说明的是，环形空间301可以增大真空吸附面积，有利于提高吸附效率。
其中，基板20上设有真空回路，晶圆通过真空吸附设于基板20上。通过旋转/移动基板20或清洗桶30能够调整第一液管40和对准标记的相对位置。
参照图5予以理解，刻蚀残渣和清洗残渣会从第一液管40的底部与刻蚀槽的缝隙中被真空吸走。其中，图5中的箭头“↓”表示通过喷嘴50向第一液管40道内通入刻蚀剂、清洗剂时，刻蚀剂、清洗剂在第一液管40内的流动方向；箭头“↑”、“↖”及“↖”表示多余的刻蚀剂、刻蚀残渣、清洗液和清洗残渣在环形空间301内被吸走的方向。另外，图5中d1表示刻蚀槽的底部开口大小，d2表示刻蚀槽的顶部开口大小，其中，d1与晶圆上的对准标记的大小基本相同。在本实施方式中，第一液管40的出液口的外径为0.5mm，d1为0.65mm，d2为0.95mm。对于晶圆而言，在刻蚀的过程中由于侧蚀产生的刻蚀槽的顶部开口d1、底部开口d2是需要满足一定的标准的。以本实施例中的晶圆为例，d1、d2需要满足以下规格要求：d1≦0.8mm，d2≦1mm。如前所述，使用本实施的对准标记重现清洗装置对晶圆进行刻蚀后，d1＜0.8mm，d2＜1mm，满足上述规格要求。
在本实施方式中，第一液管40的出液口与清洗桶30的底部相齐平。另外，第一液管40的数量与对准标记的数量相同。第一液管40与清洗桶30的相对位置关系有利于保护第一液管40，从而有利于提高使对准标记重现的可靠性，有利于提高成品的良率。上述相对位置关系还有利于提高在刻蚀过程中对多余的刻蚀剂及刻蚀残渣、在清洗过程中对多余的清洗液及清洗残渣的处理效果，从而，有利于进一步减少对晶圆的二次污染。另外，一个对准标记对应一个第一液管40，从而有利于提高使得对准标记重现的效率。
参照图3和图4予以理解，对准标记重现清洗装置还包括干燥管道70。干燥管道70设于清洗桶30上，干燥管道70与环形空间301相连通，干燥管道70用于向环形空间301内通入干燥剂。参照图6予以理解，清洗过程结束后，向环形空间301内通入干燥剂，对环形空间301内部进行干燥，从而能够进一步降低对晶圆的二次污染，有利于提高成品的良率。其中，干燥剂为氮气。图6中的箭头“↓”表示通过干燥管道70向环形空间301内通入干燥剂时，干燥剂在环形空间301内的流动方向。
继续参照图3和图4予以理解，真空管道60和干燥管道70均设于清洗桶30的顶部。真空管道60和干燥管道70设于清洗桶30的顶部，有利于提高真空吸附面积和干燥接触面积，从而有利于提高吸附效率和干燥效率，进而有利于进一步降低对晶圆的二次污染。
继续参照图3和图4予以理解，对准标记重现清洗装置还包括第二液管80。第二液管80设于清洗桶30的顶部，第二液管80连接于喷嘴50和第一液管40之间，且喷嘴50、第二液管80和第一液管40之间相连通。在本实施方式中，第一液管40、第二液管80和清洗桶30的材质采用耐酸及耐碱的塑料，如聚四氟乙烯。
继续参照图3和图4予以理解，喷嘴50包括第一喷嘴501和第二喷嘴502。第一喷嘴501与第二液管80相连通，用于向第二液管80内通入刻蚀剂。第二喷嘴502，第二喷嘴502与第二液管80相连通，用于向第二液管80内通入清洗剂。在本实施方式中，刻蚀剂包括液体、液体蒸汽和气体，如氨、氟化氢、硝酸、过氧化氢、氟化铵及其混合物。清洗剂包括晶圆清洗剂、水。
本实施例还揭示一种利用上述对准标记重现清洗装置实现使晶圆上的对准标记重现的方法，参照图7予以理解，方法包括以下步骤：
S10、将晶圆设置在基板上；
S20、将第一液管的出液口与晶圆上的对准标记对准，并使得第一液管的出液口贴合于对准标记；
S30、通过喷嘴向第一液管内通入刻蚀剂的同时，使真空管道与真空设备之间相连通；
S40、通过喷嘴向第一液管内通入清洗剂；
S50、断开真空管道与真空设备之间的连通。
如上所述，喷嘴包括第一喷嘴和第二喷嘴，从而，步骤S30包括以下步骤：
S301：打开第一喷嘴，向第一液管内通入刻蚀剂的同时，使真空管道与真空设备之间相连通；
S302：关闭第一喷嘴。
相应地，步骤S40包括以下步骤：
S401：打开第二喷嘴，向第一液管内通入清洗剂；
S402：关闭第二喷嘴。
对于本实施例中的对准标记重现清洗装置，由于第一液管的出液口与晶圆上的对准标记适配，使得第一液管与对准标记对准、接触时，第一液管的出液口能够刚好覆盖对应的对准标记，从而有利于可靠地使对准标记重现，有利于减少刻蚀剂和清洗剂的用量。另外，在刻蚀和清洗的过程中真空管道与真空设备连通，使得环形空间处于真空状态，既能够将刻蚀过程中的多余刻蚀剂及刻蚀残渣抽走，又能够将清洗过程中的多余的清洗液和清洗残渣吸走，有利于减少对晶圆的二次污染，另外，还能够降低使对准标记重现的难度。
在另一可替代的实施方式中，在清洗过程结束后，还包括干燥步骤，如图8所示，使晶圆上的对准标记重现的方法包括以下步骤：
S10′、将晶圆设置在基板上；
S20′、将第一液管的出液口与晶圆上的对准标记对准，并使得第一液管的出液口贴合于对准标记；
S30′、通过喷嘴向第一液管内通入刻蚀剂的同时，使真空管道与真空设备之间相连通；
S40′、通过喷嘴向第一液管内通入清洗剂；
S50′、断开真空管道与真空设备之间的连通；
S60′、使干燥管道和环形空间连通，以向环形空间内通入干燥剂。
该方法在清洗过程之后又增加了干燥步骤，该步骤能够对环形空间的内部进行干燥，从而能够进一步降低对晶圆的二次污染，有利于进一步提高成品的良率。
另外，需要说明的是，与步骤S30类似，步骤S30′也包括以下步骤：
S301′：打开第一喷嘴，向第一液管内通入刻蚀剂的同时，使真空管道与真空设备之间相连通；
S302′：关闭第一喷嘴。
相应地，步骤S40′也包括以下步骤：
S401′：打开第二喷嘴，向第一液管内通入清洗剂；
S402′：关闭第二喷嘴。
在本发明的描述中，需要理解的是，术语“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。
虽然以上描述了本发明的具体实施方式，但是本领域的技术人员应当理解，这仅是举例说明，本发明的保护范围是由所附权利要求书限定的。本领域的技术人员在不背离本发明的原理和实质的前提下，可以对这些实施方式做出多种变更或修改，但这些变更和修改均落入本发明的保护范围。
Claims (11)
1.一种对准标记重现清洗装置，用于使晶圆上的对准标记重现，其特征在于，所述对准标记重现清洗装置包括：
基板，所述基板用于放置所述晶圆；
清洗桶，所述清洗桶架设于所述晶圆的上方，所述清洗桶的外壁与内壁之间形成有环形空间；
第一液管，所述第一液管位于所述环形空间内，所述第一液管的出液口对应于所述晶圆上的对准标记，且所述第一液管的出液口的大小与所述对准标记的大小相适配；
喷嘴，所述喷嘴设于所述清洗桶上，所述喷嘴与所述第一液管的进液口相连通，所述喷嘴用于向所述第一液管内通入刻蚀剂和清洗剂；
真空管道，所述真空管道设于所述清洗桶上，所述真空管道与所述环形空间相连通，所述真空管道的远离所述清洗桶的一端用于连接于真空设备；
所述对准标记重现清洗装置还包括第二液管，所述第二液管设于所述清洗桶的顶部，所述第二液管连接于所述喷嘴和所述第一液管之间，且所述喷嘴、所述第二液管和所述第一液管之间相连通。
2.如权利要求1所述的对准标记重现清洗装置，其特征在于，所述第一液管的出液口与所述清洗桶的底部相齐平。
3.如权利要求1所述的对准标记重现清洗装置，其特征在于，所述第一液管的数量与所述对准标记的数量相同。
4.如权利要求1所述的对准标记重现清洗装置，其特征在于，所述对准标记重现清洗装置还包括：
干燥管道，所述干燥管道设于所述清洗桶上，所述干燥管道与所述环形空间相连通，所述干燥管道用于向所述环形空间内通入干燥剂。
5.如权利要求4所述的对准标记重现清洗装置，其特征在于，所述干燥剂为氮气。
6.如权利要求4所述的对准标记重现清洗装置，其特征在于，所述真空管道和所述干燥管道均设于所述清洗桶的顶部。
7.如权利要求1所述的对准标记重现清洗装置，其特征在于，所述喷嘴包括：
第一喷嘴，所述第一喷嘴与所述第二液管相连通，用于向所述第二液管内通入所述刻蚀剂；
第二喷嘴，所述第二喷嘴与所述第二液管相连通，用于向所述第二液管内通入所述清洗剂。
8.如权利要求1所述的对准标记重现清洗装置，其特征在于，所述基板上设有真空回路，所述晶圆通过真空吸附设于所述基板上。
9.如权利要求1-8中任意一项所述的对准标记重现清洗装置，其特征在于，所述第一液管和所述清洗桶的材质均为聚四氟乙烯。
10.一种使晶圆上的对准标记重现的方法，其特征在于，其利用如权利要求1-9中任意一项所述的对准标记重现清洗装置实现，所述方法包括以下步骤：
S10、将所述晶圆设置在所述基板上；
S20、将所述第一液管的出液口与所述晶圆上的对准标记对准，并使得所述第一液管的出液口贴合于所述对准标记；
S30、通过所述喷嘴先后向所述第二液管和所述第一液管内通入所述刻蚀剂的同时，使所述真空管道与所述真空设备之间相连通；
S40、通过所述喷嘴先后向所述第二液管和所述第一液管内通入所述清洗剂；
S50、断开所述真空管道与所述真空设备之间的连通。
11.一种使晶圆上的对准标记重现的方法，其特征在于，其利用如权利要求4所述的对准标记重现清洗装置实现，所述方法包括以下步骤：
S10′、将所述晶圆设置在所述基板上；
S20′、将所述第一液管的出液口与所述晶圆上的对准标记对准，并使得所述第一液管的出液口贴合于所述对准标记；
S30′、通过所述喷嘴先后向所述第二液管和所述第一液管内通入刻蚀剂的同时，使所述真空管道与所述真空设备之间相连通；
S40′、通过所述喷嘴先后向所述第二液管和所述第一液管内通入清洗剂；
S50′、断开所述真空管道与所述真空设备之间的连通；
S60′、使所述干燥管道和所述环形空间连通，以向所述环形空间内通入干燥剂。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201810036154.4A CN108063106B (zh) | 2018-01-15 | 2018-01-15 | 对准标记重现清洗装置及使晶圆上的对准标记重现的方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201810036154.4A CN108063106B (zh) | 2018-01-15 | 2018-01-15 | 对准标记重现清洗装置及使晶圆上的对准标记重现的方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN108063106A CN108063106A (zh) | 2018-05-22 |
| CN108063106B true CN108063106B (zh) | 2024-06-07 |
Family
ID=62141690
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201810036154.4A Active CN108063106B (zh) | 2018-01-15 | 2018-01-15 | 对准标记重现清洗装置及使晶圆上的对准标记重现的方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN108063106B (zh) |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6103636A (en) * | 1997-08-20 | 2000-08-15 | Micron Technology, Inc. | Method and apparatus for selective removal of material from wafer alignment marks |
| TW508635B (en) * | 2001-07-18 | 2002-11-01 | Taiwan Semiconductor Mfg | Alignment mark reproduction device and method thereof |
| CN207743208U (zh) * | 2018-01-15 | 2018-08-17 | 上海新阳半导体材料股份有限公司 | 对准标记重现清洗装置 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007036152A (ja) * | 2005-07-29 | 2007-02-08 | Tokyo Seimitsu Co Ltd | ウェーハ洗浄乾燥方法及びウェーハ洗浄乾燥装置 |
-
2018
- 2018-01-15 CN CN201810036154.4A patent/CN108063106B/zh active Active
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6103636A (en) * | 1997-08-20 | 2000-08-15 | Micron Technology, Inc. | Method and apparatus for selective removal of material from wafer alignment marks |
| TW508635B (en) * | 2001-07-18 | 2002-11-01 | Taiwan Semiconductor Mfg | Alignment mark reproduction device and method thereof |
| CN207743208U (zh) * | 2018-01-15 | 2018-08-17 | 上海新阳半导体材料股份有限公司 | 对准标记重现清洗装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN108063106A (zh) | 2018-05-22 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6610610B2 (en) | Methods for selective removal of material from wafer alignment marks | |
| JP5158530B2 (ja) | スイングノズルユニット及びそれを有する基板処理装置 | |
| US20150093905A1 (en) | Substrate processing apparatus and substrate processing method | |
| US11114316B2 (en) | Substrate treating apparatus | |
| US20060162748A1 (en) | Wafer guide and semiconductor wafer drying apparatus using the same | |
| KR20170118996A (ko) | 세정 장치 및 그를 포함하는 기판 처리 시스템 | |
| US7166183B2 (en) | Apparatus and method for treating edge of substrate | |
| JP5480617B2 (ja) | 基板処理装置 | |
| TW202312389A (zh) | 半導體處理裝置 | |
| CN108063106B (zh) | 对准标记重现清洗装置及使晶圆上的对准标记重现的方法 | |
| US7029801B2 (en) | Method of manufacturing mask for electron beam lithography and mask blank for electron beam lithography | |
| US20110303642A1 (en) | Substrate processing system, substrate processing method, and storage medium | |
| CN207743208U (zh) | 对准标记重现清洗装置 | |
| CN101006549A (zh) | 半导体基板处理装置及方法 | |
| KR101010311B1 (ko) | 매엽식 기판 처리 장치 및 방법 | |
| CN110928143A (zh) | 一种晶圆工作台清洁系统及清洁方法 | |
| KR100987796B1 (ko) | 매엽식 기판 처리 장치 및 방법 | |
| TWI718529B (zh) | 單晶圓濕處理設備 | |
| KR102030038B1 (ko) | 기판 처리 장치 | |
| TWI601203B (zh) | Single-wafer rotary etching cleaning machine fluid collection device | |
| JP2009260034A (ja) | 基板乾燥装置およびそれを備えた基板処理装置 | |
| TWM582233U (zh) | 單晶圓濕處理設備 | |
| KR20120015660A (ko) | 노즐 유닛 | |
| KR20090131208A (ko) | 웨이퍼 회전이 가능한 배치타입 세정장치 및 세정방법 | |
| JP7170511B2 (ja) | 基板処理装置および基板処理方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant |