CN108061912A - 一种pet成像方法、系统及探测器 - Google Patents

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Abstract

本申请披露了一种PET成像方法，其特征在于，包括：通过闪烁体阵列探测多束放射性射线，所述闪烁体阵列包括沿第一方向排列的N排闪烁体和沿第二方向排列的M列闪烁体；基于所述多束放射性射线，通过第一组光电传感器产生第一组电信号，所述第一组光电传感器与所述闪烁体阵列的第一端面光耦合，并沿所述第二方向扩展为多排；基于所述多束放射性射线，通过第二组光电传感器产生第二组电信号，所述第二组光电传感器与所述闪烁体阵列的第二端面光耦合，并沿所述第一方向扩展为多列；以及通过电子模块确定与放射性射线发生作用的所述闪烁体阵列中的闪烁体，所述放射性射线与所述第一组电信号或第二组电信号中的电信号相关。

Description

一种PET成像方法、系统及探测器
技术领域
本发明实施例涉及光学探测，尤其涉及一种PET成像方法、系统及探测器。
背景技术
正电子发射成像(PET)技术已经在多种医疗设备中广泛应用，例如正电子发射断层扫描设备、正电 子发射计算机断层扫描(PET-CT)设备、以及正电子发射断层扫描-磁共振成像(PET-MRI)设备中设置有 正电子发射断层扫描(PET)探测器模块。PET探测器模块用于接收从患者身体产生的放射性射线(例如， γ射线)，并提供与被所述放射性射线激发的光子的位置有关的信息。PET探测器模块可以根据所述放射 性射线生成电信号，然后探测这些电信号并用于重建图像。
PET探测器模块可以包括闪烁体阵列和与所述闪烁体阵列光耦合的多个光电传感器(例如，硅光电倍 增管(SiPM))。所述光电传感器可以具有多种结构。使用较多的光电传感器时，医疗设备的探测性能可能 相对较高，但医疗设备的成本和复杂程度也相对较高。使用较少的光电传感器时，医疗设备的探测性能可 能相对较低，但医疗设备的成本和复杂程度也相对较低。因此，需要在维持相对较高的性能和降低医疗设 备的成本和复杂程度之间寻求平衡。
发明内容
本申请的一个方面涉及一种PET成像方法，其特征在于，包括：通过闪烁体阵列探测多束放射性射线， 所述闪烁体阵列包括沿第一方向排列的N排闪烁体和沿第二方向排列的M列闪烁体；基于所述多束放射性 射线，通过第一组光电传感器产生第一组电信号，所述第一组光电传感器与所述闪烁体阵列的第一端面光 耦合，并沿所述第二方向扩展为多排；基于所述多束放射性射线，通过第二组光电传感器产生第二组电信 号，所述第二组光电传感器与所述闪烁体阵列的第二端面光耦合，并沿所述第一方向扩展为多列；以及通 过电子模块确定与放射性射线发生作用的所述闪烁体阵列中的闪烁体，所述放射性射线与所述第一组电信 号或第二组电信号中的电信号相关。
在一些实施例中，所述通过电子模块确定与所述放射性射线发生作用的所述闪烁体阵列中的闪烁体， 且所述放射性射线与所述第一组电信号或第二组电信号中的电信号相关，包括：根据所述第一组电信号确 定所述放射性射线与所述闪烁体阵列在所述第一方向相互作用的第一位置；根据所述第二组电信号确定所 述放射性射线与所述闪烁体阵列在所述第二方向相互作用的第二位置；以及根据所述第一位置和所述第二 位置，确定与所述放射性射线发生作用的闪烁体阵列中的闪烁体。
在一些实施例中，所述PET成像方法进一步包括：通过时间数字转换器确定所述放射性射线与所述确 定的闪烁体的作用时间。
在一些实施例中，所述PET成像方法进一步包括：根据所述第一组电信号和第二组电信号，确定所述 放射性射线在所述确定的闪烁体中的作用深度；根据所述放射性射线撞击所述确定的闪烁体的作用深度校 正所述作用时间。
在一些实施例中，所述第一方向对应X轴方向，所述放射性射线的第一位置对应所述X轴方向的一个 位置，并且，所述确定放射性射线与所述闪烁体阵列在所述第一方向相互作用的第一位置包括：将一个第 一光电传感器的位置作为所述第一位置，所述第一光电传感器在平行于X轴方向分布的第一组光电传感器 中产生的电信号的能量最大；或者将所述平行于X轴方向分布的第一组电信号的能量重心位置作为所述第 一位置。
在一些实施例中，所述第二方向对应Y轴方向，所述放射性射线的第二位置对应所述Y轴方向的一个 位置，并且，所述确定放射性射线与所述闪烁体阵列在所述第二方向相互作用的第二位置包括：将一个第 二光电传感器的位置作为所述第二位置，所述第二光电传感器在平行于Y轴方向分布的第二组光电传感器 中产生的电信号的能量最大；或者将所述平行于Y轴方向分布的第二组电信号的能量重心位置作为所述第 二位置。
在一些实施例中，所述放射性射线在所述确定的闪烁体中的作用深度对应在Z轴方向上的一个位置， 所述Z轴方向与所述第一方向和所述第二方向垂直，并且，所述确定所述放射性射线在所述确定的闪烁体 中的作用深度包括：根据与所述第一组电信号相关的第一能量和与所述第一组电信号及第二组电信号相关 的第二能量的比值确定比例分布系数；以及根据所述比例分布系数，确定所述放射性射线在所述确定的闪 烁体中的作用深度。
在一些实施例中，所述第一能量与所述第一组电信号的第一总和相关，所述第二能量与所述第一组电 信号和所述第二组电信号的第二总和相关，并且，所述第一组电信号和所述第二组电信号通过至少一个模 拟数字转换器转换，并通过位置解码单元处理。
在一些实施例中，所述放射性射线从所述闪烁体阵列的第一端面与闪烁体阵列发生作用，并且，所述 确定作用时间包括：确定所述第一组电信号的第三总和；以及根据所述第一组电信号的第三总和，通过所 述通过低限检测电路或者恒定系数鉴别器，和时间数字转换器确定所述作用时间。
在一些实施例中，所述闪烁体阵列包括沿第一方向排列的S排探测器块和沿第二方向排列的T列闪烁 体块，每个所述闪烁体块包括沿第一方向排列的N排闪烁体和沿第二方向排列的M列闪烁体，并且，所述 方法进一步包括：将S个光电传感器产生的电信号的总和作为所述第一组电信号中的一个电信号，所述S 个光电传感器与所述闪烁体阵列的第一端面光耦合，所述S个光电传感器位于同一列且与所述T列闪烁体 块的某一列中的S个闪烁体块一一对应；以及将T个光电传感器产生的电信号的总和作为所述第二组电信 号中的一个电信号，所述T个光电传感器与所述闪烁体阵列的第二端面光耦合，所述T个光电传感器位于 同一排且与所述S排闪烁体块的某一排中的T个闪烁体块一一对应。
与现有技术相比，本申请的有益效果表现如下：
一、确定与放射性射线发生作用的闪烁体，进而对作用时间进行校正，能够对每个闪烁体的作用时间 进行精确校正。
二、基于射线在闪烁体的作用深度校正闪烁体的作用时间，能够使得作用时间更为精确。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单的介绍。 显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域的普通技术人员来讲，在不付出 创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图将本发明应用于其它类似情景。除非从语言环境中显而易见或 另做说明，图中相同标号代表相同结构和操作。
图1是根据本申请的一些实施例所示的示例性PET成像系统的示意图；
图2是根据本申请的一些实施例所示的探测器模块的示意图；
图3是根据本申请的一些实施例所示的探测器的示意图；
图4是根据本申请的一些实施例所示的探测器模块的示意图；
图5是根据本申请的一些实施例所示的探测器模块的正视图的示意图；
图6是根据本申请的一些实施例所示的探测器的示意图；
图7是根据本申请的一些实施例所示的探测器模块的示意图；
图8是根据本申请的一些实施例所示的示例性探测器模块的示意图；
图9是根据本申请的一些实施例所示的处理引擎的示意图；
图10是根据本申请的一些实施例所示的获取模块的示意图；
图11是根据本申请的一些实施例所示的的用于PET成像过程的示例性流程的流程图；
图12是根据本申请的一些实施例所示的用于确定与所接收的放射性射线的作用位置相关的信息的电 子器件的示意图；以及
图13是根据本申请的一些实施例所示的用于确定与接收的放射性射线的作用时间相关的信息的电子 器件的示意图。
具体实施方式
在下面的详细描述中，为了提供对相关申请的透彻理解，通过实施例阐述了实施例的具体细节。然而， 对于本领域技术人员来说显而易见的是，本申请可以在没有这些具体细节的情况下被实现。在其他情况下， 为了避免不必要地模糊本申请的各方面，已经以较高级别(没有细节)描述了众所周知的方法、程序、系 统、部件和/或电路。对本申请的实施例的各种修改对于本领域技术人员将是显而易见的，并且在不脱离 本申请的精神和范围的情况下，本申请定义的一般原理可以应用于其他实施例和应用场景中。因此，本申 请不限于所示的实施例，而是符合与权利要求一致的最广范围。
本申请使用的术语仅用于描述特定示例性实施例的目的，而不是限制性的。如本申请所使用的，除非 上下文明确提示例外情形，单数形态的“一”，“一个”和“该”也可以包括复数。应当进一步理解的是， 在本说明书中使用的术语“包括”和/或“包含”时，指存在所述特征、整形常量、步骤、操作、元素 和/或组件，但不排除存在或添加一个或多个其他特征、整形常量、步骤、操作、元件、组件和/或其组合。
应当理解的是，本申请使用的术语“系统”、“引擎”、“单元”、“模块”和/或“区块”是一种以升序 的形式来区分不同组件、元件、部件、部件或组件的级别方法。然而，如果其他表达方式达到相同的目的， 则这些术语可能被其他表达方式所取代。
通常，如本申请所使用的“模块”、“单元”或“区块”是指以硬件或固件或软件指令的集合体现的逻 辑。本申请描述的模块、单元或区块可以在软件和/或硬件上被执行，并且可以被存储在任何类型的非暂 时性计算机可读介质或其他存储设备中。在一些实施例中，软件模块、单元、区块可以被编译并连接到可 执行程序中。应当理解的是，软件模块可以从其他模块、单元、区块或其自身调用和/或可以响应于检测 到的事件或中断而被调用。配置用于在计算设备上执行的软件模块/单元/区块可以被提供在计算机可读介 质上，诸如光盘、数字视频盘、闪存驱动器、磁盘或任何其他有形介质或作为数字下载(并且可以原始地以压缩或可安装的格式存储，在执行之前需要安装、解压缩或解密)。软件代码可以部分或全部存储在执 行计算设备的存储设备上供计算设备执行。软件指令可以被嵌入到固件当中，例如EPROM。应当理解的是， 硬件模块、单元或区块可以包括在连接的逻辑组件中，例如门和触发器和/或可以包括在诸如可编程门阵 列或处理器之类的可编程单元中。本申请描述的模块、单元、区块或计算设备功能可以被实现为软件模块 /单元/区块，但是可以用硬件或固件来表示。通常，这里描述的模块、单元、区块是指可以与其他模块、 单元、区块组合或者分成子模块、子单元、子区块的逻辑模块、单元、区块，尽管它们的物理组织或存储。 所述描述可以适用于系统、引擎或其一部分。
应当理解的是，当单元、引擎、模块或区块被称为“在…上”、“连接到”或“耦合到”另一单元、引 擎、模块或区块时，其可以直接在另一单元、引擎、模块或区块通信、或者可以存在单元、引擎、模块或 区块，除非上下文明确提示例外情形。如本申请所使用的，术语“和/或”包括一个或多个相关所列项目 的任何一种和所有的组合。
参照附图并考虑以下描述，本申请的这些和其他特征以及相关的结构元件以及制造的部件和经济的结 合的操作和功能的方法可以变得更加明显，且都构成本申请的一部分。然而，应当明确地理解，附图仅仅 是为了说明和描述的目的，并不意图限制本申请的范围。应当理解附图不是按比例的。
为了说明的目的，本申请以PET探测器模块为例描述。应当注意的是，这并不是为了限制本申请的范 围。对于本领域的技术人员来说，在本申请的指导下可以进行各种修正和改变。各种修正和改变并不脱离 本申请的范围。
图1是根据本申请的一些实施例所示的示例性PET成像系统100的示意图。如图所示，PET成像系统 100可以包括一个扫描仪110、一个网络120、一个或多个终端130、一个处理引擎140、以及一个存储设 备150。成像系统100中的组件可以以一种或多种可变的方式连接。例如，如图1所示，扫描仪110可以 通过网络120与处理引擎140连接。又例如，扫描仪110可以直接与处理引擎140连接。又例如，存储设 备150可以直接地或通过网络120与处理引擎140连接。还例如，终端130可以直接地或通过网络120与 处理引擎140连接。
扫描仪110可以扫描一个对象和/或生成与所述对象相关的多个数据。在一些实施例中，扫描仪110 可以包括医疗成像设备，例如，PET设备、PET-CT设备、以及PET-MRI设备等。扫描仪110可以包括机架 111、探测器组件112、探测区域113、以及工作台114。物体可以被放置在工作台114上用于扫描。在本 申请中，术语“对象”和“物体”可互换使用。探测器组件112可以探测从探测区域113发射的辐射事件 (例如，伽马光子)。在一些实施例中，探测器组件112可以包括一个或多个探测器模块。探测器模块可 以以任何合适的结构实现，例如，环形、矩形或阵列。在一些实施例中，探测器模块可以包括一个或多个 晶体元件和/或一个或多个光电倍增管(例如，硅光电倍增管(SiPM))(图中未示出)。在一些实施例中， 本申请中采用的SiPM可以包括单通道SiPM或多通道SiPM。工作台114可以方便在探测区域113内定位物 体。
网络120可以包括有助于PET成像系统100的信息和/或数据的交换的任何合适的网络。在一些实施 例中，PET成像系统100的一个或多个组件(例如，扫描仪110、终端130、处理引擎140、以及存储设备 150等)可以通过网络120与PET成像系统100的一个或多个其他组件进行信息和/或数据通信。例如，处 理引擎140可以通过网络120从扫描仪110获取图像数据。又例如，处理引擎140可以通过网络120从终 端130获取用户指令。网络120可以是和/或包括公共网络(例如，互联网)、专用网络(例如，局域网(LAN)、 广域网(WAN)等)、有线网络(例如，以太网络)、无线网络(例如，802.11网络、Wi-Fi网络等)、蜂窝 网络(例如，长期演进(LTE)网络)、帧中继网络、虚拟专用网络(“VPN”)、卫星网络、电话网络、路由 器、集线器、交换机、服务器计算机和/或上述任意组合。例如，网络120可以包括有线电视网络、有线 网络、光纤网络、电信网络、专用网络、无线局域网(WLAN)、城域网络(MAN)、公共交换电话网(PSTN)、 蓝牙(BluetoothTM)网络、紫蜂(ZigBeeTM)网络、近场通信(NFC)网络等或其任意组合。在一些实施例 中，网络120可以包括一个或多个网络接入点。例如，网络120可以包括有线和/或无线网络接入点，例 如基站和/或互联网交换点，PET成像系统100的一个或多个组件可通过所述网络接入点连接到网络120以 交换数据和/或信息。
终端130可以包括移动设备131、平板电脑132、笔记本电脑133等或其任意组合。在一些实施例中， 移动设备131可以包括智能家居设备、可穿戴设备、移动设备、虚拟现实设备、增强现实设备等或其任意 组合。在一些实施例中，智能家居设备可以包括智能照明设备、智能电气设备的控制设备、智能监控设备、 智能电视、智能摄像机、对讲机等或其任意组合。在一些实施例中，可穿戴设备可以包括手镯、鞋袜、眼 镜、头盔、手表、衣服、背包、智能配饰等或其任意组合。在一些实施例中，移动设备可以包括移动电话、 个人数字助理(PDA)、游戏设备、导航设备、销售点(POS)设备、笔记本电脑、平板计算机、台式计算 机等或其任意组合。在一些实施例中，虚拟现实设备和/或增强现实设备可以包括虚拟现实头盔、虚拟现 实眼镜、虚拟现实眼罩、增强现实头盔、增强现实眼镜、增强现实眼罩等或其任意组合。例如，虚拟现实 设备和/或增强现实设备可以包括Google GlassTM、Oculus RiftTM、HololensTM、Gear VRTM等。在一些实施 例中，终端130可以是处理引擎140的一部分。
处理引擎140可以处理从扫描仪110、终端130、和/或存储设备150获取的数据和/或信息。例如， 处理引擎140可以处理图像数据并根据所述图像数据重建图像。在一些实施例中，处理引擎140可以是单 个服务器或服务器组。所述服务器组可以是集中式的或分布式的。在一些实施例中，处理引擎140可以是 本地的或远程的。例如，处理引擎140可以通过网络120访问存储在扫描仪110、终端130、和/或存储设 备150中的信息和/或数据。又例如，处理引擎140可以直接与扫描仪110、终端130、和/或存储设备150 连接，以访问存储的信息和/或数据。在一些实施例中，处理引擎140可以在云平台上实现。例如，所述 云平台可以包括私有云，公共云，混合云，社区云，分布式云，交互云，多云平台等或其任意组合。在一 些实施例中，处理引擎140可以通过计算机设备实现。在一些实施例中，处理引擎140或处理引擎140的 一部分可以集成到扫描仪110中。
存储设备150可以存储数据、指令、和/或任何其他信息。在一些实施例中，存储设备150可以存储 从终端130和/或处理引擎140获取的数据。在一些实施例中，存储设备150可以存储处理引擎140执行 的或用于执行在本申请中描述的示例性方法的数据和/或指令。在一些实施例中，存储设备150可以包括 大容量存储设备、可移动存储设备、不稳定读写存储器、只读存储器(ROM)等或其任意组合。所述大容 量存储设备可以包括磁盘、软盘、光盘、存储卡、压缩磁盘、磁带等。所述不稳定读写存储器可以包括随 机存储器(RAM)。所述RAM可以包括动态RAM(DRAM)、双倍速率同步动态随机存储器(DDR SDRAM)、静态 RAM(SRAM)、晶闸管随机存储器(T-RAM)、零电容随机存储器(Z-RAM)等。所述ROM可以包括掩模型只 读存储器(MROM)、可编程只读存储器(PROM)、可消除可程序只读存储器(EPROM)、电流可消除可程序只 读存储器(EEPROM)、只读光盘(CD-ROM)、数字化多功能磁盘等。在一些实施例中，存储设备150可以通 过云平台实现。例如，所述云平台可以包括私有云，公共云，混合云，社区云，分布式云，交互云，多云 平台等或其任意组合。
在一些实施例中，存储设备150可以与网络120连接，以与PET成像系统100中的一个或多个其他组 件(例如，处理引擎140、终端130等)进行通信。PET成像系统100中的一个或多个组件可以通过网络 120访问存储在存储设备150中的数据或指令。在一些实施例中，存储设备150可以直接与PET成像系统 100中的一个或多个其他组件(例如，处理引擎140、终端130等)连接或进行通信。在一些实施例中， 存储设备150可以是处理引擎140的一部分。
图2A-2C是根据本申请的一些实施例所示的探测器模块200的示意图。如图1所述，探测器组件112 可以包括一个或多个探测器模块。探测器模块200可以包括一个或多个晶体元件(例如，闪烁体晶体阵列 210)和一个或多个光电传感器阵列220(例如，第一光电传感器阵列220a、第二光电传感器阵列220b)。
如图所示，在图2A中，晶体元件可以被配置为闪烁体晶体阵列210(也称为闪烁体阵列210)。闪烁 体阵列210可以包括一个或多个闪烁体(例如，图2B所示的闪烁体210-1、闪烁体210-2、闪烁体210-3、 闪烁体210-4等)。当放射性射线(例如，γ射线)的光子碰撞(或撞击)闪烁体时，所述闪烁体可闪烁 发光。闪烁体可以吸收放射性光子(例如，γ射线)的能量，并将吸收的能量转换为光。在一些实施例中， 闪烁体阵列210可以包括N排闪烁体和/或M列闪烁体。更具体地，闪烁体阵列在排方向上被划分为N排， 在列方向上被划分为M列。排数N可以是一个大于0的整数。列数M可以是一个大于0的整数。在一些实 施例中，N可以等于M。在一些实施例中，N可以不等于M。在一些实施例中，N排闪烁体可以平行于第一 方向(例如，图3A或图6A中的X轴方向)且基本垂直于第二方向(例如，图3A或图6A中的Y轴方向) 进行排布。M列闪烁体可以平行于第二方向且基本垂直于第一方向进行排布。在一些实施例中，第二方向 基本垂直于第一方向。在一些实施例中，第一方向和第二方向之间的角度可以不等于90°。图2B是一个 示例性的4×4闪烁体阵列。闪烁体阵列210可以具有第一端面230和与第一端面230相对的第二端面240。 第一端面230可以是由闪烁体阵列210中所有闪烁体的一端(例如，顶端面)所形成的一个共有面。第二 端面240可以是由闪烁体阵列210中所有闪烁体的另一端(例如，底端面)所形成的一个共有面。在一些 实施例中，第一端面230或第二端面240可以朝向探测区域113。
光电传感器阵列220(例如，第一光电传感器阵列220a、第二光电传感器阵列220b)可以包括一个或 多个光电传感器(例如，图2C所示的光电传感器220-1、光电传感器220-2、光电传感器220-3、光电传 感器220-4等)。在一些实施例中，光电传感器阵列220可以被配置为朝向探测区域113。如果光电传感器 阵列220被配置为朝向探测区域113，则光电传感器阵列220不能阻挡放射性射线到达闪烁体阵列210。 如果光电传感器阵列220被配置为朝向探测区域113，则放射性射线在到达闪烁体阵列210之前可能略微 衰减。但是，放射性射线的衰减并不影响探测器组件112的探测结果。光电传感器可以将光信号(例如， 从闪烁体输出的光)转换为电信号。在一些实施例中，光电传感器可以包括光电倍增管(PMT)、硅光电倍 增管(SiPM)等。光电传感器阵列220可以与闪烁体阵列210光耦合。在本申请中，光电传感器或光电传 感器阵列与闪烁体或闪烁体阵列光耦合可以指光信号可以在闪烁体或闪烁体阵列与光电传感器或光电传 感器阵列之间传输。例如，第一光电传感器阵列220a(也称为第一组光电传感器)可以排布在闪烁体阵列 210的第一端面230上。又例如，第二光电传感器阵列220b(也称为第二组光电传感器)可以排布在闪烁 体阵列210的第二端面240上。在一些实施例中，第一光电传感器阵列220a和第二光电传感器阵列220b 均可以与闪烁体阵列210光耦合。在一些实施例中，第一光电传感器阵列220a或第二光电传感器阵列220b之一可以与闪烁体阵列210光耦合。在一些实施例中，光电传感器阵列220可以包括N’排光电传感器和/ 或M’列光电传感器。更具体地，光电传感器阵列在排方向上被划分为N’排，在列方向上被划分为M’列。 N’可以是大于0但不大于N的整数。M’可以是大于0但不大于M的整数。
在一些实施例中，光电传感器可以只与一个闪烁体光耦合(见图5A-5D)。这种情况下，N’×M’光电 传感器阵列220中的光电传感器数量与N×M闪烁体阵列210中的闪烁体的数量相同。如图所示，4×4光 电传感器阵列(见图2C)可以与4×4闪烁体阵列(见图2B)光耦合。例如，光电传感器220-1可以与闪 烁体210-1光耦合，光电传感器220-2可以与闪烁体210-2光耦合，光电传感器220-3可以与闪烁体210-3 光耦合，光电传感器220-4可以与闪烁体210-4光耦合等。在这种情况下，不需要第一光电传感器阵列220a 和第二光电传感器阵列220b均与闪烁体阵列210光耦合。在这种情况下，由于光电传感器与所确定的闪 烁体一对一地光耦合，可以根据所述光电传感器探测到的电信号确定辐射光子(例如，γ射线)碰撞闪烁 体阵列210的位置(即，确定与放射性射线发生作用的闪烁体阵列210中的闪烁体)。因此，仅有第一光 电传感器阵列220a或仅有第二光电传感器阵列220b足以探测来自闪烁体阵列210的光输出。
在一些实施例中，光电传感器的入射端面的尺寸(或面积)和与之光耦合的闪烁体的出射端面的尺寸 (或面积)相同。在本申请中，光电传感器(或光电传感器阵列)的入射端面可以指光信号(例如，来自 与之光耦合的闪烁体(或闪烁体阵列)的光信号)入射光电传感器的端面。在本申请中，闪烁体(或闪烁 体阵列)的出射端面可以指光信号射出闪烁体(或闪烁体阵列)的端面。在一些实施例中，光电传感器的 入射端面的尺寸(或面积)可以不同于(例如，小于或大于)与之光耦合的闪烁体的出射端面的尺寸(或 面积)。例如，光电传感器的入射端面的尺寸(或面积)可以是与之光耦合的闪烁体的出射端面的尺寸(或 面积)的一部分(例如，3/4、2/3、1/2等)。
在一些实施例中，一个光电传感器可以与两个或多个闪烁体光耦合(见图3A和3B、图4A-4D、图6A 和6B、图7A-7D、以及图8A-8E)。在一些实施例中，一个光电传感器可以与N排闪烁体阵列中相邻两排中 的至少两个闪烁体光耦合。在一些实施例中，一个光电传感器可以与M列闪烁体阵列中相邻两列中的至少 两个闪烁体光耦合。在一些实施例中，第一组光电传感器中的至少一个光电传感器(或第一光电传感器阵 列220a)可以与N排闪烁体阵列中的两排耦合。在一些实施例中，第一组光电传感器中的一个光电传感器 的面积可以小于与该光电传感器光耦合的两排闪烁体的总面积。在一些实施例中，第二组光电传感器中的至少一个光电传感器(或第二光电传感器阵列220b)可以与M列闪烁体阵列中的两列耦合。在一些实施例 中，第二组光电传感器中的一个光电传感器的面积可以小于与该光电传感器光耦合的两列闪烁体的总面积。 因此，N’×M’光电传感器阵列220中的光电传感器的数量可以小于N×M闪烁体阵列210中的闪烁体的 数量。例如，一个光电传感器可以与同一排或同一列的i(例如，2、3、4等)个闪烁体光耦合。又例如， 一个光电传感器可以与相邻排或相邻列的i×j(例如，2×2、2×3、2×4等)闪烁体子阵列光耦合。在 一些实施例中，在光电传感器阵列220(例如，第一光电传感器阵列220a、第二光电传感器阵列220b)中， 不同的光电传感器可以与不同数量的闪烁体光耦合。例如，光电传感器A可以与两个闪烁体光耦合，光电 传感器B可以与三个闪烁体光耦合，光电传感器C可以与四个闪烁体光耦合，并且与光电传感器耦合的这 些闪烁体可以分布在不同的(或相同的)排或列中。在一些实施例中，光电传感器入射端面的尺寸(或面 积)可以等于与所述光电传感器光耦合的多个闪烁体出射端面的尺寸(或面积)的总和。在一些实施例中， 光电传感器入射端面的尺寸(或面积)可以不等于(例如，小于或大于)与所述光电传感器耦合的多个闪 烁体出射端面的尺寸(或面积)的总和。例如，光电传感器的入射端面的尺寸(或面积)可以是与所述光 电传感器光耦合的多个闪烁体出射端面的尺寸(或面积)的总和的一部分(例如，3/4、2/3、1/2等)。
在一些实施例中，第一光电传感器阵列220a或第二光电传感器阵列220b中的两个相邻光电传感器可 以以一定间隔距离分开排布。两个相邻的光电传感器之间的距离可以不小于一个闪烁体的宽度。在一些实 施例中，在第一光电传感器阵列220a(或第一组光电传感器)或第二光电传感器阵列220b(或第二组光 电传感器)中的光电传感器数量可以不小于N/2，N为与光电传感器光耦合的闪烁体阵列210中的闪烁体 排数。在一些实施例中，第一光电传感器阵列220a(或第一组光电传感器)或第二光电传感器阵列220b (或第二组光电传感器)中的光电传感器数量可以不小于M/2，M为与光电传感器的光耦合的闪烁体阵列210中的闪烁体列数。
在一些实施例中，如果第一光电传感器阵列220a和第二光电传感器阵列220b均与闪烁体阵列210光 耦合，则第一光电传感器阵列220a中的光电传感器的数量(或面积)与第二光电传感器阵列220b中的光 电传感器的数量(或面积)可以是相同或不同的。在一些实施例中，如果第一光电传感器阵列220a和第 二光电传感器阵列220b均与闪烁体阵列210光耦合，则第一光电传感器阵列220a和第二光电传感器阵列 220b中的光电传感器的排布可以是不同的。例如，第一光电传感器阵列220a中的光电传感器可以排布在 第一方向上，而第二光电传感器阵列220b中的光电传感器可以排布在第二方向上，反之亦然(见3A和3B、图4A-4D、图6A和6B、图7A-7D、以及图8A-8E)。
需要注意的是，上述对于探测器模块200的描述，仅为描述方便，并不能把本申请限制在所举实施例 范围之内。可以理解，对于本领域的技术人员来说，可以根据本申请对探测器模块200作各种修正和改变。 例如，在闪烁体阵列210和光电传感器阵列220之间可以配置一个或多个光波导，以促进从闪烁体阵列210 至光电传感器阵列220的光传输。诸如此类的变形，均在本申请的保护范围之内。
图3A是根据本申请的一些实施例所示的探测器模块300的示意图。探测器模块300可以包括一个4 ×4闪烁体阵列210、第一光电传感器阵列220a中的四个光电传感器(例如，SiPM)、以及第二光电传感 器阵列220b中的四个光电传感器(例如，SiPM)。
所述4×4闪烁体阵列210可以具有均在X-Y平面内的一个顶端面和一个底端面。所述顶端面可以朝 向探测区域113。所述4×4闪烁体阵列210中的16个闪烁体可以平行于Z轴方向排布。在一些实施例中， Z轴可以指向探测区域113的径向方向。所述4×4闪烁体阵列210中的16个闪烁体可以具有相同的高度。 每排的四个闪烁体可以在X轴方向上排布。每列的四个闪烁体可以在Y轴方向上排布。在一些实施例中， 探测区域113的轴方向可以沿着X轴，且Y轴与X轴和Z轴垂直。在一些实施例中，探测区域113的轴方 向可以沿着Y轴，且X轴与Y轴和Z轴垂直。
第一光电传感器阵列220a可以与所述4×4闪烁体阵列210光耦合，并排布在闪烁体阵列210的顶端 面。第一光电传感器阵列220a可以包括四个光电传感器，即光电传感器PY1、光电传感器PY2、光电传感器 PY3、以及光电传感器PY4。所述四个光电传感器PY1、PY2、PY3、和PY4可以平行于X轴方向，排布在Y轴方向 上。第二光电传感器阵列220b可以与所述4×4闪烁体阵列210光耦合，并排布在闪烁体阵列210的底端 面上。第二光电传感器阵列220b可以包括四个光电传感器，即光电传感器PX1、光电传感器PX2、光电传感 器PX3、以及光电传感器PX4。所述四个光电传感器PX1、PX2、PX3、和PX4可以平行于Y轴方向，排布在X轴方 向上。有关光电传感器PY1、PY2、PY3、PY4、PX1、PX2、PX3和PX4排布的具体描述可以参考本申请的其他部分， 例如，图4A-4D及其对应描述。
图3B是根据本申请的一些实施例所示的探测器350的示意图。探测器350可以包括一个或多个探测 器模块300。例如，探测器350可以包括3×3探测器模块300。此外，探测器组件112可以通过组装一个 或多个探测器形成。如图3B中所示，探测器350可以包括12×12闪烁体阵列、12×3光电传感器阵列220a、 以及3×12光电传感器阵列220b。在一些实施例中，同一排中至少两个光电传感器(例如，光电传感器 P1、光电传感器P2、以及光电传感器P3)可以集成为一个光电传感器。
需要注意的是，关于图3A和3B中涉及的数字，以及关于光电传感器的排布的描述，仅为描述方便， 并不能把本申请限制在所举实施例范围之内。例如，探测器模块300可以包括5×5闪烁体、6×6闪烁体、 以及3×4闪烁体等。又例如，探测器350可以包括4×4探测器模块300、5×5探测器模块300、以及6 ×8探测器模块300等。
图4A是根据本申请的一些实施例所示的探测器模块300中的4×4闪烁体阵列210的俯视图的示意图。 图3A中示出了探测器模块300的3D立体图。如图4A所示，4×4闪烁体阵列210可以包括四排闪烁体： 第一排闪烁体S11、S12、S13和S14，第二排闪烁体S21、S22、S23和S24，第三排闪烁体S31、S32、S33和S34，以及 第四排闪烁体S41、S42、S43和S44。第一排的闪烁体S11、S12、S13和S14可以沿着X轴方向排布。第二排的闪 烁体S21、S22、S23和S24可以沿着X轴方向排布。第三排的闪烁体S31、S32、S33和S34可以沿着X轴方向排布。 第四排的闪烁体S41、S42、S43和S44可以沿着X轴方向排布。如图所示，4×4闪烁体阵列210可以包括四列 闪烁体：第一列闪烁体S11、S21、S31和S41，第二列闪烁体S12、S22、S32和S42，第三列闪烁体S13、S23、S33和S43，以及第四列闪烁体S14、S24、S34和S44。第一列的闪烁体S11、S21、S31和S41可以沿着Y轴方向排布。第二列的闪烁体S12、S22、S32和S42可以沿着Y轴方向排布。第三列的闪烁体S13、S23、S33和S43可以沿着Y轴 方向排布。第四列的闪烁体S14、S24、S34和S44可以沿着Y轴方向排布。
在一些实施方式中，两个相邻的闪烁体可以分开一定距离。两个相邻的闪烁体之间的距离可以小于一 个闪烁体在这个距离的相同方向上的大小，和/或小于一个光电传感器在这个距离的相同方向上的大小。 例如，两个相邻的闪烁体之间的距离可以是在这个距离的相同方向上的闪烁体的大小的一部分(例如，1/10、 1/20、1/30等)或光电传感器的大小的一部分(例如，1/10、1/20、1/30等)。在一些实施例中，两个相 邻的闪烁体之间的空隙可以由阻隔材料(例如，膜、块等形式的光反射材料)进行填充。在一些实施例中， 两个相邻的闪烁体之间的空隙可以是空的(例如，真空，或填充有空气或另一种气体)。
图4B是根据本申请的一些实施例所示的探测器模块300的4×1第一光电传感器阵列220a的俯视图 的示意图。所述4×1第一光电传感器阵列220a可以排布在图3A、3B和4A所示的4×4闪烁体阵列210 的顶端面。如图4B所示，所述4×1第一光电传感器阵列220a可以包括四排光电传感器：第一排光电传 感器PY1、第二排光电传感器PY2、第三排光电传感器PY3、以及第四排光电传感器PY4。光电传感器PY1可以 平行于X轴方向排布。光电传感器PY2可以平行于X轴方向排布。光电传感器PY3可以平行于X轴方向排布。 光电传感器PY4可以平行于X轴方向排布。四排光电传感器PY1、PY2、PY3和PY4可以沿着Y轴方向排布以形成 一列光电传感器。光电传感器PY1可以与图4A所示的第一排闪烁体S11、S12、S13和S14光耦合。光电传感器PY2可以与图4A所示的第二排闪烁体S21、S22、S23和S24光耦合。光电传感器PY3可以与图4A所示的第三排 闪烁体S31、S32、S33和S34光耦合。光电传感器PY4可以与图4A所示的第四排闪烁体S41、S42、S43和S44光耦 合。
在一些实施例中，一个光电传感器(例如，光电传感器PY1、PY2、PY3、或PY4)沿着X轴方向的第一长 度可以等于或者不等于(例如，小于或大于)沿着X轴方向一排闪烁体(包括闪烁体和两个闪烁体间的空 隙(如果有的话))的长度的第一总和。例如，第一长度和第一总和之间的差可以小于两个闪烁体沿着X 轴方向的长度。在一些实施例中，光电传感器(例如，光电传感器PY1、PY2、PY3、或PY4)沿着Y轴方向的 第一宽度可以等于或者不等于(例如，小于或大于)沿着Y轴方向的一个闪烁体第二宽度。例如，所述第 一宽度可以是第二宽度的一部分(例如，3/4、2/3、1/2等)。又例如，一个光电传感器(例如光电传感器 PY1、PY2、PY3、或PY4)沿着Y轴方向的第一宽度可以稍大于一个闪烁体沿着Y轴方向的第二宽度，并且所述 光电传感器沿着Y轴方向与邻近的光电传感器不接触或与其电绝缘。
在一些实施例中，1×4第二光电传感器阵列220b(见图3A)可以排布在图3A、3B和4A所示的4×4 闪烁体阵列210的底端面。所述1×4第二光电传感器阵列220b可以包括四列光电传感器：第一列光电传 感器PX1、第二列光电传感器PX2、第三列光电传感器PX3、以及第四列光电传感器PX4。光电传感器PX1可以 平行于Y轴方向排布。光电传感器PX2可以平行于Y轴方向排布。光电传感器PX3可以平行于Y轴方向排布。 光电传感器PX4可以平行于Y轴方向排布。四列光电传感器PX1、PX2、PX3和PX4可以沿着X轴方向排布以形成 一排光电传感器。光电传感器PX1可以与图4A所示的第一列闪烁体S11、S21、S31和S41光耦合。光电传感器 PX2可以与图4A所示的第二列闪烁体S12、S22、S32和S42光耦合。光电传感器PX3可以与图4A所示的第三列闪烁体S13、S23、S33和S43光耦合。光电传感器PX4可以与图4A所示的第四列闪烁体S14、S24、S34和S44光耦 合。
在一些实施例中，一个光电传感器(例如，光电传感器PX1、PX2、PX3、或PX4)沿着Y轴方向的第二长 度可以等于或者不等于(例如，小于或大于)一列中的闪烁体沿着Y轴方向的长度和闪烁体之间(如果有 的话)的空隙的第二总和。例如，第二长度和第二总和之间的差可以小于两个闪烁体沿着Y轴方向的长度。 在一些实施例中，光电传感器(例如，光电传感器PX1、PX2、PX3、或PX4)沿着X轴方向的第三宽度可以等 于或者不等于(例如，小于或大于)闪烁体沿着X轴方向的第四宽度。例如，第三宽度可以是第四宽度的 一部分(例如，3/4、2/3、1/2等)。又例如，一个光电传感器(例如，光电传感器PX1、PX2、PX3、或PX4) 沿着X轴方向的第三宽度可以稍大于一个闪烁体沿着X轴方向的第四宽度，并且所述光电传感器沿着X轴 方向与邻近的光电传感器不接触或与其电绝缘。
图4C是根据本申请的一些实施例所示的探测器模块300的右视图的示意图。如图4C所示，光电传感 器PX4可以与闪烁体S14、S24、S34和S44光耦合。光电传感器PY1的一部分可以与闪烁体S14光耦合。光电传感 器PY2的一部分可以与闪烁体S24光耦合。光电传感器PY3的一部分可以与闪烁体S34光耦合。光电传感器PY4的一部分可以与闪烁体S44光耦合。如上所述，光电传感器PX4沿着Y轴方向的长度可以等于或者小于一列 闪烁体S14、S24、S34和S44沿着Y轴方向的长度和闪烁体之间(如果有的话)的空隙的总和。如上所述，光 电传感器PY1、PY2、PY3、或PY4沿着Y轴方向的宽度可以等于或者小于闪烁体S14、S24、S34或S44沿着Y轴方 向的宽度。
图4D是根据本申请的一些实施例所示的探测器模块300的正视图的示意图。如图4D所示，光电传感 器PY1可以与闪烁体S11、S12、S13和S14光耦合。光电传感器PX1的一部分可以与闪烁体S11光耦合。光电传感 器PX2的一部分可以与闪烁体S12光耦合。光电传感器PX3的一部分可以与闪烁体S13光耦合。光电传感器PX4的一部分可以与闪烁体S14光耦合。如上所述，光电传感器PY1沿着X轴方向的长度可以等于或者小于一排 闪烁体S11、S12、S13和S14沿着X轴方向的长度和闪烁体之间(如果有的话)的空隙的总和。如上所述，光 电传感器PX1、PX2、PX3、或PX4沿着X轴方向的宽度可以等于或者小于闪烁体S11、S12、S13或S14沿着X轴方 向的宽度。
如图4C和4D所示，两个相邻光电传感器可以分开一定距离。可以根据光电传感器的尺寸和/或排布 来确定两个相邻光电传感器之间的距离。例如，两个相邻光电传感器(例如，PY1、PY2、PY3和/或PY4)之间 的距离可以小于闪烁体S14、S24、S34或S44沿着Y轴方向的宽度。在一些实施例中，两个相邻光电传感器之 间的空隙410可以由隔离材料(例如，电绝缘材料、聚合物等)填充。在一些实施例中，两个相邻光电传 感器之间的空隙410可以是空的(例如，真空，或被空气或另一种气体填充)。
图5A是根据本申请的一些实施例所示的探测器模块500的4×4闪烁体阵列210的俯视图的示意图。 有关4×4闪烁体阵列210的更多描述可以参考本申请的其他部分，例如，图4A及其描述。
图5B是根据本申请的一些实施例所示的探测器模块500的4×4第一光电传感器阵列220a的俯视图 的示意图。所述4×4第一光电传感器阵列220a可以排布在图5A所示的4×4闪烁体阵列210的顶端面。 所述4×4第一光电传感器阵列220a在X-Y平面内的排布可以与图5A所示的4×4闪烁体阵列210相类似。 光电传感器P11、P12、P13、P14、P21、P22、P23、P24、P31、P32、P33、P34、P41、P42、P43、和P44可以分别与闪烁体 S11、S12、S13、S14、S21、S22、S23、S24、S31、S32、S33、S34、S41、S42、S43和S44光耦合。
在一些实施例中，4×4第二光电传感器阵列220b可以与图5A所示的4×4闪烁体阵列210光耦合。4 ×4第二光电传感器阵列220b可以包括光电传感器P’11、P’12、P’13、P’14、P’21、P’22、P’23、P’24、 P’31、P’32、P’33、P’34、P’41、P’42、P’43和P’44。所述4×4第二光电传感器阵列220b可以排布在 图5A所示的4×4闪烁体阵列210的底端面。所述4×4第二光电传感器阵列220b在X-Y平面内的排布可 以与图5A所示的4×4闪烁体阵列210相类似。光电传感器P’11、P’12、P’13、P’14、P’21、P’22、P’23、 P’24、P’31、P’32、P’33、P’34、P’41、P’42、P’43和P’44可以分别与闪烁体S11、S12、S13、S14、S21、S22、 S23、S24、S31、S32、S33、S34、S41、S42、S43和S44光耦合。
图5C是根据本申请的一些实施例所示的探测器模块500的右视图的示意图。图5D是根据本申请的一 些实施例所示的探测器模块500的正视图的示意图。两个相邻光电传感器之间的空隙510可以与图4C和 图4D所示的空隙410类似。
需要注意的是，关于图5A-5D中涉及的数字，以及关于光电传感器和闪烁体的排布的描述，仅为描述 方便，并不能把本申请限制在所举实施例范围之内。可以理解，对于本领域的技术人员来说，在了解该探 测模块的工作原理后，可能在不背离这一原理的情况下，对上述模块作各种修正和改变。例如，可以没有 4×4第一光电传感器阵列220a或4×4第二光电传感器阵列220b。又例如，4×4第一光电传感器阵列220a 或4×4第二光电传感器阵列220b可以被图4B-4D所示的4×1光电传感器阵列220或1×4光电传感器阵 列220替代。诸如此类的变形，均在本申请的保护范围之内。
图6A是根据本申请的一些实施例所示的探测器模块600的示意图。探测器模块600可以包括4×4闪 烁体阵列210、第一光电传感器阵列220a中的两个光电传感器(例如，SiPM)、以及第二光电传感器阵列220b中的两个光电传感器(例如，SiPM)。有关4×4闪烁体阵列210的更多描述可以参考本申请的其他部 分，例如，图3A及其描述。
第一光电传感器阵列220a可以与4×4闪烁体阵列210光耦合，并排布在顶端面。第一光电传感器阵 列220a可以包括两个光电传感器，即光电传感器PY1和光电传感器PY2。两个光电传感器PY1和PY2均可以平 行于X轴方向排布。第二光电传感器阵列220b可以与4×4闪烁体阵列210光耦合，并排布在底端面。第 二光电传感器阵列220b可以包括两个光电传感，即，光电传感器PX1和光电传感器PX2。两个光电传感器 PX1和PX2均可以平行于Y轴方向排布。有关光电传感器PY1、PY2、PX1和PX2的排布的更多描述可以参考本申 请的其他部分，例如，图7A-7D及其描述。
图6B是根据本申请的一些实施例所示的探测器650的示意图。探测器650可以包括一个或多个探测 器模块600。例如，探测器650可以包括3×3探测器模块600。此外，可以组装一个或多个探测器650以 形成探测器组件112。如图6B所示，探测器650可以包括12×12闪烁体阵列、6×3光电传感器阵列220a、 以及3×6光电传感器阵列220b。在一些实施例中，同一排中的光电传感器(例如，光电传感器P4、光电 传感器P5、以及光电传感器P6)可以集成为一个光电传感器。
需要注意的是，关于图6A和6B中涉及的数字，以及关于光电传感器和闪烁体的排布的描述，仅为描 述方便，并不能把本申请限制在所举实施例范围之内。例如，探测器模块600可以包括5×5闪烁体、6× 6闪烁体和3×4闪烁体等。又例如，探测器650可以包括4×4探测器模块600、5×5探测器模块600和 6×8探测器模块600等。
图7A是根据本申请的一些实施例所示的探测器模块600的4×4闪烁体阵列210的俯视图的示意图。 探测器模块600的3D立体图可以参考图6A。有关4×4闪烁体阵列210的更多描述可以参考本申请的其他 部分，例如，图4A及其描述。
图7B是根据本申请的一些实施例所示的探测器模块600的2×1第一光电传感器阵列220a的俯视图 的示意图。所述2×1第一光电传感器阵列220a可以排布在图6A、6B和7A所示的4×4闪烁体阵列210 的顶端面。如图7B所示，所述2×1第一光电传感器阵列220a可以包括两排光电传感器：第一排光电传 感器PY1和第二排光电传感器PY2。光电传感器PY1可以平行于X轴方向排布。光电传感器PY2可以平行于X 轴方向排布。两个光电传感器PY1和PY2可以沿着Y轴方向排布以形成一列光电传感器。光电传感器PY1可以 与图7A所示的第一排闪烁体S11、S12、S13和S14，以及第二排闪烁体S21、S22、S23和S24光耦合。光电传感器 PY2可以与图7A所示的第三排闪烁体S31、S32、S33和S34，以及第四排闪烁体S41、S42、S43和S44光耦合。
在一些实施例中，一个光电传感器(例如，光电传感器PY1或PY2)沿着X轴方向的第一长度可以等于 或者不等于(例如小于或大于)沿着X轴方向的一排闪烁体的长度和闪烁体之间(如果有的话)的空隙的 第一总和。例如，第一长度和第一总和之间的差可以小于两个闪烁体沿着X轴方向的长度。在一些实施例 中，一个光电传感器(例如，光电传感器PY1或PY2)沿着Y轴方向的第一宽度可以等于或者不等于(例如， 小于或大于)闪烁体沿着Y轴方向的第二宽度。例如，所述第一宽度可以是第二宽度的一部分(例如，3/4、 2/3、1/2等)。因此，闪烁体的至少一部分可以不被光电传感器所覆盖。在一些实施例中，光电传感器PY1的面积可以是与所述光电传感器PY1光耦合的闪烁体(即，闪烁体S11、S12、S13、S14、S21、S22、S23和S24)总 面积的一部分(例如，3/4、2/3、1/2等)。在一些实施例中，光电传感器PY2的面积可以是与所述光电传 感器PY2光耦合的闪烁体(即，闪烁体S31、S32、S33、S34、S41、S42、S43和S44)总面积的一部分(例如，3/4、 2/3、1/2等)。又例如，一个光电传感器(例如，光电传感器PY1或PY2)沿着Y轴方向的第一宽度可以稍 大于闪烁体沿着Y轴方向的第二宽度，并且所述光电传感器沿着Y轴方向可以与邻近的光电传感器不接触 或与其电绝缘。
在一些实施例中，1×2第二光电传感器阵列220b(见图6A)可以排布在图6A、6B和7A所示的4×4 闪烁体阵列210的底端面。所述1×2第二光电传感器阵列220b可以包括两列光电传感器：第一列光电传 感器PX1和第二列光电传感器PX2。光电传感器PX1可以平行于Y轴方向排布。光电传感器PX2可以平行于Y 轴方向排布。两个光电传感器PX1和PX2可以沿着X轴方向排布以形成一排光电传感器。光电传感器PX1可以 与图7A所示的第一列闪烁体S11、S21、S31和S41，以及第二列闪烁体S12、S22、S32和S42光耦合。光电传感器PX2可以与图7A所示的第三列闪烁体S13、S23、S33和S43，以及第四列闪烁体S14、S24、S34和S44光耦合。
在一些实施例中，一个光电传感器(例如，光电传感器PX1或PX2)沿着Y轴方向的第二长度可以等于 或者不等于(例如小于或大于)一列闪烁体沿着Y轴方向的长度和闪烁体之间(如果有的话)的空隙的第 二总和。例如，第二长度和第二总和之间的差可以小于两个闪烁体沿着Y轴方向的长度。在一些实施例中， 一个光电传感器(例如，光电传感器PX1或PX2)沿着X轴方向的第三宽度可以等于或者不等于(例如小于 或大于)一个闪烁体沿着X轴方向的第四宽度。例如，第三宽度可以是第四宽度的一部分(例如，3/4、 2/3、1/2等)。又例如，一个光电传感器(例如，光电传感器PX1或PX2)沿着X轴方向的第三宽度可以稍 大于一个闪烁体沿着X轴方向的第四宽度，并且所述光电传感器沿着X轴方向与邻近的光电传感器不接触 或与其电绝缘。
图7C是根据本申请的一些实施例所示的探测器模块600的右视图的示意图。如图7C所示，光电传感 器PX2的一部分可以与闪烁体S14、S24、S34和S44光耦合。光电传感器PY1的一部分可以与闪烁体S14和S24光 耦合。光电传感器PY2的一部分可以与闪烁体S34和S44光耦合。如上所述，光电传感器PX2沿着Y轴方向的 长度可以等于或者小于一列闪烁体S14、S24、S34和S44沿着Y轴方向的长度和闪烁体之间(如果有的话)的 空隙的总和。如上所述，光电传感器PY1(或PY2)沿着Y轴方向的宽度可以等于或者小于闪烁体S14、S24、 S34或S44沿着Y轴方向的宽度。
图7D是根据本申请的一些实施例所示的探测器模块600的正视图的示意图。如图7D所示，光电传感 器PY1的一部分可以与闪烁体S11、S12、S13和S14光耦合。光电传感器PX1的一部分可以与闪烁体S11和S12光 耦合。光电传感器PX2的一部分可以与闪烁体S13和S14光耦合。如上所述，光电传感器PY1沿着X轴方向的 长度可以等于或者小于一排闪烁体S11、S12、S13和S14沿着X轴方向的长度和它们之间(如果有的话)的空 隙的一个总和。如上所述，光电传感器PX1或PX2沿着X轴方向的宽度可以等于或者小于闪烁体S11、S12、S13或S14沿着X轴方向的宽度。
如图7C和7D所示，两个相邻光电传感器可以分开一定距离。可以根据光电传感器的尺寸和/或排布 来确定这两个相邻的光电传感器之间的距离。例如，两个相邻光电传感器PY1和PY2之间的距离可以大于闪 烁体S14、S24、S34或S44沿着Y轴方向的宽度。在一些实施例中，两个相邻光电传感器之间的空隙710可以 由隔离材料(例如，电绝缘材料、聚合物等)填充。在一些实施例中，两个相邻光电传感器之间的空隙710 可以是空的(例如，真空，或被空气或另一种气体填充)。
图8A是根据本申请的一些实施例所示的探测器模块800的4×4闪烁体阵列210的俯视图的示意图。 有关4×4闪烁体阵列210的更多描述可以参考本申请的其他部分，例如，图4A及其描述。
图8B是根据本申请的一些实施例所示的探测器模块800的2×4第一光电传感器阵列220a的俯视图 的示意图。所述2×4第一光电传感器阵列220a可以排布在图8A所示的4×4闪烁体阵列210的顶端面。 如图8B所示，所述2×4第一光电传感器阵列220a可以包括两排光电传感器：第一排光电传感器(即， P11、P12、P13、P14)，和第二排光电传感器(即，P21、P22、P23、P24)。第一(或第二)排中的光电传感器可以 沿着X轴方向排布。所述2×4第一光电传感器阵列220a可以包括四列光电传感器：第一列光电传感器(即， P11、P21)、第二列光电传感器(即，P12、P22)、第三列光电传感器(即，P13、P23)、以及第四列光电传感器 (即，P14、P24)。第一(第二、第三或第四)列中的光电传感器可以沿着Y轴方向排布。
光电传感器P11可以与图7A所示的闪烁体S11和S21光耦合。光电传感器P12可以与图7A所示的闪烁体 S12和S22光耦合。光电传感器P13可以与图7A所示的闪烁体S13和S23光耦合。光电传感器P14可以与图7A所 示的闪烁体S14和S24光耦合。光电传感器P21可以与图7A所示的闪烁体S31和S41光耦合。光电传感器P22可 以与图7A所示的闪烁体S32和S42光耦合。光电传感器P23可以与图7A所示的闪烁体S33和S43光耦合。光电 传感器P24可以与图7A所示的闪烁体S34和S44光耦合。
在一些实施例中，一个光电传感器(例如，光电传感器P11、P12、P13、P14、P21、P22、P23或P24)沿着X 轴方向的长度可以等于或者不等于(例如，小于或大于)4×4闪烁体阵列210中的一个闪烁体的宽度。在 一些实施例中，一个光电传感器(例如，光电传感器P11、P12、P13、P14、P21、P22、P23或P24)沿着Y轴方向 的宽度可以等于或者不等于(例如，小于或大于)与所述光电传感器光耦合的闪烁体沿着Y轴方向的宽度 的总和。例如，所述宽度可以是所述总和的一部分(例如，3/4、2/3、1/2等)。因此，闪烁体的至少一部 分可以不被光电传感器所覆盖。在一些实施例中，一个光电传感器(例如，P11)的面积可以是与所述光电 传感器光耦合的闪烁体(例如，S11和S21)的总面积的一部分(例如3/4、2/3、1/2等)。又例如，一个光 电传感器(例如，P11、P12、P13、P14、P21、P22、P23或P24)沿着Y轴方向的宽度可以稍大于与所述光电传感 器光耦合的闪烁体沿着Y轴方向的宽度的总和，并且所述光电传感器沿着Y轴方向与邻近光电传感器不接 触或与其电绝缘。
图8C是根据本申请的一些实施例所示的探测器模块800的4×2第二光电传感器阵列220b的仰视图 的示意图。所述4×2第二光电传感器阵列220b可以包括四排光电传感器：第一排光电传感器(即，P31、 P41)、第二排光电传感器(即，P32、P42)、第三排光电传感器(即，P33、P43)、以及第四排光电传感器(即， P34、P44)。第一(第二、第三或第四)排中的光电传感器可以沿着X轴方向排布。所述4×2第二光电传感 器阵列220b可以包括两列光电传感器：第一列光电传感器(即，P31、P32、P33、P34)，和第二列光电传感器 (即，P41、P42、P43、P44)。第一(或第二)列光电传感器可以沿着Y轴方向排布。
光电传感器P31可以与图7A所示的闪烁体S11和S12光耦合。光电传感器P32可以与图7A所示的闪烁体 S21和S22光耦合。光电传感器P33可以与图7A所示的闪烁体S31和S32光耦合。光电传感器P34可以与图7A所 示的闪烁体S41和S42光耦合。光电传感器P41可以与图7A所示的闪烁体S13和S14光耦合。光电传感器P42可 以与图7A所示的闪烁体S23和S24光耦合。光电传感器P43可以与图7A所示的闪烁体S33和S34光耦合。光电 传感器P44可以与图7A所示的闪烁体S43和S44光耦合。
在一些实施例中，一个光电传感器(例如，光电传感器P31、P32、P33、P34、P41、P42、P43或P44)沿着Y 轴方向的宽度可以等于或者不等于(例如，小于或大于)在4×4闪烁体阵列210中的一个闪烁体的宽度。 在一些实施例中，一个光电传感器(例如，光电传感器P31、P32、P33、P34、P41、P42、P43或P44)沿着X轴方 向的长度可以等于或者不等于(例如，小于或大于)与所述光电传感器光耦合的闪烁体沿着X轴方向的长 度的总和。例如，所述长度可以是所述总和的一部分(例如，3/4、2/3、1/2等)。因此，闪烁体的至少一 部分可以不被光电传感器所覆盖。在一些实施例中，一个光电传感器(例如，P31)的面积可以是与所述 光电传感器光耦合的闪烁体(例如，S11和S12)的总面积的一部分(例如3/4、2/3、1/2等)。又例如，一 个光电传感器(例如，P31、P32、P33、P34、P41、P42、P43或P44)沿着X轴方向的长度可以稍大于与所述光电传感器光耦合的闪烁体沿着X轴方向的长度的总和，并且所述光电传感器沿着X轴方向与邻近光电传感器 不接触或与其电绝缘。
图8D是根据本申请的一些实施例所示的探测器模块800的右视图的示意图。如图8D所示，光电传感 器P41(P42、P43或P44)的一部分可以与闪烁体S14(S24、S34或S44)光耦合。光电传感器P14(或P24)可以与 闪烁体S14和S24(或者S34和S44)光耦合。图8E是根据本申请的实施例所示的探测器模块800的正视图的 示意图。如图8E所示，光电传感器P11(P12、P13或P14)的一部分可以与闪烁体S11(S12、S13或S14)光耦合。 光电传感器P31(或P41)可以与闪烁体S11和S12(或者S13和S14)光耦合。
如图8D和图8E所示，两个相邻光电传感器可以分开一定距离。可以根据光电传感器的尺寸和/或排 布来确定这两个相邻光电传感器之间的距离。例如，两个相邻光电传感器P41和P42之间的距离可以小于闪 烁体S14、S24、S34或S44沿着Y轴方向的宽度。又例如，两个相邻光电传感器P14和P24之间的距离可以大于 闪烁体S14、S24、S34或S44沿着Y轴方向的宽度。在一些实施例中，两个相邻光电传感器之间的空隙810可 以由隔离材料(例如，电绝缘材料、聚合物等)填充。在一些实施例中，两个相邻的光电传感器之间的空 隙810可以是空的(例如，真空，或被空气或另一种气体填充)。
图9是根据本申请的一些实施例所示的处理引擎140的示意图。处理引擎140可以包含获取模块902、 控制模块904、处理模块906、存储模块908、和电子模块910。
获取模块902可以获取数据或信号。在一些实施例中，获取模块902可以从扫描仪110、存储设备150、 终端130、和/或外部数据源(未示出)获取数据。在一些实施例中，所述数据可以包括图像数据、指令等， 或其组合。例如，图像数据可以根据位于探测区域113的物体发射的放射性射线(例如，γ射线)产生。 在一些实施例中，所述图像数据可以包括与所述放射性射线(例如，γ射线)能量相关的信息，与放射性
控制模块904可以生成一个或多个控制参数以控制获取模块902、处理模块906、存储模块908、和/ 或电子模块910。例如，控制模块904可以针对是否获取信号、获取信号的时间，或获取信号的频率对获 取模块902进行控制。又例如，控制模块904可以控制处理模块906选择不同的算法来处理由获取模块902 所获取的数据或信号。在一些实施例中，控制模块904可以接收一个用户(例如，医生、技术人员等)提 供的实时或预定命令，并根据所接收的命令调整获取模块902和/或处理模块906以生成物体的图像。在 一些实施例中，控制模块904可以与PET成像系统100的其他模块进行通信以交换信息或数据。
处理模块906可以处理由处理引擎140的多个模块提供的信息。处理模块906可以处理由获取模块902 获取的数据或信号，由存储模块908获取的数据等。在一些实施例中，处理模块906可以通过图像重构技 术根据所述数据或信号重建一个或多个图像，生成包括一个或多个图像和/或其他相关信息的报告，和/或 执行用于图像重构的任何其他功能。在一些实施例中，处理模块906可以用于根据由第一组光电传感器产 生的第一组电信号和由第二组光电传感器产生的第二组电信号重构图像。
存储模块908可以存储数据或信号、控制参数、经处理的数据或信号等，或其组合。在一些实施例中， 存储模块908可以存储一个或多个程序和/或指令。所述一个或多个程序和/或指令可以由处理引擎140中 的处理器执行，用以实现本申请中描述的示例性方法。例如，存储模块908所存储的由处理引擎140中的 处理器执行的程序和/或指令可以包括获取数据或信号、根据所述数据或信号重建图像，和/或显示任何中 间结果或最终图像。
电子模块910可以为实现处理引擎140的功能提供电子器件支持。在一些实施例中，电子模块910可 以为获取模块902和/或处理模块906提供电子支持。电子模块910可以收集和/或处理探测器组件112产 生的电信号。电子模块910可以包括加法器、乘法器、减法器、放大器、驱动电路、差动电路、积分电路、 计数器、滤波器、一个或多个模拟数字转换器(ADC)、一个检测低限(LLD)电路、一个恒定系数鉴别器 (CFD)电路、一个时间数字转换器(TDC)等，或其任意组合。电子模块910可以将一个模拟信号转换为 一个数字信号，所述模拟信号与闪烁体阵列210接收的放射性射线的能量相关。在一些实施例中，模拟数 字转换器(ADC)可以用于对第一组电信号和第二组电信号进行数字化处理。在一些实施方式中，时间数 字转换器(TDC)用于确定放射性射线与所确定的闪烁体的作用时间。电子模块910可以比较多个数字信 号，分析这些数字信号，并确定这些数字信号在闪烁体阵列210中探测到的放射性射线的碰撞位置和/或 碰撞时间。在一些实施例中，电子模块910可以与第一组光电传感器(例如，第一光电传感器阵列220a) 和/或第二组光电传感器(例如，第二光电传感器阵列220b)连接。在一些实施例中，电子模块910可以 探测第一组光电传感器产生的第一组电信号和第二组光电传感器产生的第二组电信号。在一些实施例中， 电子模块910可以确定与放射性射线发生作用的闪烁体阵列中的闪烁体，所述放射性射线与第一组电信号或第二组电信号中的电信号相关。在一些实施例中，电子模块910可以进一步确定放射性射线在所确定 的闪烁体中的作用深度。在一些实施例中，电子模块910可以进一步包括时间校正单元，所述时间校正单 元用于根据一个放射性射线在所确定的闪烁体中的作用深度校正所述作用时间。有关电子模块910的更多 描述可以参考本申请的其他部分，例如，图12-13及其描述。
在一些实施例中，如图9所示的一个或多个模块可以由如图1所示的示例性PET成像系统100的至少 一部分实现。例如，获取模块902、控制模块904、存储模块908、处理模块906、和/或电子模块910可 以集成到主控台(未示出)中。通过所述主控台，用户可以设定用于扫描对象和获取数据或信号的参数， 并查看结果。所述结果可以是图像、文本、表格、曲线等形式。在一些实施例中，主控台可以通过处理引 擎140和/或外部设备(未示出)来实现。
在一些实施例中，处理引擎140可以由计算机设备实现。在一些实施例中，处理引擎140或处理引擎 140的一部分可以集成到扫描仪110中。在一些实施例中，计算机设备可以包括处理器、存储器、输入/ 输出(I/O)以及通信端口。处理器可以根据本申请描述的技术执行计算机指令(例如，程序代码)，并执 行处理引擎140的功能。计算机指令可以包括执行本申请中所描述的特定功能的例程、程序、对象、组件、 数据结构、过程、模块和功能。在一些实施例中，处理器可以包括一个或多个硬件处理器，如微控制器、 微处理器、精简指令集计算机(RISC)、专用集成电路(ASIC)、专用指令处理器(ASIP)、中央处理器(CPU)、 图形处理器(GPU)、物理运算处理器(PPU)、微控制器单元、数字信号处理器(DSP)、现场可编程逻辑门 阵列(FPGA)、高级精简指令集处理器(ARM)、可编程逻辑器(PLD)、能够执行一个或多个功能的任何电 路或处理器等，或其任意组合。
所述存储器可以存储从扫描仪110、终端130、存储设备150和/或成像系统100的其它组成部分获取 的数据/信息。在一些实施例中，存储器可以包括大容量存储设备、可移动存储设备、不稳定读写存储器、 只读存储器(ROM)等或其任意组合。例如，所述大容量存储设备可以包括磁盘、软盘、光盘、存储卡、 压缩磁盘、磁带等。所述不稳定读写存储器可以包括随机存储器(RAM)。所述RAM可以包括动态RAM(DRAM)、 双倍速率同步动态随机存储器(DDR SDRAM)、静态RAM(SRAM)、晶闸管随机存储器(T-RAM)、零电容随机 存储器(Z-RAM)等。所述ROM可以包括掩模型只读存储器(MROM)、可编程只读存储器(PROM)、可消除 可程序只读存储器(EPROM)、电流可消除可程序只读存储器(EEPROM)、只读光盘(CD-ROM)、数字化多功 能磁盘等。在一些实施例中，存储器可以存储一个或多个程序和/或指令，用以执行本申请所描述的示例 性方法。
输入/输出端(I/O)可以输入和/或输出信号、数据、信息等。在一些实施例中，I/O可以实现用户与 处理引擎140之间的交互。在一些实施例中，I/O可以包括输入设备和输出设备。例如，输入设备可以包 括键盘、鼠标、触摸屏、麦克风等，或其组合。输出设备可以包括显示设备、扬声器、打印机、投影仪等， 或其组合。显示设备可以包括液晶显示器(LCD)、基于发光二极管(LED)的显示器、平板显示器、曲面 银幕、电视设备、阴极射线管(CRT)、触摸屏等，或其组合。
通信端口可以连接到网络(例如，网络120)以便于数据通信。通信端口可以在处理引擎140与扫描 仪110、终端130、和/或存储器150之间建立连接。所述连接可以是有线连接、无线连接、能够进行数据 传输和/或接收的任何其他通信连接、和/或这些连接的任意组合。有线连接可以包括，例如电缆、光缆、 电话线等，或其任意组合。无线连接可以包括，例如BluetoothTM连接、Wi-FiTM连接、WiMaxTM连接、WLAN 连接、ZigBee连接、移动网络连接(例如，3G、4G、5G等)，或其组合。在一些实施例中，通信端口可以 是和/或包括标准化通信端口，例如RS232、RS485等。在一些实施例中，通信端口可以是专门设计的通信 端口。例如，所述通信端口可以根据医学数字成像和通信(DICOM)协议进行设计。
图10是根据本申请的一些实施例所示的获取模块902的示意图。获取模块902可以包括电信号采集 单元1002、位置解码单元1004、时间确定单元1006、和时间校正单元1008。
电信号采集单元1002可以采集由探测器组件112或其某一部分(例如，光电传感器阵列220)所产生 的电信号。在一些实施例中，电信号采集单元1002可以由一个或多个ADC来实现。电信号采集单元1002 可以对电信号进行数字化处理。在一些实施例中，电信号采集单元1002可以以一定的频率采集电信号。 所述频率可以是赫兹(Hz)水平、MHz水平、1000MHz水平，或其它任何水平。
位置解码单元1004可以确定与放射性射线(例如，γ射线)碰撞闪烁体阵列210的作用位置相关的 信息。与所述作用位置相关的信息可以包括在X-Y平面中放射性射线(例如，γ射线)与闪烁体阵列210 发生作用的二维位置(x，y)。有关二维位置(x，y)的更多描述可以参考本申请的其他部分，例如，图 12A-12C及其描述。位置解码单元1004可以根据所述二维位置确定与放射性射线发生作用的闪烁体阵列 210中的闪烁体。与所述作用位置相关的信息可以进一步包括放射性射线在所确定的闪烁体中的作用深度。 在一些实施例中，位置解码单元1004可以确定放射性射线在所确定的闪烁体中的作用深度。位置解码单 元1004可以根据由电信号采集单元1002采集的电信号确定与所述作用位置相关的信息。应当注意，在一 些实施例中，位置解码单元1004可以配置在电子模块910中。
时间确定单元1006可以确定放射性射线与所确定的闪烁体的作用时间。时间确定单元1006可以根据 由电信号采集单元1002采集的电信号确定所述作用时间。有关时间确定单元1006的更多描述可以参考本 申请的其他部分，例如，图13及其描述。
时间校正单元1008可以校正由时间确定单元1006确定的作用时间。在一些实施例中，时间校正单元 1008可以根据放射性射线在所确定的闪烁体中的作用深度校正作用时间。在一些实施例中，时间校正单 元1008可以根据一种或多种时间校正技术(例如，时间校正)校正所述作用时间。在一些实施例中，时 间校正单元1008可以配置在电子模块910中，以根据放射性射线在所确定的闪烁体中的作用深度校正作 用时间。有关时间校正单元1008的更多描述可以参考本申请的其他部分。
在一些实施例中，由时间确定单元1006确定的作用时间或者由时间校正单元1008校正的作用时间可 以用于确定放射性射线的飞行时间。在一些实施例中，处理模块906可以根据与作用位置和作用时间相关 的信息在PET成像中生成一个或多个响应线(LOR)。在本申请中，术语“作用位置”和术语“碰撞位置” 可互换使用。在本申请中，术语“作用时间”和术语“碰撞时间”可互换使用。在一些实施例中，作用深 度可以用于提高响应线(LOR)的精度。在一些实施例中，处理模块906可以根据响应线(LOR)进一步重 构图像。
图11是根据本申请的一些实施例所示的用于PET成像过程的示例性流程图。流程1100的至少一部分 流程可以通过扫描仪110实现。流程1100的至少一部分可以通过计算机设备实现。例如，图11所示的流 程1100可以以指令的形式存储在存储设备150中，并由处理引擎140调用和/或执行。
在1101中，可以通过闪烁体阵列探测放射性射线。放射性射线可以碰撞在闪烁体阵列(例如，图2-8E 所示的闪烁体阵列210)上。放射性射线可以是从探测区域113中的一个物体发射的γ射线。扫描前，放 射性同位素指示剂可以被注入所述物体。所述同位素指示剂的一个或多个原子可以从化学上被并入所述物 体的一个或多个生物活性分子中。活性分子可以在物体的一个或多个感兴趣的组织内聚集。物体可以被放 置于工作台114上，并移动到探测区域113内，以使感兴趣的组织位于扫描仪110的视场(FOV)中。同 位素指示剂可以发生正电子发射衰变，并发射一个或多个正电子。正电子可以在感兴趣的组织内行进一段 较短的距离(例如，约1mm)，失去动能并与物体的电子相互作用。所述正电子和电子可以湮灭并产生一对 湮灭光子。这对湮灭光子(或放射性射线)可以在大致相反的方向上移动。多个放射性射线可以到达探 测器组件112并碰撞闪烁体阵列210。然后，闪烁体阵列210可以吸收所述放射性射线(例如，γ射线) 的能量，并将吸收的能量转换为光。
在1103中，可以基于在1101中通过第一组光电传感器探测到的放射性射线产生第一组电信号。在一 些实施例中，第一组电信号可以由包括第一组光电传感器的第一光电传感器阵列(例如，第一光电传感器 阵列220a)产生。第一光电传感器阵列可以与用于探测放射性射线的闪烁体阵列光耦合。第一组光电传 感器可以将光信号(例如，从闪烁体阵列输出的光)转换为第一组电信号。
在1105中，可以基于在1101中通过第二组光电传感器探测到的放射性射线产生第二组电信号。在一 些实施例中，第二组电信号可以由包括第二组光电传感器的第二光电传感器阵列(例如，第二光电传感器 阵列220b)产生。第二光电传感器阵列可以与用于探测放射性射线的闪烁体阵列光耦合。在一些实施例 中，第二光电传感器阵列可以与第一光电传感器阵列光耦合的闪烁体阵列相同的闪烁体阵列光耦合。第二 组光电传感器可以将光信号(例如，从闪烁体阵列输出的光)转换为第二组电信号。
第二光电传感器阵列的配置可以与第一光电传感器阵列不同。如本申请的其他部分所述，第一光电传 感器阵列220a和第二光电传感器阵列220b可以排布在闪烁体阵列210的不同端面上。第一光电传感器阵 列220a中的光电传感器方位可以不同于第二光电传感器阵列220b中的光电传感器方位。第一光电传感器 阵列220a可以以不同于第二光电传感器阵列220b的方式与闪烁体阵列210光耦合。至少由于第一光电传 感器阵列和第二光电传感器阵列的配置不同，第一组电信号可以包括不同于第二组电信号的信息。
在1107中，可以确定与放射性射线发生作用的闪烁体阵列中的闪烁体。在一些实施例中，放射性射 线可以与第一组电信号的一个电信号和/或第二组电信号的一个电信号相关。例如，可以根据放射性射线 产生所述电信号。在一些实施例中，可以通过电子模块(例如，电子模块910)确定闪烁体。可以根据在 1103中产生的第一组电信号和在1105中产生的第二组电信号确定闪烁体。电子模块910可以通过算法确 定放射性射线与闪烁体阵列210发生作用的二维作用位置(例如，在闪烁体阵列210的X-Y平面的位置(x， y))。在一些实施例中，可以通过算法根据第一组电信号确定放射性射线与闪烁体阵列在第一方向相互作用的第一位置。在一些实施例中，第一方向可以对应X轴方向，所述放射性射线的第一位置可以对应X轴 方向的一个位置，并可以将在X轴方向产生的第一组电信号中能量最大的电信号对应的第一光电传感器的 位置作为第一位置，或者将第一组电信号在X轴方向的能量重心作为第一位置。在一些实施例中，可以通 过算法根据第二组电信号确定放射性射线与闪烁体阵列在第二方向相互作用的第二位置。在一些实施例中， 第二方向可以对应Y轴方向，所述放射性射线的第二位置可以对应Y轴方向的一个位置，并可以将在Y轴 方向产生的第二组电信号中能量最大的电信号对应的第二光电传感器的位置作为第二位置，或者将第二组 电信号在Y轴方向的能量重心作为第二位置。然后，根据所述二维作用位置(例如，第一位置和第二位置) 确定与放射性射线发生作用的闪烁体。碰撞在一些实施例中，所述算法可以包括重心算法、Anger逻辑算 法、最大似然估计算法、或基于人工神经网络模型的定位算法等，或其任何组合。
在1109中，可以确定放射性射线在所确定的闪烁体中的作用深度。作用深度可以由电子模块(例如， 电子模块910)确定。在一些实施例中，作用深度可以根据1103中产生的第一组电信号和1105中产生的 第二组电信号确定。类似于1107，电子模块910可以通过算法确定作用深度。所述算法可以包括重心算法、 Anger逻辑算法、最大似然估计算法、或基于人工神经网络模型的定位算法等，或其任何组合。1109中使 用的算法可以与1107中使用的算法相同或不同。例如，1107和1109中都可以使用重心算法。又例如，1107 可以使用重心算法，而1109可以使用基于人工神经网络模型的定位算法，反之亦然。在一些实施例中， 放射性射线在所确定的闪烁体中的作用深度可以对应在Z轴方向上的一个位置，Z轴方向与第一方向和第 二方向垂直，然后，比例分布系数可以根据与第一组电信号相关的第一能量和与第一组电信号及第二组电 信号相关的第二能量的比值确定。并且，放射性射线在所确定的闪烁体中的作用深度可以根据所述比例分 布系数确定碰撞。在一些实施例中，第一能量可以与第一组电信号的第一总和相关，第二能量可以与第一 组电信号和第二组电信号的第二总和相关。并且，第一组电信号和第二组电信号可以通过至少一个模拟数 字转换器转换，并通过位置解码单元1004处理。
在1111中，可以确定放射性射线与所确定的闪烁体的作用时间。所述作用时间可以通过时间确定单 元1006确定。所述作用时间可以根据1103中产生的第一组电信号和/或1105中产生的第二组电信号确定。 在一些实施例中，所述作用时间可以根据电信号的能量和/或采集时间确定。在一些实施例中，放射性射 线与所确定的闪烁体的作用时间可以通过时间数字转换器(TDC)确定碰撞。在一些实施例中，如果放射 性射线从闪烁体阵列的第一端面与闪烁体阵列发生作用，则确定第一组电信号的第三总和，并根据所述第 一组电信号的第三总和，通过检测低限电路(LLD)或者恒定系数鉴别器(CFD)和时间数字转换器(TDC) 确定作用时间。在一些实施例中，如果放射性射线从闪烁体阵列的第二端面与闪烁体阵列发生作用，则确 定第二组电信号的第四总和，并根据所述第二组电信号的第四总和，通过检测低限电路(LLD)或者恒定 系数鉴别器(CFD)和时间数字转换器(TDC)确定作用时间。有关确定作用时间的更多描述作用时间可以 参考本申请的其他部分，例如，图13及其描述。
在1113中，可以校正在1111中确定的作用时间。所述作用时间可以通过时间校正单元1008校正。 在一些实施例中，所述作用时间可以根据放射性射线在所确定的闪烁体中的作用深度校正。在一些实施例 中，所述作用时间可以通过时间校正技术校正，例如，时间移动校正。有关作用时间校正的更多描述可以 参考本申请的其他部分，例如，图13及其描述。
在1115中，可以产生图像数据。在一些实施例中，可以由处理模块906产生图像数据。在一些实施 例中，图像数据可以根据1103产生的第一组电信号、1105产生的第二组电信号、与所确定的闪烁体相关 的信息(例如，在1107中确定的闪烁体、在1109中确定的作用深度等)、和/或作用时间(例如，在1111 中确定的作用时间、在1113中校正的作用时间等)产生。在一些实施例中，图像数据可以包括与一个或 多个响应线(LOR)相关的数据。在一些实施例中，一个或多个符合事件可以根据多个放射性射线的二维 作用位置和作用时间确定。如果两条放射性射线在一定的时间窗(例如，1ns、2ns、5ns、10ns等)内碰 撞位于探测区域113的相对侧的两个闪烁体，并与其相互作用，则可以确定这两条放射性射线来自相同的湮灭，并作为一个符合事件。在本申请中，如果被扫描物体(或者所述物体的一部分)截断连接两个闪烁 体的线，则这两个闪烁体可以被称为位于探测区域113的相对侧。所述符合事件可以被分配给连接用于探 测所述符合事件的两个相关闪烁体的响应线(LOR)。可以将分配到相同的响应线(LOR)的符合事件投影 并产生图像数据。
需要注意的是，上述对于流程1100的描述，仅为描述方便，并不能把本申请限制在所举实施例范围 之内。可以理解，对于本领域的技术人员来说，在了解该流程1100的工作原理后，可能在不背离这一原 理的情况下，对上述流程作各种修正和改变。例如，1103和1105可以同时或交替地进行。又例如，可 以在1107之前进行1109。又例如，可以在1107和/或1109之前进行1111。再例如，可以省略1113。 又例如，可以在流程1100中添加一个根据1115中产生的图像数据重建图像的操作。所述重建的图像可以 显示物体内的指示剂的分布。在一些实施例中，闪烁体阵列可以进一步被描述为与第一方向平行的S排闪 烁体块和/或与第二方向平行的T列闪烁体块，其中每个闪烁体块可以被描述为与第一方向平行的N排闪 烁体和/或与第二方向平行的M列闪烁体。并且，可以将S个光电传感器产生的电信号的总和作为所述第 一组电信号中的一个电信号，所述S个光电传感器与所述闪烁体阵列的第一端面光耦合，并与所述T列闪 烁体块位于同一列。可以将T个光电传感器产生的电信号的总和作为所述第二组电信号中的一个电信号， 所述T个光电传感器与所述闪烁体阵列的第二端面光耦合，并与所述S排闪烁体块位于同一行。因此，信 号处理操作可以与流程1100相类似。诸如此类的变形，均在本申请的保护范围之内。
图12A-12C是根据本申请的一些实施例所示的用于确定与所接收的放射性射线的作用位置相关的信 息的电子器件的示意图。作用位置的确定可以通过位置解码单元1006实现。放射性射线(例如，γ射线) 的作用位置可以根据一种或多种算法确定。所述算法可以包括重心(即，重力中心)算法、Anger逻辑算 法、最大似然估计算法、基于统计的定位算法，三维非线性定位算法，基于人工神经网络模型的定位算法 等，或其组合。
在一些实施例中，放射性射线的作用位置可以根据第一组电信号(例如，图12A所示的信号Y1、……、 信号YN)和第二组电信号(例如，图12A所示的信号X1、......、信号XM)确定碰撞。第一组电信号可以 由N×1第一光电传感器阵列220a产生。第二组电信号可以由1×M第二光电传感器阵列220b产生。在一 些实施例中，N×1第一光电传感器阵列220a可以排布在N×M闪烁体晶体阵列210的顶端面，1×M第二 光电传感器阵列220b可以排布在N×M闪烁体阵列210的底端面。
在一些实施例中，第一组电信号的第一电信号或者第二组电信号的第二电信号可以包括一个脉冲 信号。第一电信号或第二电信号可以包括关于放射性射线的能量的信息。第一组电信号(例如，图12A 所示的信号Y1、......、YN)和第二组电信号(例如，图12A所示的信号X1、......、XM)可以通过 一个或多个模拟数字转换器(ADC)转换为数字信号。典型的ADC可以包括闪存ADC、逐次逼近ADC、 跃升-比较ADC、威尔金森ADC、集成ADC、Δ编码ADC、流水线ADC、Σ-ΔADC、时间交织ADC等，或 其组合。模拟数字转换器可以以一定的频率对电信号进行采样。所述频率可以是赫兹(Hz)水平、MHz 水平、1000MHz水平等。在一些实施例中，可以在几纳秒内对电信号进行采样，例如，从一纳秒到二 十纳秒。如图12A所示，信号YN(N≥1)和信号XM(M≥1)可以通过与它们连接的ADC转换为数字信 号。这些数字信号可以被传输至位置解码单元1004。
在一些实施例中，所接收的放射性射线的作用位置可以根据重心(即，重力中心)算法确定。可以通 过重力中心来确定质量的平均位置。例如，可以根据下列方程(1)和方程(2)确定在闪烁体阵列210的 X-Y平面内的二维作用位置(x，y)：
其中，x为对应于X轴的坐标位置，y为对应于Y轴的坐标位置，Xj为信号Xj表示的能量，Yi为信号 Yi表示的能量。
在一些实施例中，可以根据二维作用位置(x，y)确定与放射性射线发生作用的一个闪烁体。在一些 实施例中，x可以在第一范围[0，C1]、第二范围[C1，C2]、......、第j个范围[Cj-1,1]中的一个范围中， 其中C1、C2、......、Cj-1为预设系数。如果x在第j个范围内，则可以确定所述闪烁体在闪烁体阵列210 的第j列中。同样地，y可以在第一范围[0，D1]、第二范围[D1，D2]、......、第i个范围[Di-1,1]中的一 个范围中，其中D1、D2、......、Di-1为预设系数。如果y在第i个范围内，则可以确定所述闪烁体在闪烁 体阵列210的第i排中。因此，位于第i排和第j列的闪烁体可以被确定为与所述放射性射线发生作用。 在一些实施例中，预设系数C1、C2、......、Cj-1和D1、D2、......、Di-1可以根据成像系统100的默认或 预定设置设定，或者由用户设定。
在一些实施例中，二维作用位置(x，y)可以根据信号Y1、......、YN中的第一最大能量，和信号X1、......、 XM中的第二最大能量来确定。例如，如果N等于4且M等于4(见图3A中的探测器模块300)，则可以采 样八个信号X1、X2、X3、X4、Y1、Y2、Y3和Y4。第一最大量能量Ymax可以根据信号Y1、Y2、Y3和Y4确定。第二 最大能量Xmax可以根据信号X1、X2、X3和X4确定。如果探测第一最大能量Ymax的光电传感器为PYi(i＝1、2、 3或4)，则可以确定闪烁体在闪烁体阵列210的第i排。如果探测第二最大能量Xmax的光电传感器为PXj(j＝1、 2、3或4)，则可以确定闪烁体在闪烁体阵列210的第j列。因此，位于第i排和第j列的闪烁体可以被 确定为与接收到的放射性射线发生作用。在一些实施例中，第一最大能量Ymax可以通过第一比较器(未示 出)确定，第二最大能量Xmax可以通过第二比较器(未示出)确定。
在一些实施例中，可以通过重心(即，重力中心)算法确定接收的放射性射线在所确定的闪烁体中的 作用深度。例如，所述作用深度可以根据下述方程(3)或方程(4)确定：
其中，z为所确定的闪烁体在Z轴方向的作用深度。例如，如果N等于4且M等于4，则可以接收八 个信号X1、X2、X3、X4、Y1、Y2、Y3和Y4。接收的放射性射线在所确定的闪烁体中的作用深度可以根据下述 方程(5)或方程(6)确定：
在一些实施例中，方程(3)-(6)中的和/或可以通过一个或多个加法器(见图12B中 的SUM)确定。例如，第一加法器可以与由相应的ADC数字化处理后的信号Y1’、......、YN’连接，以 确定信号Y1、......、YN的能量的总和(即，)。又例如，第二加法器可以与由相应的ADC数字化处 理后的信号X1’、......、XM’连接，以确定信号X1、......、XM的能量的总和(即，)。再例如， 第三加法器可以与第一加法器和第二加法器连接，以确定信号Y1、......、YN和X1、......、XM的能量的 总和(即，)。可以将能量的总和和/或单个信号传输至位置解码单元1004以确定作用位 置。在一些实施例中，如图12B所示，加法器可以集成在位置解码单元1004中。在一些实施例中，一个 或多个加法器可以不集成在位置解码单元1004中。
例如，如果N等于2且M等于2(见图6A中的探测器模块600)，则如图12C所示，可以接收四个信 号X1、X2、Y1和Y2。根据下述方程(7)和方程(8)可以确定在闪烁体阵列210的X-Y平面中的一个二维 作用位置(x，y)。在一些实施例中，所述二维作用位置(x，y)也可以根据下述方程(9)和方程(10) 确定。
作用深度可以根据下述方程(11)或方程(12)确定：
如图12C所示，第一加法器可以接收由相应的ADC数字化处理后的信号Y1’和Y2’，以确定信号Y1和Y2(即，在方程(8)和(10)至(12)中的Y1+Y2)的能量的总和。第二加法器可以接收由相应的ADC 数字化处理后的信号X1’和X2’，以确定信号X1和X2(即，在方程(7)、(9)、(11)和(12)中的 X1+X2)的能量的总和。可以将能量的总和和/或单个信号传输至位置解码单元1004以确定作用位置。在一 些实施例中，加法器可以集成在位置解码单元1004中。在一些实施例中，如图12C所示，一个或多个加 法器可以不集成在位置解码单元1004中。
图13是根据本申请的一些实施例所示的用于确定与接收的放射性射线的作用时间相关的信息的电子 器件的示意图。一个放射性射线的作用时间可以是放射性射线的一个粒子与闪烁体阵列210中所确定的 闪烁体发生作用的时间。作用时间的确定可以由时间确定单元1006实现。在一些实施例中，如图13所示， 作用时间可以通过检测低限(LLD)电路(或恒定系数鉴别器(CFD)电路)和时间数字转换器(TDC)确 定。
在一些实施例中，可以将信号Y1、......、YN的第一能量总和，和信号X1、......、XM的第二能量总 和分别与第一能量阈值和第二能量阈值进行比较。第一能量阈值和/或第二能量阈值可以是400KeV、500KeV、 600KeV等。在一些实施例中，第一能量阈值可以与第二能量阈值相同或不同。如果第一(或第二)能量总 和大于第一(或第二)能量阈值，则可以确定接收的放射性射线与闪烁体阵列210的相互作用为有效事件。 在一些实施例中，可以通过检测低限(LLD)电路或恒定系数鉴别器(CFD)电路确定接收的放射性射线作 用是否为有效事件。
如果确定放射性射线与所确定的闪烁体的相互作用为有效事件，则可以将信号Y1、......、YN，信号 X1、......、XM，信号Y1、......、YN的第一能量总和，信号X1、......、XM的第二能量总和，和/或这些 信号的采样时间传输至时间数字转换器(TDC)，以确定所述放射性射线的作用时间。TDC可以包括基于ASIC 的TDC、基于FPGA的TDC等，或其组合。TDC可以基于直接计数技术、游标技术、抽头延迟线技术、差分 延迟链技术等，或其组合技术工作。
在一些实施例中，作用时间内可能存在时间移动误差。在一些实施例中，可以根据作用深度和时间校 正技术校正所述作用时间。作用时间的校正可以由时间校正单元1008来实现。时间校正技术可以包括无 感时间校正、时间移动校正等。如图13所示，可以使用时间移动校正技术。在一些实施例中，电信号(例 如，信号Y1’、......、YN’、X1’、......、或XM’)的初始时间t1可以根据基于时间的读取(TBR)电 路确定。然后，时间移动误差可以基于t1与其信号幅度之间的定量关系来校正。关于时间移动误差的校正 可以参考本申请所引用的文献：Energy and Timing Measurement with Time-Based Detector Readout forPET Applications:Principle and Validation with Discrete Circuit Components。
上文已对基本概念做了描述，显然，对于本领域技术人员来说，上述发明披露仅仅作为示例，而并不 构成对本申请的限定。虽然此处并没有明确说明，本领域技术人员可能会对本申请进行各种修改、改进和 修正。该类修改、改进和修正在本申请中被建议，所以该类修改、改进、修正仍属于本申请示范实施例的 精神和范围。
同时，本申请使用了特定词语来描述本申请的实施例。如“一个实施例”、“一实施例”、和/或“一些 实施例”意指与本申请至少一个实施例相关的某一特征、结构或特点。因此，应强调并注意的是，本说明 书中在不同位置两次或多次提及的“一实施例”或“一个实施例”或“一替代性实施例”并不一定是指同 一实施例。此外，本申请的一个或多个实施例中的某些特征、结构或特点可以进行适当的组合。
此外，本领域技术人员可以理解，本申请的各方面可以通过若干具有可专利性的种类或情况进行说明 和描述，包括任何新的和有用的工序、机器、产品或物质的组合，或对他们的任何新的和有用的改进。相 应地，本申请的各个方面可以完全由硬件执行、可以完全由软件(包括固件、常驻软件、微码等)执行、 也可以由硬件和软件组合执行。以上硬件或软件均可被称为“数据块”、“模块”、“引擎”、“单元”、“组件” 或“系统”。此外，本申请的各方面可能表现为位于一个或多个计算机可读介质中的计算机产品，该产品 包括计算机可读程序编码。
计算机可读信号介质可能包含一个内含有计算机程序编码的传播数据信号，例如在基带上或作为载波 的一部分。该传播信号可能有多种表现形式，包括电磁形式、光形式等等、或合适的组合形式。计算机可 读信号介质可以是除计算机可读存储介质之外的任何计算机可读介质，该介质可以通过连接至一个指令执 行系统、装置或设备以实现通讯、传播或传输供使用的程序。位于计算机可读信号介质上的程序编码可以 通过任何合适的介质进行传播，包括无线电、电缆、光纤电缆、射频信号、或类似介质、或任何上述介质 的组合。
本申请各部分操作所需的计算机程序编码可以用任意一种或多种程序语言编写，包括朝向对象编程语 言如Java、Scala、Smalltalk、Eiffel、JADE、Emerald、C++、C#、VB.NET、Python等，常规程序化编 程语言如C语言、Visual Basic、Fortran 2003、Perl、COBOL 2002、PHP、ABAP，动态编程语言如Python、 Ruby和Groovy，或其他编程语言等。该程序编码可以完全在用户计算机上运行、或作为独立的软件包在 用户计算机上运行、或部分在用户计算机上运行部分在远程计算机运行、或完全在远程计算机或服务器上 运行。在后种情况下，远程计算机可以通过任何网络形式与用户计算机连接，比如局域网(LAN)或广域网(WAN)，或连接至外部计算机(例如通过因特网)，或在云计算环境中，或作为服务使用如软件即服务 (SaaS)。
此外，除非权利要求中明确说明，本申请所述处理元素和序列的顺序、数字字母的使用、或其他名称 的使用，并非用于限定本申请流程和方法的顺序。尽管上述披露中通过各种示例讨论了一些目前认为有用 的发明实施例，但应当理解的是，该类细节仅起到说明的目的，附加的权利要求并不仅限于披露的实施例， 相反，权利要求旨在覆盖所有符合本申请实施例实质和范围的修正和等价组合。例如，虽然以上所描述的 系统组件可以通过硬件设备实现，但是也可以只通过软件的解决方案得以实现，如在现有的服务器或移动 设备上安装所描述的系统。
同理，应当注意的是，为了简化本申请披露的表述，从而帮助对一个或多个发明实施例的理解，前文 对本申请实施例的描述中，有时会将多种特征归并至一个实施例、附图或对其的描述中。但是，这种披露 方法并不意味着本申请对象所需要的特征比权利要求中提及的特征多。实际上，实施例的特征要少于上述 披露的单个实施例的全部特征。
一些实施例中使用了描述成分、属性数量的数字，应当理解的是，此类用于实施例描述的数字，在一 些示例中使用了修饰词“大约”、“近似”或“大体上”来修饰。除非另外说明，“大约”、“近似”或“大 体上”表明所述数字允许有±20％的变化。相应地，在一些实施例中，说明书和权利要求中使用的数值参 数均为近似值，该近似值根据个别实施例所需特点可以发生改变。在一些实施例中，数值参数应考虑规定 的有效数位并采用一般位数保留的方法。尽管本申请一些实施例中用于确认其范围广度的数值域和参数为 近似值，在具体实施例中，此类数值的设定在可行范围内尽可能精确。
针对本申请引用的每个专利、专利申请、专利申请公开物和其他材料，如文章、书籍、说明书、出版 物、文档等，特此将其全部内容并入本申请作为参考。与本申请内容不一致或产生冲突的申请历史文件除 外，对本申请权利要求最广范围有限制的文件(当前或之后附加于本申请中的)也除外。需要说明的是， 如果本申请附属材料中的描述、定义、和/或术语的使用与本申请所述内容有不一致或冲突的地方，以本 申请的描述、定义和/或术语的使用为准。
最后，应当理解的是，本申请中所述实施例仅用以说明本申请实施例的原则。其他的变形也可能属于 本申请的范围。因此，作为示例而非限制，本申请实施例的替代配置可视为与本申请的教导一致。相应地， 本申请的实施例不仅限于本申请明确介绍和描述的实施例。

Claims (10)

1.一种PET成像方法，其特征在于，包括：
通过闪烁体阵列探测多束放射性射线，所述闪烁体阵列包括沿第一方向排列的N排闪烁体和沿第二方向排列的M列闪烁体；
基于所述多束放射性射线，通过第一组光电传感器产生第一组电信号，所述第一组光电传感器与所述闪烁体阵列的第一端面光耦合，并沿所述第二方向扩展为多排；
基于所述多束放射性射线，通过第二组光电传感器产生第二组电信号，所述第二组光电传感器与所述闪烁体阵列的第二端面光耦合，并沿所述第一方向扩展为多列；以及
通过电子模块确定与放射性射线发生作用的所述闪烁体阵列中的闪烁体，所述放射性射线与所述第一组电信号或第二组电信号中的电信号相关。
2.如权利要求1所述的PET成像方法，其特征在于，所述通过电子模块确定与所述放射性射线发生作用的所述闪烁体阵列中的闪烁体，且所述放射性射线与所述第一组电信号或第二组电信号中的电信号相关，包括：
根据所述第一组电信号确定所述放射性射线与所述闪烁体阵列在所述第一方向相互作用的第一位置；
根据所述第二组电信号确定所述放射性射线与所述闪烁体阵列在所述第二方向相互作用的第二位置；以及
根据所述第一位置和所述第二位置，确定与所述放射性射线发生作用的闪烁体阵列中的闪烁体。
3.如权利要求1所述的PET成像方法，其特征在于，进一步包括：
通过时间数字转换器确定所述放射性射线与所述确定的闪烁体的作用时间。
4.如权利要求3所述的PET成像方法，其特征在于，进一步包括：
根据所述第一组电信号和第二组电信号，确定所述放射性射线在所述确定的闪烁体中的作用深度；
根据所述放射性射线撞击所述确定的闪烁体的作用深度校正所述作用时间。
5.如权利要求2所述的PET成像方法，其特征在于，所述第一方向对应X轴方向，所述放射性射线的第一位置对应所述X轴方向的一个位置，并且，所述确定放射性射线与所述闪烁体阵列在所述第一方向相互作用的第一位置包括：
将一个第一光电传感器的位置作为所述第一位置，所述第一光电传感器在平行于X轴方向分布的第一组光电传感器中产生的电信号的能量最大；或者
将所述平行于X轴方向分布的第一组电信号的能量重心位置作为所述第一位置。
6.如权利要求2所述的PET成像方法，其特征在于，所述第二方向对应Y轴方向，所述放射性射线的第二位置对应所述Y轴方向的一个位置，并且，所述确定放射性射线与所述闪烁体阵列在所述第二方向相互作用的第二位置包括：
将一个第二光电传感器的位置作为所述第二位置，所述第二光电传感器在平行于Y轴方向分布的第二组光电传感器中产生的电信号的能量最大；或者
将所述平行于Y轴方向分布的第二组电信号的能量重心位置作为所述第二位置。
7.如权利要求4所述的PET成像方法，其特征在于，所述放射性射线在所述确定的闪烁体中的作用深度对应在Z轴方向上的一个位置，所述Z轴方向与所述第一方向和所述第二方向垂直，并且，所述确定所述放射性射线在所述确定的闪烁体中的作用深度包括：
根据与所述第一组电信号相关的第一能量和与所述第一组电信号及第二组电信号相关的第二能量的比值确定比例分布系数；以及
根据所述比例分布系数，确定所述放射性射线在所述确定的闪烁体中的作用深度。
8.如权利要求7所述的PET成像方法，其特征在于，所述第一能量与所述第一组电信号的第一总和相关，所述第二能量与所述第一组电信号和所述第二组电信号的第二总和相关，并且，所述第一组电信号和所述第二组电信号通过至少一个模拟数字转换器转换，并通过位置解码单元处理。
9.如权利要求3所述的PET成像方法，其特征在于，所述放射性射线从所述闪烁体阵列的第一端面与闪烁体阵列发生作用，并且，所述确定作用时间包括：
确定所述第一组电信号的第三总和；以及
根据所述第一组电信号的第三总和，通过所述通过低限检测电路或者恒定系数鉴别器，和时间数字转换器确定所述作用时间。
10.如权利要求1所述的PET成像方法，其特征在于，所述闪烁体阵列包括沿第一方向排列的S排探测器块和沿第二方向排列的T列闪烁体块，每个所述闪烁体块包括沿第一方向排列的N排闪烁体和沿第二方向排列的M列闪烁体，并且，所述方法进一步包括：
将S个光电传感器产生的电信号的总和作为所述第一组电信号中的一个电信号，所述S个光电传感器与所述闪烁体阵列的第一端面光耦合，所述S个光电传感器位于同一列且与所述T列闪烁体块的某一列中的S个闪烁体块一一对应；以及
将T个光电传感器产生的电信号的总和作为所述第二组电信号中的一个电信号，所述T个光电传感器与所述闪烁体阵列的第二端面光耦合，所述T个光电传感器位于同一排且与所述S排闪烁体块的某一排中的T个闪烁体块一一对应。
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