CN108054257A - 新型基于GaN的LED器件结构 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及一种新型基于GaN的LED器件结构。该器件结构包括：导电衬底410；第二反光层409，设置于所述导电衬底410上；第一反光层408，设置于所述第二反光层409上；金属电极层407，设置于第一反光层408上；第一GaN蓝光外延层10A、GaN黄光外延层20、GaN绿光外延层30、GaN红光外延层40以及第二GaN蓝光外延层10B，依次横向排列且设置于所述金属电极层407上；阳极电极56，设置于所述导电衬底410下。本发明通过将多种色彩的材料设置在同一LED器件中，产生多种颜色的光，可以解决现有技术中LED封装器件涂覆荧光粉导致LED器件发光效率低、集成度低的缺陷。
Description
技术领域
本发明涉及集成电路技术领域，特别涉及一种新型基于GaN的LED器件结构。
背景技术
LED(Lighting Emitting Diode)即发光二极管，是一种半导体固体发光器件。它是利用固体半导体芯片作为发光材料，在半导体中通过载流子发生复合放出过剩的能量而引起光子发射，直接发出红、黄、蓝、绿色的光。LED为一种新型的固态光源，其具有体积小、发光效率高、能耗低、寿命长、无汞污染、全固态、响应迅速、工作电压低、安全可靠等诸多方面的优点。
利用三基色原理，在LED器件封装时添加荧光粉，可以发出任意颜色的光，因此可以利用LED作为光源进行照明。现有技术中，LED涂敷荧光粉的方式主要有：荧光粉远离芯片、荧光粉均匀分布在封装材料和荧光粉紧贴芯片表面的封装方式。其中荧光粉均匀分布在封装材料的封装方式容易操作，但该封装方式荧光粉的激发效率较低；由于荧光粉远离芯片的工艺繁杂且难以控制至今还未实现工业化生产；荧光粉紧贴芯片的封装方式是借助中介封装材料与芯片粘结在一起，缺陷是中介封装材料的折射率较低，芯片发出的光容易产生全反射而导致热量聚集，反而降低芯片的出光效率并影响荧光粉的激发(荧光粉所处的激发温度相对较高)。将荧光粉直接涂覆已固晶焊线的半成品上，这又会造成荧光粉的大量浪费。
因此，如何设计出一种新型的LED，减少荧光粉的涂敷就变得极其重要。
发明内容
因此，为解决现有技术存在的技术缺陷和不足，本发明提出一种新型基于GaN的LED器件结构。
具体地，本发明一个实施例提出的一种新型基于GaN的LED器件结构，包括：
导电衬底410；
第二反光层409，设置于所述导电衬底410上；
第一反光层408，设置于所述第二反光层409上；
金属电极层407，设置于第一反光层408上；
第一GaN蓝光外延层10A、GaN黄光外延层20、GaN绿光外延层30、GaN红光外延层40以及第二GaN蓝光外延层10B，依次横向排列且设置于所述金属电极层407上；
阳极电极56，设置于所述导电衬底410下。
在本发明的一个实施例中，所述导电衬底410为掺杂Si片、铝板或者铜板。
在本发明的一个实施例中，所述金属电极层407的材料为金属Ni或者金属Au。
在本发明的一个实施例中，所述第一GaN蓝光外延层10A和所述第二GaN蓝光外延层10B材料相同均包括第一GaN缓冲层101、第一GaN稳定层102、第一n型GaN层103、第一有源层104、第一AlGaN阻挡层105以及第一p型GaN层106；其中，所述第一有源层104包括依次周期性层叠分布的第一GaN势垒层104a和第一InGaN量子阱层104b。
在本发明的一个实施例中，所述GaN黄光外延层20包括第二GaN缓冲层201、第二GaN稳定层202、第二n型GaN层203、第二有源层204、第二AlGaN阻挡层205以及第二p型GaN层206；其中，所述第二有源层204包括依次周期性层叠分布的第二GaN势垒层204a和第二nGaN量子阱层204b。
在本发明的一个实施例中，所述GaN绿光外延层30包括第三GaN缓冲层301、第三GaN稳定层302、第三n型GaN层303、第三有源层304、第三AlGaN阻挡层305以及第三p型GaN层306；其中，所述第三有源层304包括依次周期性层叠分布的第三GaN势垒层304a和第三nGaN量子阱层304b。
在本发明的一个实施例中，所述GaN红光外延层40包括第四GaN缓冲层401、n型GaAs缓冲层402、n型GaAs稳定层403、第四有源层404、p型A1GaInP阻挡层405以及p型GaAs层406；其中，所述第四有源层404包括依次周期性层叠分布的GalnP势垒层404a和A1GaInP量子阱层404b。
在本发明的一个实施例中，还包括第一阴极电极51、第二阴极电极52、第三阴极电极53、第四阴极电极54以及第五阴极电极55，其中，所述第一阴极电极51设置于所述第一GaN蓝光外延层10A上，所述第二阴极电极52设置于所述GaN黄光外延层20上，所述第三阴极电极53设置于所述GaN绿光外延层30上，所述第四阴极电极54设置于所述GaN红光外延层40上，所述第五阴极电极55设置于所述第二GaN蓝光外延层10B上。
在本发明的一个实施例中，还包括第一隔离层12、第二隔离层12、第三隔离层22、第四隔离层32，其中，所述第一隔离层12设置于所述GaN黄光外延层20的四周，所述第二隔离层22设置于所述GaN绿光外延层30的四周，所述第三隔离层32设置于所述GaN红光外延层40的四周，所述第四隔离层42设置于所述第二GaN蓝光外延层10B的四周。
在本发明的一个实施例中，所述阳极电极56为整个器件的共用电极。
本发明具有如下有益效果：
1)本发明将多种色彩的材料设置在同一LED器件中，单LED芯片即可产生多种颜色的光，因此极大地减小荧光粉的涂覆；
2)本发明将多种色彩的材料设置在同一LED器件中，器件集成度高，降低LED的生产成本；
3)本发明通过分别设置不同色彩材料的电极控制不同色彩材料的LED发光，可以更加灵活地调节LED的发光颜色；
4)本发明在制造过程中采用衬底片键合与激光剥离技术相结合将GaN外延片从蓝宝石衬底转移到具有良好电、热导特性的衬底材料上，可以提升器件的散热效率，延长器件的使用寿命；
5)本发明提出的器件电极上下垂直分布，彻底解决了正装、倒装结构LED芯片中因为电极平面分布、电流侧向注入导致的诸如散热，电流分布不均匀、可靠性等一系列问题。
通过以下参考附图的详细说明，本发明的其它方面和特征变得明显。但是应当知道，该附图仅仅为解释的目的设计，而不是作为本发明的范围的限定，这是因为其应当参考附加的权利要求。还应当知道，除非另外指出，不必要依比例绘制附图，它们仅仅力图概念地说明此处描述的结构和流程。
附图说明
下面将结合附图，对本发明的具体实施方式进行详细的说明。
图1为本发明实施例提供的一种新型基于GaN的LED器件结构示意图；
图2为本发明实施例提供的一种GaN蓝光外延层的生长示意图；
图3为本发明实施例提供的一种第一有源层的生长示意图；
图4为本发明实施例提供的一种黄光灯芯槽的制备示意图；
图5为本发明实施例提供的一种GaN黄光外延层的生长示意图；
图6为本发明实施例提供的一种第二有源层的生长示意图；
图7为本发明实施例提供的一种绿光灯芯槽的制备示意图；
图8为本发明实施例提供的一种GaN绿光外延层的生长示意图；
图9为本发明实施例提供的一种第三有源层的生长示意图；
图10为本发明实施例提供的一种红光灯芯槽的制备示意图；
图11为本发明实施例提供的一种GaN红光外延层的生长示意图；
图12为本发明实施例提供的一种第四有源层的生长示意图；
图13为本发明实施例提供的一种蓝光隔离示意图；
图14为本发明实施例提供的一种导电衬底的制备示意图；
图15为本发明实施例提供的一种电极制作俯视示意图；
图16为本发明实施例提供的一种电极制作剖面示意图。
具体实施方式
为使本发明的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图对本发明的具体实施方式做详细的说明。
实施例一
请参见图1，图1为本发明实施例提供的一种新型基于GaN的LED器件结构示意图。该器件结构包括：
导电衬底410；
第二反光层409，设置于所述导电衬底410上；
第一反光层408，设置于所述第二反光层409上；
金属电极层407，设置于第一反光层408上；
第一GaN蓝光外延层10A、GaN黄光外延层20、GaN绿光外延层30、GaN红光外延层40以及第二GaN蓝光外延层10B，依次横向排列且设置于所述金属电极层407上；
第一阴极电极51、第二阴极电极52、第三阴极电极53、第四阴极电极54以及第五阴极电极55，其中，所述第一阴极电极51设置于所述第一GaN蓝光外延层10A上，所述第二阴极电极52设置于所述GaN黄光外延层20上，所述第三阴极电极53设置于所述GaN绿光外延层30上，所述第四阴极电极54设置于所述GaN红光外延层40上，所述第五阴极电极55设置于所述第二GaN蓝光外延层10B上；
第一隔离层12、第二隔离层12、第三隔离层22、第四隔离层32，其中，所述第一隔离层12设置于所述GaN黄光外延层20的四周，所述第二隔离层22设置于所述GaN绿光外延层30的四周，所述第三隔离层32设置于所述GaN红光外延层40的四周，所述第四隔离层42设置于所述第二GaN蓝光外延层10B的四周；
阳极电极56，设置于所述导电衬底410下。
其中，所述导电衬底410为掺杂Si片、铝板或者铜板，所述金属电极层407的材料为金属Ni或者金属Au。
其中，所述第一GaN蓝光外延层10A和所述第二GaN蓝光外延层10B材料相同均包括第一GaN缓冲层101、第一GaN稳定层102、第一n型GaN层103、第一有源层104、第一AlGaN阻挡层105以及第一p型GaN层106；其中，所述第一有源层104包括依次周期性层叠分布的第一GaN势垒层104a和第一InGaN量子阱层104b。
其中，所述GaN黄光外延层20包括第二GaN缓冲层201、第二GaN稳定层202、第二n型GaN层203、第二有源层204、第二AlGaN阻挡层205以及第二p型GaN层206；其中，所述第二有源层204包括依次周期性层叠分布的第二GaN势垒层204a和第二nGaN量子阱层204b。
其中，所述GaN绿光外延层30包括第三GaN缓冲层301、第三GaN稳定层302、第三n型GaN层303、第三有源层304、第三AlGaN阻挡层305以及第三p型GaN层306；其中，所述第三有源层304包括依次周期性层叠分布的第三GaN势垒层304a和第三nGaN量子阱层304b。
其中，所述GaN红光外延层40包括第四GaN缓冲层401、n型GaAs缓冲层402、n型GaAs稳定层403、第四有源层404、p型A1GaInP阻挡层405以及p型GaAs层406；其中，所述第四有源层404包括依次周期性层叠分布的GalnP势垒层404a和A1GaInP量子阱层404b。
其中，所述阳极电极56为整个器件的共用电极。
本实施例通过将多种色彩的材料设置在同一LED器件中，产生多种颜色的光，可以解决现有技术中LED封装器件涂覆荧光粉导致LED器件发光效率低、集成度低的缺陷。
实施例二
请参见图2～图16，图2为本发明实施例提供的一种GaN蓝光外延层的生长示意图；图3为本发明实施例提供的一种第一有源层的生长示意图；图4为本发明实施例提供的一种黄光灯芯槽的制备示意图；图5为本发明实施例提供的一种GaN黄光外延层的生长示意图；图6为本发明实施例提供的一种第二有源层的生长示意图；图7为本发明实施例提供的一种绿光灯芯槽的制备示意图；图8为本发明实施例提供的一种GaN绿光外延层的生长示意图；图9为本发明实施例提供的一种第三有源层的生长示意图；图10为本发明实施例提供的一种红光灯芯槽的制备示意图；图11为本发明实施例提供的一种GaN红光外延层的生长示意图；图12为本发明实施例提供的一种第四有源层的生长示意图；图13为本发明实施例提供的一种蓝光隔离示意图；图14为本发明实施例提供的一种导电衬底的制备示意图；图15为本发明实施例提供的一种电极制作俯视示意图；图16为本发明实施例提供的一种电极制作剖面示意图，在上述实施例的基础上，本实施例将较为详细地对本发明的工艺流程进行介绍。该方法包括：
S10、GaN蓝光外延层的生长，如图2和图3所示
S101、选取蓝宝石衬底11，其中蓝宝石的晶面为(0001)，在蓝宝石衬底11上生长第一GaN缓冲层101，第一GaN缓冲层101的厚度为3000～5000纳米，生长温度为400-600℃；
优选地，第一GaN缓冲层101的厚度为4000纳米；
优选地，第一GaN缓冲层101的生长温度为500℃。
S102、将温度升高至900-1050℃，在第一GaN缓冲层101上生长第一GaN稳定层102，第一GaN稳定层102的厚度为500～1500纳米；
优选地，第一GaN稳定层102的厚度为1000纳米；
优选地，第一GaN稳定层102的生长温度为1000℃。
S103、保持S102中的温度不变，在第一GaN稳定层102上生长第一n型GaN层103，第一n型GaN层103的厚度为200～1000纳米，掺杂杂质为Si，掺杂浓度为1x1018～5x1019cm-3；
优选地，第一n型GaN层103的生长温度为1000℃；
优选地，第一n型GaN层103的厚度为400纳米；
优选地，第一n型GaN层103的掺杂浓度为1x1019cm-3。
S104、在第一n型GaN层103上生长第一有源层104，第一有源层104为InGaN/GaN多量子阱结构。具体地，InGaN/GaN多量子阱结构为第一InGaN量子阱层104b和第一GaN势垒层104a依次周期层叠形成，层叠周期为8～30。第一InGaN量子阱层104b的生长温度为650～750℃，厚度为1.5～3.5纳米，其中In的含量约为10～20％，In的含量依据光波长定，含量越高光波波长越长。第一GaN势垒层104a的生长温度为750～850℃，厚度为5～10纳米；
优选地，第一InGaN量子阱层104b的生长温度为750℃；
优选地，第一InGaN量子阱层104b的厚度为2.8纳米；
优选地，第一GaN势垒层104a的生长温度为850℃；
优选地，第一GaN势垒层104a的厚度为5纳米；
优选地，第一InGaN量子阱层104b和第一GaN势垒层104a的层叠周期为20。
S105、将温度升高至850～950℃，在第一有源层104上生长p型第一AlGaN阻挡层105，第一AlGaN阻挡层105的厚度为10～40纳米；
优选地，第一AlGaN阻挡层105的生长温度为900℃；
优选地，第一AlGaN阻挡层105的生长温度为20纳米。
S106、在第一AlGaN阻挡层105上生长第一p型GaN层106，作为接触用，第一p型GaN层106的厚度为100～300纳米的；
优选地，第一p型GaN层106的生长温度为900℃；
优选地，第一p型GaN层106的厚度为200纳米。
S11、在器件中制作黄光灯芯槽，如图4所示：
S111、利用PECVD工艺在第一p型GaN 106表面淀积一层SiO2层，厚度为300～800纳米，优选地SiO2层的厚度为500纳米；
S112、利用湿法刻蚀工艺在SiO2层上刻蚀一个矩形窗口，矩形窗口的长和宽分别大于50微米，小于300微米，优选地，矩形窗口的长和宽为100微米；
S113、利用干法刻蚀工艺刻蚀SiO2矩形窗口下的材料，一直刻蚀到蓝宝石衬底11，形成黄光灯芯槽；
S114、去掉器件表面的SiO2层；
S115、在整个器件上表面重新淀积一层SiO2层，厚度为20～100纳米，优选地SiO2层的厚度为50纳米；
S116、利用干法刻蚀工艺刻蚀器件表面SiO2层，在黄光灯芯槽四周形成第一隔离层12。
S12、GaN黄光外延层的生长，如图5和图6所示；
S121、在黄光灯芯槽中生长第二GaN缓冲层201，第二GaN缓冲层201的厚度为3000～5000纳米，生长温度为400～600℃；
优选地，第二GaN缓冲层301的厚度为4000纳米；
优选地，第二GaN缓冲层301的温度为500℃。
S122、将温度升高至900-1050℃，在第二GaN缓冲层201上生长第二GaN稳定层202，第二GaN稳定层202的厚度为500～1500纳米；
优选地，第二GaN稳定层202的厚度为1000纳米；
优选地，第二GaN稳定层202的生长温度为1000℃。
S123、保持S122中的温度不变，在第二GaN稳定层202上生长第二n型GaN层203，第二n型GaN层203的厚度为200～1000纳米，掺杂杂质为Si，掺杂浓度为1x1018～5x1019cm-3；
优选地，第二n型GaN层203的生长温度为1000℃；
优选地，第二n型GaN层203的厚度为400纳米；
优选地，第二n型GaN层203的掺杂浓度为1x1019cm-3。
S124、在第二n型GaN层203上生长第二有源层204，第二有源层204为InGaN/GaN多量子阱结构。具体地，InGaN/GaN多量子阱结构为第二InGaN量子阱层204b和第二GaN势垒层204a依次周期层叠形成，层叠周期为8～30。第二InGaN量子阱层204b的生长温度为650～750℃，厚度均为1.5～3.5纳米，其中In的含量约为30-40％，In含量依据光波长定，含量越高光波波长越长。第二GaN势垒204a的生长温度为750～850℃，厚度均为5～10纳米；
优选地，第二InGaN量子阱层204b的生长温度为750℃；
优选地，第二InGaN量子阱层204b的厚度为2.8纳米；
优选地，第二GaN势垒层204a的生长温度为850℃；
优选地，第二GaN势垒层204a的厚度为5纳米；
优选地，第二InGaN量子阱层204b和第二GaN势垒层204a的层叠周期为20。
S125、将温度升高至850～950℃，在第二有源层204上生长p型第二AlGaN阻挡层205，第二AlGaN阻挡层205的厚度为10～40纳米；
优选地，第二AlGaN阻挡层205的生长温度为900℃；
优选地，第二AlGaN阻挡层205的生长温度为20纳米。
S126、在第二AlGaN阻挡层205上生长第二p型GaN层206，作为接触用，第二p型GaN层206的厚度为100～300纳米的；
优选地，第二p型GaN层206的生长温度为850℃；
优选地，第二p型GaN层206的厚度为200纳米。
S13、在器件中制作绿光灯芯槽，如图7所示；
S131、利用PECVD工艺在器件表面淀积一层SiO2层，厚度为300～800纳米，优选地SiO2层的厚度为500纳米；
S132、利用湿法刻蚀工艺在SiO2层上刻蚀一个矩形窗口，矩形窗口的长和宽分别大于50微米，小于300微米，优选地，矩形窗口的长和宽为100微米；
S133、利用干法刻蚀工艺刻蚀SiO2矩形窗口下的材料，一直刻蚀到蓝宝石衬底11，形成绿光灯芯槽；
S134、去掉器件表面的SiO2层；
S135、在整个器件上表面重新淀积一层SiO2层，厚度为20～100纳米，优选地SiO2层的厚度为50纳米；
S136、利用干法刻蚀工艺刻蚀器件表面SiO2层，在绿光灯芯槽四周形成第二隔离层22。
S14、GaN绿光外延层的生长，如图8和图9所示；
S141、在绿光灯芯槽中生长第三GaN缓冲层301，第三GaN缓冲层301的厚度为3000～5000纳米，生长温度为400～600℃；
优选地，第三GaN缓冲层301的厚度为4000纳米；
优选地，第三GaN缓冲层301的温度为500℃。
S142、将温度升高至900-1050℃，在第三GaN缓冲层301上生长第三GaN稳定层302，第三GaN稳定层302的厚度为500～1500纳米；
优选地，第三GaN稳定层302的厚度为1000纳米；
优选地，第三GaN稳定层302的生长温度为1000℃。
S143、保持S142中的温度不变，在第三GaN稳定层302上生长第三n型GaN层303，第三n型GaN层303的厚度为200～1000纳米，掺杂杂质为Si，掺杂浓度为1x1018～5x1019cm-3；
优选地，第三n型GaN层303的生长温度为1000℃；
优选地，第三n型GaN层303的厚度为400纳米；
优选地，第三n型GaN层303的掺杂浓度为1x1019cm-3。
S144、在第三n型GaN层303上生长第三有源层304，第三有源层304为InGaN/GaN多量子阱结构。具体地，InGaN/GaN多量子阱结构为第三InGaN量子阱层304b和第三GaN势垒层304a依次周期层叠形成，层叠周期为8～30。第三InGaN量子阱层304b的生长温度为650～750℃，厚度为1.5～3.5纳米，其中In的含量约为20～30％，In含量依据光波长定，含量越高光波波长越长。第三GaN势垒304a的生长温度为750～850℃，厚度均为5～10纳米；
优选地，第三InGaN量子阱层304b的生长温度为750℃；
优选地，第三InGaN量子阱层304b的厚度为2.8纳米；
优选地，第三GaN势垒层304a的生长温度为850℃；
优选地，第三GaN势垒层304a的厚度为5纳米；
优选地，第三InGaN量子阱层304b和第三GaN势垒层304a的层叠周期为20。
S145、将温度升高至850～950℃，在第三有源层304上生长p型第三AlGaN阻挡层305，第三AlGaN阻挡层305的厚度为10～40纳米；
优选地，第三AlGaN阻挡层305的生长温度为900℃；
优选地，第三AlGaN阻挡层305的生长温度为20纳米。
S146、在第三AlGaN阻挡层305上生长第三p型GaN层306，作为接触用，第三p型GaN层306的厚度为100～300纳米的；
优选地，第三p型GaN层306的生长温度为850℃；
优选地，第三p型GaN层306的厚度为200纳米。
S15、在器件中制作红光灯芯槽，如图10所示，
S151、利用PECVD工艺在器件表面淀积一层SiO2层，厚度为300～800纳米，优选地SiO2层的厚度为500纳米；
S152、利用湿法刻蚀工艺在SiO2层上刻蚀一个矩形窗口，矩形窗口的长和宽分别大于50微米，小于300微米，优选地，矩形窗口的长和宽为100微米；
S153、利用干法刻蚀工艺刻蚀SiO2矩形窗口下的材料，一直刻蚀到蓝宝石衬底11，形成红光灯芯槽；
S154、去掉器件表面的SiO2层；
S155、在整个器件上表面重新淀积一层SiO2层，厚度为20～100纳米，优选地SiO2层的厚度为50纳米；
S156、利用干法刻蚀工艺刻蚀器件表面SiO2层，在红光灯芯槽四周形成第三隔离层32。
S16、GaN红光外延层的生长，如图11和图12所示；
S161、在红光灯芯槽中生长第四GaN缓冲层401，第四GaN缓冲层401的厚度为2000～3000纳米；
优选地，第四GaN缓冲层401的厚度为2500纳米。
S162、在第四GaN缓冲层401上生长n型GaAs缓冲层402，n型GaAs缓冲层402的厚度为1000～2000纳米，掺杂浓度为1x1017～1x1018cm-3；
优选地，n型GaAs缓冲层402的厚度为1500纳米；
优选地，n型GaAs缓冲层402的掺杂浓度为5x1017。
S163、在n型GaAs缓冲层402上生长n型GaAs稳定层403，n型GaAs稳定层403的厚度为500～1000纳米，掺杂浓度为1x1018～5x1019cm-3；
优选地，n型GaAs稳定层403的厚度为400纳米；
优选地，n型GaAs稳定层403的掺杂浓度为1x1019cm-3。
S164、在n型GaAs稳定层403上生长第四有源层404，第四有源层404为GalnP/A1GaInP多量子阱结构。具体地，GalnP/A1GaInP多量子阱结构为A1GaInP量子阱层404b和GalnP势垒层404a依次周期层叠形成，层叠周期为8～30。A1GaInP量子阱层404b的厚度均为5～10纳米，其中Al的含量约为10～40％，Al含量依据光波长定，含量越高光波波长越长。GalnP势垒404a的厚度均为5～10纳米；
优选地，A1GaInP量子阱层404b的厚度为7纳米；
优选地，GalnP势垒层404a的厚度为7纳米；
优选地，A1GaInP量子阱层404b和GalnP势垒层404a的层叠周期为20。
S165、将温度升高至850～950℃，在第四有源层404上生长p型A1GaInP阻挡层405，p型A1GaInP阻挡层405的厚度为50～100纳米，掺杂浓度为1x1017～1x1019cm-3，p型A1GaInP阻挡层405中Al的含量约为>30％；
优选地，p型A1GaInP阻挡层405的Al的含量为40％；
优选地，p型A1GaInP阻挡层405的厚度为100纳米；
优选地，p型A1GaInP阻挡层405的掺杂浓度为1x1018cm-3。
S166、在p型A1GaInP阻挡层405上生长p型GaAs层406，作为接触层，p型GaAs层406的厚度为100～500纳米，掺杂浓度为1x1017～1x1019cm-3；
优选地，p型GaAs层406的掺杂浓度为1x1018cm-3；
优选地，p型GaAs层406的厚度为150纳米。
S17、合成蓝光隔离，如图13所示；
S171、利用PECVD工艺在器件表面淀积一层氧化层(SiO2层)，厚度为300～800纳米，优选地SiO2层的厚度为500纳米；
S172、利用湿法刻蚀工艺在SiO2层上刻蚀一个矩形边框窗口，矩形窗口的长和宽分别大于5～30微米；
S173、利用干法刻蚀工艺刻蚀SiO2矩形边框窗口下的材料，一直刻蚀到第一GaN缓冲层101，形成蓝光隔离槽；
S174、在矩形边框窗口内填充SiO2进行蓝光隔离；
S175、化学机械抛光，去掉器件表面的SiO2层，形成第四隔离层42，在器件两侧的GaN蓝光外延层分别形成第一GaN蓝光外延层和第二GaN蓝光外延层。
S18、键合、电极制作，如图14～图16所示；
S181、在器件表面，即在第一p型GaN层106、第二p型GaN层206、第三p型GaN层306和p型GaAs层406表面采用溅射或者蒸发的方法制备一层Ni金属层、或者Au金属层、或者Ni/Au与其它金属的合金层，形成金属电极407，金属电极407的厚度为100～1000nm；
S182、在金属电极407表面，采用溅射或者蒸发的工艺制备一层Ni金属层、或者Pb金属层、或者Ni/Pb金属层，或者Al金属层等放光性好的金属或金属合金形成第一反光层408，第一反光层408的厚度为300～1500nm；
S183、选取一个重掺杂Si片或者铝板或者铜板导电衬底410，采用溅射或者蒸发工艺在导电衬底410上制备第二反光层409，第二反光层409的制备工艺参考步骤S182中第一反光层408的制备工艺，第二反光层409厚度为500～2500nm；
S184、将S182、S183中制备的反光层紧贴在一起，即将第一反光层408和第二反光层409紧贴在一起，在300～500℃的环境中，放置15～120分钟，实现两层反光层的键合，即将第一反光层408和第二反光层409键合；
可选地，导电衬底可以通过在反光层表面电镀金属Cu形成，这种方法能有效降低键合工艺中的高温引起的芯片翘曲、应力，增加可靠性。
S185、用准分子激光器去除蓝宝石衬底11，将GaN缓冲层暴露出来，即将第一GaN缓冲层101、第二GaN缓冲层201、第三GaN缓冲层301和第四GaN缓冲层401暴露出来；
S186、在暴露的GaN缓冲层上利用光刻工艺进行表面粗化；
表面粗糙化技术是克服光从光密媒质到光疏媒质的全反射，提高LED发光效率的一项关键技术。对于正面出光的LED，由于p型GaN为高阻层，且比较薄，表面粗化将可能破坏有源层，并使得P型欧姆接触制备更加困难，因此，利用激光剥离，然后进行n型GaN表面粗化，可以较好的解决上述问题。
S187、在粗糙的GaN缓冲层上制备阴极电极，具体为在第一GaN缓冲层101制备第一阴极电极51和第五阴极电极55，在第二GaN缓冲层201制备第二阴极电极52，在第三GaN缓冲层301制备第二阴极电极53，在第四GaN缓冲层401制备第四阴极电极54，即在表面粗化后的第一蓝光外延层上制备第一阴极电极51，在表面粗化后的GaN黄光外延层上制备第二阴极电极52，在表面粗化后的GaN绿光外延层上制备第三阴极电极53、在表面粗化后的GaN红光外延层上制备第四阴极电极54以及在表面粗化后的第二蓝光外延层上制备第五阴极电极55；
S188、在导电衬底410上利用溅射或者蒸发的工艺制备一层金属Al、或者Ni、或者其它导电性好的金属，刻蚀后形成阳极电极56。
本实施例利用一侧的黄光和蓝光灯芯合成白光形成RGBW四色LED，本实施例中的5个电极分别单独接电，可以分别调节一侧黄光和蓝光灯芯上的电压，可以调节合成的白光的色温，实现合理配光，增加色彩丰富度。
综上所述，本文中应用了具体个例对本发明基于新型基于GaN器件结构的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本发明的方法及其核心思想；同时，对于本领域的一般技术人员，依据本发明的思想，在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处，综上所述，本说明书内容不应理解为对本发明的限制，本发明的保护范围应以所附的权利要求为准。
Claims (10)
1.一种新型基于GaN的LED器件结构，其特征在于，包括：
导电衬底(410)；
第二反光层(409)，设置于所述导电衬底(410)上；
第一反光层(408)，设置于所述第二反光层(409)上；
金属电极层(407)，设置于第一反光层(408)上；
第一GaN蓝光外延层(10A)、GaN黄光外延层(20)、GaN绿光外延层(30)、GaN红光外延层(40)以及第二GaN蓝光外延层(10B)，依次横向排列且设置于所述金属电极层(407)上；
阳极电极(56)，设置于所述导电衬底(410)下。
2.如权利要求1所述的器件结构，其特征在于，所述导电衬底(410)为掺杂Si片、铝板或者铜板。
3.如权利要求1所述的器件结构，其特征在于，所述金属电极层(407)的材料为金属Ni或者金属Au。
4.如权利要求1所述的器件结构，其特征在于，所述第一GaN蓝光外延层(10A)和所述第二GaN蓝光外延层(10B)材料相同均包括第一GaN缓冲层(101)、第一GaN稳定层(102)、第一n型GaN层(103)、第一有源层(104)、第一AlGaN阻挡层(105)以及第一p型GaN层(106)；其中，所述第一有源层(104)包括依次周期性层叠分布的第一GaN势垒层(104a)和第一InGaN量子阱层(104b)。
5.如权利要求1所述的器件结构，其特征在于，所述GaN黄光外延层(20)包括第二GaN缓冲层(201)、第二GaN稳定层(202)、第二n型GaN层(203)、第二有源层(204)、第二AlGaN阻挡层(205)以及第二p型GaN层(206)；其中，所述第二有源层(204)包括依次周期性层叠分布的第二GaN势垒层(204a)和第二nGaN量子阱层(204b)。
6.如权利要求1所述的器件结构，其特征在于，所述GaN绿光外延层(30)包括第三GaN缓冲层(301)、第三GaN稳定层(302)、第三n型GaN层(303)、第三有源层(304)、第三AlGaN阻挡层(305)以及第三p型GaN层(306)；其中，所述第三有源层(304)包括依次周期性层叠分布的第三GaN势垒层(304a)和第三nGaN量子阱层(304b)。
7.如权利要求1所述的器件结构，其特征在于，所述GaN红光外延层(40)包括第四GaN缓冲层(401)、n型GaAs缓冲层(402)、n型GaAs稳定层(403)、第四有源层(404)、p型A1GaInP阻挡层(405)以及p型GaAs层(406)；其中，所述第四有源层(404)包括依次周期性层叠分布的GalnP势垒层(404a)和A1GaInP量子阱层(404b)。
8.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，还包括第一阴极电极(51)、第二阴极电极(52)、第三阴极电极(53)、第四阴极电极(54)以及第五阴极电极(55)，其中，所述第一阴极电极(51)设置于所述第一GaN蓝光外延层(10A)上，所述第二阴极电极(52)设置于所述GaN黄光外延层(20)上，所述第三阴极电极(53)设置于所述GaN绿光外延层(30)上，所述第四阴极电极(54)设置于所述GaN红光外延层(40)上，所述第五阴极电极(55)设置于所述第二GaN蓝光外延层(10B)上。
9.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，还包括第一隔离层(12)、第二隔离层(12)、第三隔离层(22)、第四隔离层(32)，其中，所述第一隔离层(12)设置于所述GaN黄光外延层(20)的四周，所述第二隔离层(22)设置于所述GaN绿光外延层(30)的四周，所述第三隔离层(32)设置于所述GaN红光外延层(40)的四周，所述第四隔离层(42)设置于所述第二GaN蓝光外延层(10B)的四周。
10.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述阳极电极(56)为整个器件的共用电极。
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
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| PB01 | Publication | ||
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| WD01 | Invention patent application deemed withdrawn after publication | ||
| WD01 | Invention patent application deemed withdrawn after publication |
Application publication date: 20180518 |