CN108054087A - 晶圆键合中的退火装置及退火方法 - Google Patents
晶圆键合中的退火装置及退火方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN108054087A CN108054087A CN201711283285.4A CN201711283285A CN108054087A CN 108054087 A CN108054087 A CN 108054087A CN 201711283285 A CN201711283285 A CN 201711283285A CN 108054087 A CN108054087 A CN 108054087A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- wafer bonding
- region
- heating
- annealing
- heating dish
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000000137 annealing Methods 0.000 title claims abstract description 64
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 34
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims abstract description 97
- 238000009826 distribution Methods 0.000 claims abstract description 14
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 5
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 abstract description 5
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 4
- 230000008569 process Effects 0.000 description 10
- 238000011161 development Methods 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 3
- 230000009471 action Effects 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 239000004744 fabric Substances 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 2
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 230000003111 delayed effect Effects 0.000 description 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 1
- 230000001737 promoting effect Effects 0.000 description 1
- SBEQWOXEGHQIMW-UHFFFAOYSA-N silicon Chemical group [Si].[Si] SBEQWOXEGHQIMW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- -1 siloxanes Chemical class 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/185—Joining of semiconductor bodies for junction formation
- H01L21/187—Joining of semiconductor bodies for junction formation by direct bonding
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/324—Thermal treatment for modifying the properties of semiconductor bodies, e.g. annealing, sintering
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
Abstract
本发明涉及半导体制造技术领域,尤其涉及一种晶圆键合中的退火装置及退火方法。所述晶圆键合中的退火装置,包括加热盘;所述加热盘包括同轴设置的多个区域;多个区域相互独立加热且沿所述加热盘的中心向边缘分布,用以实现对晶圆键合界面从中心到边缘的逐步加热。本发明减少了晶圆键合界面中空洞的产生,提高了晶圆的键合强度。
Description
技术领域
本发明涉及半导体制造技术领域,尤其涉及一种晶圆键合中的退火装置及退火方法。
背景技术
经过半个世纪的高速发展,微电子技术和依托于微电子技术的信息技术已经对人类社会的发展产生了革命性的影响。然而,当今必须面对的问题是:传统晶体管的物理极限不断逼近,更小尺寸的制造技术越来越困难,集成电路的功耗不断增大,晶圆厂的投资迅速攀升等。在这种情况下,如何继续保持微电子技术以摩尔定律所描述的速度持续发展,已经成为今天整个行业都在努力解决的问题。
三维集成电路的出现,为半导体和微电子技术的持续发展提供了一个新的技术解决方案。所谓三维集成电路,广义上是将具有集成电路的晶圆经过键合工艺形成键合晶圆,通过穿透晶圆的三维结构互连实现多层之间的信号连接。三维集成电路能够实现更小的芯片面积、更短的芯片间互连、更高的数据传输带宽以及不同工艺技术的异质集成,从而大幅度降低芯片功耗,减小延时,提高性能,扩展功能,并为实现复杂功能的片上系统(SOC)提供可能。
在半导体制造过程中,晶圆间的键合非常关键。目前,低温晶圆键合技术已广泛应用于先进半导体领域。所谓晶圆键合,是指将两片平整的晶圆面对面贴合起来,并施加以一定的压力、温度、电压等外部条件,在原有的两片晶圆间的界面产生原子或分子间的结合力,如共价键、金属键、分子键等。然而,在晶圆键合过程中,如何减少键合界面空洞的产生是一个长期研究的问题。
在刚完成晶圆键合后,键合界面由单层水分子之间的共价键连接在一起,为了加强键合强度,需要后面的退火工艺形成硅氧烷和硅硅原子的结合形成更牢固的键合界面。在退火过程中水汽会沿键合界面逸出,如水汽被困在界面内,在该区域形成空洞。当前退火工艺在炉管机台内完成,退火过程中晶圆加热方式为从外至内,存在水汽被困在键合界面产生空洞的问题,严重影响晶圆之间的键合强度。
发明内容
本发明提供一种晶圆键合中的退火方法及退火装置,用以解决现有技术中晶圆键合后在退火过程中易产生空洞的问题,以提高晶圆间的键合强度。
为了解决上述问题,本发明提供了一种晶圆键合中的退火装置,包括加热盘;所述加热盘包括同轴设置的多个区域;多个区域相互独立加热且沿所述加热盘的中心向边缘分布,用以实现对晶圆键合界面从中心到边缘的逐步加热。
优选的,多个区域包括一个圆形区域以及多个环形区域;所述圆形区域位于所述盘的中心,用于与所述晶圆键合界面的中心接触;多个环形区域与所述圆形区域同心设置且围绕所述圆形区域的外周分布。
优选的,还包括控制器,每一区域包括加热器和处理器;所述加热器,用于对所述区域进行加热;所述处理器,连接所述加热器,用于检测并控制所述区域的温度;所述控制器,连接所述加热器、所述处理器,用于根据当前加热区域的温度确定与其相邻区域的加热开始时间。
优选的,所述加热器为灯管。
优选的,所述处理器通过热电偶采用积分微分比例调节的方式检测并控制所述区域的温度。
为了解决上述问题,本发明还提供了一种晶圆键合中的退火方法,包括如下步骤:
提供一加热盘,所述加热盘包括同轴设置的多个区域,多个区域相互独立加热且沿所述加热盘的中心向边缘分布;
多个区域沿所述加热盘的中心到边缘的方式逐步开始加热;
控制所有区域均加热到一预设温度后保持一预定时间。
优选的,多个区域包括一个圆形区域以及多个环形区域;所述圆形区域位于所述加热盘的中心,用于与所述晶圆键合界面的中心接触;多个环形区域与所述圆形区域同心设置且围绕所述圆形区域的外周分布。
优选的,多个区域沿所述加热盘的中心到边缘的方式逐步加热的具体步骤包括:
所述圆形区域对所述晶圆键合界面进行加热;
检测所述圆形区域加热的时间是否到达第一预设时间,若是,则与所述圆形区域相邻的环形区域开始对所述晶圆键合界面进行加热;
检测当前环形区域加热的时间是否到达第二预设时间,若是,则与当前环形区域相邻的下一环形区域开始对所述晶圆键合界面进行加热。
优选的,多个区域沿所述加热盘的中心到边缘的方式逐步加热的过程中,保持相邻区域之间的温度差不超过10℃。
优选的,保持相邻区域之间的温度差不超过10℃的具体步骤包括:
根据积分微分比例调节控制每一区域的温度,并绘制每一区域的升温曲线;
根据所述升温曲线计算保持相邻区域之间的温度差不超过10℃时,相邻区域开始加热的时间间隔。
本发明提供的晶圆键合中的退火装置及退火方法,将加热盘划分为同轴设置的多个区域,多个区域相互独立加热且沿所述加热盘的中心向边缘分布,在对键合晶圆界面进行退火处理的过程中,多个区域按照从内到外的方式逐步对键合晶圆界面进行加热,使得晶圆键合界面中产生的水汽从中心向边缘移动,并最终从键合界面逸出,减少了晶圆键合界面中空洞的产生,提高了晶圆的键合强度。
附图说明
附图1是本发明第一具体实施方式中晶圆键合中的退火装置的结构示意图;
附图2是本发明第一具体实施方式中晶圆键合中的退火装置的控制电路结构示意图;
附图3是本发明第一具体实施方式中一区域的升温曲线;
附图4是本发明第二具体实施方式中晶圆键合中的退火方法的流程图。
具体实施方式
下面结合附图对本发明提供的晶圆键合中的退火装置及退火方法的具体实施方式做详细说明。
第一具体实施方式
本具体实施方式提供了一种晶圆键合中的退火装置,附图1是本发明第一具体实施方式中晶圆键合中的退火装置的结构示意图。如图1所示,本具体实施方式提供的晶圆键合中的退火装置,包括加热盘10;所述加热盘10包括同轴设置的多个区域;多个区域相互独立加热且沿所述加热盘10的中心向边缘分布,用以实现对晶圆键合界面从中心到边缘的逐步加热。具体来说,所述加热盘10被划分为多个独立加热的区域,在对键合晶圆进行退火处理的过程中,多个区域按照从加热盘10的中心到边缘的方式逐步开始加热,则晶圆键合界面的中心部分在所述加热盘10的作用下首先进行退火处理并产生水汽;随着加热区域按照从内到外的顺序不断扩展,晶圆键合界面的退火处理区域也从中心向边缘蔓延,因此,晶圆键合界面在退火处理过程中产生的水汽按照从晶圆键合界面的中心到边缘的方向移动,并最终从晶圆键合界面逸出。本具体实施方式中,通过温度的逐步升高来推动水汽的逐步移动,避免了在退火过程中水汽不能逸出晶圆键合界面而产生的空洞,提高了晶圆的键合强度。
为了与键合晶圆的形状相匹配,以进一步提高退火效果,优选的,多个区域包括一个圆形区域11以及多个环形区域;所述圆形区域11位于所述加热盘10的中心,用于与所述晶圆键合界面的中心接触;多个环形区域与所述圆形区域11同心设置且围绕所述圆形区域11的外周分布。具体来说,如图1所示,第一环形区域12围绕所述圆形区域11的外周设置,第二环形区域13围绕所述第一环形区域12的外周设置,第三环形区域14围绕所述第二环形区域13的外周设置,以此类推,本领域技术人员可以根据实际需要设置多个环形区域。在对晶圆键合界面进行退火处理的过程中,所述圆形区域11首先开始加热;所述圆形区域11加热一段时间后,所述第一环形区域12才开始加热,同时所述圆形区域11保持继续加热状态;所述第一环形区域12加热一段时间会后,所述第二环形区域13才开始加热,同时所述圆形区域11、所述第一环形区域12保持继续加热状态,以此类推,直至所述加热盘10上的所有区域都进行加热。为了避免在两个相邻的区域之间出现较为明显的温度过渡区,以进一步减少空洞的产生,更优选的,所述圆形区域11的半径和与其相邻的环形区域的内径相等;位于外侧的环形区域的内径和与其相邻的位于内侧的环形区域的外径相等。例如,所述第一环形区域12的内径与所述圆形区域11的半径相等,所述第一环形区域12的外径与所述第二环形区域13的内径相等,所述第二环形区域13的外径和与所述第三环形区域14的内径相等,以此类推。
附图2是本发明第一具体实施方式中晶圆键合中的退火装置的控制电路结构示意图。优选的,如图2所示,本具体实施方式提供的晶圆键合中的退火装置还包括控制器21,每一区域包括加热器22和处理器23;所述加热器22,用于对所述区域进行加热。为了降低成本同时确保退火效果,优选的,所述加热器为灯管。所述处理器23,连接所述加热器22,用于检测并控制所述区域的温度;所述控制器21,连接所述加热器22、所述处理器23,用于根据当前加热区域的温度确定与其相邻区域的加热开始时间。为了避免在退火处理过程中,晶圆发生形变,相邻区域之间的温差不宜过大。本具体实施方式通过设置一控制器21根据当前加热区域的温度来控制与其相邻的下一区域的加热开始时间,避免了由于相邻区域之间温差过大而导致晶圆发生形变的问题。更优选的,为了提高每一区域独立温控的效果,所述处理器通过热电偶采用积分微分比例调节(Proportional-Integral-Derivative,PID)的方式检测并控制所述区域的温度。附图3是本发明第一具体实施方式中一区域的加热时间-温度关系图。具体来说,由于每个区域通过PID独立进行温度控制,因此可以获得每个区域的升温曲线(即加热时间-温度关系曲线),如图3所示;而根据所述升温曲线,就可以计算出使得相邻区域在加热过程中保持一预设温度差的相邻区域开始加热的时间间隔,即位于所述加热盘10内侧的区域加热多长时间后,与其相邻的外侧区域开始加热。根据晶圆键合的性质,优选的,相邻区域在加热过程中的温度差不超过10℃,以避免晶圆出现形变。
本具体实施方式提供的晶圆键合中的退火装置,将加热盘划分为同轴设置的多个区域,多个区域相互独立加热且沿所述加热盘的中心向边缘分布,在对键合晶圆界面进行退火处理的过程中,多个区域按照从内到外的方式逐步对键合晶圆界面进行加热,使得晶圆键合界面中产生的水汽从中心向边缘移动,并最终从键合界面逸出,减少了晶圆键合界面中空洞的产生,提高了晶圆的键合强度。
第二具体实施方式
为了解决上述问题,本发明还提供了一种晶圆键合中的退火方法,附图4是本发明第二具体实施方式中晶圆键合中的退火方法的流程图。如图4所示,本具体实施方式提供的晶圆键合中的退火方法,包括如下步骤:
S41,提供一加热盘,所述加热盘包括同轴设置的多个区域,多个区域相互独立加热且沿所述加热盘的中心向边缘分布;
S42,多个区域沿所述加热盘的中心到边缘的方式逐步开始加热;
S43,控制所有区域均加热到一预设温度后保持一预定时间。
具体来说,所述加热盘被划分为多个独立加热的区域,在对键合晶圆进行退火处理的过程中,多个区域按照从加热盘的中心到边缘的方式逐步开始加热,则晶圆键合界面的中心部分在所述加热盘的作用下首先进行退火处理并产生水汽;随着加热区域按照从内到外的顺序不断扩展,晶圆键合界面的退火处理区域也从中心向边缘蔓延,因此,晶圆键合界面在退火处理过程中产生的水汽按照从晶圆键合界面的中心到边缘的方向移动,并最终从晶圆键合界面逸出。本具体实施方式中,通过温度的逐步升高来推动水汽的逐步移动,避免了在退火过程中水汽不能逸出晶圆键合界面而产生的空洞,提高了晶圆的键合强度。
为了与键合晶圆的形状相匹配,以进一步提高退火效果,优选的,多个区域包括一个圆形区域以及多个环形区域;所述圆形区域位于所述加热盘的中心,用于与所述晶圆键合界面的中心接触;多个环形区域与所述圆形区域同心设置且围绕所述圆形区域的外周分布。本具体实施方式中加热盘的形状与第一具体实施方式相同,请参见图1。具体来说,如图1所示,第一环形区域12围绕所述圆形区域11的外周设置,第二环形区域13围绕所述第一环形区域12的外周设置,第三环形区域14围绕所述第二环形区域13的外周设置,以此类推,本领域技术人员可以根据实际需要设置多个环形区域。在对晶圆键合界面进行退火处理的过程中,所述圆形区域11首先开始加热;所述圆形区域11加热一段时间后,所述第一环形区域12才开始加热,同时所述圆形区域11保持继续加热状态;所述第一环形区域12加热一段时间会后,所述第二环形区域13才开始加热,同时所述圆形区域11、所述第一环形区域12保持继续加热状态,以此类推,直至所述加热盘10上的所有区域都进行加热。为了避免在两个相邻的区域之间出现较为明显的温度过渡区,以进一步减少空洞的产生,更优选的,所述圆形区域11的半径和与其相邻的环形区域的内径相等;位于外侧的环形区域的内径和与其相邻的位于内侧的环形区域的外径相等。例如,所述第一环形区域12的内径与所述圆形区域11的半径相等,所述第一环形区域12的外径与所述第二环形区域13的内径相等,所述第二环形区域13的外径和与所述第三环形区域14的内径相等,以此类推。
优选的,多个区域沿所述加热盘的中心到边缘的方式逐步加热的具体步骤包括:
(S42-1)所述圆形区域对所述晶圆键合界面进行加热;
(S42-2)检测所述圆形区域加热的时间是否到达第一预设时间,若是,则与所述圆形区域相邻的环形区域开始对所述晶圆键合界面进行加热;
(S42-3)检测当前环形区域加热的时间是否到达第二预设时间,若是,则与当前环形区域相邻的下一环形区域开始对所述晶圆键合界面进行加热。这样,通过控制相邻区域之间开始加热的时间间隔,既能够充分去除晶圆键合界面中的水汽,又可以避免因在相邻区域之间产生较大的温差而导致的晶圆形变问题,进一步确保了晶圆键合的质量。
优选的,多个区域沿所述加热盘的中心到边缘的方式逐步加热的过程中,保持相邻区域之间的温度差不超过10℃。更优选的,保持相邻区域之间的温度差不超过10℃的具体步骤包括:
1)根据积分微分比例调节(PID)控制每一区域的温度,并绘制每一区域的升温曲线;
2)根据所述升温曲线计算保持相邻区域之间的温度差不超过10℃时,相邻区域开始加热的时间间隔。具体来说,由于每个区域通过PID独立进行温度控制,因此可以获得每个区域的升温曲线(即加热时间-温度关系曲线),如图3所示;而根据所述升温曲线,就可以计算出使得相邻区域在加热过程中保持一预设温度差的相邻区域开始加热的时间间隔,即位于所述加热盘内侧的区域加热多长时间后,与其相邻的外侧区域开始加热。
本具体实施方式提供的晶圆键合中的退火方法,将加热盘划分为同轴设置的多个区域,多个区域相互独立加热且沿所述加热盘的中心向边缘分布,在对键合晶圆界面进行退火处理的过程中,多个区域按照从内到外的方式逐步对键合晶圆界面进行加热,使得晶圆键合界面中产生的水汽从中心向边缘移动,并最终从键合界面逸出,减少了晶圆键合界面中空洞的产生,提高了晶圆的键合强度。
以上所述仅是本发明的优选实施方式,应当指出,对于本技术领域的普通技术人员,在不脱离本发明原理的前提下,还可以做出若干改进和润饰,这些改进和润饰也应视为本发明的保护范围。
Claims (10)
1.一种晶圆键合中的退火装置,其特征在于,包括加热盘;所述加热盘包括同轴设置的多个区域;多个区域相互独立加热且沿所述加热盘的中心向边缘分布,用以实现对晶圆键合界面从中心到边缘的逐步加热。
2.根据权利要求1所述的晶圆键合中的退火装置,其特征在于,多个区域包括一个圆形区域以及多个环形区域;所述圆形区域位于所述加热盘的中心,用于与所述晶圆键合界面的中心接触;多个环形区域与所述圆形区域同心设置且围绕所述圆形区域的外周分布。
3.根据权利要求1所述的晶圆键合中的退火装置,其特征在于,还包括控制器,每一区域包括加热器和处理器;所述加热器,用于对所述区域进行加热;所述处理器,连接所述加热器,用于检测并控制所述区域的温度;所述控制器,连接所述加热器、所述处理器,用于根据当前加热区域的温度确定与其相邻区域的加热开始时间。
4.根据权利要求3所述的晶圆键合中的退火装置,其特征在于,所述加热器为灯管。
5.根据权利要求3所述的晶圆键合中的退火装置,其特征在于,所述处理器通过热电偶采用积分微分比例调节的方式检测并控制所述区域的温度。
6.一种晶圆键合中的退火方法,其特征在于,包括如下步骤:
提供一加热盘,所述加热盘包括同轴设置的多个区域,多个区域相互独立加热且沿所述加热盘的中心向边缘分布;
多个区域沿所述加热盘的中心到边缘的方式逐步开始加热;
控制所有区域均加热到一预设温度后保持一预定时间。
7.根据权利要求6所述的晶圆键合中的退火方法,其特征在于,多个区域包括一个圆形区域以及多个环形区域;所述圆形区域位于所述加热盘的中心,用于与所述晶圆键合界面的中心接触;多个环形区域与所述圆形区域同心设置且围绕所述圆形区域的外周分布。
8.根据权利要求7所述的晶圆键合中的退火方法,其特征在于,多个区域沿所述加热盘的中心到边缘的方式逐步加热的具体步骤包括:
所述圆形区域对所述晶圆键合界面进行加热;
检测所述圆形区域加热的时间是否到达第一预设时间,若是,则与所述圆形区域相邻的环形区域开始对所述晶圆键合界面进行加热;
检测当前环形区域加热的时间是否到达第二预设时间,若是,则与当前环形区域相邻的下一环形区域开始对所述晶圆键合界面进行加热。
9.根据权利要求8所述的晶圆键合中的退火方法,其特征在于,多个区域沿所述加热盘的中心到边缘的方式逐步加热的过程中,保持相邻区域之间的温度差不超过10℃。
10.根据权利要求9所述的晶圆键合中的退火方法,其特征在于,保持相邻区域之间的温度差不超过10℃的具体步骤包括:
根据积分微分比例调节控制每一区域的温度,并绘制每一区域的升温曲线;
根据所述升温曲线计算保持相邻区域之间的温度差不超过10℃时,相邻区域开始加热的时间间隔。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201711283285.4A CN108054087B (zh) | 2017-12-07 | 2017-12-07 | 晶圆键合中的退火装置及退火方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201711283285.4A CN108054087B (zh) | 2017-12-07 | 2017-12-07 | 晶圆键合中的退火装置及退火方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN108054087A true CN108054087A (zh) | 2018-05-18 |
CN108054087B CN108054087B (zh) | 2020-05-29 |
Family
ID=62122805
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201711283285.4A Active CN108054087B (zh) | 2017-12-07 | 2017-12-07 | 晶圆键合中的退火装置及退火方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN108054087B (zh) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN111599709A (zh) * | 2020-05-29 | 2020-08-28 | 上海华力微电子有限公司 | 一种晶圆键合界面缺陷的检测方法及存储介质 |
Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN101911252A (zh) * | 2008-01-19 | 2010-12-08 | 东京毅力科创株式会社 | 载置台装置、处理装置以及温度控制方法 |
CN102064086A (zh) * | 2010-10-14 | 2011-05-18 | 清华大学 | 激光热处理装置中的分区加热片台和加热方法 |
CN102485935A (zh) * | 2010-12-06 | 2012-06-06 | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 | 均热板及应用该均热板的基片处理设备 |
CN103003933A (zh) * | 2010-07-22 | 2013-03-27 | Soitec公司 | 用于通过分子间附着将两个晶片键合在一起的方法和装置 |
CN104752136A (zh) * | 2013-12-30 | 2015-07-01 | 中微半导体设备(上海)有限公司 | 一种等离子体处理装置及其静电卡盘 |
CN104952778A (zh) * | 2014-03-28 | 2015-09-30 | 中微半导体设备(上海)有限公司 | 一种等离子体处理装置及静电卡盘与静电卡盘的制作方法 |
CN105280475A (zh) * | 2014-07-16 | 2016-01-27 | 细美事有限公司 | 用于处理基板的装置和方法 |
CN105632902A (zh) * | 2015-12-30 | 2016-06-01 | 哈尔滨工业大学 | 一种利用半导体制冷片进行高低温可控晶圆键合的方法 |
-
2017
- 2017-12-07 CN CN201711283285.4A patent/CN108054087B/zh active Active
Patent Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN101911252A (zh) * | 2008-01-19 | 2010-12-08 | 东京毅力科创株式会社 | 载置台装置、处理装置以及温度控制方法 |
CN103003933A (zh) * | 2010-07-22 | 2013-03-27 | Soitec公司 | 用于通过分子间附着将两个晶片键合在一起的方法和装置 |
CN102064086A (zh) * | 2010-10-14 | 2011-05-18 | 清华大学 | 激光热处理装置中的分区加热片台和加热方法 |
CN102485935A (zh) * | 2010-12-06 | 2012-06-06 | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 | 均热板及应用该均热板的基片处理设备 |
CN104752136A (zh) * | 2013-12-30 | 2015-07-01 | 中微半导体设备(上海)有限公司 | 一种等离子体处理装置及其静电卡盘 |
CN104952778A (zh) * | 2014-03-28 | 2015-09-30 | 中微半导体设备(上海)有限公司 | 一种等离子体处理装置及静电卡盘与静电卡盘的制作方法 |
CN105280475A (zh) * | 2014-07-16 | 2016-01-27 | 细美事有限公司 | 用于处理基板的装置和方法 |
CN105632902A (zh) * | 2015-12-30 | 2016-06-01 | 哈尔滨工业大学 | 一种利用半导体制冷片进行高低温可控晶圆键合的方法 |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN111599709A (zh) * | 2020-05-29 | 2020-08-28 | 上海华力微电子有限公司 | 一种晶圆键合界面缺陷的检测方法及存储介质 |
CN111599709B (zh) * | 2020-05-29 | 2022-03-29 | 上海华力微电子有限公司 | 一种晶圆键合界面缺陷的检测方法及存储介质 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN108054087B (zh) | 2020-05-29 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5518043B2 (ja) | 熱処理チャンバーでのウェハー支持部の温度測定および制御 | |
CN100468654C (zh) | 光照射热处理方法及光照射热处理装置 | |
JP6382151B2 (ja) | 基板熱処理装置、基板熱処理方法、記録媒体及び熱処理状態検知装置 | |
CN203647075U (zh) | 压力烹饪器具 | |
WO2009153422A8 (fr) | Traitement de surface par plasma d'azote dans un procédé de collage direct | |
CN1973356A (zh) | 与晶片发射率无关的有效晶片温度控制的利用 | |
CN108054087A (zh) | 晶圆键合中的退火装置及退火方法 | |
JP7016347B2 (ja) | ウエハ加熱装置 | |
JP2014063972A5 (zh) | ||
CN104465316A (zh) | 用于确定半导体器件的热阻抗的方法 | |
CN1822321B (zh) | 热处理方法以及热处理装置 | |
CN106409704A (zh) | 一种半自动晶圆键合装置 | |
CN105411356A (zh) | 电饭煲及其加热控制方法 | |
TW512131B (en) | Apparatus and method for controlling boiling conditions of hot phosphoric acid solution with pressure adjustment | |
WO2017101286A1 (zh) | 微波炉的控制方法及控制装置 | |
JPWO2021100591A5 (zh) | ||
CN104916535B (zh) | 一种激光诱导热生长氧化硅的方法 | |
CN109712880A (zh) | 一种晶圆键合力的提升方法及增强系统 | |
CN104261344A (zh) | 聚酰亚胺涂布及烘烤方法 | |
CN105185691A (zh) | 一种消除首片效应的方法 | |
JP6377851B2 (ja) | 炊飯器及びその加熱制御方法 | |
CN116504613A (zh) | 一种控制半导体晶圆加热温度的方法 | |
TWI241657B (en) | Manufacturing method for semiconductor device | |
TW200414392A (en) | A method of preparing a thin layer, the method including a step of correcting thickness by sacrificial oxidation, and an associated machine | |
KR101339580B1 (ko) | 소이 웨이퍼의 에피층 제조방법 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
GR01 | Patent grant | ||
GR01 | Patent grant | ||
TR01 | Transfer of patent right |
Effective date of registration: 20230719 Address after: 223001 Room 318, Building 6, east of Zhenda Steel Pipe Company, south of Qianjiang Road, Huaiyin District, Huai'an City, Jiangsu Province Patentee after: Huaian Xide Industrial Design Co.,Ltd. Address before: No. 599, Changjiang East Road, Huai'an City, Jiangsu Province 223300 Patentee before: HUAIAN IMAGING DEVICE MANUFACTURER Corp. |
|
TR01 | Transfer of patent right |