CN108036881A - 一种SiCN陶瓷无线无源压力传感器及其制备方法 - Google Patents
一种SiCN陶瓷无线无源压力传感器及其制备方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN108036881A CN108036881A CN201711374477.6A CN201711374477A CN108036881A CN 108036881 A CN108036881 A CN 108036881A CN 201711374477 A CN201711374477 A CN 201711374477A CN 108036881 A CN108036881 A CN 108036881A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- ceramics
- sicn
- amorphous
- wireless
- minitype
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01L—MEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER, MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE
- G01L1/00—Measuring force or stress, in general
- G01L1/18—Measuring force or stress, in general using properties of piezo-resistive materials, i.e. materials of which the ohmic resistance varies according to changes in magnitude or direction of force applied to the material
- G01L1/183—Measuring force or stress, in general using properties of piezo-resistive materials, i.e. materials of which the ohmic resistance varies according to changes in magnitude or direction of force applied to the material by measuring variations of frequency of vibrating piezo-resistive material
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Measuring Fluid Pressure (AREA)
Abstract
一种SiCN陶瓷无线无源压力传感器及其制备方法，SiCN陶瓷无线无源压力传感器设有圆柱形非晶态SiCN陶瓷压敏元件、谐振腔和耦合槽天线；圆柱形非晶态SiCN陶瓷压敏元件的表面包裹有金属层，金属层形成谐振腔，耦合槽天线设在谐振腔的上表面，谐振腔通过耦合槽天线与共面波导线进行耦合。制备圆柱形非晶态SiCN陶瓷压敏元件；对非晶态SiCN陶瓷压敏元件表面处理；在非晶态SiCN陶瓷压敏元件上，贴上与耦合槽天线尺寸一致的聚酰亚胺胶带后，再在非晶态SiCN陶瓷压敏元件表面涂上金属层形成谐振腔，去除聚酰亚胺胶带，得上表面带有耦合槽天线的谐振腔；完成金属浆料的金属化，得非晶态SiCN陶瓷无线无源压力传感器。
Description
技术领域
本发明涉及压力传感器，尤其是涉及一种SiCN陶瓷无线无源压力传感器及其制备方法。
背景技术
航空发动机、火箭发动机、高温炉、核反应堆、石油勘探等设备的工作温度通常大于800℃，且内部环境恶劣(高温、高压、高腐蚀、高辐射等)。由于这些设备的工作压力较大，若压力出现异常会对设备的工作造成极大的影响，甚至出现危险事故。因此对这些设备的压力进行实时的监控对于设备的安全运行有着非常重要的意义。目前较为常见的压力传感器为压阻式压力传感器或光纤式压力传感器。由于这两类压力传感器的传感器机制决定了其为有线有源的结构。在高温下普通电池无法工作，而耐高温的电池一般工作在200℃以下，对于工作温度一般在800℃以上的设备无能为力，因此两类压力传感器无法安装在高温炉、核反应堆、石油勘探等设备中。并且由于需要布线，增加了传感系统的重量，不适合在对重量要求严格的各类航空发动机中应用。基于以上的原因，传统的有线有源压力传感器无法在发动机、高温炉等设备中长时间工作，因此对这类设备工作时内部高压的实时监控受到极大限制。因此开发出一种可用于恶劣工作环境的耐高温的无线无源压力传感器迫在眉睫，这种耐高温压力传感器研发的瓶颈在于制备在一定温度压力下能够稳定工作并且对无线电信号损耗较小的压敏元件。
聚合物先驱体热解法制得的先进陶瓷材料具有耐高温、耐腐蚀、抗氧化等特性，且制备过程简便、先驱体分子可设计性强，烧结温度较低(800℃即可)，能制得结构复杂的部件，因此聚合物先驱体热解法制备陶瓷是目前国际上研究的一个热点。利用聚合物先驱体聚硅氮烷热解制备的SiCN陶瓷不仅具有耐高温、抗腐蚀、耐辐射的特性，还是一种新型的半导体材料，更重要的是利用聚合物先驱体聚硅氮烷热解制备的SiCN陶瓷，其介电损耗较低、介电常数较低，因此能提高电磁信号的传输距离，这拓展了传感器的应用范围。并且SiCN陶瓷具有一定的压介特性，一般随着压力的上升介电常数会增大。因此聚合物先驱体聚硅氮烷陶瓷成为新型的耐高温无线无源压力传感器的首选材料。但目前尚未发现性能较为出色的SiCN陶瓷无线无源压力传感器及其制备方法。
发明内容
本发明的目的在于针对现有的压力传感器所存在的压敏元件工作温度低，其有线有源的结构难以在恶劣条件下工作，且在一些特殊位置如发动机叶片上无法应用等技术问题，提供一种可在高温恶劣环境下使用的SiCN陶瓷无线无源压力传感器及其制备方法。
所述SiCN陶瓷无线无源压力传感器设有圆柱形非晶态SiCN陶瓷压敏元件、谐振腔和耦合槽天线；
所述圆柱形非晶态SiCN陶瓷压敏元件的表面包裹有金属层，金属层形成谐振腔，耦合槽天线设在谐振腔的上表面，谐振腔通过耦合槽天线与共面波导线进行耦合。
所述圆柱形非晶态SiCN陶瓷压敏元件的直径可为8～14mm，厚度可为1～4mm。
所述金属层可采用耐高温金属层，耐高温金属层的熔点大于1000℃，所述耐高温金属层的厚度可为20～50μm。
所述SiCN陶瓷无线无源压力传感器的制备方法包括以下步骤：
1)制备圆柱形非晶态SiCN陶瓷压敏元件；
(1)SiCN陶瓷素坯的制备
a.将先驱体聚硅氮烷与光引发剂混合后，放入模具中进行紫外预交联，得到淡黄色SiCN陶瓷素坯；或
b.将先驱体聚硅氮烷进行热交联，使其由液态的聚硅氮烷变为淡黄色固态的聚硅氮烷，球磨成粉末并经过压制、等静压得到SiCN陶瓷素坯；或
c.将先驱体聚硅氮烷与光引发剂混合后，进行紫外交联，球磨成粉末后，经过压制、等静压得到SiCN陶瓷素坯；
(2)将SiCN陶瓷素坯在惰性气体保护下热解，再退火处理后，得到非晶态SiCN陶瓷压敏元件；
2)对非晶态SiCN陶瓷压敏元件进行表面处理，使其表面光滑；
3)在非晶态SiCN陶瓷压敏元件上，贴上与耦合槽天线尺寸一致的聚酰亚胺胶带后，再在非晶态SiCN陶瓷压敏元件表面涂上金属层而形成谐振腔，然后再去除聚酰亚胺胶带，即得到上表面带有耦合槽天线的谐振腔；
4)在高温下完成金属浆料的金属化，最终得到非晶态SiCN陶瓷无线无源压力传感器。
在步骤1)第(1)部分的a中，所述光引发剂可为I819光引发剂；所述先驱体聚硅氮烷与I819光引发剂的混合比例，按质量比可为1︰(0.005～0.1)；所述模具为聚二甲基硅氧烷(Polydimethylsiloxane，PDMS)模具，模具的直径可为8～20mm，模具的高度可为1～8mm；所述紫外交联的条件可为：紫外灯光照射下直接交联，紫外灯的功率为250W，紫外光的中心波长为326nm，紫外交联的时间可为0.25～2h。
在步骤1)第(1)部分的b中，所述热交联的温度可为80～450℃，热交联的时间可为0.5～4.5h；所述粉末的粒径可为0.1～2μm；所述压制成型的压力可为8～10MPa，保压时间可为2min；所述等静压的压力可为20～25MPa，保压时间可为0.5h。
在步骤1)第(2)部分中，所述惰性气体可采用氮气或氩气；所述热解的温度可为800～1000℃，热解的时间可为1～8h；所述退火处理的温度可为1000～1500℃，退火处理的时间可为1～8h；所制得的非晶态SiCN陶瓷压敏元件的密度为1.90～2.25g/cm3。
在步骤2)中，所述对表面进行处理可通过用砂纸从300目到2000目逐一磨制，使得表面粗糙度达到要求。
在步骤3)中，所述在非晶态SiCN陶瓷压敏元件上涂覆金属层，是将金属浆料涂覆在SiCN陶瓷表面上；所述金属层材料可选用铂或钛；所述金属层的厚度可为20～50μm。
在步骤4)中，所述完成金属浆料的金属化的温度为900～1000℃。
与现有技术比较，本发明的有益效果如下：
本发明的SiCN陶瓷无线无源压力传感器由聚合物先驱体转化法制备的圆柱形非晶态SiCN陶瓷压敏元件、谐振腔和耦合槽天线构成。以非晶态SiCN陶瓷作为压敏材料，材料表面包覆耐高温金属层形成谐振腔，在谐振腔的上表面有一耦合槽天线，从而构成无线无源压力传感器。这种传感器由于采用无线无源结构以及采用耐高温材料，其耐温可达1400℃。利用聚合物先驱体聚硅氮烷热解制备的SiCN陶瓷在微波频段下，其介温特性呈现出很好的线性关系，这降低了温度对于测试结果的影响。当非晶SiCN压敏元件的尺寸固定后，谐振腔的尺寸也就确定下来，谐振频率将由SiCN陶瓷的介电常数所决定。当传感器受到外部的压力后，陶瓷内部的材料性质发生变化。主要由于孔隙度发生变化以及隧道渗流机制，导致介电常数增大，从而使谐振频率与压力形成对应关系。当利用共面波导线对谐振腔进行耦合馈电并将信号传输出来，传给接收模块电路，完成谐振频率—压力的信息采集。此传感器通过微波电磁场进行信号的传输，实现无线无源的传输结构。且由于耦合槽天线是直接在金属层上开槽，其几乎没有多余的体积使得结构更加紧凑。最重要的是这类压力传感器的结构最简单因此其制备工艺最为简单。
附图说明
图1为本发明所述SiCN非晶陶瓷无线无源压力传感器实施例的三维结构示意图。
图2为图1的俯视结构示意图。
图3为图1的A-A剖视结构示意图。
图4为图1的主视结构示意图。
各图中标记为：1.圆柱形非晶态SiCN陶瓷表面所镀金属层；2.圆柱形非晶态SiCN陶瓷压敏元件；3.圆柱形非晶态SiCN陶瓷谐振腔；4.谐振腔上部的耦合槽天线。
具体实施方式
参见图1～4，本实施例所述SiCN陶瓷无线无源压力传感器，设有圆柱形非晶态SiCN陶瓷压敏元件2、圆柱形非晶态SiCN陶瓷谐振腔3、谐振腔上部的耦合槽天线4。
圆柱形非晶态SiCN陶瓷压敏元件2表面包裹有圆柱形非晶态SiCN陶瓷表面所镀金属层1，在圆柱形非晶态SiCN陶瓷谐振腔3的上表面设谐振腔上部的耦合槽天线4。
所述圆柱形非晶态SiCN陶瓷压敏元件2的直径为11mm(可为8～14mm)，厚度为2mm(可为1～4mm)；所述圆柱形非晶态SiCN陶瓷表面所镀金属层1为铂金属层，熔点大于1000℃；所述圆柱形非晶态SiCN陶瓷表面所镀金属层1的厚度为20μm(可为20～50μm)。
下面给出所述SiCN陶瓷无线无源压力传感器的制备方法的实施例：
实施例1
1、取8g聚二甲基硅烷与0.8g交联剂混合，磁力搅拌混合均匀后，利用超声振动除去混合液中的气泡，得到含气泡量少的均匀混合液。加热固化的过程中将直径为13mm的光滑圆柱形母模放入混合液中，混合液固化后取出母模，即得到带有母模尺寸的型腔的PDMS模具。
2、取4g聚硅氮烷和0.24g I819光引发剂混合，然后将混合液放到可加热磁力搅拌器上搅拌，80℃温度下以800rad/min的转速搅拌1h，得到淡黄色混合液。
3、将搅拌好的混合液加入PDMS模具中，然后放在250W的紫外灯下进行交联0.5h，交联固化后得到陶瓷素胚。脱模后得到有一定形状的陶瓷素坯。
4、将陶瓷素坯片进行烧结。在干净的刚玉坩埚内底座撒少许球磨好的粉末，然后将交联好的陶瓷素坯片放入坩埚中，再将坩埚放入高温管式炉中进行烧结，在高纯N2气氛下以3℃/min的升温速度，从室逐步温升至800℃，800℃保温4h。之后继续进行陶瓷件的退火。以2℃/min的升温速度升至1000℃，在1000℃下保温4h后以3℃/min的速度降温至300℃，自然冷却到室温，最终得到陶瓷圆片。获得的陶瓷圆片直径为11mm，高度为2mm。
5、将制得的陶瓷件在不同目数的砂纸上磨光，使得表面粗糙度达到一定的要求。
6、在SiCN陶瓷圆片的上表面贴上与耦合槽天线尺寸一致的聚酰亚胺胶带后，再在非晶态SiCN陶瓷压敏元件表面涂上金属层。其尺寸为长6mm，宽1mm，金属层厚度为20um，撕掉胶带得到耦合槽天线。
7、将镀完后的陶瓷圆片在140℃的温度下放置4h，然后放到高温管式炉中进行烧结。在空气中以5℃/min的速度升温至980℃，保温0.5h，再以3℃/min的速度降至室温。得到无线无源压力传感器。
实施例2
1、取10g聚硅氮烷倒入铝箔纸盒中，然后放入管式炉中进行热交联，在高纯N2气氛下以1℃/min的升温速度，从室温升至160℃，160℃保温4h后自然冷却到室温，得到淡黄色固态聚硅氮烷。
2、将得到的淡黄色固态聚硅氮烷用高速振动球磨机进行球磨。选用的球磨机为QM-3B高速振动球磨机，球磨时的转速为1200rad/min，球磨时间为0.5h。球磨后得到粉末。
4、取0.3g球磨后得到的粉末直接加入直径为13mm的圆形模具中进行压片，在5MPa的压力下保压2min，得到陶瓷圆片素坯。
5、将陶瓷圆片素坯放入等静压机中进行等静压。选用的等静压机为PCD-60J冷等静压机，压力为22MPa，保压时间为0.5h。
6、在刚玉坩埚内铺上一层粉末，然后将完成等静压的陶瓷素坯放入坩埚中，用粉末覆盖素坯，再将坩埚放入高温管式炉中进行烧结。在高纯N2气氛下以3℃/min的升温速度，从室逐步温升至800℃，800℃保温4h。之后继续进行陶瓷件的退火。以2℃/min的升温速度升至1000℃，在1000℃下保温4h后以3℃/min的速度降温至300℃，自然冷却到室温，最终得到陶瓷圆片。获得的陶瓷圆片直径为11mm，高度为2mm。
7、将制得的陶瓷件在不同目数的砂纸上磨光，使得表面粗糙度达到一定的要求。
8、在SiCN陶瓷圆片的上表面贴上与耦合槽天线尺寸一致的聚酰亚胺胶带后，再在非晶态SiCN陶瓷压敏元件表面涂上金属层。其尺寸为长6mm，宽1mm，金属层厚度为20um，撕掉胶带得到耦合槽天线。
9、将镀完后的陶瓷圆片在140℃的温度下放置4h，然后放到高温管式炉中进行烧结。在空气中以5℃/min的速度升温至980℃，保温0.5h，再以3℃/min的速度降至室温。得到无线无源压力传感器。
实施例3
1、取10g聚硅氮烷和0.6g I819光引发剂混合，然后将混合液放到可加热磁力搅拌器上搅拌，80℃温度下以800rad/min的转速搅拌1h.得到淡黄色混合液。
2、将得到的淡黄色混合液倒入铝箔纸盒中，然后放在250W的紫外灯下进行交联0.5h，交联固化后得到淡黄色固态聚硅氮烷。
3、将得到的淡黄色固态聚硅氮烷用高速振动球磨机进行球磨。选用的球磨机为QM-3B高速振动球磨机，球磨时的转速为1200rad/min，球磨时间为0.5h。球磨后得到粉末。
4、取0.3g球磨后得到的粉末直接加入直径为13mm的圆形模具中进行压片，在5MPa的压力下保压2min，得到陶瓷圆片素坯。
5、将陶瓷圆片素坯放入等静压机中进行等静压。选用的等静压机为PCD-60J冷等静压机，压力为22MPa，保压时间为0.5h。
6、在刚玉坩埚内铺上一层粉末，然后将完成等静压的陶瓷素坯放入坩埚中，用粉末覆盖素坯，再将坩埚放入高温管式炉中进行烧结。在高纯N2气氛下以3℃/min的升温速度，从室逐步温升至800℃，800℃保温4h。之后继续进行陶瓷件的退火。以2℃/min的升温速度升至1000℃，在1000℃下保温4h后以3℃/min的速度降温至300℃，自然冷却到室温，最终得到陶瓷圆片。获得的陶瓷圆片直径为11mm，高度为2mm。
7、将制得的陶瓷件在不同目数的砂纸上磨光，使得表面粗糙度达到一定的要求。
8、在SiCN陶瓷圆片的上表面贴上与耦合槽天线尺寸一致的聚酰亚胺胶带后，再在非晶态SiCN陶瓷压敏元件表面涂上金属层。其尺寸为长6mm，宽1mm，金属层厚度为20um，撕掉胶带得到耦合槽天线。
9、将镀完后的陶瓷圆片在140℃的温度下放置4h，然后放到高温管式炉中进行烧结。在空气中以5℃/min的速度升温至980℃，保温0.5h，再以3℃/min的速度降至室温。得到无线无源压力传感器。
Claims (10)
1.一种SiCN陶瓷无线无源压力传感器，其特征在于设有圆柱形非晶态SiCN陶瓷压敏元件、谐振腔和耦合槽天线；所述圆柱形非晶态SiCN陶瓷压敏元件的表面包裹有金属层，金属层形成谐振腔，耦合槽天线设在谐振腔的上表面，谐振腔通过耦合槽天线与共面波导线耦合。
2.如权利要求1所述一种SiCN陶瓷无线无源压力传感器，其特征在于所述圆柱形非晶态SiCN陶瓷压敏元件的直径为8～14mm，厚度为1～4mm。
3.如权利要求1所述一种SiCN陶瓷无线无源压力传感器，其特征在于所述金属层采用耐高温金属层，耐高温金属层的熔点大于1000℃，所述耐高温金属层的厚度为20～50μm。
4.如权利要求1～3所述SiCN陶瓷无线无源压力传感器的制备方法，其特征在于包括以下步骤：
1)制备圆柱形非晶态SiCN陶瓷压敏元件；
(1)SiCN陶瓷素坯的制备
a.将先驱体聚硅氮烷与光引发剂混合后，放入模具中进行紫外预交联，得到淡黄色SiCN陶瓷素坯；或
b.将先驱体聚硅氮烷进行热交联，使其由液态的聚硅氮烷变为淡黄色固态的聚硅氮烷，球磨成粉末并经过压制、等静压得到SiCN陶瓷素坯；或
c.将先驱体聚硅氮烷与光引发剂混合后，进行紫外交联，球磨成粉末后，经过压制、等静压得到SiCN陶瓷素坯；
(2)将SiCN陶瓷素坯在惰性气体保护下热解，再退火处理后，得到非晶态SiCN陶瓷压敏元件；
2)对非晶态SiCN陶瓷压敏元件进行表面处理，使其表面光滑；
3)在非晶态SiCN陶瓷压敏元件上，贴上与耦合槽天线尺寸一致的聚酰亚胺胶带后，再在非晶态SiCN陶瓷压敏元件表面涂上金属层而形成谐振腔，然后再去除聚酰亚胺胶带，即得到上表面带有耦合槽天线的谐振腔；
4)在高温下完成金属浆料的金属化，最终得到非晶态SiCN陶瓷无线无源压力传感器。
5.如权利要求4所述SiCN陶瓷无线无源压力传感器的制备方法，其特征在于在步骤1)第(1)部分的a中，所述光引发剂为I819光引发剂；所述先驱体聚硅氮烷与I819光引发剂的混合比例，按质量比为1︰(0.005～0.1)；所述模具为聚二甲基硅氧烷模具，模具的直径可为8～20mm，模具的高度可为1～8mm；所述紫外交联的条件可为：紫外灯光照射下直接交联，紫外灯的功率为250W，紫外光的中心波长为326nm，紫外交联的时间可为0.25～2h。
6.如权利要求4所述SiCN陶瓷无线无源压力传感器的制备方法，其特征在于在步骤1)第(1)部分的b中，所述热交联的温度为80～450℃，热交联的时间可为0.5～4.5h；所述粉末的粒径可为0.1～2μm；所述压制成型的压力可为8～10MPa，保压时间可为2min；所述等静压的压力可为20～25MPa，保压时间可为0.5h。
7.如权利要求4所述SiCN陶瓷无线无源压力传感器的制备方法，其特征在于在步骤1)第(2)部分中，所述惰性气体采用氮气或氩气；所述热解的温度可为800～1000℃，热解的时间可为1～8h；所述退火处理的温度可为1000～1500℃，退火处理的时间可为1～8h；所制得的非晶态SiCN陶瓷压敏元件的密度为1.90～2.25g/cm3。
8.如权利要求4所述SiCN陶瓷无线无源压力传感器的制备方法，其特征在于在步骤2)中，所述对表面进行处理是通过用砂纸从300目到2000目逐一磨制，使得表面粗糙度达到要求。
9.如权利要求4所述SiCN陶瓷无线无源压力传感器的制备方法，其特征在于在步骤3)中，所述在非晶态SiCN陶瓷压敏元件上涂覆金属层，是将金属浆料涂覆在SiCN陶瓷表面上；所述金属层材料选用铂或钛；所述金属层的厚度为20～50μm。
10.如权利要求4所述SiCN陶瓷无线无源压力传感器的制备方法，其特征在于在步骤4)中，所述完成金属浆料的金属化的温度为900～1000℃。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201711374477.6A CN108036881A (zh) | 2017-12-19 | 2017-12-19 | 一种SiCN陶瓷无线无源压力传感器及其制备方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201711374477.6A CN108036881A (zh) | 2017-12-19 | 2017-12-19 | 一种SiCN陶瓷无线无源压力传感器及其制备方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN108036881A true CN108036881A (zh) | 2018-05-15 |
Family
ID=62099854
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201711374477.6A Pending CN108036881A (zh) | 2017-12-19 | 2017-12-19 | 一种SiCN陶瓷无线无源压力传感器及其制备方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN108036881A (zh) |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1365442A (zh) * | 1999-07-28 | 2002-08-21 | Abb专利有限公司 | 电力变压器上绕组压制元件压紧力用的测量装置 |
| JP2004264153A (ja) * | 2003-02-28 | 2004-09-24 | Japan Fine Ceramics Center | 導電性セラミックス連続体を用いた損傷センサ |
| CN104101445A (zh) * | 2014-07-25 | 2014-10-15 | 厦门大学 | 一种SiCN陶瓷有线无源温度传感器及其制备方法 |
| CN104483013A (zh) * | 2014-12-30 | 2015-04-01 | 厦门大学 | 无线无源SiCN陶瓷基谐振腔式振动传感器及制备方法 |
| CN107402031A (zh) * | 2017-06-19 | 2017-11-28 | 中北大学 | 基于微波散射原理的温度压力双参数传感器及制备方法 |
-
2017
- 2017-12-19 CN CN201711374477.6A patent/CN108036881A/zh active Pending
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1365442A (zh) * | 1999-07-28 | 2002-08-21 | Abb专利有限公司 | 电力变压器上绕组压制元件压紧力用的测量装置 |
| JP2004264153A (ja) * | 2003-02-28 | 2004-09-24 | Japan Fine Ceramics Center | 導電性セラミックス連続体を用いた損傷センサ |
| CN104101445A (zh) * | 2014-07-25 | 2014-10-15 | 厦门大学 | 一种SiCN陶瓷有线无源温度传感器及其制备方法 |
| CN104483013A (zh) * | 2014-12-30 | 2015-04-01 | 厦门大学 | 无线无源SiCN陶瓷基谐振腔式振动传感器及制备方法 |
| CN107402031A (zh) * | 2017-06-19 | 2017-11-28 | 中北大学 | 基于微波散射原理的温度压力双参数传感器及制备方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN103487155B (zh) | 一种SiCN陶瓷无线无源温度传感器及其制备方法 | |
| CN104101445B (zh) | 一种SiCN陶瓷有线无源温度传感器及其制备方法 | |
| CN108507621A (zh) | 基于ltcc的无源无线压力、温度集成传感器及其制备方法 | |
| CN104483013B (zh) | 无线无源SiCN陶瓷基谐振腔式振动传感器及制备方法 | |
| CN101483417B (zh) | 一种多层布线用黑色氧化铝基片的制备方法 | |
| CN110092645A (zh) | 一种复合陶瓷基板及其制备方法 | |
| WO2014005514A1 (zh) | 超材料及其制备方法 | |
| CN105627760B (zh) | 一种高温烧结用的微波盛料装置 | |
| CN104628392B (zh) | 一种致密氮化铝-氮化硼复合材料的制备方法 | |
| CN109053196A (zh) | 一种大尺寸高温共烧陶瓷的烧结方法 | |
| CN110057487A (zh) | 全陶瓷超高温压力传感器及其封装方法 | |
| CN110683837A (zh) | 导热的低温共烧陶瓷材料及其制备方法 | |
| CN202024834U (zh) | 一种引线低温固化连接的ntc热敏电阻温度传感器 | |
| CN109437830A (zh) | 一种耐高温透波隔热瓦及其制备方法 | |
| CN108500278A (zh) | 一种电子设备外壳制造方法 | |
| CN107396466A (zh) | 电子浆料及其制备方法、厚膜电路芯片热源及其制备方法 | |
| CN106083043B (zh) | 一种Li基低介低损耗LTCC材料及其制备方法 | |
| CN106673625A (zh) | 晶粒定向排列透明多晶氧化铝陶瓷的制备方法 | |
| CN108036881A (zh) | 一种SiCN陶瓷无线无源压力传感器及其制备方法 | |
| CN106198680A (zh) | 片式氧传感器芯片 | |
| CN102355798B (zh) | 柱面模块电路板的制作方法以及烧结支架 | |
| CN108088590A (zh) | SiCN陶瓷无线无源谐振腔式压力传感器及其制备方法 | |
| CN209400122U (zh) | 一种平膜结构SiAlCN无线无源压力传感器 | |
| CN104909777B (zh) | 一种磁芯用陶瓷承烧板 | |
| CN108344518A (zh) | 一种致密型先驱体陶瓷温度传感器的制备方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| RJ01 | Rejection of invention patent application after publication | ||
| RJ01 | Rejection of invention patent application after publication |
Application publication date: 20180515 |