CN108020924B - 使用共用的光学器件的多激光器封装体 - Google Patents

使用共用的光学器件的多激光器封装体 Download PDF

Info

Publication number
CN108020924B
CN108020924B CN201711032686.2A CN201711032686A CN108020924B CN 108020924 B CN108020924 B CN 108020924B CN 201711032686 A CN201711032686 A CN 201711032686A CN 108020924 B CN108020924 B CN 108020924B
Authority
CN
China
Prior art keywords
laser
optical
beams
light
optical device
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201711032686.2A
Other languages
English (en)
Other versions
CN108020924A (zh
Inventor
M.艾利夫
Y.阿库洛娃
C.加马彻
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Lumentum Operations LLC
Original Assignee
Lumentum Operations LLC
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Lumentum Operations LLC filed Critical Lumentum Operations LLC
Publication of CN108020924A publication Critical patent/CN108020924A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN108020924B publication Critical patent/CN108020924B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00Semiconductor lasers
    • H01S5/40Arrangement of two or more semiconductor lasers, not provided for in groups H01S5/02 - H01S5/30
    • H01S5/4025Array arrangements, e.g. constituted by discrete laser diodes or laser bar
    • H01S5/4075Beam steering
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00Semiconductor lasers
    • H01S5/005Optical components external to the laser cavity, specially adapted therefor, e.g. for homogenisation or merging of the beams or for manipulating laser pulses, e.g. pulse shaping
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02BOPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B27/00Optical systems or apparatus not provided for by any of the groups G02B1/00 - G02B26/00, G02B30/00
    • G02B27/09Beam shaping, e.g. changing the cross-sectional area, not otherwise provided for
    • G02B27/0916Adapting the beam shape of a semiconductor light source such as a laser diode or an LED, e.g. for efficiently coupling into optical fibers
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02BOPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B27/00Optical systems or apparatus not provided for by any of the groups G02B1/00 - G02B26/00, G02B30/00
    • G02B27/09Beam shaping, e.g. changing the cross-sectional area, not otherwise provided for
    • G02B27/0938Using specific optical elements
    • G02B27/095Refractive optical elements
    • G02B27/0955Lenses
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00Semiconductor lasers
    • H01S5/005Optical components external to the laser cavity, specially adapted therefor, e.g. for homogenisation or merging of the beams or for manipulating laser pulses, e.g. pulse shaping
    • H01S5/0071Optical components external to the laser cavity, specially adapted therefor, e.g. for homogenisation or merging of the beams or for manipulating laser pulses, e.g. pulse shaping for beam steering, e.g. using a mirror outside the cavity to change the beam direction
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00Semiconductor lasers
    • H01S5/02Structural details or components not essential to laser action
    • H01S5/022Mountings; Housings
    • H01S5/0225Out-coupling of light
    • H01S5/02253Out-coupling of light using lenses
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00Semiconductor lasers
    • H01S5/02Structural details or components not essential to laser action
    • H01S5/022Mountings; Housings
    • H01S5/0225Out-coupling of light
    • H01S5/02255Out-coupling of light using beam deflecting elements
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00Semiconductor lasers
    • H01S5/02Structural details or components not essential to laser action
    • H01S5/022Mountings; Housings
    • H01S5/023Mount members, e.g. sub-mount members
    • H01S5/02325Mechanically integrated components on mount members or optical micro-benches
    • H01S5/02326Arrangements for relative positioning of laser diodes and optical components, e.g. grooves in the mount to fix optical fibres or lenses
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00Semiconductor lasers
    • H01S5/02Structural details or components not essential to laser action
    • H01S5/022Mountings; Housings
    • H01S5/0233Mounting configuration of laser chips
    • H01S5/0234Up-side down mountings, e.g. Flip-chip, epi-side down mountings or junction down mountings
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00Semiconductor lasers
    • H01S5/02Structural details or components not essential to laser action
    • H01S5/026Monolithically integrated components, e.g. waveguides, monitoring photo-detectors, drivers
    • H01S5/0267Integrated focusing lens
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00Semiconductor lasers
    • H01S5/10Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
    • H01S5/18Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities
    • H01S5/183Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities having only vertical cavities, e.g. vertical cavity surface-emitting lasers [VCSEL]
    • H01S5/18386Details of the emission surface for influencing the near- or far-field, e.g. a grating on the surface
    • H01S5/18388Lenses
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00Semiconductor lasers
    • H01S5/40Arrangement of two or more semiconductor lasers, not provided for in groups H01S5/02 - H01S5/30
    • H01S5/4025Array arrangements, e.g. constituted by discrete laser diodes or laser bar
    • H01S5/4087Array arrangements, e.g. constituted by discrete laser diodes or laser bar emitting more than one wavelength
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00Semiconductor lasers
    • H01S5/005Optical components external to the laser cavity, specially adapted therefor, e.g. for homogenisation or merging of the beams or for manipulating laser pulses, e.g. pulse shaping
    • H01S5/0064Anti-reflection components, e.g. optical isolators
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00Semiconductor lasers
    • H01S5/02Structural details or components not essential to laser action
    • H01S5/022Mountings; Housings
    • H01S5/023Mount members, e.g. sub-mount members
    • H01S5/02325Mechanically integrated components on mount members or optical micro-benches
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00Semiconductor lasers
    • H01S5/40Arrangement of two or more semiconductor lasers, not provided for in groups H01S5/02 - H01S5/30
    • H01S5/4025Array arrangements, e.g. constituted by discrete laser diodes or laser bar
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00Semiconductor lasers
    • H01S5/40Arrangement of two or more semiconductor lasers, not provided for in groups H01S5/02 - H01S5/30
    • H01S5/4025Array arrangements, e.g. constituted by discrete laser diodes or laser bar
    • H01S5/4031Edge-emitting structures
    • H01S5/4056Edge-emitting structures emitting light in more than one direction

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Semiconductor Lasers (AREA)
  • Optical Couplings Of Light Guides (AREA)

Abstract

一种光学装置,可以包括半导体激光器芯片,以独立地产生不同波长的四个激光束。所述四个激光束中的每个激光束可以被引导到所述光学装置的相应的光输出,其中每个激光束相对于所述光学装置的相应的光输出具有亚微米级的公差,并且所述四个激光束中的每个激光束可以与从所述半导体激光器芯片到所述光学装置的相应的光输出的不同的光路相关联。所述光学装置可以包括透镜,以接收所述四个激光束中的每一个。所述透镜可以定位为朝向所述光学装置的相应的光输出引导所述四个激光束中的每个激光束。所述光学装置可以包括光隔离器,以接收所述四个激光束中的每一个。

Description

使用共用的光学器件的多激光器封装体
技术领域
本公开涉及激光器系统。更特别地,本公开内容涉及一种光学装置,其包括多激光器组件,用以将激光束的组在空间上对准到输出光端口的组。
背景技术
激光发射器为光通信发射器和收发器提供特定波长的激光。可能需要多个激光发射器,其中光通信发射器和收发器使用多个波长的光。增加激光发射器的数量增加了为光通信发射器或收发器提供激光发射器的光学装置的尺寸。在每个激光发射器需要对准步骤以将激光束耦合到输出耦合器的情况下,多个激光发射器需要多个对准步骤,这可能增加制造时间和/或成本。光通信发射器和收发器的尺寸一直在减少或保持不变,而所需的光的波长的数量一直在增加。因此,减小提供多个激光发射器的光学装置的尺寸将是有利的。另外,在单个对准步骤中对准光学装置的多个激光束的能力将是有利的。
发明内容
根据一些可能的实施方式,一种光学装置可以包括半导体激光器芯片,以独立地产生不同波长的四个激光束。所述四个激光束中的每个激光束可以被引导到所述光学装置的相应的光输出,其中每个激光束相对于所述光学装置的相应的光输出具有亚微米级的公差。所述四个激光束中的每个激光束可以与从所述半导体激光器芯片到所述光学装置的相应的光输出的不同的光路相关联。所述光学装置可以包括透镜,以接收所述四个激光束中的每一个。所述透镜可以定位为朝向所述光学装置的相应的光输出引导所述四个激光束中的每个激光束。所述光学装置可以包括光隔离器,以接收所述四个激光束中的每一个。
根据一些可能的实施方式,一种光学装置可以包括第一激光器芯片和第二激光器芯片。所述第一激光器芯片可以包括产生第一光束的第一激光发射器和产生第二光束的第二激光发射器。所述第二激光器芯片可以包括产生第三光束的第三激光发射器和产生第四光束的第四激光发射器。所述第一光束、所述第二光束、所述第三光束和所述第四光束中的每个光束可以具有不同的中心波长。所述光学装置可以包括定位在所述第一光束、所述第二光束、所述第三光束和所述第四光束的光路中的一个或多个透镜。所述光学装置可以包括定位在所述第一光束、所述第二光束、所述第三光束和所述第四光束的光路中的光隔离器。所述一个或多个透镜和所述光隔离器可以共同地相对于与所述第一光束、所述第二光束、所述第三光束和所述第四光束对应的光输出的组向所述第一光束、所述第二光束、所述第三光束和所述第四光束中的每一个引入小于一微米的相对偏转。
根据一些可能的实施方式,一种光学装置可以包括一个或多个激光发射器,以共同地且独立地产生两个或更多个激光束,每个激光束具有不同的波长。所述两个或更多个激光束可以经由相应的两个或更多个光路引导到相应的两个或更多个光输出。所述光学装置可以包括光学器件,其用以将所述两个或更多个激光束引导到所述相应的两个或更多个光输出,所述两个或更多个激光束中的每一个相对于所述相应的两个或更多个光输出的相对偏转小于一微米。所述光学器件可以包括在所述两个或更多个激光束的相应的两个或更多个光路中的一个或多个透镜。所述一个或多个透镜可以包括在所述两个或更多个激光束的相应的两个或更多个光路中的光隔离器。所述光学器件可以被放置和对准,使所述光学器件使得所述两个或更多个激光束相对于所述相应的两个或更多个光输出的相对偏转小于一微米。
附图说明
图1A和图1B是输出单个激光束的光学装置的图;
图2A和图2B是输出多个激光束的光学装置的示例实施方式的图;
图3A和图3B是输出多个激光束的光学装置的另一示例实施方式的图;以及
图4A和图4B是输出多个激光束的光学装置的又一示例实施方式的图。
具体实施方式
以下对示例实施方式的详细描述参考了附图。不同附图中的相同附图标记可以标识相同或相似的元件。
激光发射器向光通信发射器或光通信收发器提供特定光波长的激光,用以实现光通信。可以使用多个波长的光进行光通信,用以增加经由光通信系统提供的信息量。因此,光学装置可能需要多个激光发射器来为光通信发射器或光通信收发器提供多个光波长的激光。
光通信发射器或收发器的尺寸已经保持固定,并且在一些情况下,已经随时间发展而减小。然而,光通信发射器或收发器用以提供信息的光的波长的数量已经随时间发展而增加。因此,期望减少提供来自多个激光发射器的具有多个光波长的多个激光束的光学装置的数量或光学装置的尺寸。当光学装置耦合到例如光通信发射器或收发器时,多个激光发射器中的一个或多个与光通信发射器或收发器之间的未对准可导致较差的性能。因此,期望以相对精确的公差水平对准多个激光束。
本文所述的实施方式可以提供一种光学装置,其包括紧凑形状因数、并具有亚微米级的公差的多个激光器。以此方式,光学装置可以与减小尺寸的光通信发射器或收发器一起使用,以实现使用具有多个光波长的多个激光束的光通信系统。以此方式,相对于具有较大形状因数的另一光学装置,该光学装置降低了与光通信系统相关联的成本,并且增加了可以经由光通信系统提供的信息量。
图1A和图1B是输出单个激光束的光学装置100的示例实施方式的图。如图1A所示,在截面俯视图101和截面侧视图102中,光学装置100可以包括单个激光器芯片105(其包括用以产生激光束104的单个激光发射器103)、电连接件106-1和106-2的组(在下文中单独地称为“电连接件106”,并共同地称为“多个电连接件106”)、透镜108、光隔离器110、镜112、光路114、光输出116、基部118、以及外壳120。光学装置100可以光耦合到光学集成电路124。
激光器芯片105包括单个激光发射器103,用以基于电力输入产生激光束104。例如,激光发射器103包括分布式反馈激光器、固态激光器、半导体激光器二极管、半导体激光器芯片、半导体激光发射器等。激光发射器103可以发射任何波长的光,例如O波段激光束(例如在1260纳米(nm)至1360nm的范围中)、C波段激光束(例如在1528nm至1569nm的范围中)、或L波段激光束(例如在1565nm至1625nm的范围中)。激光发射器103由电连接件106供电和控制。电连接件106包括向激光发射器103提供电流的导电电极部件,以及为激光发射器提103提供电流返回路径的导电接地电极部件。在一些实施方式中,控制器(未示出)可以基于经由电连接件106提供给激光发射器103的安培数和/或电压来控制激光发射器103。在一些实现方式中,包括激光发射器103的激光器芯片105使用拾取和放置技术进行定位,并使用焊接技术或环氧树脂胶合技术进行安装。
透镜108是球透镜。在另一示例中,透镜108可以包括另一类型的球面透镜、非球面透镜、衍射透镜、渐变折射率透镜、柱面透镜、准直透镜等。光隔离器110包括法拉第隔离器。在另一示例中,光隔离器110可以包括另一类型的光隔离器。在另一示例中,光隔离器110可以设置在激光发射器103与透镜108之间。镜112包括玻璃镜、金属(例如金)镜等。在一些实施方式中,可以基于将湿法蚀刻技术应用到外壳120的内表面以形成成角度的表面、并且将金属沉积技术应用到该成角度的表面以提供反射的成角度的表面来形成镜112。
光路114可以包括激光束104的光路。在一些实施方式中,基部118可以对于激光束104是光学透明的,从而允许激光束104沿着光路114传播,而无需在基部118中包括波导。
光输出116包括光学装置100的输出端口。光输出116可以光耦合到光学集成电路124的输入光端口。输入光端口可以例如是表面光栅耦合器或任何其他波导耦合器。
基部118包括光学装置100的部件所固定的表面或基板。例如,基部118可以包括光具座(bench),其材料在激光波长下是透明的,例如硅基板、电介质基板、玻璃基板等。激光束104被引导通过基部118朝向光输出116并进入光学集成电路124。如图所示,基部118表面耦合到光学集成电路124。基部118可以对激光束104是光学透明的。在另一示例中,如图1B所示,基部118边缘耦合到光学集成电路124。
外壳120包围光学装置100。例如,外壳120包括硅外壳、塑料外壳、金属外壳、环氧树脂外壳等。在一些实施方式中,外壳120可以包括气密外壳,从而相对于非气密的操作环境,减少光学装置100的操作环境中的变化,例如湿度变化、温度变化、大气变化等。在一些实施方式中,外壳120选自具有与基部118类似的热膨胀系数的材料。在一些实施方式中,例如当光学装置100将用于环境稳定的环境中时,光学装置100可以省略外壳120。
光学集成电路124包括可以光耦合到光学装置100以接收激光束104的光学集成电路。在一些实施方式中,光学装置100可以耦合到另一类型的部件,例如波分复用(WDM)装置、空分复用装置、光子集成电路、硅集成光子电路、或可以接收激光束104的另一类型的装置。光学集成电路可以包括收发器功能的子集或全部。光学集成电路可以组装在各种收发器形状因数内,该收发器形状因数包括例如小型可插拔(SFP)收发器、四通道SFP(QSFP)收发器等。光学集成电路也可以组装在直接安装在主机印刷电路板组件(PCBA)等上的模块组件内。
如图1B所示,在截面俯视图125和截面侧视图126中,类似的光学装置100边缘耦合到类似的光学集成电路124。在这种情况下,光学装置100省略镜112,并将激光束104引导到光输出116,而激光束104不穿过基部118。激光束104仍然可以穿过外壳120或经由光路114通过外壳120。
如上所述,图1A和图1B仅作为示例提供。其他示例是可能的,并且可以与结合图1A和图1B所描述的不同。
图2A和图2B是示例实施方式200的图。图2A和图2B示出了从多个激光发射器输出多个激光束的光学装置的示例。
如图2A所示,光学装置202包括两个激光器芯片203的组,每个激光器芯片203包括两个激光发射器204的组(例如激光器芯片203-1包括第一激光发射器204-1和第二激光发射器204-2,激光器芯片203-2包括第三激光发射器204-3和第四激光发射器204-4);透镜206的组(例如第一透镜206-1和第二透镜206-2);光学器件208的组(例如光隔离器210和镜212);抗反射层214;电连接件216-1至216-5的组;以及基部218。
在一些实施方式中,光学装置202或本文所述的另一多激光器光学装置,具有的长度可以为约3.7毫米或者在约2毫米至约5毫米的范围内。在一些实施方式中,光学装置202或本文所述的另一多激光器光学装置,具有的宽度可以为约2.5毫米或在约1毫米至约5毫米的范围内。
每个激光器芯片203包括两个激光发射器204,每个激光发射器204发射激光束220。换言之,两个激光器芯片203-1和203-2共同地包括四个激光发射器204-1至204-4,它们以不同波长发射四个激光束220-1至220-4。例如,每个激光器芯片203可以包括共用公共基板的半导体激光二极管的组(例如两个磷化铟激光器、两个砷化镓激光器、两个砷化铝镓激光器、两个磷化镓激光器、或两个另一类似类型的激光器)。从激光发射器204提供的每个激光束220最终可以与不同的信道(例如粗波分复用(CWDM)信道)相关联。例如,激光器芯片203-1包括激光发射器204-1,其与在第一CWDM信道输出第一激光束相关联,以及激光发射器204-2,其与在第二CWDM信道输出第二激光束相关联。
在一些实施方式中,激光发射器204与特定的节距相关联。节距可以指相邻的激光发射器204的中心之间的物理间隔。如图所示,节距横向地分隔激光发射器204。例如,激光器芯片203-1的第一激光发射器204-1和第二激光发射器204-2分别输出激光束220-1和220-2,节距为30μm(微米)。在一些实施方式中,激光器芯片中的激光发射器之间的节距可以为10μm至100μm。在一些实施方式中,激光器芯片203-1可以与激光器芯片203-2以约100μm至约2000μm范围内的距离分隔。在一些实施方式中,激光发射器204对应于图1A和图1B中所示的激光发射器103。
每个透镜206包括与激光发射器204光学地对准的两个非球面透镜的组。非球面透镜206改善了光学装置202的耦合效率。每个透镜206引导由激光器芯片203发射的多个激光束(例如具有不同的中心波长的两个激光束)。例如,当光学装置202工作时,透镜206-1接收来自激光器芯片203-1的激光发射器204-1和204-2的激光束220-1和220-2,并朝向光学器件208引导激光束220-1和220-2。类似地,透镜206-2接收来自激光器芯片203-2的激光发射器204-3和204-4的激光束220-3和220-4,并朝向光学器件208引导激光束220-3和220-4。基于光学装置202使用两个透镜206以朝向光学器件208引导四个激光束220,光学装置202的成本和光学装置202的尺寸相对于需要四个单个的光束光学装置100(例如具有单个发射器的单个芯片)或两个双激光束光学装置(例如具有两个芯片的光学装置,每个芯片具有单个发射器)而减小。在一些实施方式中,透镜206对应于图1A和图1B中所示的透镜108。
光学器件208包括与透镜206光学地对准的光学隔离器210和镜212。在这种情况下,光学装置202包括单个光隔离器210,用以接收来自激光发射器204(例如经由透镜206)的四个激光束220的组,并且经由相应的光路的组朝向单个镜212引导四个激光束220的组。基于使用单个光隔离器210,基于由于与单个光隔离器210相关联的制造公差、材料差异、未对准等,而导致的相同的偏转,四个激光束220保持相对的对准(例如四个激光束220中的每一个的每个相对偏转彼此大致相似并且满足阈值相似度)。换言之,尽管光隔离器210的区域可能对四个激光束220中的每一个引入大于1微米的绝对偏转,但实现了四个激光束220中的每一个相对于每个其他的激光束220和光输出的相对偏转小于1微米(例如亚微米级的公差),从而允许光学装置202被对准,并且在同一对准步骤中,所有四个输出光束与4个光栅(grating)耦合器精确对准。
在一些实施方式中,公差可以关于从相应的光输出的横向方向。例如,使用单个光隔离器210导致多个激光束220保持在横向平面中的阈值横向距离内。类似地,公差可以关于角度方向。例如,使用单光隔离器210导致多个激光束220保持相对的角度方向。类似地,公差可以关于焦点偏差。例如,使用单光隔离器210导致多个激光束220经受相似的焦点偏差。基于维持多个激光束220的公差(例如关于相对横向位移、相对角度位移、或相对焦点偏差的公差),光学装置202可以将光学装置202的多个光输出耦合到另一个装置(例如光学集成电路)的多个光输入。
在一些实施方式中,公差可以是涉及从参考输出位置的任何光束的绝对偏转的绝对公差。例如,光学装置202的部件可以定位和配置为使得多个激光束220中的每一个维持相对于理想输出位置(例如参考输出位置)朝向多个激光束220中的每一个的标靶(target)的阈值绝对公差。换言之,不会使得特定激光束220在横向方向上、角度方向上、或相对于焦点偏差偏离理想输出位置超过阈值量。
相比之下,使用多个光隔离器可能导致与多个光隔离器相关联的不同的制造公差(例如与多个光隔离器的表面相关联的平行度误差),从而向四个激光束220中的每一个引入不同量的偏转,阻止所有输出光束同时对准到光学集成电路的输入端口。在一些实施方式中,光隔离器210和镜212分别对应于图1A和1B中所示的光隔离器110和镜112。
抗反射层214包括当激光束220被引导到光波导中并且朝向光学集成电路(未示出)的输入光栅的组时,减小激光束220的背向反射系数的层。抗反射涂层也可以施加到光学装置中的其它表面,例如施加到透镜206和激光发射器的刻面。
电连接件216包括电极的组,每个电极对应于激光发射器204的激光器;以及激光发射器204的每个激光器公用的接地电极。例如,电连接件216-1对应于激光发射器204-1的第一激光器,第二电连接件216-2对应于激光发射器204-1的第二激光器,第三电连接件216-3对应于激光发射器204-2的第一激光器,第四电连接件216-4对应于激光发射器204-2的第二激光器。在这种情况下,电连接件216-1至216-4与控制激光发射器204相关联。附加地,激光发射器204-1和204-2中的每个激光器共用第五电连接件216-5(例如接地电极),其为激光器的电接地。在一些实施方式中,电连接件216对应于图1A和图1B中所示的电连接件106。
图2B示出了光学装置202第一三维视图,其中光学装置202不包括盖;光学装置202的第二三维视图,其中光学装置202包括盖;以及光学装置202的侧视图。在这种情况下,每个激光器芯片203以倒装芯片(flip chip)的方式安装到基部218。基于使用倒装芯片接合布置(flip-chip bonding arrangement)(例如倒装芯片安装技术),相对于非倒装芯片安装技术,光学装置202降低了激光器芯片203-1和激光器芯片203-2的相对未对准(例如横向、角度、焦点的未对准)的可能性。例如,当使用了非倒装芯片安装技术时,每个激光器芯片203包括安装到基部218的抛光侧面。在这种情况下,激光器芯片203-1的第一抛光侧面和激光器芯片203-2的第二抛光侧面的厚度的变化性可能在几微米或更大的数量级上,使得满足亚微米级的公差(其被用于将光学装置202光耦合到光学集成电路)更加困难。相反,使用倒装芯片安装技术,光学装置202可以满足亚微米级的公差,这使得激光束220能够从每个激光器芯片203的每个激光发射器204被引导到光学集成电路而不会降低性能。这是可能的,因为从发射器到顶表面(当使用倒装芯片接合时,接合到基部218的表面)的芯片的厚度受到很好地控制,公差小于1微米。
如光线轨迹222所示,当光学装置202工作时,激光束220从每个激光器芯片203的每个激光发射器204经由透镜206和光学器件208被朝向光学集成电路(未示出)引导。如附图标记226所示,光学装置202包括盖226(例如硅盖),用以保护(例如气密密封)光学装置202的至少自由空间光学部件。在一些实施方式中,盖226对应于图1A中所示的外壳120。
如上所述,图2A和图2B仅作为示例提供。其他示例是可能的,并且可以与结合图1和图2所描述的不同。
图3A和3B是示例实施方式300的图。图3A和3B示出了包括多个激光发射器(每个激光发射器具有多个激光器芯片)的光学装置的示例。
如图3A所示,光学装置302包括激光器芯片304的组、透镜306的组,光学器件308的组、电连接件310的组和基部312。在一些实施方式中,透镜306、光学器件308、电连接件310和基座312分别对应于图1A和图1B或图2A和图2B中所示的透镜、光学器件、电连接件和基座。
如图3A进一步所示,激光器芯片304包括两个激光发射器的组,每个激光发射器发射一个激光束,总计四个激光束。换言之,光学装置302包括发射两个激光束的第一激光器芯片304和发射两个激光束的第二激光器芯片304,产生四个激光束的输出。在这种情况下,激光器芯片304的组中的每一个相对于基部312的表面p侧向上(即,p掺杂(p-doped)的有源发射区域面向上)安装,而不是以倒装芯片方式安装到基部312的表面。在一些实施方式中,激光器芯片304与特定间隔相关联。例如,对于球透镜306(每个球透镜306的直径为500μm)的组,激光器芯片304与大约700μm的间隔相关联(例如,在透镜之间具有200μm间隙)。
如图3A进一步所示,透镜306包括球透镜的组,其用于聚焦或准直由激光器芯片304的组的激光发射器发射的四个激光束。相对于使用另一类型的透镜(例如另一类型的球面透镜或非球面透镜),球透镜306减少了光学装置302的制造成本。在这种情况下,两个透镜306用于四个激光束。
如图3B所示,光学装置302将被安装到光学集成电路314的表面,光学集成电路314包括电子集成电路316。在这种情况下,如附图标记318所示,可以使用四个对准方形基准以亚微米级的公差将光学装置302的光输出320与光学集成电路314的输入光栅322对准。该对准可以是主动的(例如激光器被激活,并且耦合到光电路波导中的光信号的强度被监测并用于优化光学装置的对准),或者其可以是被动的(例如通过使用高分辨率相机来监测以光刻方式限定的对准特征和位于装置和光学集成电路上的对准特征的配准,来实现对准)。光学集成电路314可以经由对准到亚微米级的公差的输入光栅322的四个光输入,接收来自单个光学装置302的四个光输出320的四个激光束。如附图标记324所示,光学集成电路314可以包括可以连接到单模光纤阵列的输入和输出光栅324的阵列。
在另一示例中,光学装置302可以经由另一数量的输出(例如更大量的激光束、更少量的激光束等)提供另一数量的激光束。在另一示例中,光学装置302可以经由另一配置(例如非线性配置)提供多个激光束,例如正方形配置(例如四个激光束的组的每个激光束形成正方形的角)或另一类型的配置。
如上所述,图3A和图3B仅作为示例提供。其他示例是可能的,并且可以与结合3A和图3B所描述的不同。
图4A和图4B是示例实施方式400的图。图4A和图4B示出了包括具有四个激光发射器的单个激光器芯片的光学装置的示例。
如图4A所示,光学装置402包括激光器芯片404(其包括四个激光发射器)、透镜406、光学器件408的组、电连接件410的组和基部412。在一些实施方式中,透镜406、光学器件408、电连接件410和基部412分别对应于图3A和图3B所示的那些。
如图4A(例如俯视图)和图4B(例如第一三维视图,其中光学装置402包括外壳;第二三维视图,其中光学装置不包括外壳;以及侧视图)进一步所示,激光器芯片404包括发射四个激光束414的单个芯片。例如,激光器芯片404包括集成到单个芯片上的四个分布式反馈(DFB)激光器的组。在这种情况下,激光器芯片404(例如单个芯片)p侧向上安装到基部412。基于四个DFB激光器的组被集成到单个芯片上(例如四个DFB激光器以光刻方式限定),每个发射器相对于彼此的高度公差是1微米的小部分(即亚微米公差),因此不需要以倒装芯片方式安装。换言之,基于四个激光束从同一芯片发射,四个激光束中的每一个的相对位置受到控制。
四个激光束中的每一个被朝向单个透镜406引导,单个透镜406朝向光学器件408的组引导四个激光束。光学器件408包括光隔离器,其包括四个区域以接收四个激光束。光隔离器可以制造为使得每个区域引起相应的激光束的相应的绝对偏转相对于每个其他区域满足阈值相似度,以确保由光隔离器引起的每个激光束的相对偏转小于阈值量以保持四个激光束的亚微米级的对准。例如,由于光隔离器中的瑕疵,四个激光束中的第一激光束可能由光隔离器的第一区域偏转第一量,四个激光束中的第二激光束可能由光隔离器的第二区域偏转第二量。在这种情况下,第一量和第二量可以满足阈值相似度,以保持第一激光束和第二激光束的相对对准。附加地或替代地,第一量和第二量可以各自满足与确保亚微米级的公差相关联的阈值。
在这种情况下,基于使用激光器芯片404的单个芯片和使用单个透镜406,相对于具有多个芯片或多个透镜的另一配置(例如多个光学装置100),光学装置402与减小的尺寸相关联。此外,虽然透镜(例如透镜406)可能包括影响激光束414的瑕疵和缺陷,但是基于使用单个透镜406,每个激光束414应当相对于每个其他激光束414被透镜406偏转相同的量。换言之,激光束414之间的任何相对偏转被最小化。以此方式,相对于具有多个透镜或对应于多个激光束的多组光学器件的另一光学装置,或相对于提供多个激光束的多个光学装置,光学装置402与降低的不对准的可能性相关联。
可以基于例如光学放大、光学像差等特性来选择、制造和/或对准光学装置402的部件以实现这样的相对公差或这样的绝对公差。例如,对于耦合到光输出的光栅,其具有用于四个激光束414的120μm的光栅中心到中心间隔(即节距),可以选择激光发射器404、透镜406和光学器件408以使得为激光束414提供30μm的亚微米公差内的节距。在这种情况下,使用光学器件408的单个光隔离器、单个透镜406等降低了将相对偏转引入到激光束414中的可能性,其可能导致激光束414中一个或多个不能被引导到与光栅位置相关联的靶标。
在另一示例中,其需要大于四个激光器(例如8个激光器、10个激光器、12个激光器等),可以将多个芯片集成到单个光学装置中,每个芯片发射多个激光束(例如具有不同的中心波长),或者可以选择包括更大数量的激光发射器的芯片。
如上所述,图4A和图4B仅作为示例提供。其他示例是可能的,并且可以与结合图4A和图4B所描述的不同。
相对于使用多个光学装置来提供多个激光束,例如多个光学装置100,基于使用单个光学装置提供来自一个或多个激光发射器的多个激光束,例如光学装置202、光学装置302、光学装置402等,可以以减小的成本和/或尺寸提供光学集成电路。类似地,相对于使用多个光学装置,基于使用单个光学装置,可以以降低的难度实现将多个激光束对准到光学装置的光输出的组的亚微米级的公差。
前述公开内容提供了说明和描述,但并不旨在穷举或将实施方式限制为所公开的精确形式。根据上述公开的修改和变化是可能的,或者可以从实施方式的实践中获得。
尽管在权利要求中和/或在说明书中公开了特征的特定组合,但是这些组合并不旨在限制可能的实施方式的公开。事实上,这些特征中的许多可以以未在权利要求书中记载和/或说明书中公开的方式来组合。尽管下面列出的每个从属权利要求可能仅直接依赖于一个权利要求,但是可能的实施方式的公开包括结合权利要求组中的每个其他权利要求的每个从属权利要求。
除非明确描述,否则本文中使用的元件、动作或指令不应被解释为至关重要的或必不可少的。此外,如本文所使用的,冠词“一”旨在包括一个或多个项目,并且可以与“一个或多个”互换使用。此外,如本文所使用的,术语“组”旨在包括一个或多个项目(例如相关的项目、不相关的项目、相关的项目与不相关的项目的组合、等等),并且可以与“一个或多个”互换使用。如果仅使用一个项目,则使用术语”一个“或类似的语言。此外,如本文所使用的,术语“有”、“具有”、“带有”等旨在是开放式术语。此外,短语“基于”旨在表示“至少部分地基于”,除非另有明确说明。

Claims (10)

1.一种光学装置,包括:
第一激光器芯片和第二激光器芯片,
所述第一激光器芯片包括产生第一光束的第一激光发射器和产生第二光束的第二激光发射器,
所述第二激光器芯片包括产生第三光束的第一激光发射器和产生第四光束的第二激光发射器,
所述第一光束和所述第二光束中的至少一个相对于所述第三光束和所述第四光束中的至少一个的相对偏转小于一微米;以及
定位在所述第一光束、所述第二光束、所述第三光束和所述第四光束的光路中的一个或多个透镜,
其中,所述光学装置还包括定位在所述第一光束、所述第二光束、所述第三光束和所述第四光束的光路中的光隔离器,所述光隔离器是单个光隔离器;
其中,所述一个或多个透镜和所述单个光隔离器共同地向所述第一光束、所述第二光束、所述第三光束和所述第四光束中的每一个引入相对于与所述第一光束、所述第二光束、所述第三光束和所述第四光束对应的光输出的组的小于一微米的相对偏转;
其中,所述单个光隔离器包括四个区域以接收四个激光束,所述单个光隔离器被制造为使得每个区域引起相应的激光束的相应的绝对偏转相对于每个其他区域满足阈值相似度,以确保由所述单个光隔离器引起的每个激光束的相对偏转小于阈值量以保持四个激光束的亚微米级的对准。
2.如权利要求1所述的光学装置,其中,所述第一光束、所述第二光束、所述第三光束和所述第四光束中的每个光束具有不同的中心波长。
3.如权利要求1所述的光学装置,其中,所述一个或多个透镜包括:
在所述第一光束和所述第二光束的光路中的第一透镜;以及
在所述第三光束和所述第四光束的光路中的第二透镜。
4.如权利要求1所述的光学装置,其中,所述第一光束、所述第二光束、所述第三光束和所述第四光束使用相对于所述第一光束、所述第二光束、所述第三光束和所述第四光束对准的表面被引导朝向光学装置的相应的光输出。
5.如权利要求4所述的光学装置,其中,所述表面是反射镜的部分。
6.一种方法,包括:
由第一激光器芯片的第一激光发射器产生第一光束;
由第一激光器芯片的第二激光发射器产生第二光束;
由第二激光器芯片的第一激光发射器产生第三光束;
由第二激光器芯片的第二激光发射器产生第四光束,所述第一光束和所述第二光束中的至少一个相对于所述第三光束和所述第四光束中的至少一个的相对偏转小于一微米;以及
由一个或多个透镜引导所述第一光束、所述第二光束、所述第三光束和所述第四光束,所述一个或多个透镜定位在所述第一光束、所述第二光束、所述第三光束和所述第四光束的光路中,
由光隔离器引导所述第一光束、所述第二光束、所述第三光束和所述第四光束,所述光隔离器定位在所述第一光束、所述第二光束、所述第三光束和所述第四光束的光路中,所述光隔离器是单个光隔离器,
其中,所述一个或多个透镜和所述单个光隔离器共同地向所述第一光束、所述第二光束、所述第三光束和所述第四光束中的每一个引入相对于与所述第一光束、所述第二光束、所述第三光束和所述第四光束对应的光输出的组的小于一微米的相对偏转;
其中,所述单个光隔离器包括四个区域以接收四个激光束,所述单个光隔离器被制造为使得每个区域引起相应的激光束的相应的绝对偏转相对于每个其他区域满足阈值相似度,以确保由单个光隔离器引起的每个激光束的相对偏转小于阈值量以保持四个激光束的亚微米级的对准。
7.如权利要求6所述的方法,其中,所述第一光束、所述第二光束、所述第三光束和所述第四光束中的每个光束具有不同的中心波长。
8.如权利要求6所述的方法,其中,所述一个或多个透镜包括:
在所述第一光束和所述第二光束的光路中的第一透镜;以及
在所述第三光束和所述第四光束的光路中的第二透镜。
9.如权利要求6所述的方法,还包括:
使用相对于所述第一光束、所述第二光束、所述第三光束和所述第四光束对准的表面引导所述第一光束、所述第二光束、所述第三光束和所述第四光束朝向光学装置的相应的光学输出。
10.如权利要求9所述的方法,其中,所述表面是反射镜的部分。
CN201711032686.2A 2016-10-28 2017-10-27 使用共用的光学器件的多激光器封装体 Active CN108020924B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US15/337,916 2016-10-28
US15/337,916 US9774172B1 (en) 2016-10-28 2016-10-28 Multi-laser package using shared optics

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN108020924A CN108020924A (zh) 2018-05-11
CN108020924B true CN108020924B (zh) 2024-01-19

Family

ID=59886606

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201711032686.2A Active CN108020924B (zh) 2016-10-28 2017-10-27 使用共用的光学器件的多激光器封装体

Country Status (2)

Country Link
US (2) US9774172B1 (zh)
CN (1) CN108020924B (zh)

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9774172B1 (en) * 2016-10-28 2017-09-26 Lumentum Operations Llc Multi-laser package using shared optics
US10193302B2 (en) * 2017-05-10 2019-01-29 Applied Optoelectronics, Inc. Light engine with integrated turning mirror for direct coupling to photonically-enabled complementary metal-oxide semiconductor (CMOS) die
JP7105441B2 (ja) * 2018-07-26 2022-07-25 セイコーエプソン株式会社 発光装置およびプロジェクター
CN110854667A (zh) * 2019-12-04 2020-02-28 南京先进激光技术研究院 一种激光mems扫描投影模组半导体激光器调试装置
DE102020201564A1 (de) 2020-02-08 2021-08-12 Robert Bosch Gesellschaft mit beschränkter Haftung Verfahren zu einer Herstellung einer Laserdiodenvorrichtung und Laserdiodenvorrichtung
WO2021223148A1 (en) * 2020-05-07 2021-11-11 Lumentum Operations Llc Optical isolator core in between fiber and collimator lens

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1914543A (zh) * 2004-01-28 2007-02-14 加拿大柯达图形通信公司 用于照亮光阀的装置和方法
CN101399059A (zh) * 2007-09-28 2009-04-01 日立视听媒介电子股份有限公司 光盘驱动装置、光拾取器及其中应用的光学部件
CN202888604U (zh) * 2012-08-06 2013-04-17 北京大族天成半导体技术有限公司 半导体激光装置

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5264392A (en) * 1990-07-05 1993-11-23 At&T Bell Laboratories Fabrication technique for silicon-based optical subassemblies
US5757830A (en) * 1996-02-07 1998-05-26 Massachusetts Institute Of Technology Compact micro-optical edge-emitting semiconductor laser assembly
US7838794B2 (en) * 1999-12-28 2010-11-23 Gsi Group Corporation Laser-based method and system for removing one or more target link structures
US6975659B2 (en) * 2001-09-10 2005-12-13 Fuji Photo Film Co., Ltd. Laser diode array, laser device, wave-coupling laser source, and exposure device
US6782146B2 (en) * 2001-09-28 2004-08-24 Corning Incorporated Multiple polarization combiner-splitter-isolator and method of manufacturing the same
WO2005045498A1 (en) * 2003-11-10 2005-05-19 Bookham Technology Plc An optoelectric subassembly
US20070002922A1 (en) * 2005-06-30 2007-01-04 Intel Corporation Retro-reflecting lens for external cavity optics
US9774172B1 (en) * 2016-10-28 2017-09-26 Lumentum Operations Llc Multi-laser package using shared optics

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1914543A (zh) * 2004-01-28 2007-02-14 加拿大柯达图形通信公司 用于照亮光阀的装置和方法
CN101399059A (zh) * 2007-09-28 2009-04-01 日立视听媒介电子股份有限公司 光盘驱动装置、光拾取器及其中应用的光学部件
CN202888604U (zh) * 2012-08-06 2013-04-17 北京大族天成半导体技术有限公司 半导体激光装置

Also Published As

Publication number Publication date
US10211602B2 (en) 2019-02-19
US9774172B1 (en) 2017-09-26
CN108020924A (zh) 2018-05-11
US20180123321A1 (en) 2018-05-03

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN108020924B (zh) 使用共用的光学器件的多激光器封装体
US6267515B1 (en) Optical coupling module and manufacturing method of the same
US6913400B2 (en) Optoelectric module for multi-fiber arrays
US20060239612A1 (en) Flip-chip devices formed on photonic integrated circuit chips
US20160349470A1 (en) Hybrid integrated optical sub-assembly
US9703046B2 (en) Active optical coupling system and photonic integrated circuit
US10613279B2 (en) Photonic waveguide coupling using offset light source
US20200400913A1 (en) Optical module
US9563028B2 (en) Method to manufacture an optoelectronic assembly
CN108693607B (zh) 光通信模组及双向光通信模组
US9912437B2 (en) Optical transmitters
US20160334592A1 (en) Bidirectional optical transceiver module
US11733467B2 (en) Optical module and method of producing the same
CN110879441B (zh) 发光模块
US10381799B2 (en) Optical module
US9304268B2 (en) Optical interposer with ninety degree light bending
US11137558B2 (en) Optical receptacle and optical module
US6980572B2 (en) Wavelength selectable light source
US9151918B2 (en) Opto-electronic assembly for parallel high speed transmission
CN114755758A (zh) 用于光学信号处理的器件和系统及制造半导体器件的方法
US11886014B2 (en) Two-stage expanded beam optical coupling
JP2017098335A (ja) 波長多重レーザダイオードモジュール
CN212989714U (zh) 光学传输构件的端部结构
US20240038922A1 (en) Optical module
US20220365310A1 (en) Optical device and optical component

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant