CN108011017A - 上转换器件和材料及其制造方法 - Google Patents
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- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 title claims abstract description 76
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 36
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 17
- 239000000463 material Substances 0.000 title abstract description 47
- 238000013461 design Methods 0.000 claims abstract description 5
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 77
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 12
- 238000004873 anchoring Methods 0.000 claims 1
- 230000005693 optoelectronics Effects 0.000 abstract description 3
- 230000007704 transition Effects 0.000 abstract 1
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 38
- 230000013742 energy transducer activity Effects 0.000 description 21
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 19
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 17
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 12
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 11
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 7
- 238000005457 optimization Methods 0.000 description 7
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 6
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 6
- 230000008569 process Effects 0.000 description 5
- 230000004044 response Effects 0.000 description 5
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 4
- 238000000295 emission spectrum Methods 0.000 description 4
- 238000000695 excitation spectrum Methods 0.000 description 4
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- 230000008859 change Effects 0.000 description 3
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 3
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GPXJNWSHGFTCBW-UHFFFAOYSA-N Indium phosphide Chemical compound [In]#P GPXJNWSHGFTCBW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000003466 anti-cipated effect Effects 0.000 description 2
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 2
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 2
- 229920003223 poly(pyromellitimide-1,4-diphenyl ether) Polymers 0.000 description 2
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 2
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 1
- 239000003814 drug Substances 0.000 description 1
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 1
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 1
- 230000006698 induction Effects 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 238000006862 quantum yield reaction Methods 0.000 description 1
- 229910052761 rare earth metal Inorganic materials 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/50—Wavelength conversion elements
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
- H01L2933/0008—Processes
- H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
- H01L2933/0041—Processes relating to semiconductor body packages relating to wavelength conversion elements
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- Engineering & Computer Science (AREA)
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- Manufacturing & Machinery (AREA)
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- Power Engineering (AREA)
- Luminescent Compositions (AREA)
- Led Devices (AREA)
Abstract
本公开提供了一种上转换光电子器件，包括，发光层，和光子捕获层，与所述发光层形成闭合回路，用于捕获光子，以驱动所述发光层发射光子，其中，被捕获的光子的能量低于发射的光子的能量。本公开同时提供了上转换材料，以及上转换器件和材料的制造方法。同时，该设计可拓展到下转换形式，捕获高能量的光子，进而转换为低能量。本公开还提供了一种微米级别的上转换器件的制造方法。
Description
技术领域
本公开涉及光电子器件设计技术领域，具体涉及一种微纳米级的上转换器件。
背景技术
光子上转换(Upconversion,UC)是将多个低能光子转换成高能量的光子的过程，即所谓的反斯托克斯(anti-Stokes)发射，该方法在包括生物成像、太阳能收集、红外感应、显示和固态冷却等许多领域中具有广阔的应用场景，因此制备性能良好的上转换发光材料及器件有着十分重大的意义。
目前，最普遍的上转换技术通常依赖于采用稀土元素等所制备的上转换材料。然而，这个过程通常是非线性的，需要高相干性和高激发功率激发光源(通常为激光)激发，发射光的光谱为窄带和多色光谱发射，较低的转换效率(0.001％–1％)和慢响应速度(μs–ms)。此外，基于三重态湮灭机制的上转换材料虽然有着较高的量子产率(>1％)，但是通常易受外接条件影响(例如，氧气等)，并且产生反斯托克斯位移具有一定的局限性。另外，其他一些上转换的方法，例如采用物理连接或结合的光电探测器和发光器件，通常采用外部电路或电源来补偿缺少能量差从而获得高增益实现上转换过程。这种设备方案对进一步微型化芯片和电路带来了挑战。
发明内容
本公开的一个方面提供了一种上转换器件，包括，发光层，以及光子捕获层，与所述发光层形成闭合回路，用于捕获光子，以驱动所述发光层发射光子，其中，被捕获的光子的能量低于发射的光子的能量。
可选地，所述光子捕获层包括至少两个光子捕获子单元，以及在所述光子捕获层包括多个光子捕获子单元的结构情况下，所述光子捕获层还包括隧穿结，用于连接相邻的光子捕获子单元。
可选地，所述发光层包括分布式布拉格反射层。
可选地，所述光子捕获层与所述发光层形成闭合回路包括，所述发光层的负极生长于所述光子捕获层的负极一侧，所述发光层的正极与所述光子捕获层的正极通过导电介质连接。
本公开的另一个方面提供了一种上转换器件的制造方法，包括，制备发光层和光子捕获层，以及连接所述发光层与所述光子捕获层上相对应的电极，形成闭合回路。
可选地，所述光子捕获层包括至少两个光子捕获子单元，以及在所述光子捕获层包括多个光子捕获子单元的结构情况下，所述光子捕获层还包括隧穿结设计，用于连接相邻的光子捕获子单元。
可选地，所述发光层包括分布式布拉格反射层。
可选地，所述制备发光层和光子捕获层包括，在第一基底上以外延生长的方式，制备发光层和光子捕获层，其中，所述发光层的正极与所述光子捕获层的正极相对，或者，所述发光层的负极与所述光子捕获层的负极相对。
可选地，所述连接所述发光层与所述光子捕获层上相对应的电极，形成闭合回路包括，刻蚀所述发光层和光子捕获层，使与所述第一基底相连的电极裸露，以及在所述发光层或所述光子捕获层中与所述第一基底距离最远的电极和与所述第一基底相连的电极上沉积金属，并连接该两个电极，形成闭合回路。
可选地，所述第一基底包括第一牺牲层，用于分离所述第一基底。
可选地，所述制备发光层和光子捕获层包括，在第二基底层上外延生长发光层，以及在第三基底层上外延生长光子捕获层。
可选地，所述第二基底包括有第二牺牲层，用于分离所述第二基底，以及/或者所述第三基底包括层第三牺牲层，用于分离所述第三基底。
可选地，所述的制造方法还包括，锚固所述闭合回路。
可选地，所述的制造方法，还包括，将所述闭合回路转印到第四基底，以及封装所述闭合回路和所述第四基底。
本公开的另一个方面提供了一种上转换材料，包括，发光层和光子捕获层，用于捕获光子，以驱动所述发光层发射光子，其中，被捕获的光子的能量低于发射的光子的能量。
附图说明
通过以下参照附图对本公开实施例的描述，本公开的上述以及其他目的、特征和优点将更为清楚，在附图中：
图1A示出了根据本公开实施例上转换器件的截面图；
图1B和图1C示出了根据本公开另一实施例上转换器件的截面图；
图2A示出了激发光谱功率与发射光谱功率的关系图；
图2B示出了上转换器件的响应速度与荧光衰减的关系图；
图3示意性示出了根据本公开实施例的上转换器件的示意图；
图4A示意性示出了根据本公开实施例的上转换器件的截面图；
图4B示意性示出了根据本公开实施例的光子捕获层截面图；
图4C示意性示出了根据本公开实施例的发光层的截面图；
图4D示意性示出了根据本公开实施例的上转换器件的工作原理图；
图5-8示出了根据本公开实施例的制备上转换器件的多个阶段的示意图；
图9A和图9B示出了根据本公开实施例的制备上转换器件形成闭合回路的示意图；
图10A和图10B示意性示出了根据本公开另一实施例的制备上转换器件发光层和光子捕获层的示意图；
图11A和图11B示意性示出了根据本公开另一实施例的制备上转换器件的刻蚀所述发光层和光子捕获层的示意图；
图12A和图12B示意性示出了根据本公开另一实施例的制备上转换器件沉积金属的示意图；以及
图13示意性示出了根据本公开另一实施例的上转换器件的示意图。
具体实施方式
以下，将参照附图来描述本公开的实施例。但是应该理解，这些描述只是示例性的，而并非要限制本公开的范围。此外，在以下说明中，省略了对公知结构和技术的描述，以避免不必要地混淆本公开的概念。
在附图中示出了根据本公开实施例的各种结构示意图。这些图并非是按比例绘制的，其中为了清楚表达的目的，放大了某些细节，并且可能省略了某些细节。图中所示出的各种区域、层的形状以及它们之间的相对大小、位置关系仅是示例性的，实际中可能由于制造公差或技术限制而有所偏差，并且本领域技术人员根据实际所需可以另外设计具有不同形状、大小、相对位置的区域/层。
在此使用的术语仅仅是为了描述具体实施例，而并非意在限制本公开。此外，在此使用的术语“包括”、“包含”等表明了所述特征、步骤、操作和/或部件的存在，但是并不排除存在或添加一个或多个其他特征、步骤、操作或部件。
在此使用的所有术语(包括技术和科学术语)具有本领域技术人员通常所理解的含义，除非另外定义。应注意，这里使用的术语应解释为具有与本说明书的上下文相一致的含义，而不应以理想化或过于刻板的方式来解释。
根据本公开的实施例，提供了一种上转换器件，包括，发光层以及光子捕获层，与所述发光层形成闭合回路，用于捕获光子，以驱动所述发光层发射光子，其中，被捕获的光子的能量低于发射的光子的能量。
所述上转换器件可以是集成的上转换器件也可是分离的上转换器件。如图1A以及图1B、图1C所示。
图1A示意性示出了根据本公开实施例的上转换器件的截面图。
如图1A所示，上转换器件包括发光层110和光子捕获层120。所述上转换器件是集成的，即发光层110和光子捕获层120至少一侧是相互接触的，例如通过外延生长的方式在光子捕获层120的一侧生长发光层110。
根据本公开实施例，所述光子捕获层120与发光层110形成闭合回路，例如将图1A中所示意的发光层110的上表面的电极和光子捕获层120下表面的电极相连接，形成闭合回路。闭合回路能够导通光子捕获层120与发光层110，使得光子捕获层120为发光层110提供足够的电压，以使发光层110发射光子。
图1B和图1C示意性示出了根据本公开另一实施例的上转换器件的截面图。
如图1B和图1C所示，上转换器件包括发光层110和光子捕获层120，所述上转换器件的发光层110和光子捕获层120是独立存在的。
根据本公开实施例，所述光子捕获层120与发光层110形成闭合回路，例如将图1B中所示意的发光层110的两个电极与图1C中所示意的光子捕获层120的两个电极对应连接，形成闭合回路。闭合回路能够导通光子捕获层120与发光层110，使得光子捕获层120为发光层110提供足够的电压，以使发光层110发射光子。
根据本公开实施例，所述上转换器件捕获的光子的能量低于发射的光子的能量，即捕获的光子的波长大于发射的光子的波长。上转换器件可以根据应用场景的不同需求，设计不同的材料及结构以捕获符合应用场景需求的波长的光子，并将捕获的光子转换成比捕获的光子的波长小的光子，所述应用场景的不同需求，例如应用在红外探测中，可能需要将红外光转换为可见光，而在医学中，可能需要将可见光转换为紫外光。
根据本公开实施例，所述发光层可以由任何能够将电能转化成光能的材料构成，例如半导体材料，根据半导体材料的不同，发光层发射不同的颜色。例如，含有半导体材料磷化镓铟(InGaP)的发光层发红光，含有半导体材料氮化镓(GaN)的发光层发蓝光。光子捕获层由能够捕获光子的材料构成，例如砷化镓(GaAs)、磷化铟(InP)，并且与所述发光层形成闭合回路，例如通过金属导通所述光子捕获层与所述发光层。所述能够捕获光子的半导体材料将捕获的光子的能量转化为电能并通过所形成的闭合回路驱动发光层发射光子。其中，捕获的光子的能量低于发射的光子的能量，即捕获的光子的波长大于发射光子的波长。例如，光子捕获层捕获红外(IR)光子，其波长为810nm，并将IR光子转化为电能，使得发光层导通以发射红色可见光，红色可见光的波长为630nm。又例如，光子捕获层捕获长波长1200nm的光子，发光层发射波长1000nm光子。
这种上转换器件具有独立微型化、转换单色性好、快速响应、转换高效、线性以及转换波段可调的特性。实验显示，未经表面优化的上转换器件的转换效率可以达到1.5％，所述表面优化是指，对发光层的表面进行例如表面粗化技术等工艺处理。
图2A示出了激发光谱功率与发射光谱功率的关系图。如图2A所示，发射光谱功率与激发光谱功率的关系规律明显，易于回归。若分段处理，在大于10mW/cm2的范围内，具有较为明显的线性关系。因此，通过控制该上转换器件的激发光谱功率，能够方便地控制发射光谱的功率。
图2B示出了上转换器件的响应速度与荧光衰减的关系图。如图2B所示，当激发光入射时，该上转换器件的响应速度约为20ns。当激发光停止照射后该上转换器件的在47ns时基本不再发射光谱，远小于现有技术能够达到的μs–ms，即具有更快的相应速度。
根据本公开实施例，所述光子捕获层可以包括一个光子捕获子单元，也可以包括多个光子捕获子单元。根据本公开另一些实施例，采用多个光子捕获子单元能够吸收和转换不同光谱范围的光子，提高能量转换效率，为发光层发射光子提供足够的光电压。在多个光子捕获子单元的情况下，所述光子捕获层还包括隧穿结，用于连接相邻的光子捕获子单元，这样可以实现多个光子捕获子单元之间的电路匹配并且可以使得光电转换效率最大化。
根据本公开实施例，发光层包括分布式布拉格反射层，所述分布式布拉格反射层由两种不同折射率的材料交替排列组成周期结构，例如，In0.5Al0.5P与In0.5Al0.25Ga0.25P交替排列组成周期结构。分布式布拉格反射层用于提高所述发光层的发射效率。
根据本公开实施例，所述光子捕获层与所述发光层形成闭合回路包括，在所述光子捕获层的负极一侧生长所述发光层的负极，所述光子捕获层的负极和发光层的负极可以由n型掺杂的半导体材料组成。例如光子捕获层的负极一侧为n+InGaP窗口层，在n+InGaP窗口层表面沉积发光层的n+GaAs电极层。此外，所述发光层的正极与所述光子捕获层的正极通过导电介质连接，例如通过金属连接所述发光层的正极与所述光子捕获层的正极。该方法能够使上转换器件独立，减少外部电路。
本公开可以各种形式呈现，以下将描述其中一些示例。图3示意性示出了根据本公开实施例的上转换器件的示意图。如图3所示，该上转换器件包括发光层310、光子捕获层320，以及导通发光层310和光子捕获层320的金属层330。所述光子捕获层320捕获光子，并将捕获的光子能量转化成电能，例如，光子捕获层320捕获IR光子，将捕获的IR光子能量转化成电能，通过借助金属层330形成的闭合回路驱动发光层310发射可见光。
下面结合图4A和4B说明图3所示的上转换器件的内部结构及工作原理。
图4A示意性示出了根据本公开实施例的上转换器件的截面图。
如图4A所示，该上转换器件包括发光层310和光子捕获层320。
如图4A所示的光子捕获层320可以包括一个光子捕获子单元，也可以包括多个光子捕获子单元。包括多个光子捕获子单元的光子捕获层320的截面图，如图4B所示。
图4B示意性示出了根据本公开另一实施例的光子捕获层截面图。
如图4B所示，该光子捕获层320包括第一光子捕获子单元321和第二光子捕获子单元323以及隧穿结322。
其中，隧穿结322位于第一光子捕获子单元321和第二光子捕获子单元323之间。
根据本公开实施例，所述光子捕获层包括至少一个光子捕获子单元。根据本公开另一些实施例，采用多个光子捕获子单元能够吸收和转换不同光谱范围的光子，提高能量转换效率，为发光层发射光子提供足够的光电压。例如驱动发光层以发射光子的所需电压为1.8V，而一个光子捕获层由低带隙的半导体材料制成，所提供的电压为1.2V，因此可以增加一个光子捕获子单元以补偿0.6V的电压差。
在所述光子捕获层包括多个光子捕获子单元的情况下，所述光子捕获层还包括隧穿结，通过隧穿结连接，实现电流匹配和转换效率的最大化。
图4C示意性示出了根据本公开实施例的发光层的截面图。
如图4C所示，发光层310还包括分布式布拉格反射层311。
可以理解的是，上述发光层310和光子捕获层320的不同结构可以任意组合，且光子捕获层320可以为任意节数的光子捕获层，本公开仅为示意性表示，但不限于此。
图4D示意性示出了根据本公开实施例的上转换器件的工作原理图。
如图4D所示，光子捕获层320捕获IR光子驱动发光层310发射出红色可见光。
需要注意的是，图4D仅为示意性表示，在实际中，可以根据需要选择不同材料的发光层发射满足条件的光子，例如选择氮化镓(GaN)半导体材料，使发光层发射蓝光。
根据本公开实施例，光子捕获层例如是包括多种n型和p型半导体材料的结构，构成PN结，以实现光电转换。其中n型半导体材料作为光子捕获层的负极，p型半导体材料为光子捕获层的正极。在光子捕获层的n型半导体材料生长发光层的n型半导体材料，则所述发光层的负极生长于所述光子捕获层的负极一侧，即所述发光层的负极与所述光子捕获层的负极相连。光子捕获层的p型半导体材料与发光层的p型半导体材料通过导电介质连接，实现发光层的正极与所述光子捕获层的正极连接，以形成闭合回路，驱动所述发光层完成电子转换成光子。其中，所述导电介质例如可以是金属。
根据本公开实施例，上转换器件的制造方法，包括，制备发光层和光子捕获层，以及连接所述发光层与所述光子捕获层上相对应的电极，形成闭合回路。
所述光子捕获层包括，至少一个光子捕获子单元，以及在所述材料包括多个光子捕获子单元的情况下，所述光子捕获层还包括隧穿结，连接相邻的光子捕获子单元，以实现多个光子捕获子单元之间的电路匹配并且可以使得光电转换效率最大化。
根据本公开实施例，光子捕获层包括一个光子捕获子单元，例如表1所示的材料及结构可以作为光子捕获层。
表1
如表1所示，光子捕获层包括一个光子捕获子单元时，光子捕获层进一步包括n+型GaAs电极层、n+型InGaP窗口层、n+型GaAs发射层、p-型GaAs基层、p+型Al0.3Ga0.7As背面反射场和p+型GaAs电极层。
其中n+型GaAs电极层作为负电极，其厚度为700nm，掺杂物Si的浓度为6e18cm-3，其中，6e18表示6×1018，以下相同形式的表达方式按照同样的方式理解。n+型InGaP窗口层的厚度为30nm，掺杂物Si的浓度为2e18cm-3，n+型GaAs发射层的厚度为100nm，掺杂物Si的浓度为2e18cm-3。p-型GaAs基层的厚度为450nm，掺杂物Zn的浓度为1e17cm-3。p+型Al0.3Ga0.7As背面反射场的厚度为100nm，掺杂物Mg的浓度为5e18cm-3，p+型GaAs电极层作为正电极，其厚度为1000nm，掺杂物Mg的浓度为5e18cm-3。
表1所示的材料结构可以利用外延生长的方法按照表1所示的顺序从下到上依次生长所示各材料，例如在p+型GaAs电极层依次外延生长p+型Al0.3Ga0.7As背面反射场、p-型GaAs基层，然后在p-型GaAs基层依次生长n+型GaAs发射层、n+型InGaP窗口层以及n+型GaAs电极层。
根据本公开实施例，光子捕获层还可以包括多个光子捕获子单元，例如包括2个光子捕获子单元，其制备的材料及结构如表2所示。其中，n+型GaAs电极层、n+型InGaP窗口层、n+型GaAs发射层、p-型GaAs基层和p+型Al0.3Ga0.7As背面反射场构成第一光子捕获子单元，n+型Al0.3Ga0.3As窗口层、n+型GaAs发射层、p-型GaAs基层、p+型InGaP背面反射场和p+型GaAs电极层构成第二光子捕获子单元，p++型GaAs tunnel junction和n++型GaAs tunneljunction为隧穿结，连接相邻的光子捕获子单元，以实现多个光子捕获子单元之间的电路匹配并且使光电转换效率最大化。表2中所示的材料及结构可以利用外延生长的方法按照表2所示的顺序从下到上依次生长所示各材料。
表2
需要理解的是，上述表1和表2的材料结构组成的光子捕获层仅为示例性表示，在实际中，可以根据需要选择不同的材料与结构组成光子捕获层，例如选择GaInPAs,Si,有机半导体等材料，所述光子捕获层的材料及结构可以是任何可以实现将光能转换成电能的材料及结构的组合。
发光层的材料与结构，例如表3所示的材料与结构可以作为发光层。
表3
如表3所示，发光层进一步包括p++型GaP电极层、p+GaP窗口层、p型InAlP层、InAlP/InGaP发光层、n型InAlP层以及n+型GaAs电极层。其中，p++型GaP电极层作为发光层的正极，n+型GaP电极层作为发光层的负极，表3中所示的材料结构可以利用外延生长的方法按照表3所示的顺序从下到上依次生长所示各材料。
根据本公开另一实施例，发光层还可以包括分布式布拉格反射层，例如，表4所示的材料及结构中In0.5Al0.5P/In0.5Al0.25Ga0.25P构成分布式布拉格反射层。
表4
同样可以理解的是，发光层的材料与结构在此也不做限定，本领域技术人员可以实现的将电能转换成光能的材料与结构均可以作为发光层的组成。
根据本公开实施例，所述制备发光层和光子捕获层包括，在第一基底上以外延生长的方式，制备发光层和光子捕获层，其中，所述发光层的正极与所述光子捕获层的正极相对，或者，所述发光层的负极与所述光子捕获层的负极相对。
下面结合图5-9，以所述发光层的负极与所述光子捕获层的负极相对为例，详细介绍制备上转换器件的方法。图5-9示出了根据本公开实施例的制备上转换器件的多个阶段的示意图。
如图5所示，提供第一基底1000，例如GaAs基底。在该示例中，在第一基底1000上，例如利用外延生长依次形成光子捕获层1001和发光层1002。
根据本公开实施例，在所述第一基底1000依次形成表1或表2所示的光子捕获层1001和表3或表4发光层1002，所述第一基底1000例如GaAs基底，还可以包括第一牺牲层，例如第一牺牲层可以由Al0.95Ga0.05As组成，由于Al0.95Ga0.05As可以被HF溶解，因此该第一牺牲层能够使第一基底与所述光子捕获层分离。
由上述方法制备的光子捕获层和发光层的材料结构，例如表5所示。在GaAs基底上生长Al0.95Ga0.05As牺牲层，在牺牲层表面生长光子捕获层，所述光子捕获层采用表2所示的材料及结构，其中，n+型GaAs电极层为光子捕获层和发光层的共用电极，既作为光子捕获层的负极，也作为发光层的负极，因此，所述发光层的负极与所述光子捕获层的负极相对。然后，在共用的n+型GaAs电极层依次生长发光层的In0.5Al0.5P/In0.5Al0.25Ga0.25P分布式布拉格反射层、n型InAlP层、InAlP/InGaP发光层、p型InAlP层、p+型GaP窗口层以及p++型GaP电极层。
表5
可以理解的是，表1-5仅为了具体说明所述光子捕获层和所述发光层的制备方法，在实际中，可以根据需要改变上述材料及结构。例如n+型InGaP window层的材料n+型InGaP可以更换为能够提供带隙能量的InP、GaInPAs等组合物。
接下来，根据本公开实施例，所述连接所述发光层与所述光子捕获层上相对应的电极，形成闭合回路包括，刻蚀所述发光层和光子捕获层，使与所述第一基底相连的电极裸露，在所述发光层或所述光子捕获层中与所述第一基底距离最远的电极和与所述第一基底相连的电极上沉积金属，并连接该两个电极，形成闭合回路。
在图5所示意的实施例的上转换器件中，所述刻蚀所述发光层，如图6所示，根据本公开实施例，可以根据形状、大小等设计要求，刻蚀发光层1002，使光子捕获层1001裸露。所述刻蚀光子捕获层，如图7所示，刻蚀裸露出的光子捕获层1001，使得光子捕获层1001与所述第一基底1000相连的电极裸露。
然后，如图8所示，根据本公开实施例，与所述第一基底1000距离最远的表面(即图8中所示的光电二极管1002的上电极表面)和与所述第一基底1000相连的电极表面(即图8中所示的光子捕获层1001的下电极表面)沉积金属，以优化所述裸露的电极，例如表5所示的上转换器件的材料及结构，与所述第一基底距离最远的表面为发光层1002的正极(p++型GaP电极层)，与所述第一基底相连的电极为裸露出的光子捕获层1001的正极(p+型GaAs电极层)，在其表面沉积金属以优化上述正极，然后连接所述优化的发光层的正极和光子捕获层的正极，如图9A和图9B所示。
这里需要指出的是，在图9B的连接方式中，在电极制备完成后，连接所述两个电极前，可以在对所述发光层和所述光子捕获层进行封装，以避免漏电现象。
根据本公开另一实施例，在第一基底上以外延生长的方式，制备发光层和光子捕获层，还可以是，所述发光层的正极与所述光子捕获层的正极相对，即通过沉积材料的先后顺序的不同，改变发光层与光子捕获层相对的电极，例如光子捕获层首先沉积n型半导体材料，然后在生长p型半导体材料，然后在光子捕获层的p型半导体材料上沉积发光层的p型半导体材料，最后生长发光层的n型半导体材料。在后续的工艺中，可以优化所述发光层和所述光子捕获层的负极，并连接所述负极。
图10A和图10B示意性示出了根据本公开另一实施例的制备上转换器件发光层和光子捕获层的示意图。
根据本公开实施例，上转换器件的发光层和光子捕获层可以是分离的。所述光子捕获层在包含多个光子捕获子单元的情况下，其多个光子捕获子单元也可以是分离的。
如图10A和图10B所示，提供第二基底2000和第三基底3000，例如第二基底2000和第三基底3000可以是两个不同的由GaAs组成的基底。在基底2000外延生长发光层2001，在第三基底3000外延生长光子捕获层3001。所述发光层可以是表3或表4所示的组成结构，所述光子捕获层可以是表1或表2所示的组成结构。
所述第二基底2000可以包括第二牺牲层，用于分离第二基底2000，即，将发光层2001与第二基底2000分离；第三基底3000可以包括第三牺牲层，用于分离第三基底3000，即，将光子捕获层3001与第三基底3000分离。
图11A和图11B示意性示出了根据本公开另一实施例的制备上转换器件的刻蚀所述发光层和光子捕获层的示意图。
如图11A和图11B所示，刻蚀所述生长在所述第二基底2000上的发光层2001，使得靠近第二基底2000的电极表面裸露，例如，如表3所示的结构，则刻蚀发光层2001，使靠近第二基底2000的电极表面(n+型GaAs电极层)裸露。同样的，刻蚀生长在所述第三基底3000上的光子捕获层3001，使得靠近第三基底3000的电极表面裸露。
图12A和图12B示意性示出了根据本公开另一实施例的制备上转换器件沉积金属的示意图。
如图12A和图12B所示，在发光层2001和光子捕获层3001上的电极表面优化正负极。例如，如表3所示的发光层结构，在所述发光层表面优化正极(p+型GaAs电极层)，在经过刻蚀的裸露出的表面优化负极(n+型GaAs电极层)。例如，表1所示的光子捕获层3001的表面优化负极(n+型GaAs电极层)，在经过刻蚀的裸露出的表面优化正极(p+型GaAs电极层)。
之后，连接所述发光层的正极与光子捕获层的正极和连接所述发光层的负极与光子捕获层的负极，形成闭合回路。
根据本公开实施例，光子捕获层可以包括多个光子捕获子单元，其中，该多个光子捕获子单元可以在不同的基底上生长而成，并连接相对应的电极，形成分离的光子捕获层。本公开实施例中，在经过上述图10A、图10B、图11A、图11B、图12A和图12B的步骤以及连接所述发光层的正极与光子捕获层的正极和连接所述发光层的负极与光子捕获层的负极之后形成的上转换器件的示意图如图13所示。
图13示意性示出了根据本公开另一实施例的上转换器件的示意图。
如图13所示，上转换器件包括光子捕获层和发光层，其中，光子捕获层包括多个光子捕获子单元。所述光子捕获层和发光层形成闭合回路，构成分离的上转换器件。
根据本公开实施例，所述不同的基底可以包括相同或不同的牺牲层，每个牺牲层例如可以由Al0.95Ga0.05As组成，由于Al0.95Ga0.05As可以被HF溶解，从而牺牲层能够使基底与其他层分离，利用该方法可以将所述光子捕获层或发光层转印到另外的基底上，例如转印到聚酰亚胺薄膜上，这样可以使得所述上转换器件微型化。
根据本公开实施例，上转换器件的制造方法还包括，锚固定所述闭合回路，使得上转换器件为独立器件，并使得上述结构更加稳定。
根据本公开实施例，上转换器件的制造方法还包括，将固定的上转换器件通过上述任一组牺牲层与基底脱离，然后转印到第四基底以及封装所述闭合回路和所述第四基底。其中第四基底与上述第一基底、第二基底和第三基底不同。例如第一基底、第二基底和第三基底是GaAs构成的基底，而第四基底为聚酰亚胺薄膜。通过该方法，可以改变上转换器件的基底，以满足各种需求，例如可以用于降低基底的厚度，实现上转换器件的微型化。
根据本公开实施例，一种上转换材料包括，发光层和光子捕获层，用于捕获光子，以驱动所述发光层发射光子，其中，被捕获的光子的能量低于发射的光子的能量。所述发光层和光子捕获层分别根据选择材料的不同，发射的光子和捕获的光子的能量不同。例如表5所示的材料，光子捕获层可以捕获波长为810nm的红外光子，发光层可以发射波长为630nm的红色光。
在以上的描述中，对于各层的构图、刻蚀等技术细节并没有做出详细的说明。但是本领域技术人员应当理解，可以通过各种技术手段，来形成所需形状的层、区域等。另外，为了形成同一结构，本领域技术人员还可以设计出与以上描述的方法并不完全相同的方法。另外，尽管在以上分别描述了各实施例，但是这并不意味着各个实施例中的措施不能有利地结合使用。
以上对本公开的实施例进行了描述。但是，这些实施例仅仅是为了说明的目的，而并非为了限制本公开的范围。本公开的范围由所附权利要求及其等价物限定。不脱离本公开的范围，本领域技术人员可以做出多种替代和修改，这些替代和修改都应落在本公开的范围内。
Claims (15)
1.一种上转换器件，包括：
发光层；和
光子捕获层，与所述发光层形成闭合回路，用于捕获光子，以驱动所述发光层发射光子，其中，被捕获的光子的能量低于发射的光子的能量。
2.根据权利要求1所述的器件，其中，
所述光子捕获层包括至少两个光子捕获子单元；以及
在所述光子捕获层包括多个光子捕获子单元的结构情况下，所述光子捕获层还包括隧穿结，用于连接相邻的光子捕获子单元。
3.根据权利要求1所述的器件，其中，所述发光层包括分布式布拉格反射层。
4.根据权利要求1所述的器件，其中，所述光子捕获层与所述发光层形成闭合回路包括，所述发光层的负极生长于所述光子捕获层的负极一侧，所述发光层的正极与所述光子捕获层的正极通过导电介质连接。
5.一种上转换器件的制造方法，包括：
制备发光层和光子捕获层；以及
连接所述发光层与所述光子捕获层上相对应的电极，形成闭合回路。
6.根据权利要求5所述的制造方法，其中，所述光子捕获层包括至少两个光子捕获子单元；以及在所述光子捕获层包括多个光子捕获子单元的结构情况下，所述光子捕获层还包括隧穿结设计，用于连接相邻的光子捕获子单元。
7.根据权利要求5所述的制造方法，其中，所述发光层包括分布式布拉格反射层。
8.根据权利要求5所述的制造方法，其中，所述制备发光层和光子捕获层包括：
在第一基底上以外延生长的方式，制备发光层和光子捕获层，其中，所述发光层的正极与所述光子捕获层的正极相对，或者，所述发光层的负极与所述光子捕获层的负极相对。
9.根据权利要求8所述的方法，其中，所述连接所述发光层与所述光子捕获层上相对应的电极，形成闭合回路包括：
刻蚀所述发光层和光子捕获层，使与所述第一基底相连的电极层裸露；以及在所述发光层或所述光子捕获层中与所述第一基底距离最远的电极和与所述第一基底相连的电极上沉积金属，并连接该两个电极，形成闭合回路。
10.根据权利要求8所述的方法，其中，所述第一基底包括第一牺牲层，用于分离所述第一基底。
11.根据权利要求5所述的方法，其中，所述制备发光层和光子捕获层包括：
在第二基底层上外延生长发光层；以及
在第三基底层上外延生长光子捕获层。
12.根据权利要求11所述的制造方法，其中，
所述第二基底包括有第二牺牲层，用于分离所述第二基底；以及/或者
所述第三基底包括第三牺牲层，用于分离所述第三基底。
13.根据权利要求8-12所述的制造方法，还包括：
锚固定所述闭合回路。
14.根据权利要求13所述的制造方法，还包括：
将所述闭合回路转印到第四基底；以及
封装所述闭合回路和所述第四基底。
15.一种上转换材料，包括：
发光层；和
光子捕获层，用于捕获光子，以驱动所述发光层发射光子，其中，被捕获的光子的能量低于发射的光子的能量。
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| CN201711212171.0A CN108011017B (zh) | 2017-11-27 | 2017-11-27 | 上转换器件和材料及其制造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| CN201711212171.0A CN108011017B (zh) | 2017-11-27 | 2017-11-27 | 上转换器件和材料及其制造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN108011017A true CN108011017A (zh) | 2018-05-08 |
| CN108011017B CN108011017B (zh) | 2020-04-21 |
Family
ID=62054082
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201711212171.0A Active CN108011017B (zh) | 2017-11-27 | 2017-11-27 | 上转换器件和材料及其制造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
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|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
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| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
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