CN107995949A - 发射功率控制方法、装置、存储介质及电子设备 - Google Patents

发射功率控制方法、装置、存储介质及电子设备 Download PDF

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Abstract

本公开提出一种发射功率控制方法、装置、存储介质及电子设备，涉及物质检测领域，应用于检测装置，其特征在于，检测装置包括：温度传感器和激光发射器，该方法包括：在检测待测物质时，根据温度传感器采集的待测物质的温度，获取待测物质的温度变化信息，根据温度变化信息控制激光发射器的发射功率。能够在保证物质检测效率的前提下，合理控制激光发射器的发射功率，保护待测物质的完整度，提高检测装置的安全度。

Description

发射功率控制方法、装置、存储介质及电子设备
技术领域
本公开涉及物质检测领域，尤其涉及一种发射功率控制方法、装置、存储介质及电子设备。
背景技术
拉曼检测设备利用拉曼散射来检测物质的成分，当前在多个领域都有应用，包括专业的石油勘探，药物检测，到生活中常见安全检查，缉毒等场景，同时，随着拉曼检测设备的成本不断下降，在民用市场也有了更多的应用，例如用于农药检测，真假货检测等。
目前拉曼检测设备的检测方法都需要将激光聚焦在待测物质上，积聚能量，而激光发射器的发射功率是依靠经验来设定的。因此在检测过程中，如果发射功率设置过高，如果待测物质是易燃易爆等危险爆炸品或化学品，则检测过程可能会出现待测物质温度过高发生燃烧、爆炸等问题，导致待测物质被损坏而检测失败，甚至对检测设备及使用者造成伤害。如果发射功率设置过低，对应的检测积分时长会延长，降低检测效率。
发明内容
本公开提供一种发射功率控制方法、装置、存储介质及电子设备，用于解决激光发射器的发射功率设置不准确，导致待测物质被损坏、检测效率低的问题。
为了实现上述目的，根据本公开实施例的第一方面，提供一种发射功率控制方法，应用于检测装置，其特征在于，所述检测装置包括：温度传感器和激光发射器，所述方法包括：
在检测待测物质时，根据所述温度传感器采集的待测物质的温度，获取所述待测物质的温度变化信息；
根据所述温度变化信息控制所述激光发射器的发射功率。
根据本公开实施例的第二方面，提供一种发射功率控制装置，应用于检测装置，其特征在于，所述检测装置包括：温度传感器和激光发射器，所述装置包括：
温度采集模块，用于在检测待测物质时，根据所述温度传感器采集的待测物质的温度，获取所述待测物质的温度变化信息；
控制模块，用于根据所述温度变化信息控制所述激光发射器的发射功率。
根据本公开实施例的第三方面，提供一种计算机可读存储介质，所述计算机可读存储介质中包括一个或多个程序，所述一个或多个程序用于执行本公开实施例的第一方面所述的方法。
根据本公开实施例的第四方面，提供一种物质检测装置，包括：本公开实施例的第三方面所述的计算机可读存储介质；以及
一个或者多个处理器，用于执行所述计算机可读存储介质中的程序。
本公开通过上述技术方案，通过在检测装置上设置温度传感器，能够在进行物质检测时，实时地获取被激光照射的待测物质的温度变化信息，并根据温度变化信息实时地控制激光发射器的发射功率。能够在保证物质检测效率的前提下，合理控制激光发射器的发射功率，既能够避免由于待测物质温度过高导致的待测物质被损坏以及对检测装置使用者造成损伤的问题，又能够避免由于发射功率过低导致的检测效率低的问题，从而能够保护待测物质的完整度，并提高检测装置的安全度。
附图说明
图1a是根据本公开一示例性实施例提供的一种发射功率控制方法的流程图；
图1b是根据图1a所示的发射功率控制方法中检测装置的位置关系示意图；
图2是根据本公开一示例性实施例提供的另一种发射功率控制方法的流程图；
图3是根据本公开一示例性实施例提供的另一种发射功率控制方法的流程图；
图4是根据本公开一示例性实施例提供的又一种发射功率控制方法的流程图；
图5是根据本公开一示例性实施例提供的再一种发射功率控制方法的流程图；
图6是根据本公开一示例性实施例提供的一种发射功率控制装置的框图；
图7是根据本公开一示例性实施例提供的另一种发射功率控制装置的框图；
图8是根据本公开一示例性实施例提供的另一种发射功率控制装置的框图；
图9是根据本公开一示例性实施例提供的又一种发射功率控制装置的框图；
图10是根据本公开一示例性实施例提供的再一种发射功率控制装置的框图；
图11是根据本公开一示例性实施例提供的一种电子设备的框图。
具体实施方式
这里将详细地对示例性实施例进行说明，其示例表示在附图中。下面的描述涉及附图时，除非另有表示，不同附图中的相同数字表示相同或相似的要素。以下示例性实施例中所描述的实施方式并不代表与本公开相一致的所有实施方式。相反，它们仅是与如所附权利要求书中所详述的、本公开的一些方面相一致的装置和方法的例子。
在介绍本公开提供的发射功率控制方法之前，首先对本公开各个实施例所涉及应用场景进行介绍。该应用场景为利用检测装置，例如可以是拉曼检测设备对待测物质进行检测，该检测装置上设置有光谱仪传感器、激光发射器和温度传感器，可以实现非接触式拉曼检测，其中激光发射器的焦点位于温度传感器的测量范围内，使得温度传感器的测量范围能够包括激光发射器的激光光点，以及激光光点周围的一定区域(这个区域一般是待测物质所在的区域)，即温度传感器能够测量该区域内的温度。其中，激光光点是指激光发射器发射的激光照射在待测物质上时产生的光点。该检测装置可以是专用于拉曼检测的设备，具有上述的光谱仪传感器、激光发射器和温度传感器。或者，该检测装置可以嵌入在移动终端上，即在移动终端上嵌入光谱仪传感器、激光发射器，温度传感器可以直接利用移动终端上的温度传感器来实现，其中，该移动终端例如可以是智能手机、平板电脑、智能手表、PDA(英文：Personal Digital Assistant，中文：个人数字助理)等移动终端。
图1a是根据本公开一示例性实施例提供的一种发射功率控制方法的流程图，该方法应用于上述的检测装置，如图1b所示，该检测装置包括：温度传感器和激光发射器。
需要说明的是，温度传感器的测量范围包括了激光发射器的焦点(激光发射器的激光经过透镜后的汇聚点)所在的位置，使得温度传感器能够测量包括激光发射器的激光光点在内，以及激光光点周围的一定区域的温度(这个区域一般是待测物质所在的区域，可以根据具体需求来设定该区域的大小)。其中，对激光发射器和温度传感器的位置关系不做限定，并且温度传感器和激光发射器的倾角也不做限定。图1b是根据图1a所示的发射功率控制方法中检测装置的位置关系示意图，图1b中示出是温度传感器和激光发射器部署方式的一种实现方案，温度传感器和激光发射器设置在同一平面上，其中，a为温度传感器的中心点到激光发射器的中心点在横向投影的距离，d为激光发射器的焦距，f1为温度传感器的测量距离，β为温度传感器的安装角度，根据图1b中的几何关系可知：
tan(β)＝a/d
a2+d2＝f12
根据上式可以得出当β和f1满足下列关系时：
β＝arctan(a/d)
能够使温度传感器测量到包括激光发射器的激光焦点在内，以及激光焦点周围的一定区域的温度。为了避免激光本身对温度传感器测量结果的影响，可以将温度传感器的感温点设置在偏离激光焦点一定距离的位置处，例如可以是0.5mm。其中，对于非接触式的检测装置，温度传感器可以是红外测温仪，能够测量一定距离内待测物质的温度。
如图1a所示，该方法包括：
步骤101，在检测待测物质时，根据温度传感器采集的待测物质的温度，获取待测物质的温度变化信息。
举例来说，不同的待测物质吸收热量的效率不同，在激光发射器以初始发射功率发射激光对待测物质进行检测时，可能会导致待测物质温度上升过快，甚至燃烧、爆炸。因此，可以通过温度传感器实时监控待测物质的温度，来控制激光发射器的发射功率。在光谱仪传感器进行拉曼光谱积分的同时，开启温度传感器，实时采集待测物质的温度，可以将待测物质的温度以一定的结构记录在预设的存储空间中。进一步的，根据采集到的待测物质的温度，还可以获得预设时间段内待测物质的温度特征，例如可以是温度变化曲线、温度变化量、温度平均值等。温度变化信息可以包括待测物质的温度和待测物质的温度特征。其中初始发射功率可以是由检测装置预设的，也可以根据检测装置的使用者的需求手动设定，还可以根据待测物质的颜色深浅来设置。
步骤102，根据温度变化信息控制激光发射器的发射功率。
举例来说，温度变化信息能够实时反映待测物质当前的温度，温度变化信息中可以包括待测物质的温度和待测物质的温度特征(温度变化曲线、温度变化量、温度平均值等)。可以通过判断温度变化信息和预设的温度阈值、温度变化阈值的关系来实时控制激光发射器的发射功率。例如，当待测物质的温度超过温度阈值时，控制激光发射器在当前发射功率的基础上降低预设的百分比(可以是5％)，还可以是当待测物质的温度上升至超过温度变化阈值时，控制激光发射器在当前发射功率的基础上降低预设的百分比(可以是10％)。其中，温度传感器可以按照预设的采集频率来采集待测物质的温度，每采集一次待测物质的温度，都进行一次判断，并根据判断结果对发射功率进行调整，保证了检测过程中待测物质的温度不会过高导致燃烧或爆炸，直至光谱仪传感器进行的拉曼光谱积分满足信噪比要求输出检测结果，关闭激光发射器，检测结束。
综上所述，通过在检测装置上设置温度传感器，能够在进行物质检测时，实时地获取被激光照射的待测物质的温度变化信息，并根据温度变化信息实时地控制激光发射器的发射功率。能够在保证物质检测效率的前提下，合理控制激光发射器的发射功率，既能够避免由于待测物质温度过高导致的待测物质被损坏以及对检测装置使用者造成损伤的问题，又能够避免由于发射功率过低导致的检测效率低的问题，从而能够保护待测物质的完整度，并提高检测装置的安全度。
图2是根据本公开一示例性实施例提供的另一种发射功率控制方法的流程图，如图2所示，检测装置还包括：摄像装置，且激光发射器的焦点位于摄像装置的焦平面上。
需要说明的是，激光发射器的焦点(激光发射器的激光经过透镜后的汇聚点)位于摄像装置的焦平面上，使得摄像装置能够拍摄到激光发射器照射在待测物质上产生的光点，从而采集该激光发射器的光点面积，其中，对激光发射器和摄像装置的位置关系不做限定，并且摄像装置的摄像头和激光发射器的倾角也不做限定。如图1b中示出的是摄像装置和激光发射器部署方式的一种实现方案，摄像装置和激光发射器设置在同一平面上，其中，α为摄像装置的安装角度，f2为摄像装置的焦距，b为摄像装置的中心点到激光发射器的中心点O在横向投影的距离。和温度传感器与激光发射器的关系同理，当α和f2满足下列关系时：
α＝arctan(b/d)
能够使摄像装置的能够获取包含激光发射器光点周围的一定区域内的图像。当摄像装置和激光发射器没有设置在同一平面上时，可以通过调节摄像装置的倾角和/或激光发射器的倾角，使得激光发射器的焦点位于摄像装置的焦平面上。其中摄像装置可以是任意一种能够获取图像灰度的摄像头。
在检测待测物质之前，图2所示的方法还包括：
步骤103，获取摄像装置采集的待测物质图像。
步骤104，获取待测物质图像中待测物质所在区域的图像灰度值。
示例的，待测物质颜色的深浅会影响吸收热量的效率，例如颜色越接近黑色，吸收热量的效率越高，颜色越接近白色，吸收热量的效率越低。因此，可以根据待测物质的灰度来确定激光发射器的初始发射功率。可选的，图像灰度值可以是待测物质图像中待测物质所在区域中的全部或部分像素点的平均灰度值。
步骤105，根据预设的灰度值与发射功率的对应关系，确定图像灰度值对应的发射功率，作为激光发射器的初始发射功率。
示例的，灰度值与发射功率的对应关系，可以是灰度值和发射功率的函数关系或者是灰度值和发射功率的关系对应表，因此，步骤105可以包括以下方式：
根据预设的灰度值和发射功率的函数关系，确定与图像灰度值对应的发射功率，作为初始发射功率。或者，根据预设的灰度值和发射功率的关系对应表，确定与图像灰度值对应的发射功率，作为初始发射功率。
因此，灰度值与发射功率的上述对应关系，可以通过对预先测量得到的经验数据进行拟合，得到的函数关系，也可以根据经验数据，将一一对应的灰度值与发射功率存储在关系对应表中。其中，预先测量得到的经验数据通过可以在检测装置的设计阶段，进行实验来获得，从而可以根据获得的大量经验数据来确定灰度值与发射功率的对应关系，另外还可以根据使用者的具体需求进行调整。
示例性的，激光发射器的可调发射功率范围设置为0至500mW，当灰度值为0％(纯白)时，可以将初始发射功率设置为500mW，当灰度值为100％(纯黑)时，可以将初始发射功率设置为50mW。
步骤106，在开启激光发射器后，控制激光发射器以初始发射功率对待测物质进行检测。
需要说明的是，待测物质的灰度只对激光发射器的初始发射功率有影响，在确定初始发射功率，开启激光发射器对待测物质进行检测后，可以控制摄像装置关闭。
图3是根据本公开一示例性实施例提供的另一种发射功率控制方法的流程图，如图3所示，步骤101包括：
步骤1011，获取当前时刻温度传感器采集的待测物质的第一温度。
步骤1012，获取第一温度与第二温度之间的温度变化量，第二温度为当前时刻的上一时刻温度传感器采集的待测物质的温度。
步骤1013，将第一温度和温度变化量作为温度变化信息。
举例来说，温度变化信息可以包括待测物质的温度和待测物质的温度特征。温度传感器可以按照预设的采集周期为间隔来采集待测物质的温度，当前时刻采集的温度作为第一温度，相应的上一时刻(与当前时刻间隔为采集周期)采集的温度作为第二温度，第一温度与第二温度的差值作为该温度变化量。
图4是根据本公开一示例性实施例提供的又一种发射功率控制方法的流程图，如图4所示，上述的温度变化量为温度上升值时，步骤102包括：
步骤1021，当第一温度大于预设的第一阈值，且温度上升值小于或等于预设的第二阈值时，将发射功率降低预设的第一功率。
步骤1022，当第一温度大于第一阈值，且温度上升值大于第二阈值时，将发射功率降低预设的第二功率。
步骤1023，当第一温度小于或等于第一阈值，且温度上升值大于第二阈值时，将发射功率降低预设的第三功率。
举例来说，第一温度过高和温度上升值过高，都可能导致待测物质燃烧或爆炸，因此设置对应第一温度的第一阈值和对应温度上升值得第二阈值，来控制发射功率。可以理解的是，由于温度检测是实时进行的，即步骤1011-1013的步骤在不断重复执行，因此每当获取一个温度变化信息就执行一次步骤1021-1023的判断。其中，上述的第一功率、第二功率、第三功率可以是固定值，比如以第一阈值为75摄氏度、第二阈值为20摄氏度，第一功率为50mW，第二功率为100mW，第三功率为80mW为例，温度变化信息与发射功率的关系如表1所示：
表1
第一温度(摄氏度) 温度上升值(摄氏度) 发射功率(mW)
82 17 降低50
80 25 降低100
69 28 降低80
或者，上述的第一功率、第二功率、第三功率也可以不是固定值，例如，可以分别为步骤1021-1023设置三个预设比例：第一预设比例，第二预设比例和第三预设比例，则：
当第一温度大于预设的第一阈值，且温度上升值小于或等于预设的第二阈值时，根据发射功率的当前值以及该第一预设比例确定该第一功率，并根据该第一功率执行步骤1021；
当第一温度大于第一阈值，且温度上升值大于第二阈值时，根据发射功率的当前值以及该第二预设比例确定该第二功率，并根据该第二功率执行步骤1022；
步骤1023，当第一温度小于或等于第一阈值，且温度上升值大于第二阈值时，根据发射功率的当前值以及该第三预设比例确定该第三功率，并根据该第三功率执行步骤1023。
例如，上述的第一预设比例、第二预设比例、第三预设比例为X％，Y％和Z％，还是以第一阈值为75摄氏度、第二阈值为20摄氏度为例，则当第一温度为82摄氏度，温度上升值为17时，可以将发射功率的当前值乘以X％，得到本次需要降低的发射功率，并将发射功率按照该需要降低的发射功率降低。
另外，上述的发射功率的降低方法是示例性的包括但不限于此，例如，还可以是：
当第一温度大于预设的第一阈值，且温度上升值小于或等于预设的第二阈值时，将发射功率降低到发射功率当前值的X％。
当第一温度大于第一阈值，且温度上升值大于第二阈值时，将发射功率降低到发射功率当前值的Y％。
当第一温度小于或等于第一阈值，且温度上升值大于第二阈值时，将发射功率降低到发射功率当前值的Z％。
图5是根据本公开一示例性实施例提供的再一种发射功率控制方法的流程图，如图5所示，步骤102还包括：
步骤1024，当第一温度小于或等于第三阈值，和/或温度上升值小于或等于第四阈值时，控制发射功率提高预设的第四功率，第三阈值小于或等于第一阈值，第四阈值小于或等于第二阈值。
举例来说，如果步骤105中确定的初始发射功率比较低，光谱仪传感器需要经过长时间的拉曼光谱积分才能满足信噪比要求，会导致物质检测效率降低，因此可以设置对应第一温度的第三阈值和对应温度上升值得第四阈值来控制发射功率，在待测物质温度过低时，提高发射功率，保证物质检测效率。其中，第三阈值小于或等于第一阈值，第四阈值小于或等于第二阈值。以第三阈值为40摄氏度，第四阈值为5摄氏度，第四功率为60mW为例，当第一温度为38度，温度上升值为3度时，可以将发射功率提高60mW。
另外，与上述的步骤1021-1023同理，该第四功率也可以不是固定值，例如设置一个第四预设比例，则每当第一温度小于或等于第三阈值，和/或温度上升值小于或等于第四阈值时，根据发射功率的当前值以及该第四预设比例来确定该第四功率的值并执行步骤1024。例如，该第四预设比例为a％，则可以在每当第一温度小于或等于第三阈值，和/或温度上升值小于或等于第四阈值时，就将发射功率提高a％。
综上所述，通过在检测装置上设置温度传感器，能够在进行物质检测时，实时地获取被激光照射的待测物质的温度变化信息，并根据温度变化信息实时地控制激光发射器的发射功率。能够在保证物质检测效率的前提下，合理控制激光发射器的发射功率，既能够避免由于待测物质温度过高导致的待测物质被损坏以及对检测装置使用者造成损伤的问题，又能够避免由于发射功率过低导致的检测效率低的问题，从而能够保护待测物质的完整度，并提高检测装置的安全度。
图6是根据本公开一示例性实施例提供的一种发射功率控制装置的框图，如图6所示，该装置应用于检测装置，其特征在于，检测装置包括：温度传感器和激光发射器，该装置200包括：
温度采集模块201，用于在检测待测物质时，根据温度传感器采集的待测物质的温度，获取待测物质的温度变化信息。
控制模块202，用于根据温度变化信息控制激光发射器的发射功率。
图7是根据本公开一示例性实施例提供的另一种发射功率控制装置的框图，如图7所示，检测装置还包括：摄像装置，且激光发射器的焦点位于摄像装置的焦平面上，该装置200还包括：
图像采集模块203，用于在检测待测物质之前，获取所述摄像装置采集的待测物质图像。
灰度获取模块204，用于获取所述待测物质图像中所述待测物质所在区域的图像灰度值。
功率确定模块205，用于根据预设的灰度值与发射功率的对应关系，确定所述图像灰度值对应的发射功率，作为所述激光发射器的初始发射功率。
发射模块206，用于在开启所述激光发射器后，控制所述激光发射器以所述初始发射功率对待测物质进行检测。
图8是根据本公开一示例性实施例提供的另一种发射功率控制装置的框图，如图8所示，温度采集模块201包括：
采集子模块2011，用于获取当前时刻温度传感器采集的待测物质的第一温度。
处理子模块2012，用于获取第一温度与第二温度之间的温度变化量，第二温度为当前时刻的上一时刻温度传感器采集的待测物质的温度。
处理子模块2012，还用于将第一温度和温度变化量作为温度变化信息。
图9是根据本公开一示例性实施例提供的又一种发射功率控制装置的框图，如图9所示，其中，温度变化量为温度上升值，控制模块202包括：
第一控制子模块2021，用于当第一温度大于预设的第一阈值，且温度上升值小于或等于预设的第二阈值时，将发射功率降低预设的第一功率。
第二控制子模块2022，用于当第一温度大于所述第一阈值，且温度上升值大于第二阈值时，将发射功率降低预设的第二功率。
第三控制子模块2023，用于当第一温度小于或等于第一阈值，且温度上升值大于第二阈值时，将所述发射功率降低预设的第三功率。
图10是根据本公开一示例性实施例提供的再一种发射功率控制装置的框图，如图10所示，控制模块202还包括：
第四控制子模块2024，用于当第一温度小于或等于第三阈值，和/或温度上升值小于或等于第四阈值时，控制发射功率提高预设的第四功率，第三阈值小于或等于第一阈值述第四阈值小于或等于第二阈值。
可选的，图像灰度值是待测物质图像中待测物质所在区域中的全部或部分像素点的平均灰度值，功率确定模块205用于：
根据预设的灰度值和发射功率的函数关系，确定与图像灰度值对应的发射功率，作为初始发射功率。或，
根据预设的灰度值和发射功率的关系对应表，确定与图像灰度值对应的发射功率，作为初始发射功率。
其中，上述各个模块所实现功能的具体说明已经在上述方法实施例中进行了详细描述，此处不再赘述。
综上所述，通过在检测装置上设置温度传感器，能够在进行物质检测时，实时地获取被激光照射的待测物质的温度变化信息，并根据温度变化信息实时地控制激光发射器的发射功率。能够在保证物质检测效率的前提下，合理控制激光发射器的发射功率，既能够避免由于待测物质温度过高导致的待测物质被损坏以及对检测装置使用者造成损伤的问题，又能够避免由于发射功率过低导致的检测效率低的问题，从而能够保护待测物质的完整度，并提高检测装置的安全度。
图11是根据一示例性实施例示出的一种电子设备300的框图。如图11所示，该电子设备300可以包括：处理器301，存储器302，多媒体组件303，输入/输出(I/O)接口304，以及通信组件305。
其中，处理器301用于控制该电子设备300的整体操作，以完成上述的发射功率控制方法中的全部或部分步骤。存储器302用于存储各种类型的数据以支持在该电子设备300的操作，这些数据例如可以包括用于在该电子设备300上操作的任何应用程序或方法的指令，以及应用程序相关的数据，例如联系人数据、收发的消息、图片、音频、视频等等。该存储器302可以由任何类型的易失性或非易失性存储设备或者它们的组合实现，例如静态随机存取存储器(Static Random Access Memory，简称SRAM)，电可擦除可编程只读存储器(Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory，简称EEPROM)，可擦除可编程只读存储器(Erasable Programmable Read-Only Memory，简称EPROM)，可编程只读存储器(Programmable Read-Only Memory，简称PROM)，只读存储器(Read-Only Memory，简称ROM)，磁存储器，快闪存储器，磁盘或光盘。多媒体组件303可以包括屏幕和音频组件。其中屏幕例如可以是触摸屏，音频组件用于输出和/或输入音频信号。例如，音频组件可以包括一个麦克风，麦克风用于接收外部音频信号。所接收的音频信号可以被进一步存储在存储器302或通过通信组件305发送。音频组件还包括至少一个扬声器，用于输出音频信号。I/O接口304为处理器301和其他接口模块之间提供接口，上述其他接口模块可以是键盘，鼠标，按钮等。这些按钮可以是虚拟按钮或者实体按钮。通信组件305用于该电子设备300与其他设备之间进行有线或无线通信。无线通信，例如Wi-Fi，蓝牙，近场通信(Near FieldCommunication，简称NFC)，2G、3G或4G，或它们中的一种或几种的组合，因此相应的该通信组件305可以包括：Wi-Fi模块，蓝牙模块，NFC模块。
在一示例性实施例中，电子设备300可以被一个或多个应用专用集成电路(Application Specific Integrated Circuit，简称ASIC)、数字信号处理器(DigitalSignal Processor，简称DSP)、数字信号处理设备(Digital Signal Processing Device，简称DSPD)、可编程逻辑器件(Programmable Logic Device，简称PLD)、现场可编程门阵列(Field Programmable Gate Array，简称FPGA)、控制器、微控制器、微处理器或其他电子元件实现，用于执行上述的发射功率控制方法。
在另一示例性实施例中，还提供了一种包括程序指令的计算机可读存储介质，例如包括程序指令的存储器302，上述程序指令可由电子设备300的处理器301执行以完成上述的发射功率控制方法。
综上所述，通过在检测装置上设置温度传感器，能够在进行物质检测时，实时地获取被激光照射的待测物质的温度变化信息，并根据温度变化信息实时地控制激光发射器的发射功率。能够在保证物质检测效率的前提下，合理控制激光发射器的发射功率，既能够避免由于待测物质温度过高导致的待测物质被损坏以及对检测装置使用者造成损伤的问题，又能够避免由于发射功率过低导致的检测效率低的问题，从而能够保护待测物质的完整度，并提高检测装置的安全度。
以上结合附图详细描述了本公开的优选实施方式，但是，本公开并不限于上述实施方式中的具体细节，在本公开的技术构思范围内，可以对本公开的技术方案进行多种简单变型，这些简单变型均属于本公开的保护范围。
另外需要说明的是，在上述具体实施方式中所描述的各个具体技术特征，在不矛盾的情况下，可以通过任何合适的方式进行组合，为了避免不必要的重复，本公开对各种可能的组合方式不再另行说明。
此外，本公开的各种不同的实施方式之间也可以进行任意组合，只要其不违背本公开的思想，其同样应当视为本公开所公开的内容。

Claims (14)

1.一种发射功率控制方法，应用于检测装置，其特征在于，所述检测装置包括：温度传感器和激光发射器，所述方法包括：
在检测待测物质时，根据所述温度传感器采集的待测物质的温度，获取所述待测物质的温度变化信息；
根据所述温度变化信息控制所述激光发射器的发射功率。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述检测装置还包括：摄像装置，且所述激光发射器的焦点位于所述摄像装置的焦平面上，在检测所述待测物质之前，所述方法还包括：
获取所述摄像装置采集的待测物质图像；
获取所述待测物质图像中所述待测物质所在区域的图像灰度值；
根据预设的灰度值与发射功率的对应关系，确定所述图像灰度值对应的发射功率，作为所述激光发射器的初始发射功率；
在开启所述激光发射器后，控制所述激光发射器以所述初始发射功率对待测物质进行检测。
3.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述根据所述温度传感器采集的待测物质的温度，获取所述待测物质的温度变化信息包括：
获取当前时刻所述温度传感器采集的所述待测物质的第一温度；
获取所述第一温度与第二温度之间的温度变化量，所述第二温度为所述当前时刻的上一时刻所述温度传感器采集的所述待测物质的温度；
将所述第一温度和所述温度变化量作为所述温度变化信息。
4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述温度变化量为温度上升值，所述根据所述温度变化信息控制所述激光发射器的发射功率，包括：
当所述第一温度大于预设的第一阈值，且所述温度上升值小于或等于预设的第二阈值时，将所述发射功率降低预设的第一功率；
当所述第一温度大于所述第一阈值，且所述温度上升值大于所述第二阈值时，将所述发射功率降低预设的第二功率；
当所述第一温度小于或等于所述第一阈值，且所述温度上升值大于所述第二阈值时，将所述发射功率降低预设的第三功率。
5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述根据所述温度变化信息控制所述激光发射器的发射功率，还包括：
当所述第一温度小于或等于第三阈值，和/或所述温度上升值小于或等于第四阈值时，控制所述发射功率提高预设的第四功率，所述第三阈值小于或等于所述第一阈值，所述第四阈值小于或等于所述第二阈值。
6.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述图像灰度值是所述待测物质图像中所述待测物质所在区域中的全部或部分像素点的平均灰度值，所述根据预设的灰度值与发射功率的对应关系，确定所述图像灰度值对应的发射功率，作为所述激光发射器的初始发射功率，包括：
根据预设的灰度值和发射功率的函数关系，确定与所述图像灰度值对应的发射功率，作为所述初始发射功率；或，
根据预设的灰度值和发射功率的关系对应表，确定与所述图像灰度值对应的发射功率，作为所述初始发射功率。
7.一种发射功率控制装置，应用于检测装置，其特征在于，所述检测装置包括：温度传感器和激光发射器，所述装置包括：
温度采集模块，用于在检测待测物质时，根据所述温度传感器采集的待测物质的温度，获取所述待测物质的温度变化信息；
控制模块，用于根据所述温度变化信息控制所述激光发射器的发射功率。
8.根据权利要求7所述的装置，其特征在于，所述检测装置还包括：摄像装置，且所述激光发射器的焦点位于所述摄像装置的焦平面上，所述装置还包括：
图像采集模块，用于在检测所述待测物质之前，获取所述摄像装置采集的待测物质图像；
灰度获取模块，用于获取所述待测物质图像中所述待测物质所在区域的图像灰度值；
功率确定模块，用于根据预设的灰度值与发射功率的对应关系，确定所述图像灰度值对应的发射功率，作为所述激光发射器的初始发射功率；
发射模块，用于在开启所述激光发射器后，控制所述激光发射器以所述初始发射功率对待测物质进行检测。
9.根据权利要求7或8所述的装置，其特征在于，所述温度采集模块包括：
采集子模块，用于获取当前时刻所述温度传感器采集的所述待测物质的第一温度；
处理子模块，用于获取所述第一温度与第二温度之间的温度变化量，所述第二温度为所述当前时刻的上一时刻所述温度传感器采集的所述待测物质的温度；
所述处理子模块，还用于将所述第一温度和所述温度变化量作为所述温度变化信息。
10.根据权利要求9所述的装置，其特征在于，所述温度变化量为温度上升值，所述控制模块包括：
第一控制子模块，用于当所述第一温度大于预设的第一阈值，且所述温度上升值小于或等于预设的第二阈值时，将所述发射功率降低预设的第一功率；
第二控制子模块，用于当所述第一温度大于所述第一阈值，且所述温度上升值大于所述第二阈值时，将所述发射功率降低预设的第二功率；
第三控制子模块，用于当所述第一温度小于或等于所述第一阈值，且所述温度上升值大于所述第二阈值时，将所述发射功率降低预设的第三功率。
11.根据权利要求10所所述的装置，其特征在于，所述控制模块还包括：
第四控制子模块，用于当所述第一温度小于或等于第三阈值，和/或所述温度上升值小于或等于第四阈值时，控制所述发射功率提高预设的第四功率，所述第三阈值小于或等于所述第一阈值，所述第四阈值小于或等于所述第二阈值。
12.根据权利要求8所述的装置，其特征在于，所述图像灰度值是所述待测物质图像中所述待测物质所在区域中的全部或部分像素点的平均灰度值，所述功率确定模块用于：
根据预设的灰度值和发射功率的函数关系，确定与所述图像灰度值对应的发射功率，作为所述初始发射功率；或，
根据预设的灰度值和发射功率的关系对应表，确定与所述图像灰度值对应的发射功率，作为所述初始发射功率。
13.一种计算机可读存储介质，其特征在于，所述计算机可读存储介质中包括一个或多个程序，所述一个或多个程序用于执行权利要求1至6中任一项所述的方法。
14.一种电子设备，其特征在于，包括：
权利要求13中所述的计算机可读存储介质；以及
一个或者多个处理器，用于执行所述计算机可读存储介质中的程序。
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