CN107980494A - 一种工业大麻室内盆栽培育方法 - Google Patents
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Abstract
本发明属于麻类栽培技术领域，具体涉及一种工业大麻室内盆栽培育方法。本发明工业大麻室内盆栽培育方法的步骤为：选种→种子处理→培养基质的准备和处理→种植→培养；由于工业大麻耐旱不耐涝，不宜浇水过多和环境湿度过大，因此本发明利用培养盆中倾斜放置的空心硬塑料灌管浇水，直接将水浇灌至培养盆底部，利于水慢慢渗透出来润湿培养基质，并有效提高培养基质的透气性。本发明操作简单、成苗快、成苗率高、培养条件可控性强、实用性强、适用性广，本发明培养基质的保水性和透气性好、减少了病虫害发生，成苗率达到98％，植株发育期最多可缩短13天。该技术方法为室内栽培和育种等相关研究工作提供了广泛高效的培育技术方法。
Description
技术领域
本发明属于麻类栽培技术领域，具体涉及一种工业大麻室内盆栽培育方法。
背景技术
欧盟将四氢大麻酚含量低于0.3％的无毒品利用价值的大麻品种称为工业用大麻，是指可以商业化使用的无毒或低毒且无提取毒品价值的大麻类型，在我国也将其称为汉麻。
目前，工业大麻产业在国内外发展如火如荼，开发应用范围涉及服装、纺织、医药、食品和化工等十余个产业，因此如何种植繁育工业大麻成为国内外行业专家、学者聚焦的问题之一。工业大麻的田间种植管理技术已相对较成熟，但随着产业市场和研究内容的不断深入，工业大麻的室内培育成为新的关注点，特别在医药、室内育种和其它相关研究领域，急需一种简便快捷的技术手段，能够在室内实现工业大麻的快速种植繁育。以往的研究中，室内种植培育工业大麻往往出现易染病菌、植株长势弱、种子成熟度不够等问题，难以达到预期培育效果，妨碍了工业大麻的研究和应用。
发明内容
针对上述现有技术的不足，本发明提供了一种工业大麻室内盆栽培育方法。
本发明技术方案：
一种工业大麻室内盆栽培育方法，其特征在于所述方法步骤如下：
一、选种：选取大小均匀、完整饱满、无病虫侵害、发育成熟的工业大麻种子；
二、种子处理：利用多福克种衣剂对工业大麻种子进行拌种处理；
三、培养基质的准备和处理：培养基质为沙壤土，种植前在培养基质中按一定质量比拌施复合肥；准备培养盆和空心硬塑料灌管，将灌管倾斜放置在培养盆中且灌管管口高于培养盆上边缘，将培养基质放入培养盆中，压实后浇透水待用；
四、种植：在培养基质表面钻孔以放入种子，覆土压实，再轻轻覆盖一层细沙，以保持土壤湿度；
五、培养：在一定环境温度、相对湿度和黑暗条件下培养至出苗；出苗后施加光照，并在不同发育期进行光周期调控；待植株幼苗发育至2-3cm，根据种植需要进行间苗处理，至3-5叶期定苗；根据幼苗生长情况进行浇水、施肥和病虫害防治，直至工业大麻成熟。
进一步的，步骤二所述拌种处理时种衣剂的质量终浓度为0.2-0.3％。
进一步的，步骤三所述沙壤土由土和细沙按质量比10-15:1配制而成；所述复合肥中氮、磷和钾的质量比为3:2:1；培养基质与复合肥的质量比为200:1。
进一步的，步骤四所述种植前对栽培环境进行杀菌消毒处理，所述杀菌消毒处理是利用紫外灯照射或利用甲醛和高锰酸钾混合进行密闭熏蒸对栽培环境进行杀菌消毒处理，杀菌消毒处理后先进行通风处理再将所述装有栽培基质的培养盆放置在栽培环境中，或将所述装有培养基质的培养盆放置在栽培环境中同时进行杀菌消毒处理。
进一步的，步骤四所述钻孔的孔深2-3cm，每孔1-2粒工业大麻种子。
进一步的，步骤五所述环境温度为24-30℃，所述相对湿度为40-60％；所述光照为全光谱光源进行照射，光强为20000Lux；所述光周期调控范围为出苗期光照13-14h，3对叶片时期光照15-16h，现蕾期至花期光照16-17h，成熟期光照13-15h。
进一步的，步骤五所述浇水是利用培养盆中的空心硬塑料灌管浇水，将水直接浇灌至培养盆底部。
进一步的，步骤五所述施肥是在现蕾前期追施复合肥或喷施植物生长调节剂IAA；所述复合肥的氮、磷和钾的质量比为3:2:1；培养基质与复合肥的质量比为200:1；所述植物生长调节剂IAA的喷施浓度为100ppm。
进一步的，步骤五所述病虫害防治是喷施高效氯氢菊酯以防治跳甲虫害，所述高效氯氢菊酯配制时高效氯氢菊酯药剂与水的体积比为1:300。
进一步的，步骤五所述病虫害防治是利用杀菌剂恶霉灵防治根腐病，在种植前将恶霉灵加到培养基质中或在发病初期进行灌根处理；利用五硝多菌灵或百菌清防治枯萎病，在发病初期进行喷施处理或灌根处理，并视病情隔7天再次施药一次。
本发明有益效果：
本发明具有操作简单、成苗快、成苗率高、培养条件可控性强、实用性强、适用性广等优势，该方法有效提高了培养基质的保水性和透气性、减少了病虫害发生，成苗率达到98％，植株发育期至最多可缩短13天。该技术方法为室内栽培和育种等相关研究工作提供了广泛高效的培育技术方法。
具体实施方式
下面结合实施例对本发明的技术方案做进一步的说明，但并不局限于此，凡是对本发明技术方案进行修改或者等同替换，而不脱离本发明技术方案的精神和范围，均应涵盖在本发明的保护范围中。
实施例1
一种工业大麻室内盆栽培育方法步骤如下：
一、选种：选取大小均匀、完整饱满、无病虫侵害、发育成熟的工业大麻种子；
二、种子处理：利用多福克种衣剂对工业大麻种子进行拌种处理，拌种处理时种衣剂的质量终浓度为0.2-0.3％；
三、培养基质的准备和处理：培养基质为沙壤土，沙壤土由土和细沙按质量比10-15:1配制而成；种植前在培养基质中按培养基质与复合肥的质量比为200:1的比例拌施复合肥，复合肥中氮、磷和钾的质量比为3:2:1；准备培养盆和空心硬塑料灌管，将灌管一端斜插入培养盆底部，另一端斜靠于培养盆边缘，空心硬塑料灌管的管口高于培养盆上缘3-5cm；将培养基质放入培养盆中，培养基质表面距离培养盆上边缘3cm；压实后浇透水待用；
四、种植：种植前对栽培环境进行杀菌消毒处理，所述杀菌消毒处理是利用紫外灯照射或利用甲醛和高锰酸钾混合进行密闭熏蒸对栽培环境进行杀菌消毒处理，杀菌消毒处理后先进行通风处理再将所述装有栽培基质的培养盆放置在栽培环境中；或将所述装有培养基质的培养盆放置在栽培环境中同时进行杀菌消毒处理。在培养基质表面钻孔以放入种子，钻孔的孔深2-3cm，每孔1-2粒工业大麻种子，覆土压实，再轻轻覆盖一层细沙，以保持土壤湿度；
五、培养：在24-30℃的环境温度、40-60％的相对湿度和黑暗条件下培养至出苗；出苗后施加光照，光照为全光谱光源进行照射，光强为20000Lux；并在不同发育期进行光周期调控：出苗期光照13-14h，3对叶片时期光照15-16h，现蕾期至花期光照16-17h，成熟期光照13-15h；待植株幼苗发育至2-3cm，根据种植需要进行间苗处理，至3-5叶期定苗；根据幼苗生长情况利用培养盆中的空心硬塑料灌管进行浇水、施肥和病虫害防治，直至工业大麻成熟。
由于工业大麻耐旱不耐涝，不宜浇水过多和环境湿度过大，应定期进行通风处理。植株缺水时，利用培养盆中的塑料灌管灌水，利用该塑料灌管直接将水浇灌至培养盆底部，利于水慢慢渗透出来润湿培养基质，并有效提高培养基质的透气性，将水直接浇灌至培养盆底部。
根据植株生长情况施肥，施肥是在现蕾前期追施复合肥或喷施植物生长调节剂IAA；所述复合肥的氮、磷和钾的质量比为3:2:1；培养基质与复合肥的质量比为200:1；所述植物生长调节剂IAA的喷施浓度为100ppm。
根据植株生长情况进行病虫害防治，喷施高效氯氢菊酯以防治跳甲虫害，所述高效氯氢菊酯配制时高效氯氢菊酯药剂与水的体积比为1:300；利用杀菌剂恶霉灵防治根腐病，在种植前将恶霉灵加到培养基质中或在发病初期进行灌根处理；利用五硝多菌灵或百菌清防治枯萎病，在发病初期进行喷施处理或灌根处理，视病情隔7天再次施药一次。
实施例2
一种工业大麻室内盆栽培育方法步骤如下：
一、选种：选取大小均匀、完整饱满、无病虫侵害、发育成熟的工业大麻种子；
二、种子处理：利用质量浓度为38％的多福克种衣剂对工业大麻种子进行拌种处理，拌种处理时种衣剂的质量终浓度为0.2％；
三、培养基质的准备和处理：培养基质为沙壤土，沙壤土由土和细沙按质量比12:1配制而成；种植前在培养基质中按培养基质与复合肥的质量比为200:1的比例拌施复合肥，复合肥中氮、磷和钾的质量比为3:2:1；准备口径为30cm的培养盆和空心硬塑料灌管，将灌管一端斜插入培养盆底部，另一端斜靠于培养盆边缘，空心硬塑料灌管的管口高于培养盆上缘3cm；将培养基质放入培养盆中，培养基质表面距离培养盆上边缘3cm；压实后浇透水待用；
四、种植：种植前利用紫外灯照射对栽培环境进行杀菌消毒处理，杀菌消毒处理后先进行通风处理再将所述装有栽培基质的培养盆放置在栽培环境中；或将所述装有培养基质的培养盆放置在栽培环境中同时进行杀菌消毒处理。在培养基质表面钻孔以放入种子，钻孔的孔深2cm，每孔2粒工业大麻种子，覆土压实，再轻轻覆盖一层细沙，以保持土壤湿度；
五、培养：在26℃的环境温度、45％的相对湿度和黑暗条件下培养至出苗；出苗后施加光照，光照为全光谱光源进行照射，光强为20000Lux；并在不同发育期进行光周期调控：出苗期光照13h，3对叶片时期光照15h，现蕾期至花期光照16h，成熟期光照13h；待植株幼苗发育至2cm，根据种植需要进行间苗处理，至3-5叶期定苗；根据幼苗生长情况利用培养盆中的空心硬塑料灌管进行浇水、施肥和病虫害防治，直至工业大麻成熟。
根据植株生长情况施肥，施肥是在现蕾前期追施复合肥或喷施植物生长调节剂IAA；所述复合肥的氮、磷和钾的质量比为3:2:1；培养基质与复合肥的质量比为200:1；所述植物生长调节剂IAA的喷施浓度为100ppm。
根据植株生长情况进行病虫害防治，喷施高效氯氢菊酯以防治跳甲虫害，所述高效氯氢菊酯配制时高效氯氢菊酯药剂与水的体积比为1:300；利用杀菌剂恶霉灵防治根腐病，在种植前将恶霉灵加到培养基质中或在发病初期进行灌根处理；利用五硝多菌灵或百菌清防治枯萎病，在发病初期进行喷施处理或灌根处理，视病情隔7天再次施药一次。
实施例3
一种工业大麻室内盆栽培育方法步骤如下：
一、选种：选取大小均匀、完整饱满、无病虫侵害、发育成熟的工业大麻种子；
二、种子处理：利用质量浓度为38％的多福克种衣剂对工业大麻种子进行拌种处理，拌种处理时种衣剂的质量终浓度为0.3％；
三、培养基质的准备和处理：培养基质为沙壤土，沙壤土由土和细沙按质量比14:1配制而成；种植前在培养基质中按培养基质与复合肥的质量比为200:1的比例拌施复合肥，复合肥中氮、磷和钾的质量比为3:2:1；准备口径为30cm的培养盆和空心硬塑料灌管，将灌管一端斜插入培养盆底部，另一端斜靠于培养盆边缘，空心硬塑料灌管的管口高于培养盆上缘5cm；将培养基质放入培养盆中，培养基质表面距离培养盆上边缘3cm；压实后浇透水待用；
四、种植：种植前利用甲醛和高锰酸钾混合密闭熏蒸对栽培环境进行杀菌消毒处理，利用甲醛和高锰酸钾混合使用进行熏蒸处理，甲醛与高锰酸钾比例为2:1，用量为40％甲醛10毫升/立方米、高锰酸钾5克/立方米计算用量，密闭熏蒸6-12小时，通风处理48小时后再将所述装有栽培基质的培养盆放置在栽培环境中；在培养基质表面钻孔以放入种子，钻孔的孔深3cm，每孔2粒工业大麻种子，覆土压实，再轻轻覆盖一层细沙，以保持土壤湿度；
五、培养：在28℃的环境温度、50％的相对湿度和黑暗条件下培养至出苗；出苗后施加光照，光照为全光谱光源进行照射，光强为20000Lux；并在不同发育期进行光周期调控：出苗期光照14h，3对叶片时期光照16h，现蕾期至花期光照17h，成熟期光照15h；待植株幼苗发育至3cm，根据种植需要进行间苗处理，至3-5叶期定苗；根据幼苗生长情况利用培养盆中的空心硬塑料灌管进行浇水、施肥和病虫害防治，直至工业大麻成熟。
根据植株生长情况施肥，施肥是在现蕾前期追施复合肥或喷施植物生长调节剂IAA；所述复合肥的氮、磷和钾的质量比为3:2:1；培养基质与复合肥的质量比为200:1；所述植物生长调节剂IAA的喷施浓度为100ppm。
根据植株生长情况进行病虫害防治，喷施高效氯氢菊酯以防治跳甲虫害，所述高效氯氢菊酯配制时高效氯氢菊酯药剂与水的体积比为1:300；利用杀菌剂恶霉灵防治根腐病，在种植前将恶霉灵加到培养基质中或在发病初期进行灌根处理；利用五硝多菌灵或百菌清防治枯萎病，在发病初期进行喷施处理或灌根处理，视病情隔7天再次施药一次。
对比例1
一种工业大麻室内盆栽培育方法步骤如下：
一、选种：选取大小均匀、完整饱满、无病虫侵害、发育成熟的工业大麻种子；
二、培养基质的准备和处理：培养基质为沙壤土，沙壤土由土和细沙按质量比12:1配制而成；准备口径为30cm的培养盆，将培养基质放入培养盆中，培养基质表面距离培养盆上边缘3cm；压实后浇透水待用；
四、种植：种植前对栽培环境进行杀菌消毒处理，所述杀菌消毒处理是利用紫外灯照射或利用甲醛和高锰酸钾混合进行密闭熏蒸对栽培环境进行杀菌消毒处理，杀菌消毒处理后先进行通风处理再将所述装有栽培基质的培养盆放置在栽培环境中；在培养基质表面钻孔以放入种子，钻孔的孔深2cm，每孔2粒工业大麻种子，覆土压实，再轻轻覆盖一层细沙，以保持土壤湿度；
五、培养：在26℃的环境温度、45％的相对湿度和黑暗条件下培养至出苗；出苗后施加光照，光照为全光谱光源进行照射，光强为20000Lux；并在不同发育期进行光周期调控：出苗期光照14h，3对叶片时期光照16h，现蕾期至花期光照17h，成熟期光照15h；待植株幼苗发育至2cm，根据种植需要进行间苗处理，至3-5叶期定苗；根据幼苗生长情况浇水和病虫害防治，直至工业大麻成熟。
根据植株生长情况进行病虫害防治，喷施高效氯氢菊酯以防治跳甲虫害，所述高效氯氢菊酯配制时高效氯氢菊酯药剂与水的体积比为1:300；利用杀菌剂恶霉灵防治根腐病，在种植前将恶霉灵加到培养基质中或在发病初期进行灌根处理；利用五硝多菌灵或百菌清防治枯萎病，在发病初期进行喷施处理或灌根处理，视病情隔7天再次施药一次。
通过对比实施例2与对比例1栽培的工业大麻在不同生长期的生长情况来评价不同栽培方法对工业大麻生长情况的影响，结果见表1、表2；
表1：
表2：
通过以上数据对比可以看出，本发明培养方法能有效提高培养基质的保水性和透气性并减少了病虫害发生，本发明室内栽培方法成苗快、出苗率高、保苗率高，成苗率达到98％，结实率达到96％；通过对比可以看出，工业大麻发育期缩短了13天，说明本发明室内栽培方法可以显著缩短工业大麻的发育期。
Claims (10)
1.一种工业大麻室内盆栽培育方法，其特征在于所述方法步骤如下：
一、选种：选取大小均匀、完整饱满、无病虫侵害、发育成熟的工业大麻种子；
二、种子处理：利用多福克种衣剂对工业大麻种子进行拌种处理；
三、培养基质的准备和处理：培养基质为沙壤土，种植前在培养基质中按一定质量比拌施复合肥；准备培养盆和空心硬塑料灌管，将灌管倾斜放置在培养盆中且灌管管口高于培养盆上边缘，将培养基质放入培养盆中，压实后浇透水待用；
四、种植：在培养基质表面钻孔以放入种子，覆土压实，再轻轻覆盖一层细沙，以保持土壤湿度；
五、培养：在一定环境温度、相对湿度和黑暗条件下培养至出苗；出苗后施加光照，并在不同发育期进行光周期调控；待植株幼苗发育至2-3cm，根据种植需要进行间苗处理，至3-5叶期定苗；根据幼苗生长情况进行浇水、施肥和病虫害防治，直至工业大麻成熟。
2.根据权利要求1所述一种工业大麻室内盆栽培育方法，其特征在于步骤二所述拌种处理时种衣剂的质量终浓度为0.2-0.3％。
3.根据权利要求1或2所述一种工业大麻室内盆栽培育方法，其特征在于步骤三所述沙壤土由土和细沙按质量比10-15:1配制而成；所述复合肥中氮、磷和钾的质量比为3:2:1；培养基质与复合肥的质量比为200:1。
4.根据权利要求3所述一种工业大麻室内盆栽培育方法，其特征在于步骤四所述种植前对栽培环境进行杀菌消毒处理，所述杀菌消毒处理是利用紫外灯照射或利用甲醛和高锰酸钾混合进行密闭熏蒸对栽培环境进行杀菌消毒处理，杀菌消毒处理后先进行通风处理再将所述装有栽培基质的培养盆放置在栽培环境中，或将所述装有培养基质的培养盆放置在栽培环境中同时进行杀菌消毒处理。
5.根据权利要求4所述一种工业大麻室内盆栽培育方法，其特征在于步骤四所述钻孔的孔深2-3cm，每孔1-2粒工业大麻种子。
6.根据权利要求5所述一种工业大麻室内盆栽培育方法，其特征在于步骤五所述环境温度为24-30℃，所述相对湿度为40-60％；所述光照为全光谱光源进行照射，光强为20000Lux；所述光周期调控范围为出苗期光照13-14h，3对叶片时期光照15-16h，现蕾期至花期光照16-17h，成熟期光照13-15h。
7.根据权利要求6所述一种工业大麻室内盆栽培育方法，其特征在于步骤五所述浇水是利用培养盆中的空心硬塑料灌管浇水，将水直接浇灌至培养盆底部。
8.根据权利要求7所述一种工业大麻室内盆栽培育方法，其特征在于步骤五所述施肥是在现蕾前期追施复合肥或喷施植物生长调节剂IAA；所述复合肥的氮、磷和钾的质量比为3:2:1；培养基质与复合肥的质量比为200:1；所述植物生长调节剂IAA的喷施浓度为100ppm。
9.根据权利要求8所述一种工业大麻室内盆栽培育方法，其特征在于步骤五所述病虫害防治是喷施高效氯氢菊酯以防治跳甲虫害，所述高效氯氢菊酯配制时高效氯氢菊酯药剂与水的体积比为1:300。
10.根据权利要求9所述一种工业大麻室内盆栽培育方法，其特征在于步骤五所述病虫害防治是利用杀菌剂恶霉灵防治根腐病，在种植前将恶霉灵加到培养基质中或在发病初期进行灌根处理；利用五硝多菌灵或百菌清防治枯萎病，在发病初期进行喷施处理或灌根处理，并视病情隔7天再次施药一次。
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