CN107979280A - 功率因素校正电路及反激电路 - Google Patents

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Abstract

本发明公开一种功率因素校正电路,其包括:电压转换模块,用于将输入的交流电压转换为直流电压,并输出所述直流电压;升压模块,用于对所述直流电压进行升压,并输出升压直流电压;侦测比较模块,用于侦测所述直流电压,并将侦测到的直流电压与预定电压进行比较,并根据比较结果产生不同的侦测信号;电压反馈模块,用于根据所述不同的侦测信号产生不同的反馈信号;控制模块,用于根据所述不同的反馈信号控制所述升压模块输出不同的升压直流电压。本发明还公开一种具有该功率因素校正电路的反激电路。本发明的功率因素校正电路及具有该功率因素校正电路的反激电路能够降低损耗,从而提高电路转换效率。

Description

功率因素校正电路及反激电路
技术领域
本发明属于电源电路技术领域,具体地讲,涉及一种功率因素校正电路及反激电路。
背景技术
在目前输出功率超过75W的电视电源中都会用到功率因素校正电路(PFC电路),PFC电路可以降低输入的有效电流(RMS电流),从而减少谐波对供电的影响。
PFC电路具有将输入电压提高到输出电压,功率从输入传递到输出的作用,如果输入电压等于输出电压,则PFC电路将不做任何处理,电源直接从输入到输出,省去中间的升压过程,在此条件下损耗只由输出整流器的直流压降引起,则损耗将小于输出功率的1%。然而,当输入电压与输出电压相差越大时,损耗就越大。
发明内容
为了解决上述现有技术存在的问题,本发明的目的在于提供一种能够降低损耗的功率因素校正电路及反激电路。
根据本发明的一方面,提供了一种功率因素校正电路,其包括:电压转换模块,用于将输入的交流电压转换为直流电压,并输出所述直流电压;升压模块,用于对所述直流电压进行升压,并输出升压直流电压;侦测比较模块,用于侦测所述直流电压,并将侦测到的直流电压与预定电压进行比较,并根据比较结果产生不同的侦测信号;电压反馈模块,用于根据所述不同的侦测信号产生不同的反馈信号;控制模块,用于根据所述不同的反馈信号控制所述升压模块输出不同的升压直流电压。
进一步地,当所述直流电压小于所述预定电压时,所述侦测比较模块产生第一侦测信号,所述电压反馈模块根据所述第一侦测信号产生第一反馈信号,所述控制模块根据所述第一反馈信号控制所述升压模块输出第一升压直流电压;当所述直流电压大于或等于所述预定电压时,所述侦测比较模块产生第二侦测信号,所述电压反馈模块根据所述第二侦测信号产生第二反馈信号,所述控制模块根据所述第二反馈信号控制所述升压模块输出第二升压直流电压;所述第二升压直流电压大于所述第一升压直流电压。
进一步地,所述侦测比较模块包括:第一电阻器、第二电阻器、第一电容器、第一二极管;所述第一电阻器的一端连接到所述电压转换模块,所述第一电阻器的另一端连接到所述第二电阻器的一端,所述第二电阻器的另一端连接到所述第一二极管的阳极,所述第一二极管的阴极电性接地,所述第一电容器的一端连接到所述第二电阻器和所述第一电阻器之间,所述第一电容器的另一端电性接地。
进一步地,所述电压反馈模块包括:双极型晶体管、第三电阻器、第四电阻器、第五电阻器;所述第三电阻器的一端连接到所述升压模块,所述第三电阻器的另一端连接到所述第四电阻器的一端并连接到所述控制模块,所述第四电阻器的另一端电性接地,所述双极型晶体管的基极连接到所述侦测比较模块,所述双极型晶体管的集电极连接到所述第三电阻器和所述第四电阻器之间,所述双极型晶体管的发射极连接到所述第五电阻器的一端,所述第五电阻器的另一端电性接地。
进一步地,所述升压模块包括:电感器、第一MOS晶体管、第二二极管;所述电感器的一端连接到所述电压转换模块,所述电感器的另一端连接到所述第二二极管的阳极,所述第二二极管的阴极连接到所述电压反馈模块,所述第一MOS晶体管的栅极连接到所述控制模块,所述第一MOS晶体管的漏极连接到所述电感器和所述第二二极管之间,所述第一MOS晶体管的源极电性接地。
进一步地,所述功率因素校正电路还包括:滤波模块,用于对所述直流电压进行滤波处理。
进一步地,所述滤波模块包括:第二电容器、第一极性电容器;所述第二电容器的一端连接到所述电压转换模块,所述第二电容器的另一端电性接地,所述第一极性电容器的阳极连接到所述第二电容器的一端,所述第一极性电容器的阴极电性接地。
根据本发明的另一方面,还提供了一种反激电路,其包括:上述的功率因素校正电路;变压器,包括第一初级线圈和第一次级线圈,所述第一初级线圈用于在其接通时接收所述升压直流电压,所述第一次级线圈在所述第一初级线圈断开时产生负载工作电压;输出模块,连接到所述第一次级线圈,所述输出模块用于在所述第一初级线圈断开时使所述第一次级线圈输出负载工作电压,且用于在所述第一初级线圈接通时输出负载工作电压;开关单元,连接到所述控制模块,所述开关单元用于根据所述控制模块的控制接通或断开所述第一初级线圈。
进一步地,所述反激电路还包括:电压尖峰吸收模块,用于在所述第一初级线圈断开时吸收所述第一初级线圈的电压尖峰。
进一步地,所述输出模块包括:第三二极管、第三电容器、第二极性电容器;所述第三二极管的阳极连接到所述第一次级线圈的一端,所述第三二极管的阴极连接到所述第二极性电容器的阳极,所述第二极性电容器的阴极连接到接地端,所述第三电容器的一端连接到所述第三二极管的阴极,所述第三电容器的另一端连接到接地端,所述第一次级线圈的另一端连接到接地端;所述开关单元包括:第二MOS晶体管、第六电阻器;所述第二MOS晶体管的栅极连接到所述控制模块,所述第二MOS晶体管的源极连接到所述第六电阻器的一端,所述第六电阻器的另一端电性接地,所述第二MOS晶体管的漏极连接到所述第一初级线圈的一端;所述电压尖峰吸收模块包括:第四二极管、第四电容器和第七电阻器;所述第四二极管的阳极连接到所述第一初级线圈的一端,所述第四二极管的阴极连接到所述第四电容器的一端,所述第四电容器的另一端连接到所述第一初级线圈的另一端,所述第七电阻器的一端连接到所述第四二极管的阴极,所述第七电阻器的另一端连接到所述第一初级线圈的另一端。
本发明的有益效果:本发明的功率因素校正电路及具有该功率因素校正电路的反激电路能够降低损耗,从而提高电路转换效率。
附图说明
通过结合附图进行的以下描述,本发明的实施例的上述和其它方面、特点和优点将变得更加清楚,附图中:
图1是根据本发明的实施例的功率因素校正电路的模块图;
图2是根据本发明的实施例的功率因素校正电路的电路图;
图3是根据本发明的实施例的反激电路的电路图。
具体实施方式
以下,将参照附图来详细描述本发明的实施例。然而,可以以许多不同的形式来实施本发明,并且本发明不应该被解释为限制于这里阐述的具体实施例。相反,提供这些实施例是为了解释本发明的原理及其实际应用,从而使本领域的其他技术人员能够理解本发明的各种实施例和适合于特定预期应用的各种修改。
在附图中,为了清楚起见,夸大了层和区域的厚度。相同的标号在附图中始终表示相同的元件。
将理解的是,尽管在这里可使用术语“第一”、“第二”等来描述各种元件,但是这些元件不应受这些术语的限制。这些术语仅用于将一个元件与另一个元件区分开来。
图1是根据本发明的实施例的功率因素校正电路的模块图。
参照图1,根据本发明的实施例的反激电路包括电压转换模块100、升压模块200、侦测比较模块300、电压反馈模块400、控制模块500、滤波模块600。
具体地,电压转换模块100用于将输入的交流电压(诸如110V或230V)转换为直流电压,并输出所述直流电压。
升压模块200用于将所述直流电压进行升压,并输出升压后的直流电压,即升压直流电压。
侦测比较模块300用于侦测所述直流电压,并将侦测到的直流电压与预定电压进行比较,并根据比较结果产生不同的侦测信号。
电压反馈模块400用于根据所述不同的侦测信号产生不同的反馈信号。
控制模块500用于根据所述不同的反馈信号控制升压模块200输出不同的升压直流电压。
进一步地,当侦测到的直流电压(例如电压转换模块100将输入的为110V的交流电压转换成的直流电压)小于所述预定电压时,侦测比较模块300产生第一侦测信号,电压反馈模块400根据所述第一侦测信号产生第一反馈信号,控制模块500根据所述第一反馈信号控制升压模块200输出第一升压直流电压(例如200V)。
当侦测到的直流电压(例如电压转换模块100将输入的为230V的交流电压转换成的直流电压)大于或等于所述预定电压时,侦测比较模块300产生第二侦测信号,电压反馈模块400根据所述第二侦测信号产生第二反馈信号,控制模块500根据所述第二反馈信号控制升压模块200输出第二升压直流电压(例如400V)。
也就是说,所述第二升压直流电压大于所述第一升压直流电压。
在本实施例中,为了对电压转换模块100转换成的所述直流电压进行滤波处理,在电压转换模块100和升压模块200之间设置滤波模块600,该滤波模块600能够对电压转换模块100转换成的直流电压中的谐波等进行过滤去除。作为本发明的另一实施方式,不对电压转换模块100转换成的所述直流电压进行滤波处理也可以,因此也可以不设置滤波模块600。
综上所述,在本实施例中,将不同的输入的交流电压转换并升压成为不同的升压直流电压,从而减小输入电压与输出电压之间的差值,进而降低损耗。
图2是根据本发明的实施例的功率因素校正电路的电路图。
参照图2,电压转换模块100可例如是桥式整流器,但本发明并不限制于此。该电压转换模块100连接到火线L和零线N,以将输入的交流电压转换为直流电压,并输出所述直流电压。
升压模块200包括:电感器L、第一MOS晶体管Q1、第二二极管D2。电感器L的一端连接到电压转换模块100,电感器L的另一端连接到第二二极管D2的阳极,第二二极管D2的阴极连接到电压反馈模块400的第三电阻器R3的一端,第一MOS晶体管Q1的栅极连接到控制模块500,第一MOS晶体管Q1的漏极连接到电感器L和第二二极管D2之间,第一MOS晶体管Q1的源极电性接地。
侦测比较模块300包括:第一电阻器R1、第二电阻器R2、第一电容器C1、第一二极管D1。第一电阻器R1的一端连接到电压转换模块100,第一电阻器R1的另一端连接到第二电阻器R2的一端,第二电阻器R2的另一端连接到第一二极管D1的阳极,第一二极管D1的阴极电性接地,第一电容器C1的一端连接到第二电阻器R2和第一电阻器R1之间,第一电容器C1的另一端电性接地。
电压反馈模块400包括:双极型晶体管T、第三电阻器R3、第四电阻器R4、第五电阻器R5。第三电阻器R3的一端连接到升压模块200的第二二极管D2的阴极,第三电阻器R3的另一端连接到第四电阻器R4的一端并连接到控制模块500,第四电阻器R4的另一端电性接地,双极型晶体管T的基极连接到侦测比较模块300的第一电阻器R1和第二电阻器R2之间,双极型晶体管T的集电极连接到第三电阻器R3和第四电阻器R4之间,双极型晶体管T的发射极连接到第五电阻器R5的一端,第五电阻器R5的另一端电性接地。
控制模块500可例如是控制芯片,但本发明并不限制于此。
第一电阻器R1和第二电阻器R2对电压转换模块100转换成的直流电压进行分压,当第二电阻器R2两端的电压小于所述预定电压时,双极型晶体管T截止,升压直流电压经第三电阻器R3和第四电阻器R4分压,形成第一反馈信号(即第四电阻器R4两端的电压)反馈到控制模块500,控制模块500根据所述第一反馈信号控制升压模块200输出第一升压直流电压,使第一升压直流电压稳定在需要的电压。
第一电阻器R1和第二电阻器R2对电压转换模块100转换成的直流电压进行分压,当第二电阻器R2两端的电压大于或等于所述预定电压时,双极型晶体管T导通,第五电阻器R5与第四电阻器R4并联后再与第三电阻器R3串联,形成第二反馈信号(即第四电阻器R4两端的电压)反馈到控制模块500,由于第二反馈信号与第一反馈信号相同(即此时第四电阻器R4两端的电压与双极型晶体管T截止时的第四电阻器R4两端的电压相等),由于第五电阻器R5与第四电阻器R4并联,因此并联后的电阻值下降,从而控制模块500根据所述第二反馈信号控制升压模块200输出第二升压直流电压,使第二升压直流电压大于第一升压直流电压。
此外,滤波模块600包括:第二电容器C2、第一极性电容器CP1。第二电容器C2的一端连接到电压转换模块100和升压模块200之间,第二电容器C2的另一端电性接地,第一极性电容器CP1的阳极连接到第二电容器C2的一端,第一极性电容器CP1的阴极电性接地。
图3是根据本发明的实施例的反激电路的电路图。
参照图3,根据本发明的实施例的反激电路包括上述的功率因素校正电路、变压器700、输出模块800、开关单元900、电压尖峰吸收模块1000。
变压器700包括第一初级线圈和第一次级线圈。所述第一初级线圈的另一端连接到所述功率因素校正电路的第二二极管D2的阴极,以用于在其接通时接收所述升压直流电压,所述第一次级线圈在所述第一初级线圈断开时产生负载工作电压。
输出模块800连接到所述第一次级线圈。输出模块800用于在所述第一初级线圈断开时使所述第一次级线圈输出负载工作电压,且用于在所述第一初级线圈接通时输出负载工作电压。
输出模块800包括:第三二极管D3、第三电容器C3、第二极性电容器CP2;第三二极管D3的阳极连接到所述第一次级线圈的一端,第三二极管D3的阴极连接到第二极性电容器CP2的阳极,第二极性电容器CP2的阴极连接到接地端E,第三电容器C3的一端连接到第三二极管D3的阴极,第三电容器C3的另一端连接到接地端E,所述第一次级线圈的另一端连接到接地端E。
当所述第一初级线圈断开时,所述第一次级线圈产生负载工作电压,所述第一次级线圈输出负载工作电压到负载工作电压输出端Output并对第二极性电容器CP2进行充电。当所述第一初级线圈导通时,第二极性电容器CP2输出负载工作电压到负载工作电压输出端Output。负载工作电压输出端Output用于输出负载工作电压。
开关单元900连接到控制模块500。开关单元900用于根据控制模块500。的控制接通或断开所述第一初级线圈。
开关单元900包括:第二MOS晶体管Q2、第六电阻器R6。第二MOS晶体管Q2的栅极连接到控制模块500,第二MOS晶体管Q2的源极连接到第六电阻器R6的一端,第六电阻器R6的另一端电性接地,第二MOS晶体管Q2的漏极连接到所述第一初级线圈的一端。
当控制模块500控制导通第二MOS晶体管Q2时,控制模块500控制所述第一初级线圈接通;当控制模块500控制截止第二MOS晶体管Q2时,控制模块500控制所述第一初级线圈断开。
在本实施例中,当所述第一初级线圈断开时,所述第一初级线圈会产生电压尖峰,该电压尖峰会对反激电路中的器件造成损害,因此利用电压尖峰吸收模块1000在所述第一初级线圈断开时吸收所述第一初级线圈的电压尖峰,从而避免该电压尖峰对反激电路中的器件造成损害。作为本发明的另一实施方式,不对所述第一初级线圈断开时其产生的电压尖峰进行吸收也可以,因此也可以不设置电压尖峰吸收模块1000。
电压尖峰吸收模块1000包括:第四二极管D4、第四电容器C4和第七电阻器R7。第四二极管D4的阳极连接到第二MOS晶体管Q2的漏极,第四二极管D4的阴极连接到第四电容器C4的一端,第四电容器C4的另一端连接到所述第一初级线圈和第二二极管D2的阴极之间,第七电阻器R7的一端连接到第四二极管D4的阴极,第七电阻器R7的另一端连接到所述第一初级线圈和第二二极管D2的阴极之间。
综上所述,根据本发明的实施例的功率因素校正电路及具有该功率因素校正电路的反激电路能够降低损耗,从而提高电路转换效率。
虽然已经参照特定实施例示出并描述了本发明,但是本领域的技术人员将理解:在不脱离由权利要求及其等同物限定的本发明的精神和范围的情况下,可在此进行形式和细节上的各种变化。

Claims (10)

1.一种功率因素校正电路,其特征在于,包括:
电压转换模块,用于将输入的交流电压转换为直流电压,并输出所述直流电压;
升压模块,用于对所述直流电压进行升压,并输出升压直流电压;
侦测比较模块,用于侦测所述直流电压,并将侦测到的直流电压与预定电压进行比较,并根据比较结果产生不同的侦测信号;
电压反馈模块,用于根据所述不同的侦测信号产生不同的反馈信号;
控制模块,用于根据所述不同的反馈信号控制所述升压模块输出不同的升压直流电压。
2.根据权利要求1所述的功率因素校正电路,其特征在于,当所述直流电压小于所述预定电压时,所述侦测比较模块产生第一侦测信号,所述电压反馈模块根据所述第一侦测信号产生第一反馈信号,所述控制模块根据所述第一反馈信号控制所述升压模块输出第一升压直流电压;
当所述直流电压大于或等于所述预定电压时,所述侦测比较模块产生第二侦测信号,所述电压反馈模块根据所述第二侦测信号产生第二反馈信号,所述控制模块根据所述第二反馈信号控制所述升压模块输出第二升压直流电压;
所述第二升压直流电压大于所述第一升压直流电压。
3.根据权利要求1或2所述的功率因素校正电路,其特征在于,所述侦测比较模块包括:第一电阻器、第二电阻器、第一电容器、第一二极管;
所述第一电阻器的一端连接到所述电压转换模块,所述第一电阻器的另一端连接到所述第二电阻器的一端,所述第二电阻器的另一端连接到所述第一二极管的阳极,所述第一二极管的阴极电性接地,所述第一电容器的一端连接到所述第二电阻器和所述第一电阻器之间,所述第一电容器的另一端电性接地。
4.根据权利要求1或2所述的功率因素校正电路,其特征在于,所述电压反馈模块包括:双极型晶体管、第三电阻器、第四电阻器、第五电阻器;
所述第三电阻器的一端连接到所述升压模块,所述第三电阻器的另一端连接到所述第四电阻器的一端并连接到所述控制模块,所述第四电阻器的另一端电性接地,所述双极型晶体管的基极连接到所述侦测比较模块,所述双极型晶体管的集电极连接到所述第三电阻器和所述第四电阻器之间,所述双极型晶体管的发射极连接到所述第五电阻器的一端,所述第五电阻器的另一端电性接地。
5.根据权利要求1或2所述的功率因素校正电路,其特征在于,所述升压模块包括:电感器、第一MOS晶体管、第二二极管;
所述电感器的一端连接到所述电压转换模块,所述电感器的另一端连接到所述第二二极管的阳极,所述第二二极管的阴极连接到所述电压反馈模块,所述第一MOS晶体管的栅极连接到所述控制模块,所述第一MOS晶体管的漏极连接到所述电感器和所述第二二极管之间,所述第一MOS晶体管的源极电性接地。
6.根据权利要求1或2所述的功率因素校正电路,其特征在于,所述功率因素校正电路还包括:滤波模块,用于对所述直流电压进行滤波处理。
7.根据权利要求6所述的功率因素校正电路,其特征在于,所述滤波模块包括:第二电容器、第一极性电容器;
所述第二电容器的一端连接到所述电压转换模块,所述第二电容器的另一端电性接地,所述第一极性电容器的阳极连接到所述第二电容器的一端,所述第一极性电容器的阴极电性接地。
8.一种反激电路,其特征在于,包括:
权利要求1至7任一项所述的功率因素校正电路;
变压器,包括第一初级线圈和第一次级线圈,所述第一初级线圈用于在其接通时接收所述升压直流电压,所述第一次级线圈在所述第一初级线圈断开时产生负载工作电压;
输出模块,连接到所述第一次级线圈,所述输出模块用于在所述第一初级线圈断开时使所述第一次级线圈输出负载工作电压,且用于在所述第一初级线圈接通时输出负载工作电压;
开关单元,连接到所述控制模块,所述开关单元用于根据所述控制模块的控制接通或断开所述第一初级线圈。
9.根据权利要求8所述的反激电路,其特征在于,所述反激电路还包括:电压尖峰吸收模块,用于在所述第一初级线圈断开时吸收所述第一初级线圈的电压尖峰。
10.根据权利要求9所述的反激电路,其特征在于,
所述输出模块包括:第三二极管、第三电容器、第二极性电容器;所述第三二极管的阳极连接到所述第一次级线圈的一端,所述第三二极管的阴极连接到所述第二极性电容器的阳极,所述第二极性电容器的阴极连接到接地端,所述第三电容器的一端连接到所述第三二极管的阴极,所述第三电容器的另一端连接到接地端,所述第一次级线圈的另一端连接到接地端;
所述开关单元包括:第二MOS晶体管、第六电阻器;所述第二MOS晶体管的栅极连接到所述控制模块,所述第二MOS晶体管的源极连接到所述第六电阻器的一端,所述第六电阻器的另一端电性接地,所述第二MOS晶体管的漏极连接到所述第一初级线圈的一端;
所述电压尖峰吸收模块包括:第四二极管、第四电容器和第七电阻器;所述第四二极管的阳极连接到所述第一初级线圈的一端,所述第四二极管的阴极连接到所述第四电容器的一端,所述第四电容器的另一端连接到所述第一初级线圈的另一端,所述第七电阻器的一端连接到所述第四二极管的阴极,所述第七电阻器的另一端连接到所述第一初级线圈的另一端。
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