CN107949655A - 用于处理基材表面的设备和操作该设备的方法 - Google Patents

用于处理基材表面的设备和操作该设备的方法 Download PDF

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Abstract

本发明涉及用于通过原子层沉积处理基材(1、101)的表面的设备以及用于操作该设备的方法。该设备包括沉积室(4)以及设置于一个或多个侧室(12、42、52、112)和该沉积室(4)之间的一个或多个导通连接部(13、15、16)。该一个或多个导通连接部(13、15、16)包括一个或多个导通室(18)和可操作地连接到该一个或多个导通室(18)的辅助压力装置(20)。

Description

用于处理基材表面的设备和操作该设备的方法
技术领域
本发明涉及用于处理基材表面的设备，特别地、涉及根据权利要求1的前序部分所述的设备。本发明还涉及用于操作基材处理设备的方法，特别地、涉及根据权利要求10的前序部分所述的方法。
背景技术
在ALD应用中，基材的表面通常相继地处于至少两种气态前驱体之下。气态前驱体与基材表面有效地反应，从而导致单原子层的沉积。在单独引入另一前驱体之前，前驱体阶段通常跟随有吹扫阶段或由吹扫阶段分隔开，吹扫阶段将过量的前驱体从基材的表面消除。因此，ALD过程需要依序交替到基材的表面的前驱体的通量。这种在表面反应和吹扫阶段之间交替的重复序列是典型的ALD沉积循环。原子层沉积通常在与周围大气隔绝的沉积室中进行，以防止前驱气体扩散到周围环境中，并防止污染物进入沉积室。根据原子层沉积的原理，原子层沉积可以通过将至少第一前驱体和第二前驱体相继地供应到沉积室中而在沉积室中进行。由于表面的处理被相继地完成，前驱体的分隔是暂时的。
替代地，喷嘴头可以用于使至少第一前驱体和第二前驱体在基材的表面上进行相继的表面反应。当使用喷嘴头时，前驱体没有填充整个沉积室，但是前驱体被局部地供应到基材的表面上。在这种情况下，由于前驱体同时在基材的不同位置处对表面进行处理，前驱体在空间上被分隔开。
原子层沉积法非常容易受到不期望的和有害的污染。原子层沉积设备的污染和污损、尤其是设备的沉积室的污染和污损损害了原子层沉积过程，从而导致形成的涂层质量下降。多个ALD前驱体与环境空气中存在的气体、例如与水蒸气反应并且产生不需要的残渣生长率。因此，如果空气能够泄漏到ALD沉积室的内部，则容易发生不需要的污染。此外，由于污染和污损，导致必须清洁沉积室。清洁沉积室意味着存在设备和过程的停机时间，并因此降低过程的效率。为了防止沉积室的污损和污染，必须防止污染物和多余材料进入到沉积室中或将其最小化。
沉积室包括设置于沉积室的壁上的一个或多个导通端口，以便输送待涂覆的基材进出沉积室。这些导通端口是用于污染物和诸如水分的多余材料进入沉积室的主要途径。
在现有技术的设备中，试图通过尽可能紧密地密封输送基材进出沉积室所经的导通端口来防止沉积室的污染和污损或将其最小化。然而，密封无法防止所有的污染物和多余材料进入沉积室，并且密封还使得设备更加复杂。用于将污染和污损最小化的另一现有技术的解决方案是提供单独的真空室并且将沉积室设置于真空室内。将沉积室设置于真空室内减少了进入沉积室的污染物和多余材料的量。然而，设备变得较为复杂并且基材的装载和卸载也变得困难和复杂。
发明内容
本发明的目的是提供一种设备和一种方法，以克服或者至少减少现有技术的缺陷。本发明的目的通过根据权利要求1的特征部分所述的设备实现。本发明的目的还通过根据权利要求10的特征部分所述的方法实现。
本发明的优选实施方式在从属权利要求中公开。
本发明基于这样的构思，即以比设置为用于沉积室的导通连接部的压力更高的压力操作设备的沉积室。这意味着在设备的操作期间，沉积室内的压力保持处于比沉积室外部的导通连接部处更高的水平。导通连接部包括设置为用于沉积室的第一导通端口。第一导通端口在导通连接部处提供沉积室的内部和外部之间的通路。根据本发明，沉积室内部的压力设置为处于比沉积室外部更高的水平，沉积室的外部意为设置为用于沉积室的第一导通端口的外侧。因此在第一导通端口处具有压力差。
在本发明中，上述内容通过用于处理基材表面的设备实现。设备包括沉积室，在该沉积室内，通过使至少第一前驱体和第二前驱体根据原子层沉积原理在基材的表面上进行相继的表面反应来处理基材的表面。沉积室包括沉积室壁。设备包括连接至沉积室的一个或多个侧室。侧室可以是装载室、处理室或类似的室，待涂覆的基材从该侧室输送到沉积室中以及/或者基材从沉积室输送到该侧室。设备还包括一个或多个导通连接部，所述一个或多个导通连接部设置在所述一个或多个侧室与沉积室之间并且布置为形成从一个或多个侧室到沉积室内部的一个或多个导通部。因此，侧室经由导通连接部连接到沉积室。为了提供对沉积室的压力的控制，使得沉积室内部的压力高于沉积室外部的压力，该一个或多个导通连接部包括一个或多个导通室和辅助压力装置，该一个或多个导通室设置在沉积室和一个或多个侧室之间，辅助压力装置可操作地连接到一个或多个导通室，以便控制导通室内的第二压力。导通室和辅助压力装置使得能够控制沉积室的导通连接部处的压力，使得在设备的操作期间的所有时刻，紧挨沉积室外部处的压力都可以被调节为低于沉积室内部的压力。根据本发明，所述方法包括在设备操的作期间通过使用辅助压力装置控制一个或多个导通室内的第二压力来操作设备。
本发明的技术效果在于，由于沉积室内的压力高于导通连接部和导通室中的压力，气流总是从沉积室经导通连接部向外流动。
本发明的优势在于沉积室中的更高的压力和从沉积室经由导通连接部向外流动的气流防止污染物和多余材料进入沉积室。因此，可以防止沉积室的污染或使污染最小化，这进一步延长了沉积室的清洁或维护周期并且进一步提升了设备的效率。
附图说明
下文将参照附图(随附的图)通过优选的实施方式更详细地描述本发明，其中
图1示意性地示出了根据本发明的用于处理基材的设备的一个实施方式；
图2示意性地示出了根据本发明的用于处理基材的设备的另一实施方式；
图3示出了根据本发明的设备的又一实施方式。
具体实施方式
图1示意性地示出了根据本发明的用于处理基材1的表面的设备的一个实施方式。该设备包括沉积室4，在沉积室4内，通过使至少第一前驱体和第二前驱体根据原子层沉积原理在基材1的表面上进行相继的表面反应来处理基材1的表面。沉积室4包括在沉积室4内限定出反应空间的沉积室壁2。该设备还包括经由压力连接部8可操作地连接到沉积室4的主压力装置6，以便控制沉积室4内的压力。
一个或多个侧室12可以连接到沉积室。侧室12通过设置于侧室12和沉积室4之间的导通连接部16连接到沉积室4。导通连接部16设置为形成从侧室12到沉积室4内部的导通部。
侧室12可以为任意类型的室，基材1从该室中经由导通连接部16被输送到沉积室4内，或者从沉积室4被输送到侧室12，或者被输送进出沉积室4。因此，本发明的导通连接部16为基材导通连接部，基材穿过该导通连接部16在侧室12和沉积室4之间进行输送。
导通连接部16包括设置于侧室12和沉积室4之间的一个或多个导通室18。导通连接部16还包括设置于侧室12和导通室18之间的一个或多个第二导通端口17以及设置于导通室18和沉积室4之间的一个或多个第一导通端口19。因此，导通室18包括第一导通端口17和第二导通端口19以便形成位于侧室12和沉积室4之间并且穿过导通室18的导通部，如图1所示。
导通室18可以为具有限定出内部空间的壁并且具有设置于壁上的第一导通端口17和第二导通端口19的任意类型的室、器皿、容器等。
设备还可以包括位于侧室12和沉积室4之间的两个或更多个导通连接部。例如可以存在一个用于将基材1输送至沉积室4的导通连接部16和另一个用于将基材1输送出沉积室4的导通连接部。
导通端口19、17可以为开口、闸门阀、窗口等。导通端口19、17还可以包括一个或多个障碍气体喷嘴，用于提供用于密封导通端口19、17的障碍气体流。
导通连接部16还包括可操作地连接到一个或多个导通室18的辅助压力装置20，以便控制导通室18中的压力。因此，可以相对于沉积室4的压力独立地控制导通室18内的压力。
压力装置6、20可以为真空泵、增压器或真空增压器或者可以控制和调节室内部的压力的一些其他装置。
沉积室4的主压力装置6可以设置为提供沉积室4内的第一压力，并且导通连接部16的辅助压力装置20可以设置为提供导通室18内的第二压力。根据本发明的原理，在该设备的操作期间，导通室18内的第二压力低于沉积室4内的第一压力。
主压力装置6和辅助压力装置20可以被设置为能够独立地进行控制，使得在操作期间独立地或单独地对它们进行调节。在替代实施方式中，主压力装置和辅助压力装置可操作地连接，使得能够基于主压力装置6的控制或调节或者沉积室4内的第一压力调节辅助压力装置20，或者使得能够基于辅助压力装置20的控制或调节或者导通室18内的第二压力调节主压力装置6。在每种情况下，第一压力和第二压力相对于彼此调节成使得在该设备的操作期间沉积室4内的第一压力高于一个或多个导通室18内的第二压力。应当注意，主压力装置也可以被省略，并且可以仅通过辅助压力装置20来实现使导通室18具备较低的压力。
如图1所示，设备还包括经由导通连接部16连接到沉积室4的侧室12。图1中的侧室12为处理室。侧室或处理室12设置有用于控制处理装置12内的压力的侧室压力装置14或处理室压力装置。处理室压力装置14可以为真空泵、增压器或真空增压器或者可以控制和调节室内部的压力的一些其他装置。处理室压力装置14可以设置为提供处理室12内的第三压力。
处理室12内的第三压力可以在设备的操作期间使用处理室压力装置14来控制。该调节可以通过将第二压力和第三压力相对于彼此地调节成使得在该设备的操作期间处理室12内的第三压力高于一个或多个导通室18内的第二压力来执行。替代地，该调节可以通过将第二压力和第三压力相对于彼此地调节成使得在该设备的操作期间处理室12内的第三压力低于一个或多个导通室18内的第二压力、或者使得在该设备的操作期间处理室12内的第三压力与一个或多个导通室18内的第二压力大致相等来执行。该调节也可以通过将第一压力、第二压力和第三压力相对于彼此地调节成使得第三压力与包围该设备的标准气压(NTP)大体一致或第三压力大体上为1bar、第二压力低于第三压力并且第一压力高于第二压力、或者使得第一压力、第二压力和第三压力为低于1bar的真空压力来执行。
在本发明中，一个或多个导通室18内的第二压力在该设备的操作期间使用辅助压力装置20来控制。该方法还可以包括在设备的操作期间使用主压力装置6对沉积室4内的第一压力进行控制。
第一压力和第二压力可以相对于彼此地控制成使得在该设备的操作期间沉积室4内的第一压力高于一个或多个导通室18内的第二压力。
设备的操作意为设备的各类操作，以及设备的不同操作模式。设备的操作可以意为至少以下各项：在设备的沉积室4中执行原子层沉积过程、设备的维护过程或维护工作、改变沉积室4内的第一压力、改变导通室18内的第二压力、改变处理室12中的第三压力、使该设备或沉积室通风以及装载和卸载基材或如网或薄膜之类的连续基材的进出沉积室4的区段。因此，在设备的操作期间相对于彼此地调节第一压力和第二压力意为至少以上所述各项。
在操作期间，主压力装置6和辅助压力装置20可以彼此独立地控制或调节成使得沉积室4内的第一压力高于一个或多个导通室18内的第二压力。替代地，在操作期间，第二压力可以基于主压力装置6的控制或调节或者沉积室4内的第一压力而利用辅助压力装置20来调节，第一压力可以基于辅助压力装置20的控制或调节或者导通室18内的第二压力而利用主压力装置6来调节。
在处理室12如图1所示包括用于提供处理室12内的第三压力的侧室压力装置14的实施方式中，处理室12内的第三压力可以在设备的操作期间使用侧室压力装置14进行调节或控制。
在设备的操作期间，第二压力和第三压力可以相对于彼此调节成使得处理室12内的第三压力高于一个或多个导通室18内的第二压力、或者使得处理室12内的第三压力低于一个或多个导通室18内的第二压力。替代地，第二压力和第三压力可以相对于彼此调节成使得在设备的操作期间处理室12内的第三压力与一个或多个导通室18内的第二压力大体上相等。
应当注意，以上结合本发明的简要描述和详细描述所描述的全部内容对于本发明的所有实施方式而言是通用的并且涉及本发明的一般原理。在下文中将结合图1、图2和图3描述不同的设备。应当进一步注意，上文结合图1的侧室或处理室12所描述的全部内容也可适用于图2和图3的侧室或处理室42、52和112，因此与上文相同的公开内容被省略。
在图1的实施方式中，侧室12为具有侧室壁10的处理室。图1的实施方式公开了卷对卷式设备，其中在处理基材期间，网状基材1被持续地输送。该设备包括第一卷轴22和第二卷轴24，其中，基材1从第一卷轴22中解绕(这一过程也被称为“供给”或退绕)，并且该基材重绕(或卷绕或储存)至第二卷轴24。该设备还包括用于将基材1从第一卷轴22沿图1中箭头S的方向上的输送路径输送到第二卷轴24的输送机构。输送机构包括：用于沿输送路径移动基材1的一个或多个驱动辊26，所述驱动辊26被供给有驱动力；以及用于沿输送路径引导和支承基材1的自由辊28。
侧室12通过导通连接部16连接到沉积室4。导通连接部16是基材导通连接部，基材1经由该基材导通连接部在处理室12和沉积室4之间进行输送。基材1通过传送机构22、24、26、28从处理室12输送到沉积室并经由导通连接部16输送回处理室12。因此，处理室12也是设备的装载室和卸载室。
处理室12可以包括用于在将基材1输送到沉积室4之前对基材1进行预处理的一个或多个预处理装置11。在图1的实施方式中，预处理装置为用于对基材1进行加热的加热器。处理室12还可以包括用于在将基材1从沉积室4中输送出来之后对基材1进行后处理的一个或多个后处理装置9。在图1的实施方式中，后处理装置9为用于对基材1进行等离子处理的等离子处理装置9。等离子处理装置可以被设置为使用等离子体放电来提供自由基。
预处理装置9和后处理装置可以是例如加热装置、冷却装置、涂覆装置、等离子处理装置、胶粘辊或任何种类的基材处理装置。
胶粘辊包括用以使污染物从网提起并将污染物转移到半粘附性辊、即胶粘性辊上的至少一个辊。这使得污染物被锁住并将污染物从过程中移除，而不会使污染物回落到生产线中。
沉积室4设置有基材支撑圆筒3，基材支撑圆筒3具有外圆筒表面，基材1沿着外圆筒表面输送。包括气体歧管的喷嘴头5设置成与基材支撑圆筒3连接，以便在基材于基材支撑件3上输送时至少将第一前驱体和第二前驱体供应到基材1的表面上。
应当注意，喷嘴头5和基材支撑件3可以以任意形式实施，并且本发明仅限于任何特定的喷嘴头或基材支撑件。
第一前驱体和第二前驱体可以为根据原子层沉积原理发生表面反应的前驱气体。这意味着前驱体可以提供相继的饱和表面反应。第一前驱体或第二前驱体也可以设置为通过使用等离子体而形成的前驱体自由基。等离子体可以通过设置为用于喷嘴头5的等离子体装置而提供。
该设备还包括连接到沉积室4的其他处理装置。处理装置34为设置成向沉积室4内供应处理气体、如一种或多种前驱体、吹扫气体、惰性气体或排出气体的气体源36。气体源36和沉积室4之间的导通连接部16是处理气体导通连接部，处理气体通过该处理气体导通连接部被供应到沉积室4。气体源36还包括从气体源34延伸穿过导通室16的气体管线38。
在图1的实施方式中，气体源36可以设置为向沉积室4内供应诸如氮气的惰性气体以提供惰性气体气氛。
在替代实施方式中，处理装置34可以是设置为从沉积室4排出一种或多种处理气体的排气口。
图2示出了替代性实施方式，其中该设备包括第一侧室42或装载室、第二侧室52或卸载室和输送机构22、24、26、28、3，其中输送机构设置为经由第一基材导通连接部13将基材1从第一侧室42或装载室输送到沉积室4并经由第二基材导通连接部15将基材1从沉积室4输送到第二侧室52或卸载室。因此沉积室设置于第一侧室42和第二侧室52之间。第一侧室42和第二侧室52以与图1的侧室12相同的方式通过第一导通连接部13和第二导通连接部15连接到沉积室4。因此，第一导通连接部13和第二导通连接部15是基材导通连接部，经由这样的基材导通连接部在侧室42、52和沉积室4之间输送基材1。第一导通连接部13和第二导通连接部15包括设置于侧室42、52和沉积室4之间的导通室18、设置于侧室42、52和导通室18之间的第二导通端口17以及设置于导通室18和沉积室4之间的第一导通端口19，以便形成侧室42、52和沉积室4之间的导通部。
第一侧室42可以包括预处理装置11、48，以便在沿着箭头S的方向通过输送机构22、26、28、24将基材1输送到沉积室4之前预处理基材1。图2的输送机构与图1的输送机构对应。
这一实施例中的第一卷轴22设置于第一侧室42并且第二卷轴24设置于第二侧室52。第一侧室42和第二侧室52具有分别限定出处理空间的侧室壁40、50。第一侧室42包括一个或多个预处理装置11、48并且第二侧室52包括一个或多个后处理装置56、58。
预处理装置48和后处理装置58可以是例如加热装置、冷却装置、涂覆装置、等离子处理装置、胶粘辊或任何种类的基材处理装置。等离子处理装置可以被设置为使用等离子体放电来提供自由基。
根据上文，设备可以是生产线，而沉积室4形成生产线中的沉积单元，并且处理室或侧室42、52形成其他处理单元。生产线还可以包括其他处理单元。
通常，设备可以是生产线，而沉积室4形成生产线中的沉积单元，并且处理装置是生产线中的设置于沉积室4之前或之后的处理单元或处理室。
在图2的实施方式中，预处理装置11可以是加热装置并且预处理装置48可以是诸如等离子体沉积装置之类的底层涂料涂覆装置。
第二侧室52可以包括用于在通过输送机构22、26、28、24将基材1从沉积室4中输送出来之后对基材1进行后处理的后处理装置58、56。
在图2的实施方式中，后处理装置56可以是加热装置并且后处理装置48可以是底层涂料涂覆装置。
沉积室4、基材支撑件3和喷嘴头5与图1的实施方式对应。
设备包括：可操作地连接到沉积室4、用于控制沉积室4内的压力的主压力装置6；可操作地连接到导通连接部13、15、18的导通室18、用于控制导通室18中的压力的辅助压力装置20；以及分别与第一侧室42和第二侧室52可操作地连接的第一侧室压力装置46和第二侧室压力装置54。
因此，主压力装置6设置为提供沉积室4内的第一压力，辅助压力装置20设置为提供一个或多个导通室18内的第二压力，并且侧室压力装置46、54设置为提供侧室42、52内的第三压力。如上文所大致公开的，在设备的操作期间，第一压力和第二压力相对于彼此调节并控制成使得沉积室4内的第一压力高于一个或多个导通室18内的第二压力。第三压力可以高于或低于第二压力或者与第二压力相等。
图1和图2公开了卷对卷式设备，其中基材1从第一卷轴22被持续地移动到第二卷轴。图3示出了用于利用原子层沉积进行分批处理的分批处理设备的实施方式。除了侧室12被替换为具有装载室壁110的装载室112以外，图3的设备与图1的设备对应。装载室112可以是用于将基材101装载到沉积室4或将基材101从沉积室4中卸载的装载和卸载室。
设备还包括设置于装载室112和沉积室4之间的导通连接部16。导通连接部16具有设置于装载室112和沉积室4之间的导通室18、设置于装载室112和导通室18之间的第二导通端口17、以及设置于导通室18和沉积室4之间的第一导通端口19，以便形成装载室112和沉积室4之间的导通部。
装载室112包括具有装载构件122的装载装置120。装载构件可以是装载臂、装载支撑臂或装载机械臂等。装载装置120、122设置为将基材101装载到沉积室4中或将基材101卸载。沉积室4可以包括用于在沉积室4中支撑一个或多个基材101的基材支撑件124。基材支撑件124可以为平面、机架等。
装载装置120、122设置为经由导通连接部16并穿过导通端口17、19和导通室18将基材101装载到沉积室中或从沉积室中卸载。因此，装载室112和沉积室4之间的导通连接部16为基材导通连接部。
设备还包括连接到沉积室的另一处理装置34。处理装置34也可以是设置为将前驱气体供应到沉积室4内并设置为从沉积室4排出一种或多种处理气体的气体歧管。应当注意，设备也可以包括实施为气体源、排气口或气体歧管的两个或更多个处理装置34。
气体源34设置为向沉积室供应前驱气体，以根据原子层沉积原理通过使基材的表面经受至少第一前驱体和第二前驱体的方式处理或涂覆基材101，原子层沉积在沉积室4中以分批处理的方式实现。
根据本发明，主压力装置6设置为提供沉积室4内的第一压力，辅助压力装置20设置为提供导通室18内的第二压力，并且可操作地连接到装载室114的侧室压力装置114提供装载室114内的第三压力。如上文所大致公开的，在设备的操作期间，第一和第二压力相对于彼此调节和控制成使得沉积室4内的第一压力高于一个或多个导通室18内的第二压力。第三压力可以高于或低于第二压力或者与第二压力相等。
根据本发明、本发明的任何实施方式的设备通过在设备的操作期间使用辅助压力装置20控制一个或多个导通室18内的第二压力来操作。设备的操作还可以包括在设备的操作期间使用主压力装置6控制沉积室4内的第一压力。
装置的操作通过将第一压力和第二压力相对于彼此调节成使得在设备的操作期间沉积室4内的第一压力高于一个或多个导通室18内的第二压力来执行。
该调节通过以下方式来实现：相互独立地控制主压力装置6和辅助压力装置20使得沉积室4内的第一压力高于一个或多个导通室18内的第二压力，或基于主压力装置6的控制或调节或者沉积室4内的第一压力使用辅助压力装置20调节第二压力，或基于辅助压力装置20的控制或调节或者导通室18内的第二压力使用主压力装置6调节第一压力。
在设备的所有实施方式中以及在设备的所有操作模式中，处理室12、42、52、112内的第三压力在设备的操作期间可以使用侧室压力装置14、46、54、114控制成使得第三压力高于或低于第二压力或者与第二压力相等。
另外，设备可以通过将第一压力、第二压力和第三压力相对于彼此调节成使得第三压力与标准气压(NTP)大体一致或第三压力大体上为1bar、第二压力低于第三压力并且第一压力高于第二压力、或者使得第一压力、第二压力和第三压力为低于1bar的真空压力来操作。
对于本领域技术人员而言，显而易见的是，随着技术的进步，该创造性构思可以以多种方式实现。本发明及其实施方式不限于上述示例，而是可以在权利要求的范围内变化。

Claims (17)

1.一种用于处理基材(1、101)的表面的设备，所述设备包括：
-沉积室(4)，在所述沉积室内，通过使至少第一前驱体和第二前驱体根据原子层沉积原理在所述基材(1、101)的所述表面上进行相继的表面反应来处理所述基材的所述表面，所述沉积室(4)具有沉积室壁(2)；
-一个或多个侧室(12、42、52、112)，所述一个或多个侧室连接到所述沉积室(4)；以及
-一个或多个导通连接部(13、15、16)，所述一个或多个导通连接部设置于所述一个或多个侧室(12、42、52、112)与所述沉积室(4)之间并且设置为形成从所述一个或多个侧室(12、36、42、52、62、112)到所述沉积室(4)的内部的一个或多个导通部，以便在所述一个或多个侧室(12、42、52、112)和所述沉积室(4)之间输送所述基材(1、101)；
其特征在于，所述一个或多个导通连接部(13、15、16)包括：
一个或多个导通室(18)，所述一个或多个导通室(18)设置于所述一个或多个侧室(12、42、52、112)与所述沉积室(4)之间；以及
辅助压力装置(20)，所述辅助压力装置(20)可操作地连接到所述一个或多个导通室(18)以便控制所述导通室(18)中的压力，
所述设备还包括主压力装置(6)，所述主压力装置(6)可操作地连接到所述沉积室(4)以便控制所述沉积室(4)内的压力，所述主压力装置设置为提供所述沉积室(4)内的第一压力，并且所述辅助压力装置(20)设置为提供所述一个或多个导通室(18)内的第二压力，所述第二压力低于所述第一压力。
2.根据权利要求1所述的设备，其特征在于，所述一个或多个导通连接部(13、15、16)包括设置于所述侧室(12、42、52、112)与所述导通室(18)之间的一个或多个第二导通端口(17)以及设置于所述导通室(18)与所述沉积室(4)之间的一个或多个第一导通端口(19)，以便形成所述侧室(12、42、52、112)与所述沉积室(4)之间的导通部。
3.根据权利要求1或2所述的设备，其特征在于，所述主压力装置(6)和所述辅助压力装置(20)能够独立地进行控制。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的设备，其特征在于，所述侧室(12、42、52、112)设置有用于控制所述侧室(12、42、52、112)内的压力的侧室压力装置(14、46、54、114)。
5.根据权利要求1至4中任一项所述的设备，其特征在于，
-所述侧室(12、42、52、112)为用于将所述基材(1、101)装载到所述沉积室(4)的装载室(112)，并且所述导通连接部(13、15、16)为基材导通连接部，经由所述基材导通连接部在所述装载室(112)和所述沉积室(4)之间输送所述基材(1、101)；或者
-所述侧室(12、42、52、112)为处理室(12、42、52)，所述基材(11、101)在所述处理室内进行处理，并且所述导通连接部(13、15、16)为基材导通连接部，经由所述基材导通连接部在所述处理室(12、42、52)和所述沉积室(4)之间输送所述基材(1、101)；或者
-所述设备为生产线，所述沉积室(4)形成所述生产线中的沉积单元，并且所述侧室(12、42、52、112)为所述生产线中的设置于所述沉积室(4)之前或之后的处理单元或处理室(42、52)。
6.根据权利要求5所述的设备，其特征在于，所述设备包括：
-所述侧室(12)或所述装载室(112)和输送机构(22、24、26、28、3)，所述输送机构设置为经由所述基材导通连接部(13、15、16)将所述基材(1、101)从所述侧室(12)或所述装载室(112)输送到所述沉积室(4)以及将所述基材(1、101)从所述沉积室(4)输送到所述侧室(12)或所述装载室(112)；或者
-第一侧室(42)或装载室、第二侧室(52)或卸载室以及输送机构(22、24、26、28、3)，所述输送机构设置为经由第一基材导通连接部(13)将所述基材(1、101)从所述第一侧室(42)或所述装载室输送到所述沉积室(4)以及经由第二基材导通连接部(15)将所述基材(1、101)从所述沉积室(4)输送到所述第二侧室(52)或所述卸载室。
7.根据权利要求6所述的设备，其特征在于：
-所述侧室(12、42、52)包括用于在将所述基材(1、101)输送到所述沉积室(4)之前对所述基材(1、101)进行预处理的一个或多个预处理装置(11、48)；或者
-所述侧室(12、42、52)包括用于在将所述基材(1、101)从所述沉积室(4)中输送出来之后对所述基材(1、101)进行后处理的一个或多个后处理装置(13、56)；或者
-所述侧室(12、42、52)包括用于在将所述基材(1、101)输送到所述沉积室(4)之前对所述基材(1、101)进行预处理的一个或多个预处理装置(11、48)以及用于在将所述基材(1、101)从所述沉积室(4)中输送出来之后对所述基材(1、101)进行后处理的一个或多个后处理装置(13、56)。
8.根据权利要求1至7中任一项所述的设备，其特征在于，所述主压力装置(6)和所述辅助压力装置(20)设置为将所述第一压力和所述第二压力控制成使得在所述设备的操作期间内的所有时刻，所述第一压力均高于所述第二压力。
9.根据权利要求1至8中任一项所述的设备，其特征在于：
-所述主压力装置(6)和所述辅助压力装置(20)为真空泵；或者
-所述主压力装置(6)和所述辅助压力装置(20)为真空泵，其中所述辅助真空泵(20)比所述第一真空泵(6)具有更高的容量。
10.一种用于操作基材处理设备的方法，所述设备包括：
-沉积室(4)，在所述沉积室内，通过使至少第一前驱体和第二前驱体根据原子层沉积原理在基材(1、101)的表面上进行相继的表面反应来处理所述基材的所述表面，所述沉积室(4)具有沉积室壁(2)；
-一个或多个侧室(12、42、52、112)，所述一个或多个侧室(12、42、52、112)连接到所述沉积室(4)；以及
-一个或多个导通连接部(13、15、16)，所述一个或多个导通连接部设置于所述一个或多个侧室(12、42、52、112)与所述沉积室(4)之间并且设置为形成从所述一个或多个侧室(12、42、52、112)到所述沉积室(4)的内部的一个或多个导通部，以便在所述一个或多个侧室(12、42、52、112)和所述沉积室(4)之间输送所述基材(1、101)；
-主压力装置(6)，所述主压力装置可操作地连接到所述沉积室(4)，以便提供所述沉积室(4)内的第一压力，所述一个或多个导通连接部(13、15、16)包括：
一个或多个导通室(18)，所述一个或多个导通室设置于所述一个或多个侧室(12、36、42、52、62、112)与所述沉积室(4)之间；以及
辅助压力装置(20)，所述辅助压力装置可操作地连接到所述一个或多个导通室(18)以便提供所述一个或多个导通室(18)内的第二压力，
其特征在于，所述方法包括
-在所述设备的操作期间使用所述主压力装置(6)控制所述沉积室(4)内的所述第一压力，
-在所述设备的操作期间使用所述辅助压力装置(20)控制所述一个或多个导通室(18)内的所述第二压力，以及
-将所述第一压力和所述第二压力相对于彼此调节成使得在所述设备的操作期间所述沉积室(4)内的所述第一压力高于所述一个或多个导通室(18)内的所述第二压力。
11.根据权利要求10所述的方法，其特征在于，所述方法包括在下述过程期间相对于彼此调节所述第一压力和所述第二压力：
-在所述沉积室(4)中的原子层沉积过程期间，其中所述沉积室(4)内的所述第一前驱体和所述第二前驱体在所述基材(1、101)的所述表面上进行相继的表面反应；或者
-在所述设备或所述沉积室(4)的维护过程期间；或者
-在改变所述沉积室(4)内的所述第一压力期间。
12.根据权利要求10或11所述的方法，其特征在于：
-将所述主压力装置(6)和所述辅助压力装置(20)彼此独立地控制成使得所述沉积室(4)内的所述第一压力高于所述一个或多个导通室(18)内的所述第二压力；或者
-基于所述主压力装置(6)的控制或调节或者所述沉积室(4)内的所述第一压力，使用所述辅助压力装置(20)调节所述第二压力；
-基于所述辅助压力装置(20)的控制或调节或者所述导通室(18)内的所述第二压力，使用所述主压力装置(6)调节所述第一压力。
13.根据权利要求10至12中任一项所述的方法，其特征在于，所述侧室(12、42、52、112)包括用于提供所述侧室(12、42、52、112)内的第三压力的侧室压力装置(14、46、54、114)，所述方法包括在所述设备的操作期间使用所述侧室压力装置(14、46、54、114)控制所述侧室(12、42、52、112)内的所述第三压力。
14.根据权利要求13所述的方法，其特征在于，将所述第二压力和所述第三压力相对于彼此调节成使得：
-在所述设备的操作期间所述侧室(12、42、52、112)内的所述第三压力高于所述一个或多个导通室(18)内的所述第二压力；或者
-在所述设备的操作期间所述侧室(12、42、52、112)内的所述第三压力低于所述一个或多个导通室(18)内的所述第二压力；或者
-在所述设备的操作期间所述侧室(12、42、52、112)内的所述第三压力与所述一个或多个导通室(18)内的所述第二压力大致相等。
15.根据权利要求13或14所述的方法，其特征在于，将所述第一压力、所述第二压力和所述第三压力相对于彼此调节成使得：
-所述第三压力与标准气压(NTP)大体一致或所述第三压力大体上为1bar，所述第二压力低于所述第三压力并且所述第一压力高于所述第二压力；或者
-所述第一压力、所述第二压力和所述第三压力为低于1bar的真空压力。
16.根据权利要求13至15中任一项所述的方法，其特征在于，将所述第一压力、所述第二压力和所述第三压力相对于彼此调节成使得：
-将所述第一压力调节至12mbar-20mbar，将所述第二压力调节至6mbar-11mbar并且将所述第三压力调节至1mbar-6mbar；或者
-将所述第一压力调节至101mbar-500mbar，将所述第二压力调节至1mbar-100mbar并且所述第三压力调节至501mbar-1100mbar。
17.根据权利要求10至16中任一项所述的方法，其特征在于，所述设备为根据权利要求1至9中任一项所述的设备。
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