CN107925403B - 用于对要由供电网络运行的单元进行保护以防过电压的电路装置 - Google Patents

用于对要由供电网络运行的单元进行保护以防过电压的电路装置 Download PDF

Info

Publication number
CN107925403B
CN107925403B CN201680046357.0A CN201680046357A CN107925403B CN 107925403 B CN107925403 B CN 107925403B CN 201680046357 A CN201680046357 A CN 201680046357A CN 107925403 B CN107925403 B CN 107925403B
Authority
CN
China
Prior art keywords
supply network
voltage
zener
power semiconductor
protection circuit
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201680046357.0A
Other languages
English (en)
Other versions
CN107925403A (zh
Inventor
T·伯姆
F·朔尔克
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Denza Europe Ag
Original Assignee
Individual
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Individual filed Critical Individual
Publication of CN107925403A publication Critical patent/CN107925403A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN107925403B publication Critical patent/CN107925403B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
    • H02H—EMERGENCY PROTECTIVE CIRCUIT ARRANGEMENTS
    • H02H9/00—Emergency protective circuit arrangements for limiting excess current or voltage without disconnection
    • H02H9/04—Emergency protective circuit arrangements for limiting excess current or voltage without disconnection responsive to excess voltage
    • H02H9/041—Emergency protective circuit arrangements for limiting excess current or voltage without disconnection responsive to excess voltage using a short-circuiting device
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/0203—Particular design considerations for integrated circuits
    • H01L27/0248—Particular design considerations for integrated circuits for electrical or thermal protection, e.g. electrostatic discharge [ESD] protection
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/0203—Particular design considerations for integrated circuits
    • H01L27/0248—Particular design considerations for integrated circuits for electrical or thermal protection, e.g. electrostatic discharge [ESD] protection
    • H01L27/0251—Particular design considerations for integrated circuits for electrical or thermal protection, e.g. electrostatic discharge [ESD] protection for MOS devices
    • H01L27/0255—Particular design considerations for integrated circuits for electrical or thermal protection, e.g. electrostatic discharge [ESD] protection for MOS devices using diodes as protective elements
    • H—ELECTRICITY
    • H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
    • H02H—EMERGENCY PROTECTIVE CIRCUIT ARRANGEMENTS
    • H02H9/00—Emergency protective circuit arrangements for limiting excess current or voltage without disconnection
    • H02H9/04—Emergency protective circuit arrangements for limiting excess current or voltage without disconnection responsive to excess voltage
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03K—PULSE TECHNIQUE
    • H03K17/00—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
    • H03K17/08—Modifications for protecting switching circuit against overcurrent or overvoltage
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03K—PULSE TECHNIQUE
    • H03K5/00—Manipulating of pulses not covered by one of the other main groups of this subclass
    • H03K5/01—Shaping pulses
    • H03K5/08—Shaping pulses by limiting; by thresholding; by slicing, i.e. combined limiting and thresholding
    • H—ELECTRICITY
    • H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
    • H02M—APPARATUS FOR CONVERSION BETWEEN AC AND AC, BETWEEN AC AND DC, OR BETWEEN DC AND DC, AND FOR USE WITH MAINS OR SIMILAR POWER SUPPLY SYSTEMS; CONVERSION OF DC OR AC INPUT POWER INTO SURGE OUTPUT POWER; CONTROL OR REGULATION THEREOF
    • H02M1/00—Details of apparatus for conversion
    • H02M1/08—Circuits specially adapted for the generation of control voltages for semiconductor devices incorporated in static converters

Landscapes

  • Power Engineering (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • Power Conversion In General (AREA)
  • Electronic Switches (AREA)
  • Emergency Protection Circuit Devices (AREA)
  • Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
  • Protection Of Static Devices (AREA)

Abstract

本发明涉及一种用于对要由供电网络运行的单元进行保护以防过电压的电路装置，该电路装置带有输入端、输出端和保护电路，所述输入端带有与供电网络连接的第一输入端接头和第二输入端接头，要保护的单元能连接在所述输出端上，所述保护电路设置在所述第一输入端接头和第二输入端接头之间，以便限制施加在所述保护电路上的电压，其中，该保护电路具有功率半导体。该功率半导体要么在集电极和门极之间具有至少一个齐纳元件，要么在该功率半导体的集电极和门极之间设有数模转换器，通过预给定用于该功率半导体的钳位电压可以以简单的方式调节这样实现的保护电路的保护电平。

Description

用于对要由供电网络运行的单元进行保护以防过电压的电路 装置
技术领域
本发明涉及一种按照本发明的教导所述的用于对要由供电网络运行的单元进行保护以防过电压的电路装置，该电路装置带有输入端、输出端和保护电路，所述输入端带有与供电网络连接的第一输入端接头和第二输入端接头，要保护的单元能连接在所述输出端上，所述保护电路设置在所述第一输入端接头和第二输入端接头之间，以便限制施加在所述保护电路上的电压，其中，该保护电路具有功率半导体。
背景技术
由EP0431215A1已知一种用于保护可关断的晶闸管免受不允许的过电压的方法和装置。按照那里的教导，参照可关断的晶闸管的阴极电压来监控其阳极电压并且在超过预给定的界限值时生成一个控制信号，由此关断接在可关断的晶闸管的门极上的负电压源并且借助接通回路接通晶闸管。
DE10338921A1示出了一种用于进行保护以防浪涌电压的电路装置。按照那里提出的任务基于如下技术问题：保护设备以防例如通过电压网络上的雷击而产生的浪涌电压。所设的保护电路除了限制装置外还包括开关装置。该开关装置包括开关元件和用于该开关元件的驱控电路，其中，为了保证足够精确的尺寸设计，将所述开关元件构造成半导体结构元件。开关装置和限制装置串联布置并且设计成，在可预给定的第一触发标准下使开关装置导通以及在第二触发标准下使开关装置截止。
由DE102010054402A1已知一种用于对耗电器进行保护以防过电压的电路，其中，为了提高限制电压将第二齐纳二极管与分路调节器串联。第二齐纳二极管提高了通常的参考电压，提高幅度为该第二齐纳二极管的击穿电压。
作为现有技术还可参考EP2340593B1，它公开了一种多级的过电压保护电路，该过电压保护电路可以自动设定到施加的工作电压上。在不允许地超过工作电压时对电平进行限制。在就此已知的解决方案中，当存在瞬时过电压时，根据陡度通过高通滤波器接通那里存在的晶体管。为此需要串联电阻，以便生成用于控制晶体管的相应的电压降。
发明内容
因此由前述内容可知本发明的任务是，提出一种用于对要由供电网络运行的单元进行保护以防过电压的经进一步改进的电路装置，该电路装置在带有功率半导体和所述功率半导体的与此有关的钳位运行的保护电路的基础上，能够以简单的方式既可以分级地也可以无级地以被动或主动的方式实现保护电平的调节。
本发明的任务分别通过本发明的特征解决，其中，本发明至少包含适宜的设计方案和扩展方案。
本发明的教导基于此：在用作限制过电压的元件的功率半导体、特别是IGBT中，可以通过本身公知的钳位元件的齐纳电压的变化来限定相应的保护电平。
按照第一实施方式，所述保护电路包括功率半导体，其中，在该功率半导体的集电极和门极之间连接着至少一个齐纳元件、例如TVS二极管，其中，齐纳电压产生用于该功率半导体的钳位电压。按照本发明，在该实施方式中，多个齐纳元件串联，其中，依据供电网络的电压的瞬时值，齐纳元件中的至少一个转变为导通的状态并且由此可以自动调节保护电平。
在过电压具有超过所设定的响应陡度的陡度的情况下，在电阻R2上的电压上升并且功率半导体IGBT被驱控。所阐释的实施方式示出与陡度相关的响应与静态的保护电平调节的组合。
在本发明的第二实施方式中，齐纳元件是连接在功率半导体的门极和集电极之间的线性调节器的组成部分，该线性调节器跟随供电网络的电压，以便将保护电平保持在网络电压的电平上。
对于电压调节器，有针对性地实施以死区时间(Totzeit)为形式的惯性，以便在快速瞬时的过电压时阻止信号调节。取而代之的是电流朝向功率半导体的门极的方向流动且驱控该功率半导体。
在本发明的第三实施方式中，设置一组能与所述齐纳元件并联连接的另外的齐纳元件，所述另外的齐纳元件能被驱动单元激活。该驱动单元分别与晶体管开关的输入端连接，所述晶体管开关分别配设有所述另外的齐纳元件中的其中一个。
在该实施方式中，驱动单元由微控制器驱控，该微控制器确定供电网络的电压的瞬时值并且通过驱动单元驱控或激活合适的晶体管开关，以用于调节保护电平。
在按本发明的教导的第四实施方式中，所述保护电路同样具有功率半导体，其中，在该功率半导体的集电极和门极之间布置一个数模转换器，该数模转换器的数字输入端与微控制器的输出端连接。在微控制器上在输入端侧建立与供电网络的连接，其中，通过数模转换器的模拟输出端能预给定电路的保护电平。
附图说明
下面应借助实施例并参考附图详细阐释本发明。
图中：
图1是本发明的第一实施方式的原理图，以电子的分级电路形式带有多个串联的齐纳元件TVS1至TVSn；
图2是电路方面的实施方式的原理图，带有一个线性调节器作为用于设定保护电平的可控的电压源；
图3是按照本发明的第三实施方式的电路装置的原理图，其中，能将另外的齐纳元件与第一齐纳元件并联，其中，所述另外的齐纳元件可以通过驱动单元激活，并且为此设晶体管开关；以及
图4是本发明的第四实施方式的框图，在利用数模转换器的情况下主动无级地调节保护电平，数模转换器接在功率半导体(IGBT)的门极和集电极之间且该数模转换器的数字输入端与微控制器连接。
具体实施方式
在按照图1的实施方式中，保护电路包括功率半导体IGBT。在IGBT的集电极和门极之间设有多个齐纳元件TVS1至TVSn。在串联电路的节点上设置若干电路技术上的器件，以便依据网络电压的当前的瞬时值使一个或多个齐纳元件TVS1至TVSn变得导通，以便因此确定保护电平。所述保护电路也如在其余的实施例中那样通过一个与输入端L、N连接的二极管桥DB馈电，因而可以识别并导出负的过电压脉冲和正的过电压脉冲。在所有的实施方式中，功率半导体IGBT同样构造为主动的过电压保护元件。
因此发生与陡度相关的响应，其中，在按照图1的实施方式中设置了一种静态的安全电压调节。
在按照图2的实施方式中，通过可控的电压源SQ来设定保护电平。可控的电压源如在按图2的细节图中所示那样，优选能构造成线性调节器，它的输出端与齐纳元件TVS连接。
连接在集电极和门极之间的线性调节器跟随网络L、N的电压，因而保护电平始终处在网络电压的电平上。在瞬时电压变化时激活所述电路。通过所述调节器有针对性地实施死区时间，以便在快速瞬时过电压时阻止信号调节。更确切地说，取而代之的是电流朝向功率半导体的门极的方向流动，以便驱控所述功率半导体。
图3和4示出了这样一种可能性：通过使用智能的驱动器、特别是在使用微控制器μC的情况下，以如下方式使保护电平与当前的网络电压适配：相应改变齐纳元件或其特性。这一点通过图3所示的第一种变型方案以及通过图4所示的第二种变型方案实现。
在按照图3的变型方案中，微控制器μC确定网络电压L、N的瞬时值并且将在IGBT的集电极和门极之间的齐纳元件TVS1、TVS2、TVSn中的其中一个接通。示例性的保护电平通过元件TVS1至TVSn旁的电压说明表明。借助晶体管T1至Tn接通相应的元件TVS1至TVSn，所述晶体管的基极分别与微控制器μC的输出端和相应的也能集成在该微控制器中的驱动单元连接。
如下显示出按照图3所示的工作方式。
当电路装置施加在网络中时，首先将保护电平预设定到最高的最大值、例如1kV。在确定网络电压的瞬时值后，通过微控制器μC和驱动器激活合适的保护级。在出现过电压事件时，借助IGBT导出浪涌电流并且之后将电路装置再次预设定到最高的保护电平级。在过电压事件后，重新确定网络电压的瞬时值以及使保护级与网络电压适配。
当没有出现过电压事件，并且确定：网络电压例如1V/min地缓慢提高时，这一点被微控制器检测到，然后相应地自动缓慢地提高或降低保护电平。
按照图4所示的第四实施方案基于这样一种构思：在IGBT的集电极和门极之间接入一个数模转换器DA，该数模转换器又被微控制器驱控。在该变型方案中存在这样一种可能性：仅在经求取积分的网络电压的基础上设定并调节保护电平的响应和适配。

Claims (6)

1.用于对由供电网络运行的单元进行保护以防过电压的电路装置，该电路装置带有输入装置和保护电路，所述输入装置带有与供电网络连接并且要保护的单元能连接在其上的第一输入端接头和第二输入端接头(L、N)，所述保护电路设置在所述输入装置的第一输出端接头和第二输出端接头之间，以便限制由供电网络施加的电压，其中，该保护电路具有功率半导体(IGBT)，此外在该功率半导体的集电极和门极之间连接多个齐纳元件(TVS1至TVSn)，其中，每个齐纳元件具有齐纳电压，所述齐纳电压产生用于该功率半导体(IGBT)的钳位电压，其特征在于，所述多个齐纳元件(TVS1至TVSn)串联，其中，提供多个电路技术上的器件，每个电路技术上的器件布置在所连接的齐纳元件的对应的接合处与功率半导体的门极之间，并且所述多个电路技术上的器件被设计为，使得依据供电网络的电压的瞬时值，自动确定转变为导通的状态的齐纳元件的数量并且由此自动调节保护电路的保护电平。
2.用于对由供电网络运行的单元进行保护以防过电压的电路装置，该电路装置带有输入装置和保护电路，所述输入装置带有与供电网络连接并且要保护的单元能连接在其上的第一输入端接头和第二输入端接头(L、N)，所述保护电路设置在所述输入装置的第一输出端接头和第二输出端接头之间，以便限制由供电网络施加的电压，其中，该保护电路具有功率半导体(IGBT)，此外在该功率半导体的集电极和门极之间连接至少一个齐纳元件(TVS)，其中，所述至少一个齐纳元件具有齐纳电压，所述齐纳电压产生用于该功率半导体(IGBT)的钳位电压，其特征在于，所述齐纳元件(TVS)是线性调节器(SQ)的组成部分，所述线性调节器包括配置为依据供电网络的电压的瞬时值自动运行的开关，其中可控的线性调节器设置在功率半导体(IGBT)的门极和集电极之间，所述线性调节器的输出端在所述线性调节器内部连接到齐纳元件(TVS)，并且该线性调节器跟随供电网络的电压，以便将保护电平保持在网络电压的电平上。
3.用于对由供电网络运行的单元进行保护以防过电压的电路装置，该电路装置带有输入装置和保护电路，所述输入装置带有与供电网络连接并且要保护的单元能连接在其上的第一输入端接头和第二输入端接头(L、N)，所述保护电路设置在所述输入装置的第一输出端接头和第二输出端接头之间，以便限制由供电网络施加的电压，其中，该保护电路具有功率半导体(IGBT)，此外在该功率半导体的集电极和门极之间连接至少一个齐纳元件(TVS)，其中，齐纳电压产生用于该功率半导体(IGBT)的钳位电压，其特征在于，设置一组能与所述齐纳元件(TVS)并联连接的另外的齐纳元件(TVS1至TVSn)，所述另外的齐纳元件能被驱动单元激活，其中，该驱动单元与晶体管开关(T1至Tn)的输入端连接，所述晶体管开关分别配设有所述另外的齐纳元件(TVS1至TVSn)中的其中一个。
4.按照权利要求3所述的电路装置，其特征在于，所述驱动单元由微控制器(μC)驱控，该微控制器确定供电网络的电压的瞬时值并且通过所述驱动单元分别激活合适的晶体管开关(T1至Tn)，以用于调节保护电平。
5.用于对由供电网络运行的单元进行保护以防过电压的电路装置，该电路装置带有输入装置和保护电路，所述输入装置带有与供电网络连接并且要保护的单元能连接在其上的第一输入端接头和第二输入端接头(L、N)，所述保护电路设置在所述输入装置的第一输出端接头和第二输出端接头之间，以便由供电网络限制施加的电压，其中，该保护电路具有功率半导体(IGBT)，其特征在于，在该功率半导体(IGBT)的集电极和门极之间设置有数模转换器(DA)，该数模转换器的数字输入端与微控制器(μC)的输出端连接，该微控制器在输入端侧连接在所述供电网络上，其中，通过所述数模转换器(DA)的模拟输出端能预给定电路的保护电平。
6.按照权利要求1、2、3和5中任一项所述的电路装置，其特征在于，该保护电路通过与所述输入端连接的二极管桥(DB)馈电，因而能导出负的过电压脉冲和正的过电压脉冲。
CN201680046357.0A 2015-08-07 2016-03-11 用于对要由供电网络运行的单元进行保护以防过电压的电路装置 Active CN107925403B (zh)

Applications Claiming Priority (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102015010308 2015-08-07
DE102015010308.3 2015-08-07
DE102016001689.2A DE102016001689A1 (de) 2015-08-07 2016-02-12 Schaltungsanordnung zum Schutz einer aus einem Versorgungsnetz zu betreibenden Einheit gegen Überspannungen
DE102016001689.2 2016-02-12
PCT/EP2016/055224 WO2017025202A1 (de) 2015-08-07 2016-03-11 Schaltungsanordnung zum schutz einer aus einem versorgungsnetz zu betreibenden einheit gegen überspannungen

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN107925403A CN107925403A (zh) 2018-04-17
CN107925403B true CN107925403B (zh) 2022-03-22

Family

ID=57853795

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201680046357.0A Active CN107925403B (zh) 2015-08-07 2016-03-11 用于对要由供电网络运行的单元进行保护以防过电压的电路装置

Country Status (8)

Country Link
US (1) US11177652B2 (zh)
EP (1) EP3332480B1 (zh)
JP (1) JP6653371B2 (zh)
CN (1) CN107925403B (zh)
DE (1) DE102016001689A1 (zh)
ES (1) ES2737401T3 (zh)
SI (1) SI3332480T1 (zh)
WO (1) WO2017025202A1 (zh)

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20190123654A1 (en) * 2017-10-25 2019-04-25 Microchip Technology Incorporated Circuit Arrangement for Switched-Mode Power Conversion with Improved Efficiency
DE202018101510U1 (de) * 2018-03-19 2019-06-24 Gebr. Bode Gmbh & Co. Kg Schaltungsanordnung für einen Digitaleingang
CN110380387B (zh) * 2019-07-26 2024-02-23 中国南方电网有限责任公司超高压输电公司 一种功率模块的故障保护电路
WO2023162032A1 (ja) * 2022-02-22 2023-08-31 三菱電機株式会社 ゲート駆動回路およびこれを用いた電力変換装置

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1302106A (zh) * 1999-12-30 2001-07-04 德国汤姆逊-布朗特公司 电源单元的保护电路及相应的电源单元
EP2413502A2 (en) * 2010-07-28 2012-02-01 General Electric Company Systems, methods, and apparatus for limiting voltage across a switch
CN103368160A (zh) * 2012-03-28 2013-10-23 英飞凌科技股份有限公司 箝位电路
CN103620940A (zh) * 2011-06-29 2014-03-05 富士电机株式会社 功率转换装置

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
IT1229713B (it) * 1989-05-12 1991-09-07 Sgs Thomson Microelectronics Dispositivo di protezione di circuiti a semiconduttori da transistori sulla linea d'alimentazione.
EP0431215A1 (de) 1989-12-08 1991-06-12 Siemens Aktiengesellschaft Verfahren zum Schutz eines abschaltbaren Thyristors vor unzulässiger Überspannung und Schaltungsanordnung zur Durchführung des Verfahrens
DE4029794A1 (de) * 1990-08-18 1992-02-20 Bosch Gmbh Robert Verfahren und einrichtung zur ansteuerung eines elektromagnetischen verbrauchers
DE10338921A1 (de) 2003-08-20 2005-03-24 Patent-Treuhand-Gesellschaft für elektrische Glühlampen mbH Schaltungsanordnung zum Schutz gegen Stoßspannungen
US20060214704A1 (en) * 2005-03-24 2006-09-28 Nec Electronics Corporation Load drive circuit
DE102009022832B4 (de) 2008-10-21 2019-03-21 DEHN + SÖHNE GmbH + Co. KG. Mehrstufige Überspannungsschutzschaltung, insbesondere für informationstechnische Anlagen
FR2944927B1 (fr) * 2009-04-22 2011-07-01 Somfy Sas Alimentation a tension de sortie adaptee
DE102010006525B4 (de) 2010-02-01 2012-02-09 Phoenix Contact Gmbh & Co. Kg Vorrichtung zum Ableiten von Stoßströmen oder transienten Überspannungen
DE102010054402A1 (de) 2010-12-14 2012-06-14 Init Innovative Informatikanwendungen In Transport-, Verkehrs- Und Leitsystemen Gmbh Schaltung zum Schutz eines elektrischen Verbrauchers gegen Überspannungen
CN107006091B (zh) * 2014-11-12 2019-06-14 飞利浦照明控股有限公司 驱动电路和方法
DE102015004523A1 (de) * 2015-02-10 2016-08-11 DEHN + SÖHNE GmbH + Co. KG. Schaltungsanordnung zum Schutz einer aus einem Versorgungsnetz zu betreibenden Einheit gegen Überspannungen

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1302106A (zh) * 1999-12-30 2001-07-04 德国汤姆逊-布朗特公司 电源单元的保护电路及相应的电源单元
EP2413502A2 (en) * 2010-07-28 2012-02-01 General Electric Company Systems, methods, and apparatus for limiting voltage across a switch
CN103620940A (zh) * 2011-06-29 2014-03-05 富士电机株式会社 功率转换装置
CN103368160A (zh) * 2012-03-28 2013-10-23 英飞凌科技股份有限公司 箝位电路

Also Published As

Publication number Publication date
JP6653371B2 (ja) 2020-02-26
EP3332480A1 (de) 2018-06-13
US11177652B2 (en) 2021-11-16
DE102016001689A1 (de) 2017-02-09
ES2737401T3 (es) 2020-01-14
SI3332480T1 (sl) 2019-10-30
WO2017025202A1 (de) 2017-02-16
CN107925403A (zh) 2018-04-17
US20180226791A1 (en) 2018-08-09
EP3332480B1 (de) 2019-05-22
JP2018528607A (ja) 2018-09-27

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP2413502B1 (en) Systems, methods, and apparatus for limiting voltage across a switch
US10199916B2 (en) Resistor emulation and gate boost
US9225161B2 (en) Short circuit protection circuit and method for insulated gate bipolar transistor
CN110462956B (zh) 用于能连接到低压直流电压电网上的负载的电子保险设备
CN107925403B (zh) 用于对要由供电网络运行的单元进行保护以防过电压的电路装置
US20180226785A1 (en) Electronic circuit breaker
EP2546983B1 (en) Methods and systems for operating power converters
CA2819415A1 (en) Circuit for protecting an electric load from overvoltages
US10469069B2 (en) Power semiconductor circuit
KR102050907B1 (ko) 고장 전류 제한기 및 고장 전류 제한 방법
US20200335968A1 (en) Current interrupting device and transistor selecting method
US11031931B2 (en) Method for protecting a semiconductor switch, protective device for a semiconductor switch, and control circuit for a semiconductor switch
JP6645717B2 (ja) 過電圧保護装置
US9935537B2 (en) Inverter circuit with voltage limitation
WO2013000500A1 (en) Power supply for controlling a power switch
CN212969049U (zh) 一种电路保护装置
US20220263501A1 (en) Dynamic balancing of transistors
KR101764467B1 (ko) 전류 제한 장치
RU25306U1 (ru) Коммутатор переменного тока
EP3024143B1 (en) Solid state power controller
JP5733237B2 (ja) 制御回路
WO2015129049A1 (ja) 電力変換装置、及び、電力変換装置の短絡保護方法

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
CB02 Change of applicant information
CB02 Change of applicant information

Address after: German Neumarkt

Applicant after: Dence

Address before: German Neumarkt

Applicant before: DEHN + SOHNE GmbH & Co.KG

GR01 Patent grant
GR01 Patent grant
TR01 Transfer of patent right
TR01 Transfer of patent right

Effective date of registration: 20220711

Address after: German Neumarkt

Patentee after: Denza Europe AG

Address before: German Neumarkt

Patentee before: Dence