CN107910369A - 一种氮化镓异质结双向开关器件 - Google Patents
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- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 35
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 33
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 29
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 29
- 238000009413 insulation Methods 0.000 claims description 14
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 8
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910052593 corundum Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 6
- 229910001845 yogo sapphire Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910017083 AlN Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 claims description 3
- CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N magnesium oxide Inorganic materials [Mg]=O CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- HYXGAEYDKFCVMU-UHFFFAOYSA-N scandium(III) oxide Inorganic materials O=[Sc]O[Sc]=O HYXGAEYDKFCVMU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims description 3
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 3
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 13
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 abstract description 8
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 abstract description 7
- 238000000137 annealing Methods 0.000 abstract description 6
- 230000002457 bidirectional effect Effects 0.000 abstract description 4
- 229910001385 heavy metal Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 7
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 5
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 5
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 5
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 5
- 230000005533 two-dimensional electron gas Effects 0.000 description 5
- 229910002704 AlGaN Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000000231 atomic layer deposition Methods 0.000 description 3
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 3
- 230000009977 dual effect Effects 0.000 description 3
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 3
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 2
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 2
- CJNBYAVZURUTKZ-UHFFFAOYSA-N hafnium(IV) oxide Inorganic materials O=[Hf]=O CJNBYAVZURUTKZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000002488 metal-organic chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 2
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 238000000280 densification Methods 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000012938 design process Methods 0.000 description 1
- 238000011982 device technology Methods 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 230000006641 stabilisation Effects 0.000 description 1
- 238000011105 stabilization Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N titanium dioxide Inorganic materials O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/40—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/43—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed
- H01L29/47—Schottky barrier electrodes
- H01L29/475—Schottky barrier electrodes on AIII-BV compounds
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66007—Multistep manufacturing processes
- H01L29/66075—Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials
- H01L29/66227—Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials the devices being controllable only by the electric current supplied or the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched, e.g. three-terminal devices
- H01L29/66234—Bipolar junction transistors [BJT]
- H01L29/66325—Bipolar junction transistors [BJT] controlled by field-effect, e.g. insulated gate bipolar transistors [IGBT]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/70—Bipolar devices
- H01L29/72—Transistor-type devices, i.e. able to continuously respond to applied control signals
- H01L29/739—Transistor-type devices, i.e. able to continuously respond to applied control signals controlled by field-effect, e.g. bipolar static induction transistors [BSIT]
- H01L29/7393—Insulated gate bipolar mode transistors, i.e. IGBT; IGT; COMFET
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Abstract
本发明属于半导体功率器件领域，特别涉及一种氮化镓异质结双向开关器件。本发明提出了一种无欧姆接触的氮化镓双向开关器件，可避免高温欧姆退火工艺带来的一系列负面影响。本发明基于低功函数金属与InAlN/GaN之间无需通过高温退火即可直接形成类似欧姆接触的原理，采用具有低功函数金属的肖特基源极接触和肖特基漏极接触。同时本发明通过两个绝缘栅结构来改变器件的工作状态，实现双向开关器件的双向导通和双向阻断能力。由于本发明中不存在欧姆接触，不需要利用重金属，该器件工艺可以与传统的CMOS工艺兼容。
Description
技术领域
本发明属于半导体功率器件技术领域，特别涉及一种氮化镓双向开关器件。
背景技术
具有双向传导电流和阻断电压特性的双向开关广泛应用于电机驱动、航空器、交流电源装置、船舶电力推进和电动汽车之中。传统的双向开关是由两个反向串联的绝缘栅双极晶体管(IGBT)和两个功率二极管组成，结构类似于图1(a)，在这样的结构中，电流将流经两个会不同的器件，较长的电流通路将导致较大的导通压降，进而会使双向开关具有较高的功率损耗。为了减小双向开关的导通损耗，提高系统效率，近几年提出了基于逆阻型器件的双向开关，例如基于逆阻型绝缘栅双极晶体管(RB-IGBT)的双向开关，基于逆阻型器件的双向开关结构图类似于图1(b)，在这种新的双向开关中电流只经过一个器件，较短的电流通路使得双向开关具有较小的导通电压和和较低的导通损耗。但是这种结构，每次开关导通时，只能利用一个器件导通，芯片面积利用率低。基于此，有人提出双栅双向开关器件(其结构类似于图1(c))。该双向开关只有一个导电通道，即双向开关的两个方向电流都流经同一个通道，芯片面积利用率高。同时电流只流经一个器件，器件的导通压降低。近年来，为实现低功耗高能效的双向开关，研究人员提出了双栅双向开关器件(其结构类似于图1(c))。该双向开关只有一个导电通道，即双向开关的两个方向电流都流经同一个通道，芯片面积利用率高。同时电流只流经一个器件，器件的导通压降低。
氮化镓是第三代宽禁带半导体的代表之一，正受到人们的广泛关注，其优越的性能主要表现在：高的临界击穿电场(～3.5×106V/cm)、高电子迁移率(～2000cm2/V·s)、高的二维电子气(2DEG)浓度(～1013cm-2)、高的高温工作能力。GaN材料的禁带宽度高达3.4eV，3 倍于Si材料的禁带宽度，2.5倍于GaAs材料，半导体材料的本征载流子浓度随禁带宽度和温度的增加而呈指数增长，因此，在一定的温度范围内，其半导体材料禁带宽度越大，便拥有越小的本征载流子浓度，这可以使器件具有非常低的泄漏电流。另外，氮化镓(GaN)材料化学性质稳定、耐高温、抗腐蚀，在高频、大功率、抗辐射应用领域具有先天优势。基于 AlGaN/GaN异质结的高电子迁移率晶体管(HEMT)(或异质结场效应晶体管HFET，调制掺杂场效应晶体管MODFET)在半导体领域已经取得广泛应用。该类器件具有反向阻断电压高、正向导通电阻低、工作频率高等特性，因此可以满足系统对半导体器件更大功率、更高频率、更小体积工作的要求。
近年来，为实现低功耗高能效的双向开关，研究人员提出了氮化镓异质结双栅双向开关器件(其结构类似于图1(c))。该双向开关只有一个导电通道，即双向开关的两个方向电流都流经同一个通道，芯片面积利用率高。同时电流只流经一个器件，器件的导通压降低。但是常规的氮化镓双向开关器件都存在欧姆接触，需要金等重金属以及在高温条件下制备，使得该器件与传统的硅工艺不兼容。并且在高温欧姆退火过程中，器件表面将会被氧化，这会导致表面态的产生。这些表面陷阱会俘获电子，使得器件在动态开关过程中会产生较大动态电阻。
发明内容
本发明所要解决的，就是针对高效功率开关器件的主要指标(芯片面积利用率，导通电阻、反向耐压、功耗)提出了一种氮化镓双向开关器件。为解决上述的问题以及进一步减小导通损耗提高芯片面积利用率，本发明提出了一种无欧姆氮化镓双栅双向开关器件，其结构如图2所示。本发明所采用的势垒层为III族元素In、Al、N形成的三元化合物，InAlN/GaN 异质结产生的极化强度大于AlGaN/GaN，具有更高浓度的二维电子气，故低功函数金属与 InAlN/GaN之间无需通过高温退火即可直接形成类似欧姆接触的接触。本发明的源极和漏极都是肖特基接触结构而非传统的欧姆接触结构，同时肖特基源极和肖特基漏极采用的都是功函数低于5eV的金属或合金，以提升器件的电流输运能力。同时本发明通过两个绝缘栅结构来改变器件的工作状态，实现双向开关器件的双向导通和双向阻断能力。由于本发明中不存在欧姆接触，不需要利用金等重元素金属，可以与传统的CMOS工艺兼容。同时，本发明不需要高温退火工艺，器件可以在较低的温度下制备，可以避免器件表面被氧化等问题。
本发明的技术方案是：一种氮化镓异质结双向开关器件，包括从下至上依次层叠设置的衬底1、GaN层2和InAlN层3，所述GaN层2和InAlN层3形成异质结；所述器件两端分别是具有低功函数的金属与所述InAlN层3直接接触形成的肖特基源极结构4和肖特基漏极结构5；在肖特基源极结构4和肖特基漏极结构5之间具有两个绝缘栅结构(第一绝缘栅极结构和第二绝缘栅极结构)；两个绝缘栅结构分别靠近肖特基源极结构4和肖特基漏极结构5，并与肖特基源极结构4和肖特基漏极结构5保持一定距离，同时两个绝缘栅结构之间也存在一定距离；同时所述第一绝缘栅极结构和第二绝缘栅极结构以器件的垂直中线呈对称分布；靠近肖特基源极结构4的绝缘栅结构为第一绝缘栅极结构，靠近漏极肖特基接触电极5的绝缘栅结构为第二绝缘栅极结构；所述第一绝缘栅极结构包括通过刻蚀InAlN层3形成的第一凹槽6和覆盖在凹槽内的绝缘栅介质7，以及覆盖在栅介质上的第一金属栅电极8；所述第二绝缘栅极结构包括通过刻蚀InAlN层3形成的第二凹槽9和覆盖在凹槽内的绝缘栅介质7，以及覆盖在栅介质上的第二金属栅电极10。
进一步的，所述漏极肖特基接触电极5和源极肖特基接触电极4与InAlN层3表面接触。
进一步的，所述源极和漏极肖特基金属为Ti等低功函数金属或合金。
进一步的，所述绝缘栅介质7采用的材料为SiO2、Si3N4、AlN、Al2O3、MgO或Sc2O3中的一种。
本发明的有益效果为，相对于传统结构，本发明的器件具有芯片面积利用率高、低导通电阻、高反向阻断能力和低功耗等优点，尤其适用于矩阵变换器中。由于本发明中只存在肖特基接触，不需要利用金等重元素金属，可以与传统的CMOS工艺兼容。同时，本发明不需要高温退火工艺，器件可以在较低的温度下制备，可以避免器件表面被氧化等问题。
附图说明
图1为传统双向开关结构示意图，其中，(a)为串联型，(b)为并联型，(c)器件型；
图2为本发明的器件结构示意图；
图3为本发明的器件制造工艺流程中外延片示意图；
图4为本发明的器件制造工艺流程中生长源极与漏极肖特基金属后结构示意图；
图5为本发明的器件制造工艺流程中刻蚀InAlN势垒层形成绝缘栅凹槽后的结构示意图；
图6为本发明的器件制造工艺流程中形成绝缘栅介质后结构示意图；
图7为本发明的器件制造工艺流程中形成绝缘栅金属后结构示意图。
图8为本发明的器件两个肖特基接触在不同间距时的电流电压特性。
具体实施方式
下面结合附图，详细描述本发明的技术方案：
如图2所示，本发明的氮化镓异质结双向开关器件，包括从下至上依次层叠设置的衬底 1、GaN层2和InAlN层3，所述GaN层2和InAlN层3形成异质结；所述器件两端分别是具有低功函数的金属与所述InAlN层3直接接触形成的肖特基源极结构4和肖特基漏极结构 5；在肖特基源极结构4和肖特基漏极结构5之间具有两个绝缘栅结构(第一绝缘栅极结构和第二绝缘栅极结构)；两个绝缘栅结构分别靠近肖特基源极结构4和肖特基漏极结构5，并与肖特基源极结构4和肖特基漏极结构5保持一定距离，同时两个绝缘栅结构之间也存在一定距离；同时所述第一绝缘栅极结构和第二绝缘栅极结构以器件的垂直中线呈对称分布；靠近肖特基源极结构4的绝缘栅结构为第一绝缘栅极结构，靠近漏极肖特基接触电极5的绝缘栅结构为第二绝缘栅极结构；所述第一绝缘栅极结构包括通过刻蚀InAlN层3形成的第一凹槽6和覆盖在凹槽内的绝缘栅介质7，以及覆盖在栅介质上的第一金属栅电极8；所述第二绝缘栅极结构包括通过刻蚀InAlN层3形成的第二凹槽9和覆盖在凹槽内的绝缘栅介质7，以及覆盖在栅介质上的第二金属栅电极10。
为了进一步减小导通损耗及提高芯片面积利用率，本发明提出了一种氮化镓双栅双向开关器件，(如图2所示)，本发明器件的源极和漏极都是肖特基接触，同时在源极结构和漏极结构附近的InAlN层上层各具有一个栅极结构，不存在欧姆接触，不需要利用重金属，可以与CMOS工艺兼容。通过双绝缘栅结构控制沟道的开启与关断，从而来改变器件的工作状态，实现双向开关的双向导通和双向阻断能力。同时本器件只存在一个导电通道，芯片面积利用率高。此外，导通电阻、泄漏电流和导通压降均是可由栅极控制，通过控制栅极结构下方的 InAlN势垒层的厚度TG、栅极金属的功函数Wm和凹槽MIS结构的长度来控制器件的导通电阻和导通压降。氮化镓双向开关器件的阻断能力是由栅极结构和肖特基结构共同决定，栅极结构下方的InAlN势垒层厚度较薄以及源极肖特基接触势垒较大时器件可以具有较好的反向阻断能力，但同时也会导致导通电阻和导通压降的增加。
需要特别指出的是，本发明的设计过程中尤其体现了以下细节：
1、源极和漏极的肖特基接触为表面接触。
2、在InAlN层表面淀积钝化层，进一步降低漏电，提高性能。
3、肖特基接触金属为低功函数金属或合金。
本器件的基本工作原理是：
首先利用栅极来控制沟道二维电子气的浓度，从而实现对沟道电流的开启和阻断。当双栅同时加上正电压时，栅极下方沟道二维电子气浓度增加，器件正向导通，由于源极与漏极金属采用了低功函数的金属或合金、势垒层材料采用了极化强度大于AlGaN的InAlN(与 GaN界面形成异质结二维电子气浓度大于AlGaN)，可以使得器件源极具有类似欧姆接触的电流特性；图8为本发明的器件两个肖特基接触在不同间距时的电流电压特性。当其中一个栅极加负电压时，栅极下方沟道二维电子气被耗尽，沟道电流被阻断，器件可以实现双向阻断。
本发明的器件与传统CMOS工艺兼容，可以利用传统的CMOS工艺线制备该器件，需要特别说明的是：
1、根据权利要求1所述的氮化镓双向开关器件，其特征在于，漏极和源极的肖特基金属必须是低功函数金属或合金。
2、根据权利要求1所述的氮化镓双向开关器件，其特征在于，所述绝缘栅介质7采用的材料为SiO2、Si3N4、AlN、Al2O3、MgO或Sc2O3中的一种。
3、根据权利要求1所述的氮化镓双向开关器件，其特征在于，第一凹槽6必须在源极肖特基接触附近，第二凹槽9必须在漏极肖特基接触附近。
4、根据权利要求1所述的氮化镓双向开关器件，其特征在于，增加第一凹槽6和第二凹槽9深度可以增加器件的阻断能力。
在本发明中，可采用以下两种方案来制备绝缘介质材料。
(a)采用原子层淀积(ALD)制备Al2O3、HfO2、TiO2等介质材料。ALD所生长的薄膜是自限制的，能精确地控制薄膜的厚度和化学组分，而且淀积的薄膜具有很好的均匀性和保形性。应考虑采用复合叠层的办法来实现，比如HfO2/Al2O3等。
(b)采用MOCVD设备制备Ga2O3、Al2O3、AlGaO或AlGaO/Al2O3等各种单层、混合层以及各种叠层结构，以制备高性能绝缘栅介质。采用MOCVD方法具有介质材料成膜状态致密、厚度控制精准、易于形成混合膜和多层膜重复性好等优点，特别是对界面态控制的可控空间较大。
本发明的器件的一种工艺实现方案为：
1、首先形成InAlN/GaN异质结，如图3所示；
2、在异质结上表面形成功函数小于5eV金属部分的肖特基接触源极和肖特基接触漏极，如图4所示；
3、利用自对准技术刻蚀一部分InAlN层，形成栅极凹槽结构，如图5所示；
4、形成栅介质，如图6所示；
5、在栅极凹槽上方形成栅极金属，如图7所示。
Claims (3)
1.一种氮化镓异质结双向开关器件，包括从下至上依次层叠设置的衬底(1)、GaN层(2)和InAlN层(3)，所述GaN层(2)和InAlN层(3)形成异质结；所述器件两端是由金属与所述InAlN层(3)直接接触形成的肖特基源极结构(4)和肖特基漏极结构(5)；在肖特基源极结构(4)和肖特基漏极结构(5)之间具有两个绝缘栅结构；两个绝缘栅结构分别靠近肖特基源极结构(4)和肖特基漏极结构(5)，并与肖特基源极结构(4)和肖特基漏极结构(5)保持一定距离，同时两个绝缘栅结构之间也存在一定距离，且两个绝缘栅极结构以器件的垂直中线呈对称分布；定义靠近肖特基源极结构(4)的绝缘栅结构为第一绝缘栅极结构，靠近漏极肖特基接触电极(5)的绝缘栅结构为第二绝缘栅极结构；所述第一绝缘栅极结构包括通过刻蚀InAlN层(3)形成的第一凹槽(6)和覆盖在凹槽内的绝缘栅介质(7)，以及覆盖在栅介质上的第一金属栅电极(8)；所述第二绝缘栅极结构包括通过刻蚀InAlN层(3)形成的第二凹槽(9)和覆盖在凹槽内的绝缘栅介质(7)，以及覆盖在栅介质上的第二金属栅电极(10)。
2.根据权利要求1所述的氮化镓双向开关器件，其特征在于，所述漏极肖特基接触电极(5)和源极肖特基接触电极(4)所采用是低功函数金属。
3.根据权利要求2所述的氮化镓双向开关器件，其特征在于，所述绝缘栅介质(7)采用的材料为SiO2、Si3N4、AlN、Al2O3、MgO或Sc2O3中的一种。
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201711118998.5A CN107910369A (zh) | 2017-11-14 | 2017-11-14 | 一种氮化镓异质结双向开关器件 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201711118998.5A CN107910369A (zh) | 2017-11-14 | 2017-11-14 | 一种氮化镓异质结双向开关器件 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN107910369A true CN107910369A (zh) | 2018-04-13 |
Family
ID=61845356
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201711118998.5A Pending CN107910369A (zh) | 2017-11-14 | 2017-11-14 | 一种氮化镓异质结双向开关器件 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN107910369A (zh) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN113903798A (zh) * | 2021-09-30 | 2022-01-07 | 厦门市三安集成电路有限公司 | 氮化镓双向开关器件及其制备方法 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20090065810A1 (en) * | 2007-09-12 | 2009-03-12 | James Honea | Iii-nitride bidirectional switches |
| CN103026491A (zh) * | 2010-07-06 | 2013-04-03 | 香港科技大学 | 常关断型三族氮化物金属-二维电子气隧穿结场效应晶体管 |
| CN106653837A (zh) * | 2016-12-02 | 2017-05-10 | 电子科技大学 | 一种氮化镓双向开关器件 |
-
2017
- 2017-11-14 CN CN201711118998.5A patent/CN107910369A/zh active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20090065810A1 (en) * | 2007-09-12 | 2009-03-12 | James Honea | Iii-nitride bidirectional switches |
| CN103026491A (zh) * | 2010-07-06 | 2013-04-03 | 香港科技大学 | 常关断型三族氮化物金属-二维电子气隧穿结场效应晶体管 |
| CN106653837A (zh) * | 2016-12-02 | 2017-05-10 | 电子科技大学 | 一种氮化镓双向开关器件 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN113903798A (zh) * | 2021-09-30 | 2022-01-07 | 厦门市三安集成电路有限公司 | 氮化镓双向开关器件及其制备方法 |
| CN113903798B (zh) * | 2021-09-30 | 2023-07-28 | 湖南三安半导体有限责任公司 | 氮化镓双向开关器件及其制备方法 |
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