CN107896516A - 电压波形整形振荡器 - Google Patents

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Abstract

一种电压波形整形振荡器，包括信号源(101)和耦合变压器(102)，信号源(101)的输出端与耦合变压器(102)的输入端连接，信号源(101)的输入端与耦合变压器(102)的输出端连接；其中，信号源(101)用于通过信号源(101)的输入端接收来自耦合变压器(102)的输出端输出的类方波信号，并基于类方波信号生成原信号，并通过信号源(101)的输出端向耦合变压器(102)的输入端发送原信号，原信号是振荡信号，信号源(101)的输出端是振荡器的输出端且用于输出原信号；耦合变压器(102)用于通过耦合变压器(102)的输入端接收原信号，对原信号进行滤波处理得到类方波信号，并通过耦合变压器(102)的输出端向信号源(101)的输入端发送类方波信号。用于降低振荡器的相位噪声。

Description

电压波形整形振荡器 技术领域
本发明实施例涉及电子技术领域，尤其涉及一种电压波形整形振荡器。
背景技术
振荡器为收发系统中产生频率源的核心器件，因此，在多数集成电路与系统中都需要使用振荡器。
相位噪声为振荡器的一个主要性能指标，相位噪声的高低直接影响了振荡器的工作性能，进而影响收发系统的灵敏度。在现有技术中，通常在振荡器中增加倍频电路，实现降低振荡器的相位噪声。然而，在振荡器中增加倍频电路后，会导致振荡器的总功耗过高。
发明内容
本发明实施例提供一种电压波形整形振荡器，用于降低振荡器的相位噪声。
第一方面，本发明实施例提供一种电压波形整形振荡器，包括信号源和耦合变压器，所述信号源的输出端与所述耦合变压器的输入端连接，所述信号源的输入端与所述耦合变压器的输出端连接；其中，
所述信号源用于通过所述信号源的输入端接收来自所述耦合变压器的输出端输出的类方波信号，并基于所述类方波信号生成原信号，并通过所述信号源的输出端向所述耦合变压器的输入端发送所述原信号，所述原信号是振荡信号，所述信号源的输出端是所述振荡器的输出端且用于输出所述原信号；
所述耦合变压器用于通过所述耦合变压器的输入端接收所述原信号，对所述原信号进行滤波处理得到所述类方波信号，并通过所述耦合变压器的输出端向所述信号源的输入端发送所述类方波信号。
由于耦合变压器对原信号进行滤波后可以生成相位噪声较小的类方波信号，且无需在振荡器中增加倍频电路，进而实现在不增加振荡器总功耗的基础上，减小了振荡器的相位噪声。
可选的，所述原信号可以包括所述信号源生成的多频率信号；
在一种可能的实施方式中，所述耦合变压器包括第一变压器，其中，
所述第一变压器用于，对所述原信号进行滤波处理得到所述类方波信号，所述类方波信号包括基频信号和至少一个N次谐波信号，所述N为大于1的奇数。
在另一种可能的实施方式中，所述第一变压器包括互相耦合的第一谐振器和第二谐振器，其中，
所述第一谐振器的输入端与所述信号源的输出端连接；
所述第二谐振器的输出端与所述信号源的输入端连接。
可选的，当所述第一谐振器和所述第二谐振器耦合系数为预设耦合系数时，相应的，所述类方波信号包括基频信号和所述预设耦合系数对应的、所述至少一个N次谐波信号中的M次谐波信号，其中，所述M为大于1的奇数。
在另一种可能的实施方式中，所述耦合变压器还包括第二变压器和第三变压器，其中，
所述第二变压器中包括互相耦合的所述第一谐振器和第三谐振器；
所述第三变压器中包括互相耦合的所述第二谐振器和所述第三谐振器；
所述第二变压器和所述第三变压器用于，对所述类方波信号的频率进行调节处理。
可选的，所述第三谐振器与所述第一谐振器的耦合系数小于所述预设耦合系数；所述第三谐振器与所述第二谐振器的耦合系数小于所述预设耦合系数。
由于第三谐振器与第一谐振器的耦合系数小于所述预设耦合系数，第三谐振器与第二谐振器的耦合系数小于所述预设耦合系数，进而使得第二变压器和第三变压器可以对类方波信号的频率进行更为精确的调节。
在另一种可能的实施方式中，所述第一谐振器中包括相连的第一电感和第一电容阵列；
所述第二谐振器中包括相连的第二电感和第二电容阵列；
所述第三谐振器中包括相连的第三电感和第三电容阵列，所述第三电容阵列包括可调电容或开关电容阵列的至少一个；其中，
在所述第一变压器中第一谐振器和第二谐振器通过所述第一电感和第二电感相耦合；
在所述第二变压器中第一谐振器和第三谐振器通过所述第一电感和第三电感相耦合；
在所述第三变压器中第二谐振器和第三谐振器通过所述第二电感和第三电感相耦合。
可选的，所述第一电容阵列和/或所述第二电容阵列包括可调电容或开关电容阵列中的至少一个。所述第一电感和/或所述第二电感包括可调电感或开关电感阵列中的至少一个。
在另一种可能的实施方式中，所述信号源包括晶体管，用于基于所述类方波信号生成所述原信号。
在另一种可能的实施方式中，所述晶体管为金属氧化物半导体(Metal Oxide Semiconductor，简称MOS)管，其中，
所述MOS管的源极与所述第一电源电连接；
所述MOS管的栅极与所述第二谐振器的输出端电连接；
所述MOS管的漏极与所述第一谐振器的输入端电连接。
可选的，所述MOS管的栅极通过所述第二谐振器的输出端耦合至第二电源，所述第二电源的电压与所述第一电源的电压之差大于所述MOS管的导通电压。
可选的，所述MOS管的漏极通过所述第一谐振器的输入端耦合至第三电源，所述第三电源是恒定电源。
在另一种可能的实施方式中，所述第一电源包括串联的晶体管和电阻。
可选的，所述第一电容阵列和/或第二电容阵列用于对所述类方波信号的频率进行基于第一分辨率的调节处理。所述第三电容阵列用于对所述类方波信号的频率进行基于第二分辨率的调节处理。
可选的，所述第一分辨率大于所述第二分辨率。进而实现通过第一电容阵列和/或第二电容阵列对类方波信号的频率进行粗调，通过第三电容阵列对类方波信号的频率进行精细调节。
可选地，第一电容阵列包括第一可调电容组和第二可调电容组，第一分辨率可以包括第三分辨率和第四分辨率，第三分辨率和第四分辨率不同且分 别对应所述第一可调电容组和第二可调电容组。第三分辨率和第四分辨率均大于所述第二分辨率。每个可调电容组可包括可调电容或开关电容阵列。因此本发明实施例通过提供三种不同的可调的电容可以实现粗调、中调和细调，提高振荡器的频率调解的灵活性。
本发明实施例提供的电压波形整形振荡器包括信号源和耦合变压器，信号源的输出端与耦合变压器的输入端连接，信号源的输入端与耦合变压器的输出端连接；信号源用于通过信号源的输入端接收来自耦合变压器的输出端输出的类方波信号，并基于类方波信号生成原信号，并通过信号源的输出端向耦合变压器的输入端发送原信号，耦合变压器用于通过耦合变压器的输入端接收原信号，对原信号进行滤波处理得到类方波信号，并通过耦合变压器的输出端向信号源的输入端发送类方波信号。在上述过程中，由于耦合变压器对原信号进行滤波后可以生成相位噪声较小的类方波信号，且无需在振荡器中增加倍频电路，进而实现在不增加振荡器总功耗的基础上，减小了振荡器的相位噪声。
附图说明
图1为本发明实施例提供的电压波形整形振荡器的结构示意图一；
图2为本发明实施例提供的电压波形整形振荡器的结构示意图二；
图3为本发明实施例提供的类方波信号的波形示意图；
图4为本发明实施例提供的电压波形整形振荡器的结构示意图三；
图5为本发明实施例提供的电压波形整形振荡器的结构示意图四；
图6为本发明实施例提供的耦合变压器的等效电路图；
图7为本发明实施例提供的类方波信号的频谱示意图一；
图8为本发明实施例提供的类方波信号的频谱示意图二。
具体实施方式
为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获 得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
图1为本发明实施例提供的电压波形整形振荡器的结构示意图一，请参见图1，该电压波形整形振荡器(下文简称振荡器)包括信号源101和耦合变压器102，信号源101的输出端与耦合变压器102的输入端连接，信号源101的输入端与耦合变压器102的输出端连接；其中，
信号源101用于通过信号源101的输入端接收来自耦合变压器102的输出端输出的类方波信号，并基于类方波信号生成原信号，并通过信号源101的输出端向耦合变压器102的输入端发送原信号，原信号是振荡信号，信号源101的输出端是振荡器的输出端且用于输出原信号；
耦合变压器102用于通过耦合变压器102的输入端接收原信号，对原信号进行滤波处理得到类方波信号，并通过耦合变压器102的输出端向信号源101的输入端发送类方波信号。
在图1所示的实施例中，信号源101的输出端与耦合变压器102的输入端连接，耦合变压器102的输出端与信号源101的输入端连接，以使信号源101和耦合变压器102构成一个处理环，并对信号进行循环处理。
下面介绍振荡器初始上电至稳定工作的过程：在振荡器启动后的第一个工作过程(或工作周期)中，信号源101生成多频率信号，并通过信号源101的输出端向耦合变压器102的输入端发送该多频率信号，在该第一个工作过程中，原信号中包括该多频率信号。耦合变压器102对接收到的多频率信号进行滤波处理得到类方波信号，并通过耦合变压器102的输出端向信号源101的输入端发送类方波信号。
在振荡器启动后的第X(X为大于1的正整数)个工作过程(或工作周期)中，信号源101通过输入端接收到来自耦合变压器102的输出端输出的类方波信号，对类方波信号进行放大处理；信号源101还生成多频信号，将放大处理后的类方波信号和多频率信号进行叠加处理得到原信号。信号源101通过输出端向耦合变压器102的输入端发送该原信号。耦合变压器102对接收到的原信号进行处理，得到类方波信号，并通过耦合变压器102的输出端向信号源101的输入端发送类方波信号。
需要说明的是，在振荡器启动后的预设时段内，振荡器工作不稳定，使得耦合变压器102在不同工作过程中输出的类方波信号不同；在预设时段之 后，振荡器工作稳定，使得耦合变压器102输出的类方波信号不在发生剧烈变化。
在本发明实施例中，类方波信号的形状接近方波信号，因此叫类方波信号，理想的滤波得到的是方波信号，本实施例的类方波信号是近似于方波的信号。
可选的，本发明实施例中的耦合变压器可以通过单层或多层金属实现。
本发明实施例提供的电压波形整形振荡器包括信号源和耦合变压器，信号源的输出端与耦合变压器的输入端连接，信号源的输入端与耦合变压器的输出端连接；信号源用于通过信号源的输入端接收来自耦合变压器的输出端输出的类方波信号，并基于类方波信号生成原信号，并通过信号源的输出端向耦合变压器的输入端发送原信号，耦合变压器用于通过耦合变压器的输入端接收原信号，对原信号进行滤波处理得到类方波信号，并通过耦合变压器的输出端向信号源的输入端发送类方波信号。在上述过程中，由于耦合变压器对原信号进行滤波后可以生成相位噪声较小的类方波信号，且无需在振荡器中增加倍频电路，进而实现在不增加振荡器总功耗的基础上，减小了振荡器的相位噪声。
在图1所示实施例的基础上，耦合变压器中可以包括第一变压器，并由该第一变压器对原信号进行滤波处理得到类方波信号，可选的，该耦合变压器可以包括多个谐振器构成。进一步的，信号源可以包括一个或两个晶体管，该晶体管可以为MOS管、二极管等。下面，以第一变压器包括第一谐振器和第二谐振器、信号源包括两个MOS管为例，通过图2所示的实施例，对振荡器的结构进行详细说明。
图2为本发明实施例提供的电压波形整形振荡器的结构示意图二，请参见图2，信号源101包括第一MOS管101-1和第二MOS管101-2，耦合变压器102包括相互耦合的第一谐振器102-1和第二谐振器102-2，该相互耦合的第一谐振器102-1和第二谐振器102-2构成第一变压器，其中，
第一MOS管101-1和第二MOS管101-2的源极与第一电源(电压值为V1)电连接。
第一MOS管101-1和第二MOS管101-2的栅极与第二谐振器102-2的输出端电连接，其中，第一MOS管101-1和第二MOS管101-2的栅极通过 第二谐振器102-2的输出端耦合至第二电源(电压值为Vgate)，第二电源的电压与第一电源的电压之差大于第一MOS管101-1和第二MOS管101-2的导通电压。
第一MOS管101-1和第二MOS管101-2的漏极与第一谐振器102-1的输入端电连接，第一MOS管101-1和第二MOS管101-2的漏极通过第一谐振器102-1的输入端耦合至第三电源，第三电源可以是恒定电源(电压值为VDD)。
在图2所示的实施例中，第一变压器包括第一谐振器102-1和第二谐振器102-2。可选的，第一谐振器102-1和第二谐振器102-2中可以包括串联设置或者并联设置的电容和电感。该第一谐振器102-1和第二谐振器102-2的耦合系数为预设耦合系数，则由该第一变压器处理得到的类方波信号包括振荡器的基频信号和一个与该预设耦合系数对应的M次谐波信号，M为大于1的奇数。
在实际应用过程中，当第一谐振器102-1和第二谐振器102-2的耦合系数不同时，由第一变压器处理得到的谐波信号的次数M也不相同。例如，类方波信号可以包括基频信号和3次谐波信号，类方波信号也可以包括基频信号和5次谐波信号。在实际应用过程中，可以根据实际需要设置第一谐振器102-1和第二谐振器102-2的耦合系数，本发明实施例对此不做具体限定。
需要说明的是，第一变压器还可以包括多个谐振器(大于2个)，当第一变压器包括多个谐振器构成时，则由该第一变压器处理得到的类方波信号包括振荡器的基频信号和多个N次谐波信号，N为大于1的奇数，之前所述M次谐波信号是多个N次谐波信号中的一个谐波信号。例如，类方波信号可以包括基频信号、3次谐波信号和5次谐波信号等。在实际应用过程中，可以根据实际需要设置第一变压器中包括的谐振器的个数，本发明对此不作具体限定。
在图2中，可选的，第一电源可以包括串联的晶体管T和电阻R；该晶体管可以MOS管、二极管等。第一电源产生的电压V1可以由晶体管T所产生，具体的，当该晶体管T为一个MOS管时，该MOS管的栅极由一使能信号EN控制，源极可以接地，漏极可以耦合至电阻R或其他阻抗元件，从而产生电压V1。
下面，对图2实施例所示的振荡器的工作过程进行详细说明。
在第一MOS管101-1和第二MOS管101-2上电之后，由于第一MOS管101-1和第二MOS管101-2的栅极电压(Vgate)与第一电源的电压(V1)之差大于第一MOS管101-1和第二MOS管101-2的导通电压，因此，在第一MOS管101-1和第二MOS管101-2上电之后，第一MOS管101-1和第二MOS管101-2的栅极导通。
在第一MOS管101-1和第二MOS管101-2上电之后，第一MOS管101-1和第二MOS管101-2产生多频率信号，可选的，该多频率信号可以如公式一所示：
f(t)＝A1sin(Ωt)+A2sin(2Ωt)+A3sin(3Ωt)+......+Ansin(nΩt)      公式一；
其中，Ω＝2πf，f为频率，An为振幅，t表示时间，f(t)是所述多频率信号，其是多个信号的合成。
第一MOS管101-1和第二MOS管101-2通过漏极将产生的多频率信号发送至由第一谐振器102-1和第二谐振器102-2构成的第一变压器，第一变压器对接收到的多频率信号进行滤波处理，得到基频信号、及第一谐振器102-1和第二谐振器102-2的耦合系数对应的M次谐波，假设第一谐振器102-1和第二谐振器102-2的耦合系数对应三次谐波，则第一变压器对多频率信号进行处理后，得到基频信号和三次谐波信号，该基频信号和三次谐波信号构成了类方波信号。其中，基频信号的频率与第一谐振器102-1和第二谐振器102-2中的电容和电感相关。
在第一变压器得到类方波信号之后，将类方波信号发送至第一MOS管101-1和第二MOS管101-2的栅极。第一MOS管101-1和第二MOS管101-2对接收到的类方波信号进行放大处理，第一MOS管101-1和第二MOS管101-2还生成多频率信号，并将多频率信号和放大处理后的类方波信号进行叠加处理得到原信号，第一MOS管101-1和第二MOS管101-2将原信号通过漏极将原信号发送至第一变压器。第一变压器对接收到的原信号进行滤波处理，得到新的类方波信号，并将类方波信号通过栅极发送至第一MOS管101-1和第二MOS管101-2。重复上述过程，类方波信号不断被放大，直到振荡器达到稳定状态，在振荡器达到稳定状态之后，振荡器产生的类方波信号不再发生变化。由于类方波信号的相位噪声较小，进而降低振荡器的相位噪声。
在图2所示实施例的基础上，下面，结合图3，对类方波信号的波形进行详细说明。
图3为本发明实施例提供的类方波信号的波形示意图，请参见图3，包括正弦信号波形S1、正弦信号波形S2、类方波信号波形S1-1、类方波信号类型S2-1。其中，
正弦信号波形S1为第一MOS管101-1产生的多频率信号的波形，正弦信号波形S2为第二MOS管101-2产生的多频率信号的波形；类方波信号波形S1-1为经过第一MOS管101-1和耦合变压器102处理得到的类方波信号的波形，类方波信号波形S2-1为经过第二MOS管101-2和耦合变压器102处理得到的类方波信号的波形。
在图2-图3所示实施例的基础上，为了实现对类方波信号的频率可调，可以将第一谐振器102-1和/或第二谐振器102-2中的电容和/或电感设为可调的。所述电容也可以是开关电容阵列，本领域技术人员可以理解开关电容阵列可以是包括多个开关和多个电容，这些开关和电容通过一定形式串联或并联，通过控制开关的打开或闭合来调整该开关电容阵列的电容值，实现电容可调。所述电感也可以是开关电感阵列，通过控制开关的打开或闭合来调整电感值，实现电感可调。进一步的，耦合变压器102还可以包括第二变压器和第三变压器，通过该第二变压器和第三变压器对类方波信号的频率进行精准调节。具体的，请参见图4所示的实施例。
图4为本发明实施例提供的电压波形整形振荡器的结构示意图三，请参见图4，耦合变压器还包括由互相耦合的第一谐振器102-1和第三谐振器102-3构成的第二变压器、以及由互相耦合的第二谐振器102-2和第三谐振器102-3构成的第三变压器，第二变压器和第三变压器用于对类方波信号的频率进行调节。
在第一变压器中，第一谐振器102-1和第二谐振器102-2通过第一电感和第二电感相耦合；在第二变压器中，第一谐振器102-1和第三谐振器102-3通过第一电感和第三电感相耦合；在第三变压器中，第二谐振器102-2和第三谐振器102-3通过第二电感和第三电感相耦合。
第一谐振器102-1中包括相连的第一电感和第一电容阵列；第二谐振器102-2中包括相连的第二电感和第二电容阵列；第三谐振器102-3中包括相连 的第三电感和第三电容阵列，第三电容阵列包括可调电容或开关电容阵列的至少一个。
在实际应用过程中，可选的，第一电容阵列和/或第二电容阵列可以包括可调电容或开关电容阵列中的至少一个；第一电容阵列和/或第二电容阵列用于对类方波信号的频率进行基于第一分辨率的调节处理。第三电容阵列用于对类方波信号的频率进行基于第二分辨率的调节处理。可选的，第一分辨率大于第二分辨率。这样，可以通过第一电容阵列和/或第二电容阵列对类方波信号的频率进行粗调，通过第三电容阵列对类方波信号的频率进行精细调节。
可选的，当电容阵列中包括可调电容时，可以通过改变电容的物理参数，以实现对电容值的调节。当电容阵列中包括开关电容阵列时，可以通过对开关的状态(打开状态和关闭状态)进行控制，以实现对电容值的调节。
在图4所示的实施例中，第一谐振器102-1中第一电容阵列包括第一可调电容组C21和第二可调电容组C22，第一可调电容组C21和第二可调电容组C22中任一个可以是开关电容阵列，通过控制开关的打开或闭合来调整电容值；第二谐振器102-2中包括的电容为不可调电容；第三谐振器102-3中包括的可调电容。
在实际应用过程中，为了便于对类方波信号的频率进行调节，可选的，可以将第一可调电容组C21和第二可调电容组C22中的电容值设置为不同大小，使得可以分别通过第一可调电容组C21和第二可调电容组C22对类方波信号的频率进行粗调和中调，因此第一可调电容组C21和第二可调电容组C22对类方波信号的频率进行调节的分辨率可以不同，因此第一电容阵列可调节的第一分辨率可以包括第三分辨率和第四分辨率，且第三分辨率和第四分辨率不同，但是都大于第二分辨率。通过第三谐振器102-3中的可变电容对类方波信号的频率进行细调。可选的，为了使得提高第二变压器和第三变压器对类方波信号的频率进行更为精确的调节，第三谐振器102-3与第一谐振器102-1的耦合系数小于第一谐振器102-1和第二谐振器102-2之间的耦合系数；第三谐振器102-3与第二谐振器102-2的耦合系数也小于第一谐振器102-1和第二谐振器102-2之间的耦合系数。
需要说明的是，图3所示的电路图仅仅是以示例的形式示意出耦合变压器102中各谐振器中的电容和电感器件，并非对耦合变压器102中各谐振器 中的电容和电感器件的限定。在实际应用过程中，还可以根据实际需要设置各谐振器中的电容和电感器件，例如，可以在第一电容阵列中包括多个可调电容，在第二电容阵列中不包括可调电容；或者，在第一电容阵列中不包括可调电容，在第二电容阵列中包括多个可调电容；或者，在第一电容阵列和第二电容阵列中均包括可调电容。进一步的，第一电感和/或第二电感也可以包括可调电感或开关电感阵列中的至少一个。
在上述过程中，由于第一谐振器102-1-第三谐振器102-3中可以包括可调电容和/或可调电感，进而使得可以通过对第一谐振器102-1-第三谐振器中的可调电容和/或可调电感进行调节，实现对类方波信号的频率进行调节。
在实际应用过程中，信号源中的MOS管的个数还可以为1个。在图4所示实施例的基础上，下面，结合图5所示的实施例，对信号源包括一个MOS管的振荡器的结构进行详细说明。
图5为本发明实施例提供的电压波形整形振荡器的结构示意图四，请参见图5，振荡器包括一个MOS管101-1，耦合变压器102包括第一谐振器102-1、第二谐振器102-2、及第三谐振器102-3。第一谐振器102-1和第二谐振器102-2构成第一变压器，第一谐振器102-1和第三谐振器102-3构成第二变压器，第二谐振器102-2和第三谐振器102-3构成的第三变压器。
在图5所示实施例中，可选的，第一谐振器102-1、第二谐振器102-2和第三谐振器102-3中均包括可变电容。需要说明的是，图5只是以示例的形式示意包括一个MOS管的振荡器的结构，对各谐振器中包括的电容和电感器件不作具体限定。图5实施例所示的振荡器的工作过程和图4实施例所示振荡器的工作过程类似，此处不再进行赘述。
在图4或图5所示实施例的基础上，下面通过图6所示的耦合变压器102的等效电路图，对图4或图5实施例所示的耦合变压器102进行详细说明。
图6为本发明实施例提供的耦合变压器102的等效电路图，请参见图6，包括第一谐振器102-1、第二谐振器102-2和第三谐振器102-3。其中，
第一谐振器102-1和第二谐振器102-2构成第一变压器；第一谐振器102-1和第三谐振器102-3构成第二变压器；第二谐振器102-2和第三谐振器102-3构成第三变压器。
在图6所示的耦合变压器102中，km1为第一变压器的耦合系数，km2为第 二变压器的耦合系数，km3为第三变压器的耦合系数。在实际应用过程中，可以通过设置km1、km2、及km3，确定类方波信号中的谐波次数(谐波频率)。具体的，通过调节km1可以对类方波信号中谐波频率进行粗调，通过调节km2和km3，可以实现对类方波信号中谐波频率进行细调。
示例1，假设耦合变压器102中各谐振器的电容电感关系如下：
km2＝0.2，km3＝0.1；
其中，L1为第一谐振器102-1的电感值，C1为第一谐振器102-1的电容值；L2为第二谐振器102-2的电感值，C2为第二谐振器102-2的电容值；L3为第三谐振器102-3的电感值，C3为第三谐振器102-3的电容值。
当km1不同时，类方波信号的谐波次数(谐波频率)不同，具体的，请参见图7所示的频率图。
图7为本发明实施例提供的类方波信号的频谱示意图一，请参见图7，类方波信号中的基频信号的频率为f。
当km1＝0.6时，类方波信号的波形如波形1所示，类方波信号中的谐波频率为f1。
当km1＝0.665时，类方波信号的波形如波形2所示，类方波信号中的谐波频率为f2。
当km1＝0.73时，类方波信号的波形如波形3所示，类方波信号中的谐波频率为3f。
由上可知，通过调节km1可对类方波信号中的谐波信号的谐波频率进行粗调。当km1＝0.73时，类方波信号中的谐波信号为三次谐波，因此，可以将km1设置为0.73。
示例2，假设耦合变压器102中各谐振器的电容电感关系如下：
km1＝0.73；
当km2和km3不同时，类方波信号的谐波次数(谐波频率)不同，具体的，请参见图7所示的频率图。
图8为本发明实施例提供的类方波信号的频谱示意图二，请参见图8，类方波信号中的基频信号的频率为f。
当km2＝0.35、km3＝0.35时，或者，当km2＝0.35、km3＝0.1时，或者，当km2＝0.1、 km3＝0.35时，类方波信号中的谐波频率均在3f附近，但是，类方波信号中的谐波频率均不等于3f。
当km2＝0.1、km3＝0.1时，类方波信号中的谐波频率等于3f。
由上可知，通过调节km2和km3可对类方波信号中的谐波信号的谐波频率进行细调。当km2＝0.1、km3＝0.1时，类方波信号中的谐波信号为三次谐波，因此，可以将km2和km3均设置为0.1。
需要说明的是，通过对上述实施例所示的振荡器中的部分部件进行组合/或拆分操作，还可以实现单个全正交振荡器、阵列差分振荡器、阵列全正交振荡器、单个频率源、阵列频率源、单个收发系统、阵列收发系统等，本发明实施例不再进行一一赘述。
最后应说明的是：以上各实施例仅用以说明本发明的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述各实施例对本发明进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分或者全部技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本发明各实施例技术方案的范围。

Claims (18)

  1. 一种电压波形整形振荡器，其特征在于，包括信号源和耦合变压器，所述信号源的输出端与所述耦合变压器的输入端连接，所述信号源的输入端与所述耦合变压器的输出端连接；其中，
    所述信号源用于通过所述信号源的输入端接收来自所述耦合变压器的输出端输出的类方波信号，并基于所述类方波信号生成原信号，并通过所述信号源的输出端向所述耦合变压器的输入端发送所述原信号，所述原信号是振荡信号，所述信号源的输出端是所述振荡器的输出端且用于输出所述原信号；
    所述耦合变压器用于通过所述耦合变压器的输入端接收所述原信号，对所述原信号进行滤波处理得到所述类方波信号，并通过所述耦合变压器的输出端向所述信号源的输入端发送所述类方波信号。
  2. 根据权利要求1所述的振荡器，其特征在于，
    所述原信号包括所述信号源生成的多频率信号和所述类方波信号。
  3. 根据权利要求1或2所述的振荡器，其特征在于，所述耦合变压器包括第一变压器，其中，
    所述第一变压器用于，对所述原信号进行滤波处理得到所述类方波信号，所述类方波信号包括基频信号和至少一个N次谐波信号，所述N为大于1的奇数。
  4. 根据权利要求3所述的振荡器，其特征在于，所述第一变压器包括互相耦合的第一谐振器和第二谐振器，其中，
    所述第一谐振器的输入端与所述信号源的输出端连接；
    所述第二谐振器的输出端与所述信号源的输入端连接。
  5. 根据权利要求4所述的振荡器，其特征在于，所述第一谐振器和所述第二谐振器耦合系数为预设耦合系数；
    相应的，所述类方波信号包括基频信号和所述预设耦合系数对应的、所述至少一个N次谐波信号中的M次谐波信号，其中，所述M为大于1的奇数。
  6. 根据权利要求4或5所述的振荡器，其特征在于，所述耦合变压器还包括第二变压器和第三变压器，其中，
    所述第二变压器中包括互相耦合的所述第一谐振器和第三谐振器；
    所述第三变压器中包括互相耦合的所述第二谐振器和所述第三谐振器；
    所述第二变压器和所述第三变压器用于，对所述类方波信号的频率进行调节处理。
  7. 根据权利要求6所述的振荡器，其特征在于，
    所述第三谐振器与所述第一谐振器的耦合系数小于所述预设耦合系数；
    所述第三谐振器与所述第二谐振器的耦合系数小于所述预设耦合系数。
  8. 根据权利要求6或7所述的振荡器，其特征在于，
    所述第一谐振器中包括相连的第一电感和第一电容阵列；
    所述第二谐振器中包括相连的第二电感和第二电容阵列；
    所述第三谐振器中包括相连的第三电感和第三电容阵列，所述第三电容阵列包括可调电容或开关电容阵列的至少一个；其中，
    在所述第一变压器中第一谐振器和第二谐振器通过所述第一电感和第二电感相耦合；
    在所述第二变压器中第一谐振器和第三谐振器通过所述第一电感和第三电感相耦合；
    在所述第三变压器中第二谐振器和第三谐振器通过所述第二电感和第三电感相耦合。
  9. 根据权利要求8所述的振荡器，其特征在于，所述第一电容阵列和/或所述第二电容阵列包括可调电容或开关电容阵列中的至少一个。
  10. 根据权利要求8或9所述的振荡器，其特征在于，所述第一电感和/或所述第二电感包括可调电感或开关电感阵列中的至少一个。
  11. 根据权利要求8至10任一项所述的振荡器，其特征在于，所述信号源包括晶体管，用于基于所述类方波信号生成所述原信号。
  12. 根据权利要求11所述的振荡器，其特征在于，所述晶体管为金属氧化物半导体MOS管，其中，
    所述MOS管的源极与所述第一电源电连接；
    所述MOS管的栅极与所述第二谐振器的输出端电连接；
    所述MOS管的漏极与所述第一谐振器的输入端电连接。
  13. 根据权利要求12所述的振荡器，其特征在于，所述MOS管的栅极通过所述第二谐振器的输出端耦合至第二电源，所述第二电源的电压与所述 第一电源的电压之差大于所述MOS管的导通电压。
  14. 根据权利要求12或13所述的振荡器，其特征在于，所述MOS管的漏极通过所述第一谐振器的输入端耦合至第三电源，所述第三电源是恒定电源。
  15. 根据权利要求12至14中任一项所述的振荡器，其特征在于，所述第一电源包括串联的晶体管和电阻。
  16. 根据权利要求8至15中任一项所述的振荡器，其特征在于，所述第一电容阵列和/或第二电容阵列用于对所述类方波信号的频率进行基于第一分辨率的调节处理。
  17. 根据权利要求16所述的振荡器，其特征在于，所述第三电容阵列用于对所述类方波信号的频率进行基于第二分辨率的调节处理。
  18. 根据权利要求17所述的振荡器，其特征在于，所述第一分辨率大于所述第二分辨率。
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Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11482924B2 (en) * 2018-07-26 2022-10-25 Analog Devices International Unlimited Company Power isolator exhibiting low electromagnetic interference
US10778145B2 (en) * 2019-01-02 2020-09-15 Mediatek Inc. Magnetically pumped voltage controlled oscillator
CN111969953A (zh) * 2020-07-29 2020-11-20 华南理工大学 一种基于变压器谐振器的低功耗振荡器

Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102356551A (zh) * 2009-03-18 2012-02-15 高通股份有限公司 基于变压器的互补金属氧化物半导体(cmos)振荡器
CN102870323A (zh) * 2011-12-22 2013-01-09 华为技术有限公司 用于产生振荡的振荡器电路和方法
CN103095217A (zh) * 2013-01-16 2013-05-08 东南大学 低相位噪声压控振荡器
CN103138692A (zh) * 2011-11-25 2013-06-05 英特尔移动通信有限责任公司 共模抑制电路
US20140077890A1 (en) * 2012-09-16 2014-03-20 Technische Universiteit Delft Class-f cmos oscillator
CN104272583A (zh) * 2013-02-15 2015-01-07 华为技术有限公司 一种具有尾电流源和基于变压器的振荡回路的电感电容振荡器
CN105187013A (zh) * 2011-12-19 2015-12-23 英特尔公司 具有减小的单端电容的电压控制振荡器
US20160056762A1 (en) * 2014-08-20 2016-02-25 Augusto Ronchini Ximenes Split Transformer Based LC-Tank Oscillator

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003229718A (ja) * 2002-02-01 2003-08-15 Nec Electronics Corp 電圧制御発振器
US7154349B2 (en) * 2004-08-11 2006-12-26 Qualcomm, Incorporated Coupled-inductor multi-band VCO
US7902930B2 (en) * 2006-12-05 2011-03-08 Electronics And Telecommunications Research Institute Colpitts quadrature voltage controlled oscillator
ITVA20070009A1 (it) * 2007-01-17 2008-07-18 St Microelectronics Srl Metodo di regolazione della frequenza di risonanza di un circuito risonante lc e relativo circuito risonante
KR100952424B1 (ko) * 2008-02-21 2010-04-14 한국전자통신연구원 트랜스포머의 커플링을 이용한 차동 전압 제어 발진기 및직교 전압 제어 발진기
CN111510070A (zh) * 2015-01-27 2020-08-07 华为技术有限公司 谐振器电路
US20170126177A1 (en) * 2015-10-30 2017-05-04 Texas Instruments Incorporated Trifilar Voltage Controlled Oscillator
US10439018B2 (en) * 2015-12-18 2019-10-08 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Adjustable multi-turn magnetic coupling device
FR3051976A1 (fr) * 2016-05-30 2017-12-01 St Microelectronics Sa Serie d'oscillateurs synchrones couples
CN111756329A (zh) * 2016-11-04 2020-10-09 华为技术有限公司 双模振荡器及多相位振荡器

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102356551A (zh) * 2009-03-18 2012-02-15 高通股份有限公司 基于变压器的互补金属氧化物半导体(cmos)振荡器
CN103138692A (zh) * 2011-11-25 2013-06-05 英特尔移动通信有限责任公司 共模抑制电路
CN105187013A (zh) * 2011-12-19 2015-12-23 英特尔公司 具有减小的单端电容的电压控制振荡器
CN102870323A (zh) * 2011-12-22 2013-01-09 华为技术有限公司 用于产生振荡的振荡器电路和方法
US20140077890A1 (en) * 2012-09-16 2014-03-20 Technische Universiteit Delft Class-f cmos oscillator
CN103095217A (zh) * 2013-01-16 2013-05-08 东南大学 低相位噪声压控振荡器
CN104272583A (zh) * 2013-02-15 2015-01-07 华为技术有限公司 一种具有尾电流源和基于变压器的振荡回路的电感电容振荡器
US20160056762A1 (en) * 2014-08-20 2016-02-25 Augusto Ronchini Ximenes Split Transformer Based LC-Tank Oscillator

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
XUN LUO等: ""A waveform-shaping millimeter-wave oscillator with 184.7dBc/Hz FOM in 40nm digital CMOS process"", 《2015 IEEE MTT-S INTERNATIONAL MICROWAVE SYMPOSIUM》 *

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US20190081595A1 (en) 2019-03-14
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KR20190002634A (ko) 2019-01-08
EP3442118A1 (en) 2019-02-13

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PB01 Publication
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SE01 Entry into force of request for substantive examination
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WD01 Invention patent application deemed withdrawn after publication

Application publication date: 20180410

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