CN107895102B - 一种生长指令检查方法及装置 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种生长指令检查方法及装置，其中方法包括：提取待检查MOCVD生长指令中的第一特征字符；根据第一特征字符进行模拟生长得到生长结构；将生长结构与目标结构进行比较，得到比较结果；根据比较结果确定待检查MOCVD生长指令是否正确。由于将特征字符提取出来并进行模拟生长得到模拟的生成结构，与目标结果对比从而检查MOCVD生长指令的正确性，相较于现有技术中的人工对生长指令的多次校对，节省了时间成本，并降低了生长失败的风险，提高了工作效率。

Description

一种生长指令检查方法及装置
技术领域
本发明涉及计算机辅助技术领域，具体涉及一种生长指令检查方法及装置。
背景技术
在金属有机化合物化学气相沉淀(Metal Organic Chemical Vapor Deposition，MOCVD/MOVPE)外延生长流程中，需要根据生长结构，使用机器语言编写相应的生长指令，形成生长程序。生长程序的长度通常在200～1000行不等，而如果程序中存在错误未被检出，例如字母“l”(小写的“L”)和数字“1”未能识别，开关阀编号“1”写成“2”等，均会导致生长失败，造成重大经济损失。
为了避免这种生长指令编写错误造成的恶劣影响，程序编写人需要对生长程序中材料生长的逻辑和数据至少各检查一次，然后再经第二人对两方面进行第二轮核对检查。对于更复杂程序，可能需要第三人进行复检。
发明内容
有鉴于此，本发明实施例提供了一种生长指令检查方法及装置，以解决对生长程序中逻辑和数据检查过程过于繁琐、花费时间长的问题。
本发明第一方面提供了一种生长指令检查方法，包括：提取待检查MOCVD生长指令中的第一特征字符；根据第一特征字符进行模拟生长得到生长结构；将生长结构与目标结构进行比较，得到比较结果；根据比较结果确定待检查MOCVD生长指令是否正确。
可选地，根据第一特征字符进行模拟生长得到生长结构包括：根据第一特征字符获取第一生长参数；其中，生长参数包括以下至少之一：MO源，气体种类、生长时间，生长温度，气体流量；根据第一生长参数计算组分和/或厚度；根据组分和/或厚度获取生长结构。
可选地，获取待检查MOCVD生长指令中独立的句子和/或段落；提取每一个独立的句子和/或段落的第二特征字符；根据第二特征字符获取每一层的第二生长参数；根据每一层的第二生长参数得到每一层的组分和/或厚度；按照时间顺序将每一层的组分和/或厚度进行叠加得到生长结构。
可选地，将生长结构与目标结构进行比较，得到比较结果，根据比较结果确定待检查MOCVD生长指令是否正确包括：将生长结构的每一层的组分和/或厚度与目标结构的对应层的组分和/或厚度进行比较；在比较结果为一致的情况下，确定待检查MOCVD生长指令正确；否则，确定待检查MOCVD生长指令错误。
可选地，确定待检查MOCVD生长指令错误之后，还包括：查找出现错误的指定层的第三生长参数；对第三生长参数进行纠正。
在该实施方式中，将待检查MOCVD生长指令中的决定生长结构的第一特征字符提取出来，根据第一特征字符模拟生长得到的生长结构，将生长结构与目标结构进行比较，得到比较结果，根据比较结果确定待检查MOCVD生长指令是否正确。由于将特征字符提取出来并进行模拟生长得到模拟的生成结构，与目标结果对比进而检查MOCVD生长指令的正确性，相较于现有技术中的人工对生长指令的多次校对，节省了时间成本，并降低了生长失败的风险，提高了工作效率。
本发明第二方面提供了一种生长指令检查装置，包括第一字符提取模块，生长模块，比较模块和确定模块，其中：
第一字符提取模块用于提取待检查MOCVD生长指令中的第一特征字符；生长模块用于根据第一特征字符进行模拟生长得到生长结构；比较模块用于将生长结构与目标结构进行比较，得到比较结果；确定模块用于根据比较结果确定待检查MOCVD生长指令是否正确。
可选地，生长模块包括第一获取单元，用于根据第一特征字符获取第一生长参数；其中，生长参数包括以下至少之一：MO源，气体种类、生长时间，生长温度，气体流量；计算单元，用于根据第一生长参数计算组分和/或厚度；第二获取单元，用于根据组分和/或厚度获取生长结构。
可选地，装置还包括第一获取模块，用于获取待检查MOCVD生长指令中独立的句子和/或段落；第二字符提取模块，用于提取每一个独立的句子和/或段落的第二特征字符；第二获取模块，根据第二特征字符获取每一层的第二生长参数；计算模块，用于根据每一层的第二生长参数得到每一层的组分和/或厚度；叠加模块，用于按照时间顺序将每一层的组分和/或厚度进行叠加得到生长结构。
可选地，比较模块还用于将生长结构的每一层的组分和/或厚度与目标结构的对应层的组分和/或厚度进行比较；确定模块还用于在比较结果为一致的情况下，确定模块用于确定待检查MOCVD生长指令正确；否则，确定模块用于确定待检查MOCVD生长指令错误。
可选地，还包括查找模块，用于查找出现错误的指定层的第三生长参数；纠正模块，用于对第三生长参数进行纠正。
在该实施方式中，第一字符提取模块将待检查MOCVD生长指令中的决定生长结构的第一特征字符提取出来，生长模块根据第一特征字符模拟生长得到的生长结构，比较模块将生长结构与目标结构进行比较，得到比较结果，确定模块根据比较结果确定待检查MOCVD生长指令是否正确。由于将特征字符提取出来并进行模拟生长得到模拟的生成结构，与目标结果对比从而检查MOCVD生长指令的正确性，相较于现有技术中的人工对生长指令的多次校对，节省了时间成本，并降低了生长失败的风险，提高了工作效率。
本发明第三方面提供了一种电子设备，至少一个处理器，以及与至少一个处理器通信连接的存储器，其中，存储器存储有可被至少一个处理器执行的指令，指令被至少一个处理器执行，以使至少一个处理器执行如下生长指令检查方法：
提取待检查MOCVD生长指令中的第一特征字符；根据第一特征字符进行模拟生长得到生长结构；将生长结构与目标结构进行比较，得到比较结果；根据比较结果确定待检查MOCVD生长指令是否正确。
在该实施方式中，将待检查MOCVD生长指令中的决定生长结构的第一特征字符提取出来，根据第一特征字符模拟生长得到的生长结构，将生长结构与目标结构进行比较，得到比较结果，根据比较结果确定待检查MOCVD生长指令是否正确。由于将特征字符提取出来并进行模拟生长得到模拟的生成结构，与目标结果对比从而检查MOCVD生长指令的正确性，相较于现有技术中的人工对生长指令的多次校对，节省了时间成本，并降低了生长失败的风险，提高了工作效率。
本发明第四方面提供了一种计算机可读存储介质，其上存储有计算机程序，该指令被处理器执行时实现如下生长指令检查方法：
提取待检查MOCVD生长指令中的第一特征字符；根据第一特征字符进行模拟生长得到生长结构；将生长结构与目标结构进行比较，得到比较结果；根据比较结果确定待检查MOCVD生长指令是否正确。
在该实施方式中，将待检查MOCVD生长指令中的决定生长结构的第一特征字符提取出来，根据第一特征字符模拟生长得到的生长结构，将生长结构与目标结构进行比较，得到比较结果，根据比较结果确定待检查MOCVD生长指令是否正确。由于将特征字符提取出来并进行模拟生长得到模拟的生成结构，与目标结果对比进而检查MOCVD生长指令的正确性，相较于现有技术中的人工对生长指令的多次校对，节省了时间成本，并降低了生长失败的风险，提高了工作效率。
附图说明
通过参考附图会更加清楚的理解本发明的特征和优点，附图是示意性的而不应理解为对本发明进行任何限制，在附图中：
图1为本发明实施例中一种生长指令检查方法的流程图；
图2为本发明实施例中一种生长指令检查方法的一段生长指令参考程序；
图3为本发明实施例中一种生长指令检查方法的提取的参数表；
图4为本发明实施例中一种生长指令检查方法对图2中参数表进行填充赋值表；
图5为本发明实施例中一种生长指令检查方法的部分模拟外延生长结构汇总表；
图6为本发明实施例中一种生长指令检查方法对图4结构汇总表进行简化得到的简化结构表；
图7为本发明实施例中一种生长指令检查方法的一种目标结构图；
图8为本发明实施例中一种生长指令检查方法的一种生成结构图；
图9为本发明实施例中一种生长指令检查装置的结构示意图；
图10为本发明实施例中一种生长指令检查装置的模拟生长单元结构示意图；
图11为本发明实施例中一种生长指令检查设备的硬件结构示意图。
具体实施方式
为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
如图1所示，本发明实施例提供一种生长指令检查方法，包括：
步骤S1，提取待检查MOCVD生长指令中的第一特征字符。在具体实施例中，第一特征字符包含生成外延生长结构的所有设定及其参数。具体地，部分设定及其参数在不同时间段状态和/或数值相同；或者相同的设定在不同时间段状态相反，例如同一个阀门的开关状态。
步骤S2，根据第一特征字符进行模拟生长得到生长结构。在具体实施例中，根据上述设定及其参数进行模拟生长。具体地，按第一特征字符在待检查MOCVD生长指令中的时间顺序对设定及其参数进行设置或更改来进行模拟生长，得到生长结构。
步骤S3，将生长结构与目标结构进行比较，得到比较结果。在具体实施例中，根据生长结构每一层的生长材料和厚度与目标结构进行比较。
步骤S4，根据比较结果确定待检查MOCVD生长指令是否正确。在具体实施例中，根据模拟生长出的生长结构中每一层的材料和厚度与目标结构对应层的材料、厚度进行对比，以此确定生长指令的正确性。
在本实施例中，将待检查MOCVD生长指令中的决定生长结构的第一特征字符提取出来，根据第一特征字符模拟生长得到的生长结构，将生长结构与目标结构进行比较，得到比较结果，根据比较结果确定待检查MOCVD生长指令是否正确。由于将特征字符提取出来并进行模拟生长得到模拟的生成结构，与目标结果对比从而检查MOCVD生长指令的正确性，相较于现有技术中的人工对生长指令的多次校对，节省了时间成本，并降低了生长失败的风险，提高了工作效率。
上述步骤S2涉及到根据第一特征字符进行模拟生长得到生长结构，在一个可选的实施例中，根据第一特征字符获取第一生长参数；其中，生长参数包括以下至少之一：MO源，气体种类、生长时间，生长温度，气体流量，根据第一生长参数计算组分和/或厚度，根据组分和/或厚度获取生长结构。
在具体实施例中，MO源是元素周期表中Ⅲ-Ⅴ或Ⅱ-Ⅵ族的高纯金属有机化合物，是MOCVD技术的支撑材料；气体是用于运输MO源的载气；生长温度为当前生长环境的温度设置；气体流量是运输MO源的载气输送速率；生长时间为当前设定温度、气体种类和气体流量下的MO源生长的持续时间。在具体实施方式中，根据载气输送速率和生长时间，可以计算出当前外延生长材料的生长厚度，从而得到生长结构。具体地，还可以根据MO源与当前衬底的反应速率，或根据当前MO源之间的反应速率，结合生长时间推算出当前生长层的材料厚度。
在另一具体的实施方式中，提取如图2所示的生长程序指令中的各个MO源，气体种类、生长时间，生长温度和气体流量，归纳表格如图3所示，表格中TMGa_1source、TMGa_2source、AsH3_1source下的数据分别表示两个Ga源和As源的流量设置，TMGa_1line、TMGa_2line和TMGa_2run表示三个Ga源阀门，AsH3_1line和AsH3_1run表示两个As源阀门，“open”和“close”对应阀门的开和关状态；如图4所示，对图3中空白处的进行填充赋值，填充赋值的原则为沿用之前的状态或参数，如温度栏下空着的单元格都填“700”。根据图4中每行对应的外延生长材料、生长温度、生长厚度(生长时间乘以生长速率，此处生长速率为1.04nm/s)、五三比、掺杂材料的信息，可模拟生长出如图5所示的生成结构(图中的“1”为脚标数字)：前600s，60s，180s和最后10s为通AsH3保护层，不会生长化合物材料，因为省略掉；而中间的时间段生成的三层的外延物质相同，因而将这段时间相加并对其进行简化，得到图6中的一层外延层结构。
五三比是指使用五族源(如AsH3)和三族源(如TMGa)的比例，例如GaAs化合物中Ga和As的比例为1：1。
作为可选的实施方式，获取待检查MOCVD生长指令中独立的句子和/或段落；提取每一个独立的句子和/或段落的第二特征字符；根据第二特征字符获取每一层的第二生长参数；根据每一层的第二生长参数得到每一层的组分和/或厚度；按照时间顺序将每一层的组分和/或厚度进行叠加得到生长结构。
在具体实施例中，根据时间顺序获取独立的句子和/或段落，提取出当前时间和/或时间段的生长参数，而后进行模拟生长，得到当前时间段的生长结构。在具体的实施方式中，可以根据MO源，气体种类、生长时间，生长温度和气体流量其中任意一种状态或数值的改变来进行独立的句子和/或段落的获取。
作为可选的实施方式，将生长结构的每一层的组分和/或厚度与目标结构的对应层的组分和/或厚度进行比较；在比较结果为一致的情况下，确定待检查MOCVD生长指令正确；否则，确定待检查MOCVD生长指令错误。在具体实施例中，如图7和图8所示，对比发现目标结构的Layer5为Al0.25GaAs，厚度为100nm，而生成结构中对应的Layer5为GaAs，厚度100nm；目标结构的Layer11为Al0.25GaAs，厚度为100nm，生成结构对应Layer11为Al0.2GaAs，厚度100nm。由对比结果可知，在Layer5层的生长过程中，缺少了Al的掺杂，即MO源设定出错；而在Layer11层的生长过程中，Al的掺杂量少于目标结构，造成这种差异的原因为以下的一者或多者：Al流量设置数值小，设置载气阀门开放的时间不足和设置的温度低造成的反应速率慢。
作为可选的实施方式，确定所述待检查MOCVD生长指令错误之后，如图1所示，还包括步骤S5，查找出现错误的指定层的第三生长参数；步骤S6，对第三生长参数进行纠正。在具体实施例中，如图7和图8的生长情况，对Layer5层的生长过程中对应Al源阀门设置为开启；在Layer11层的生长过程中：调大Al流量设置数值，和/或，加长载气阀门开放的时间，和/或，调高温度设置。
根据上述实施例提供的生长指令检查方法，将待检查MOCVD生长指令中的决定生长结构的第一特征字符提取出来，根据第一特征字符模拟生长得到的生长结构，将生长结构与目标结构进行比较，得到比较结果，根据比较结果确定待检查MOCVD生长指令是否正确。由于将特征字符提取出来并进行模拟生长得到模拟的生成结构，与目标结果对比从而检查MOCVD生长指令的正确性，相较于现有技术中的人工对生长指令的多次校对，节省了时间成本，并降低了生长失败的风险，提高了工作效率。
本实施例还提供了一种生长指令检查装置，如图9所示，可以用于实现上述实施例中的一种生长指令检查方法，包括第一字符提取模块10，生长模块20，比较模块30和确定模块40，其中：
第一字符提取模块10用于提取待检查MOCVD生长指令中的第一特征字符；生长模块20用于根据第一特征字符进行模拟生长得到生长结构；比较模块30用于将生长结构与目标结构进行比较，得到比较结果；确定模块40用于根据比较结果确定待检查MOCVD生长指令是否正确。
可选地，生长模块20包括第一获取单元21，用于根据第一特征字符获取第一生长参数；其中，生长参数包括以下至少之一：MO源，气体种类、生长时间，生长温度，气体流量；计算单元22，用于根据第一生长参数计算组分和/或厚度；第二获取单元23，用于根据组分和/或厚度获取生长结构。
作为可选的实施方式，装置还包括第一获取模块50，用于获取待检查MOCVD生长指令中独立的句子和/或段落；第二字符提取模块60，用于提取每一个独立的句子和/或段落的第二特征字符；第二获取模块70，根据第二特征字符获取每一层的第二生长参数；计算模块80，用于根据每一层的第二生长参数得到每一层的组分和/或厚度；叠加模块90，用于按照时间顺序将每一层的组分和/或厚度进行叠加得到生长结构。
作为可选的实施方式，比较模块30还用于将生长结构的每一层的组分和/或厚度与目标结构的对应层的组分和/或厚度进行比较；确定模块40还用于在比较结果为一致的情况下，确定待检查MOCVD生长指令正确；否则，确定模块40用于确定待检查MOCVD生长指令错误。
作为可选的实施方式，还包括查找模块100，用于查找出现错误的指定层的第三生长参数；纠正模块110，用于对第三生长参数进行纠正。
本实施例还提供了一种电子设备，至少一个处理器120，以及与至少一个处理器120通信连接的存储器130，其中，存储器130存储有可被至少一个处理器120执行的指令，指令被至少一个处理器120执行，以使至少一个处理器120执行如下生长指令检查方法：提取待检查MOCVD生长指令中的第一特征字符；根据第一特征字符进行模拟生长得到生长结构；将生长结构与目标结构进行比较，得到比较结果；根据比较结果确定待检查MOCVD生长指令是否正确。
本领域技术人员可以理解，实现上述实施例方法中的全部或部分流程，是可以通过计算机程序来指令相关的硬件来完成，所述的程序可存储于一计算机可读取存储介质中，该程序在执行时，可包括如上述各方法的实施例的流程。其中，所述的存储介质可为磁碟、光盘、只读存储记忆体(ROM)或随机存储记忆体(RAM)等。计算机处理器用于执行存储介质中存储的计算机程序实现上述实施例中的生长指令检查方法：提取待检查MOCVD生长指令中的第一特征字符；根据第一特征字符进行模拟生长得到生长结构；将生长结构与目标结构进行比较，得到比较结果；根据比较结果确定待检查MOCVD生长指令是否正确。
根据实施例提供的生长指令检查装置，可以用于实现上述实施例中的生长指令检查方法：第一特征字符提取单元将待检查MOCVD生长指令中的决定生长结构的第一特征字符提取出来，模拟生长单元根据第一特征字符模拟生长得到的生长结构，比较单元将生长结构与目标结构进行比较，得到比较结果，确定单元根据比较结果确定待检查MOCVD生长指令是否正确。相较于现有技术中的人工对生长指令的多次校对，节省了时间成本，并降低了生长失败的风险，提高了工作效率。
虽然结合附图描述了本发明的实施例，但是本领域技术人员可以在不脱离本发明的精神和范围的情况下作出各种修改和变型，这样的修改和变型均落入由所附权利要求所限定的范围之内。

Claims (12)

1.一种生长指令检查方法，其特征在于，包括：
提取待检查MOCVD生长指令中的第一特征字符；
根据所述第一特征字符进行模拟生长得到生长结构；
将所述生长结构与目标结构进行比较，得到比较结果；
根据所述比较结果确定所述待检查MOCVD生长指令是否正确。
2.根据权利要求1所述的生长指令检查方法，其特征在于，根据所述第一特征字符进行模拟生长得到生长结构包括：
根据所述第一特征字符获取第一生长参数；其中，所述生长参数包括以下至少之一：MO源，气体种类、生长时间，生长温度，气体流量；
根据所述第一生长参数计算组分和/或厚度；
根据所述组分和/或厚度获取所述生长结构。
3.一种生长指令检查方法，其特征在于，包括：
获取待检查MOCVD生长指令中独立的句子和/或段落；
提取每一个所述独立的句子和/或段落的第二特征字符；
根据所述第二特征字符获取每一层的第二生长参数；
根据所述每一层的第二生长参数得到每一层的组分和/或厚度；
按照时间顺序将所述每一层的组分和/或厚度进行叠加得到生长结构；
将所述生长结构与目标结构进行比较，得到比较结果；
根据所述比较结果确定所述待检查MOCVD生长指令是否正确。
4.根据权利要求3所述的生长指令检查方法，其特征在于，将所述生长结构与目标结构进行比较，得到比较结果，根据所述比较结果确定所述待检查MOCVD生长指令是否正确包括：
将所述生长结构的每一层的组分和/或厚度与所述目标结构的对应层的组分和/或厚度进行比较；
在所述比较结果为一致的情况下，确定所述待检查MOCVD生长指令正确；否则，确定所述待检查MOCVD生长指令错误。
5.根据权利要求4所述的生长指令检查方法，其特征在于，所述确定所述待检查MOCVD生长指令错误之后，还包括：
查找出现错误的指定层的第三生长参数；
对所述第三生长参数进行纠正。
6.一种生长指令检查装置，其特征在于，包括：
第一字符提取模块(10)，用于提取待检查MOCVD生长指令中的第一特征字符；
生长模块(20)，用于根据所述第一特征字符进行模拟生长得到生长结构；
比较模块(30)，用于将所述生长结构与目标结构进行比较，得到比较结果；
确定模块(40)，用于根据所述比较结果确定所述待检查MOCVD生长指令是否正确。
7.根据权利要求6所述的生长指令检查装置，其特征在于，所述生长模块(20)包括：
第一获取单元(21)，用于根据所述第一特征字符获取第一生长参数；其中，所述生长参数包括以下至少之一：MO源，气体种类、生长时间，生长温度，气体流量；
计算单元(22)，用于根据所述第一生长参数计算组分和/或厚度；
第二获取单元(23)，用于根据所述组分和/或厚度获取所述生长结构。
8.一种生长指令检查装置，其特征在于，所述装置包括：
第一获取模块(50)，用于获取待检查MOCVD生长指令中独立的句子和/或段落；
第二字符提取模块(60)，用于提取每一个所述独立的句子和/或段落的第二特征字符；
第二获取模块(70)，根据所述第二特征字符获取每一层的第二生长参数；
计算模块(80)，用于根据所述每一层的第二生长参数得到每一层的组分和/或厚度；
叠加模块(90)，用于按照时间顺序将所述每一层的组分和/或厚度进行叠加得到生长结构；
比较模块(30)，用于将所述生长结构与目标结构进行比较，得到比较结果；
确定模块(40)，用于根据所述比较结果确定所述待检查MOCVD生长指令是否正确。
9.根据权利要求8所述的生长指令检查装置，其特征在于，所述比较模块(30)还用于将所述生长结构的每一层的组分和/或厚度与所述目标结构的对应层的组分和/或厚度进行比较；
所述确定模块(40)还用于在所述比较结果为一致的情况下，确定所述待检查MOCVD生长指令正确；否则，所述确定模块(40)用于确定所述待检查MOCVD生长指令错误。
10.根据权利要求9所述的生长指令检查装置，其特征在于，所述装置还包括：
查找模块(100)，用于查找出现错误的指定层的第三生长参数；
纠正模块(110)，用于对所述第三生长参数进行纠正。
11.一种电子设备，其特征在于，至少一个处理器(120)，以及与所述至少一个处理器(120)通信连接的存储器(130)，其中，所述存储器(130)存储有可被所述至少一个处理器(120)执行的指令，所述指令被所述至少一个处理器(120)执行，以使所述至少一个处理器(120)执行权利要求1至5中任一所述的生长指令检查方法。
12.一种计算机可读存储介质，其上存储有计算机程序，其特征在于，该计算机程序被处理器执行时实现权利要求1至5中任一所述的生长指令检查方法的步骤。
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