CN106920576A - 一种检验Nand Flash质量的方法及系统 - Google Patents

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    • G11C29/08—Functional testing, e.g. testing during refresh, power-on self testing [POST] or distributed testing
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Abstract

本发明涉及Nand Flash质量检验领域，特别涉及一种检验Nand Flash质量的方法及系统。本发明是通过S1、判断Nand Flash内的内存块的第一页和最后一页的第一个字符是否为预设字符，若否，根据所述内存块的编号创建原始坏块表；S2、判断所述内存块内是否存在不合格页，所述不合格页指页内每个扇区错位数大于预设位数，若存在：S3、根据所述存在不合格页的内存块的编号创建最终坏块表；S4、判断所述最终坏块表记录的内存块数量是否大于预设阈值，若不大于：S5、判断所述最终坏块表记录的内存块的编号是否不等于所述原始坏块表记录的内存块的编号，若不等于：则确定所述Nand Flash为不合格。确保了出厂的Nand Flash的质量。

Description

一种检验Nand Flash质量的方法及系统
技术领域
本发明涉及Nand Flash质量检验领域，特别涉及一种检验Nand Flash质量的方法及系统。
背景技术
现在绝大多数数码产品都会用到存储设备，在数码产品越来越广泛的情况下，存储设备的稳定性和安全性是保证了数码产品数据的正确性和系统的稳定性的重要因素。
但是，在生产过程中难免会产生不稳定或不安全的存储设备。所以，找出存储设备Nand Flash的不稳定的因素，在存储设备Nand Flash投入到下一步制造流程前，对存储设备进行精确的检验，并将检验结果准确的反馈给数码设备，是使数码设备使用更稳定，寿命更长的一种有效方式。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是：准确的判断Nand Flash的质量情况。
为了解决上述技术问题，本发明采用的技术方案为：
本发明提供一种检验Nand Flash质量的方法，包括步骤：
判断Nand Flash内的内存块的第一页和最后一页的第一个字符是否为预设字符，若否，根据所述内存块的编号创建原始坏块表；
判断所述内存块内是否存在不合格页，所述不合格页指页内每个扇区错位数大于预设位数，得到第一判断结果；
若所述第一判断结果为所述内存块内存在不合格页，则根据所述存在不合格页的内存块的编号创建最终坏块表；
判断所述最终坏块表记录的内存块数量是否大于预设阈值，得到第二判断结果；
若所述第二判断结果为所述最终坏块表记录的内存块数量不大于预设阈值；则判断所述最终坏块表记录的内存块的编号是否不等于所述原始坏块表记录的内存块的编号，若不等于：则确定所述Nand Flash为不合格。
本发明另提供一种检验Nand Flash质量的系统，包括：
第一判断模块，用于判断Nand Flash内的内存块的第一页和最后一页的第一个字符是否为预设字符，若否，根据所述内存块的编号创建原始坏块表；
第二判断模块，用于判断所述内存块内是否存在不合格页，所述不合格页指页内每个扇区错位数大于预设位数，得到第一判断结果；
创建模块，用于若所述第一判断结果为所述内存块内存在不合格页，则根据所述存在不合格页的内存块的编号创建最终坏块表；
第三判断模块，用于判断所述最终坏块表记录的内存块数量是否大于预设阈值，得到第二判断结果；
第四判断模块，用于若所述第二判断结果为所述最终坏块表记录的内存块数量不大于预设阈值；则判断所述最终坏块表记录的内存块的编号是否不等于所述原始坏块表记录的内存块的编号，若不等于：则确定所述Nand Flash为不合格。
本发明的有益效果在于：通过两次的检验，第一次通过检验每个内存块第一页和最后一页是否存在预设的字符来确定是否存在质量问题的内存块，第二次通过数据的输入和读取来检验，比对两次检验得到的内存块情况来对Nand Flash的质量状况做出一个全面且准确的评价，确保最终出厂Nand Flash不会存在严重的质量问题，不对严重影响数码设备其他部件的运行。
附图说明
图1为本发明一种检验Nand Flash质量的方法具体实施方式的流程框图；
图2为本发明一种检验Nand Flash质量的系统具体实施方式的系统框图；
图3为本发明一种检验Nand Flash质量的系统具体实施方式的系统框图；
标号说明：
1、第一判断模块；2、第二判断模块；3、创建模块；4、第三判断模块；5、第四判断模块；6、存储模块；7、划分模块。
具体实施方式
为详细说明本发明的技术内容、所实现目的及效果，以下结合实施方式并配合附图予以说明。
本发明最关键的构思在于：第一次通过检验每个内存块第一页和最后一页的首字符来确定块的质量，第二次对每个内存块进行读取数据操作来确定内存块的质量，比对两次检验的得到的内存块的情况来确定Nand Flash的质量。
请参照图1-图3，
如图1所示，本发明提供一种检验Nand Flash质量的方法：
判断Nand Flash内的内存块的第一页和最后一页的第一个字符是否为预设字符，若否，根据所述内存块的编号创建原始坏块表；
判断所述内存块内是否存在不合格页，所述不合格页指页内每个扇区错位数大于预设位数，得到第一判断结果；
若所述第一判断结果为所述内存块内存在不合格页，则根据所述存在不合格页的内存块的编号创建最终坏块表；
判断所述最终坏块表记录的内存块数量是否大于预设阈值，得到第二判断结果；
若所述第二判断结果为所述最终坏块表记录的内存块数量不大于预设阈值；则判断所述最终坏块表记录的内存块的编号是否不等于所述原始坏块表记录的内存块的编号，若不等于：则确定所述Nand Flash为不合格。
由上述描述可知，本发明的有益效果在于：通过两次的检验，能更准确的确定NandFlash的质量状况，精确的找出Nand Flash中存在质量问题的块。同时，比对两次检验的结果，还能找出性能不稳定性Nand Flash，将其确认为不合格，不予出厂。
进一步的，还包括：
擦除所述Nand Flash内的内存块的数据；
判断所述Nand Flash内的内存块第一页的第一个字符是否为预设字符，若否，创建原始坏块表记录所述第一内存块；否则：判断判断所述Nand Flash内第一内存块最后一页的第一个字符是否为预设字符，若否，创建原始坏块表记录所述第一内存块。
由上述描述可知，第一次检验的时候，先检验内存块第一页，若第一页第一个字符为预设字符，则再检验内存块最后一页，从而提高了检验的效率。
进一步的，还包括：
擦除所述内存块的数据；
存储预设第一数据到所述Nand Flash内的内存块；读取所述内存块内数据得到第二数据；
根据所述第一数据和第二数据判断是否每个扇区错位数大于预设位数的页，得到第三判断结果；
若所述第三判断结果为存在每个扇区错位数大于预设位数的页，则根据所述内存块更新所述原始坏块表得到最终坏块表。
由上述描述可知，在进行第二次检验之前，先进行擦除操作，避免内存块中原有的数据影响检验的结果，提高了检验的精确性。
进一步的，还包括：
存储所述原始坏块表、最终坏块表至所述Nand Flash内的内存块。
由上述描述可知，将两次检验获得的坏块表保存在Nand Flash，可以使设备在进行存储操作的时候避过这些坏块，从而降低了操作的出错率。
进一步的，还包括：
为所述内存块划分预设个数页。
由上述描述可知，将内存块划分为若干的页，使数据的保存更为规范，提高了存储的效率，降低了存储的出错率。
如图2所示，本发明提供一种检验Nand Flash质量的系统，包括：
第一判断模块1，用于判断Nand Flash内的内存块的第一页和最后一页的第一个字符是否为预设字符，若否，根据所述内存块的编号创建原始坏块表；
第二判断模块2，用于判断所述内存块内是否存在不合格页，所述不合格页指页内每个扇区错位数大于预设位数，得到第一判断结果；
创建模块3，用于若所述第一判断结果为所述内存块内存在不合格页，则根据所述存在不合格页的内存块的编号创建最终坏块表；
第三判断模块4，用于判断所述最终坏块表记录的内存块数量是否大于预设阈值，得到第二判断结果；
第四判断模块5，用于若所述第二判断结果为所述最终坏块表记录的内存块数量不大于预设阈值；则判断所述最终坏块表记录的内存块的编号是否不等于所述原始坏块表记录的内存块的编号，若不等于：则确定所述Nand Flash为不合格。
进一步的，所述第一判断模块，还包括：
第一擦除单元，用于擦除所述Nand Flash内的内存块的数据；
第一判断单元，用于判断所述Nand Flash内的内存块第一页的第一个字符是否为预设字符，若否，创建原始坏块表记录所述第一内存块；否则：判断所述Nand Flash内第一内存块最后一页的第一个字符是否为预设字符，若否，创建原始坏块表记录所述第一内存块。
进一步的，所述第二判断模块，还包括：
第二擦除单元，用于擦除所述内存块的数据；
存储单元，用于存储预设第一数据到所述Nand Flash内的内存块；读取所述内存块内数据得到第二数据；
第二判断单元，用于根据所述第一数据和第二数据判断是否每个扇区错位数大于预设位数的页，得到第三判断结果；
更新单元，用于若所述第三判断结果为存在每个扇区错位数大于预设位数的页，则根据所述内存块更新所述原始坏块表得到最终坏块表。
进一步的，还包括：
存储模块6，用于存储所述原始坏块表、最终坏块表至所述Nand Flash内的内存块。
进一步的，还包括：
划分模块7，用于为所述内存块划分预设个数页。
实施例：
本发明的实施例提供一种检验Nand Flash质量的方法，包括如下步骤：
S1、擦除Nand Flash的所有物理块，并建立一张原始坏块表。
S2、随机获取Nand Flash内的内存块，检查所获取的内存块的第一页的第一个字节是否为0xFF，若否：将该块的信息保存到原始坏块表内；若是：检查所获取的内存块的最后一页的第一个字节是否为0xFF，若是：则确定这个块为合格，将该块的信息保存到原始坏块表内；若否：则确定这个块为不合格。如此循环遍历所有块。
S3、设置程序在Nand Flash内，并创建最终坏块表。
S4、所述程式首先会擦除第一个内存块(块0)内的数据；然后，获取Nand Flash内第一个内存块。
S5、在使能ECC(错误检查与纠正)的情况下，用随机数据写满所述第一个内存块内的所有页。写整个块后，接下来就把所述第一个内存块内的所有页的数据读出，利用硬件的ECC(错误检查与纠正)检验，判断是否每个sector(扇区)数据出错的位数大于等于16位，若是就认为此块比较弱，故提前标志为坏块，这时更新程式的坏块表把此块对应的块的位置标识为坏块，并记录该块的编号到最终坏块表内，这样后面的数据读写就避开此块，使后续的数据读写更安全。以上的操作完成后，跳到下一个块继续以上操作，直到所有块都测试完成。这时最终坏块表也建立完成。
S6、判断所述最终坏块表记录的内存块数量是否大于预设数值，若大于，则：确定所述Nand Flash为不合格；若不大于：
S7、判断所述最终坏块表记录的内存块的编号是否不等于所述原始坏块表记录的内存块的编号，若不等于：则确定所述Nand Flash为不合格；若等于：则确定所述NandFlash为合格。
综上所述，本发明提供的提供一种检验Nand Flash质量的方法及系统。通过两次质量的检验，第一次通过检验每个内存块第一页和最后一页的首字符来确定块的质量，第二次对每个内存块进行读取数据操作来确定内存块的质量，比对两次检验的得到的内存块的情况来确定Nand Flash的质量，并且将两次得到的坏块表保存在Nand Flash可以让使用Nand Flash的设备通过坏块表避过坏块，保证了存储数据的质量，同时为内存块划分若干的页，使存储的管理更加的规范高效，在检验每个内存块第一页和最后一页的首字符来确定块的质量时，先检验第一个字符若为预设字符，再检验最后一页的首字符，提高了检验的效率。
以上所述仅为本发明的实施例，并非因此限制本发明的专利范围，凡是利用本发明说明书及附图内容所作的等同变换，或直接或间接运用在相关的技术领域，均同理包括在本发明的专利保护范围内。

Claims (10)

1.一种检验Nand Flash质量的方法，其特征在于，包括：
S1、判断Nand Flash内的内存块的第一页和最后一页的第一个字符是否为预设字符，若否，根据所述内存块的编号创建原始坏块表；
S2、判断所述内存块内是否存在不合格页，所述不合格页指页内每个扇区错位数大于预设位数，得到第一判断结果；
S3、若所述第一判断结果为所述内存块内存在不合格页，则根据所述存在不合格页的内存块的编号创建最终坏块表；
S4、判断所述最终坏块表记录的内存块数量是否大于预设阈值，得到第二判断结果；
S5、若所述第二判断结果为所述最终坏块表记录的内存块数量不大于预设阈值；则判断所述最终坏块表记录的内存块的编号是否不等于所述原始坏块表记录的内存块的编号，若不等于：则确定所述Nand Flash为不合格。
2.根据权利要求1所述一种检验Nand Flash质量的方法，其特征在于，所述S1具体为：
擦除所述Nand Flash内的内存块的数据；
判断所述Nand Flash内的内存块第一页的第一个字符是否为预设字符，若否，创建原始坏块表记录所述第一内存块；否则：判断判断所述Nand Flash内第一内存块最后一页的第一个字符是否为预设字符，若否，创建原始坏块表记录所述第一内存块。
3.根据权利要求1所述一种检验Nand Flash质量的方法，其特征在于，所述S2具体为：
擦除所述内存块的数据；
存储预设第一数据到所述Nand Flash内的内存块；读取所述内存块内数据得到第二数据；
根据所述第一数据和第二数据判断是否每个扇区错位数大于预设位数的页，得到第三判断结果；若所述第三判断结果为存在每个扇区错位数大于预设位数的页，则根据所述内存块更新所述原始坏块表得到最终坏块表。
4.根据权利要求1所述一种检验Nand Flash质量的方法，其特征在于，还包括：
存储所述原始坏块表、最终坏块表至所述Nand Flash内的内存块。
5.根据权利要求1所述一种检验Nand Flash质量的方法，其特征在于，还包括：
为所述内存块划分预设个数页。
6.一种检验Nand Flash质量的系统，其特征在于，包括：
第一判断模块1，用于判断Nand Flash内的内存块的第一页和最后一页的第一个字符是否为预设字符，若否，根据所述内存块的编号创建原始坏块表；
第二判断模块2，用于判断所述内存块内是否存在不合格页，所述不合格页指页内每个扇区错位数大于预设位数，得到第一判断结果；
创建模块3，用于若所述第一判断结果为所述内存块内存在不合格页，则根据所述存在不合格页的内存块的编号创建最终坏块表；
第三判断模块4，用于判断所述最终坏块表记录的内存块数量是否大于预设阈值，得到第二判断结果；
第四判断模块5，用于若所述第二判断结果为所述最终坏块表记录的内存块数量不大于预设阈值；则判断所述最终坏块表记录的内存块的编号是否不等于所述原始坏块表记录的内存块的编号，若不等于：则确定所述Nand Flash为不合格。
7.根据权利要求6所述一种检验Nand Flash质量的系统，其特征在于，所述第一判断模块，包括：
第一擦除单元，用于擦除所述Nand Flash内的内存块的数据；
第一判断单元，用于判断所述Nand Flash内的内存块第一页的第一个字符是否为预设字符，若否，创建原始坏块表记录所述第一内存块；否则：判断所述Nand Flash内第一内存块最后一页的第一个字符是否为预设字符，若否，创建原始坏块表记录所述第一内存块。
8.根据权利要求6所述一种检验Nand Flash质量的系统，其特征在于，所述第二判断模块，包括：
第二擦除单元，用于擦除所述内存块的数据；
存储单元，用于存储预设第一数据到所述Nand Flash内的内存块；读取所述内存块内数据得到第二数据；
第二判断单元，用于根据所述第一数据和第二数据判断是否每个扇区错位数大于预设位数的页，得到第三判断结果；
更新单元，用于若所述第三判断结果为存在每个扇区错位数大于预设位数的页，则根据所述内存块更新所述原始坏块表得到最终坏块表。
9.根据权利要求6所述一种检验Nand Flash质量的系统，其特征在于，还包括：
存储模块，用于存储所述原始坏块表、最终坏块表至所述Nand Flash内的内存块。
10.根据权利要求6所述一种检验Nand Flash质量的系统，其特征在于，还包括：
划分模块，用于为所述内存块划分预设个数页。
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