CN107883622B - 一种自适应功率控制冷凝除湿方法 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种自适应功率控制冷凝除湿方法，其主要步骤如下：1)实时监测工作环境的大气压力、温度和湿度，实时监测半导体制冷片冷端和热端的温度。2)CPU接收气压传感器、温湿度传感器和温度传感器中的数据，并对数据进行处理。3)根据CPU分析和处理后的数据，制冷片控制电路控制半导体制冷片电源的开关状态和半导体制冷片的制冷功率，风扇控制电路控制风扇的风速流量。4)半导体制冷片对工作环境进行制冷吸热。5)风扇通过工作环境的空气进行循环引流，快速降低半导体制冷片热端的温度，并将潮湿空气送入半导体制冷片的冷端，从而使半导体制冷片产生凝露，达到对工作环境除湿的效果。

Description

一种自适应功率控制冷凝除湿方法

技术领域

本发明涉及制冷除湿领域，具体是一种自适应功率控制冷凝除湿方法。

背景技术

目前，半导体制冷除湿技术基本成熟，在很多领域均可应用，但是，和传统除湿技术相比，半导体制冷元件的制造成本更高且功率有限，因此半导体除湿机的使用场景受到了限制。

现有的半导体除湿机生产厂家对于半导体制冷元件的功率问题和最佳除湿效果的表面风速流量问题并不重视，让半导体制冷器件和风扇一直处于满载工作状态。但是，满载工作状态的半导体除湿机不仅不能达到最佳除湿效果，反而容易使得半导体制冷器件和风扇的使用寿命大大缩短，从而导致半导体除湿机的除湿效率降低和使用寿命缩短、除湿效果日益衰减。同时，现有的半导体除湿机只能够在夏天或是温度高于20摄氏度的时候才能够对电气柜进行除湿。当环境温度低于20摄氏度时，如果除湿机还是全功率运行，那么，半导体除湿机大多数时间都会处于结霜、结冰状态，也就无法完全解决柜体内部的潮湿问题。

也就是说，现有的半导体除湿机会受到环境温度的影响，从而使得除湿效果衰减。

发明内容

本发明的目的是解决现有技术中存在的问题。

为实现本发明目的而采用的技术方案是这样的，一种自适应功率控制冷凝除湿方法，主要需要的设备包括气压传感器、温湿度传感器、温度传感器、CPU、制冷片控制电路、风扇控制电路、半导体制冷片和风扇。

自适应功率控制冷凝除湿方法的步骤如下：

1)利用所述气压传感器实时监测工作环境的大气压力值。

2)利用所述温湿度传感器实时监测工作环境的温度和湿度值。

3)利用所述温度传感器实时监测所述半导体制冷片冷端温度和热端温度。

4)所述CPU接收所述气压传感器、所述温湿度传感器和所述温度传感器中记录的数据。所述CPU对接收到的数据进行分析和处理。

对数据进行分析处理的主要步骤如下：

4.1)根据测量得到的环境气压值、环境温度值和环境湿度值计算当前环境下的露点温度值。

4.2)从所述温度传感器中采集到所述半导体制冷片冷端温度值。将露点温度值和冷端温度值进行比较。如果露点温度值和冷端温度值相等，则执行步骤5。如果露点温度值和冷端温度值不相等，则执行步骤4.3。

4.3)控制所述半导体制冷片的制冷功率，使得半导体制冷片冷端温度值达到步骤4.1中计算得到的露点温度值。

5)根据所述CPU分析和处理后的数据，所述CPU向所述制冷片控制电路输送一个PWM控制信号。所述制冷片控制电路控制所述半导体制冷片电源的开关状态和所述半导体制冷片的制冷功率。PWM控制信号处于高电平期间，所述制冷片控制电路导通，使所述半导体制冷片通电并开始工作。PWM控制信号处于低电平期间，所述制冷片控制电路闭合，使所述半导体制冷片停止工作。对PWM控制信号的占空比进行调节，从而调节所述制冷片控制电路的导通和关断时间。所述制冷片控制电路的导通和关断时间决定所述半导体制冷片的平均制冷功率。

所述制冷片控制电路的电路结构如下：

所述PWM控制信号的输入端A1端子依次串联电阻R7和电阻R8后接地。所述PWM控制信号的输入端A1端子依次串联电阻R7和三极管V3的基极。

进一步，电阻R7为4700欧姆的电阻。电阻R8为4700欧姆的电阻。

三极管V3的发射极接地。三极管V3的集电极串联PMOS管Q2的G极。三极管V3的集电极串联电阻R9的B1端子。

进一步，所述三极管V3是NPN型三极管。

电阻R9的B2端子串联二极管V4的负极。二极管V4的正极串联PMOS管Q2的D极。二极管V4的正极串联电容C6后接地。

电阻R9的B2端子串联PMOS管Q2的S极。电阻R9的B2端子依次串联电容C5、电阻R10和PMOS管Q2的D极。电阻R9的B2端子依次串联电容C5、电阻R10和电容C6后接地。

优选的，所述PMOS管Q2的型号可以是SIS415DET。

进一步，电阻R9为100000欧姆的电阻。电阻R10为100欧姆的电阻。电容C5容量为0.1微法。电容C6容量为10微法。

6)根据所述CPU分析和处理后的数据，所述风扇控制电路控制所述风扇的开关和风速流量。

所述CPU向所述风扇控制电路的输入端E1端子输送一个电平信号。所述电平信号为高电平时，所述风扇控制电路导通，从而使所述风扇工作。所述电平信号为低电平时，所述风扇控制电路关断，从而使所述风扇停止工作。

所述CPU通过所述风扇控制电路中可调数字电位器D1的控制接口SCL和控制接口SDA来控制所述可调电位器D1的阻值。所述风扇控制电路通过所述可调数字电位器D1的阻值分压来获得所述风扇的工作电压，从而控制所述风扇的转速。所述风扇控制电路通过所述可调数字电位器D1的阻值分压来获得所述风扇的工作电压，从而调节所述风扇流量。

风扇控制电路的电路结构如下：

所述电平信号的输入端E1端子依次串联电阻R1和电阻R2后接地。所述电平信号的输入端E1端子依次串联电阻R1和三极管V1的基极。

进一步，电阻R1为4700欧姆的电阻。电阻R2为4700欧姆的电阻。

三极管V1的发射极接地。三极管V1的集电极串联PMOS管Q1的G极。三极管V1的集电极串联电阻R3的F1端子。

进一步，所述三极管V1是NPN型三极管。

电阻R3的F2端子串联PMOS管Q1的S极。电阻R3的F2端子串联二极管V2的负极。

二极管V2的正极串联PMOS管Q1的D极。二极管V2的正极串联电容C2后接地。

优选的，所述PMOS管Q1的型号可以是SIS415DET。

进一步，电阻R3为100000欧姆的电阻。

电阻R3的F2端子依次串联电容C1和电阻R4的H1端子。

进一步，电容C1容量为0.1微法。

电阻R4的H2端子串联PMOS管Q1的D极。电阻R4的H2端子串联电容C2后接地。

电阻R4的H2端子串联电容C3后接地。

电阻R4的H2端子串联电容C4后接地。

电阻R4的H2端子串联可调数字电位器D1的VDD端。

电阻R4的H2端子串联可调数字电位器D1的A端。

进一步，电阻R4为100欧姆的电阻。电容C2容量为10微法。电容C3容量为10微法。电容C4容量为0.1微法。

可调数字电位器D1调节风扇的转速。

可调数字电位器D1的B端接地。可调数字电位器D1的W端为所述风扇供电。可调数字电位器D1的GND端接地。可调数字电位器D1的AD0端和AD1端串联后接地。可调数字电位器D1的SDA端依次串联电阻R6和可调数字电位器的VLOGIC端。可调数字电位器D1的SCL端依次串联电阻R5和可调数字电位器的VLOGIC端。可调数字电位器的SDA端依次串联电阻R6和电容C7后接地。可调数字电位器的SCL端依次串联电阻R5和电容C7后接地。

进一步，电阻R5为10000欧姆的电阻。电阻R6为10000欧姆的电阻。电容C7容量为0.1微法。

7)所述半导体制冷片对工作环境进行制冷吸热。

8)所述风扇通过对工作环境的空气进行循环引流，将潮湿空气送入所述半导体制冷片的冷端。当潮湿空气的温度急剧降低时，潮湿空气中的水蒸气会饱和凝露，并将空气中的水分析出，从而达到对工作环境除湿的效果。

本发明的技术效果是毋庸置疑的。本发明通过一种自适应功率控制冷凝除湿方法对半导体制冷器件功率和循环风速流量进行调节，从而得以精确控制凝露点，提高除湿效率、节约能耗。

附图说明

图1为硬件系统原理框图；

图2为制冷片控制电路；

图3为风扇控制电路；

图4为系统软件流程图。

图中：气压传感器、温湿度传感器、温度传感器、CPU、制冷片控制电路、风扇控制电路、半导体制冷片和风扇。

具体实施方式

下面结合实施例对本发明作进一步说明，但不应该理解为本发明上述主题范围仅限于下述实施例。在不脱离本发明上述技术思想的情况下，根据本领域普通技术知识和惯用手段，做出各种替换和变更，均应包括在本发明的保护范围内。

实施例1：

一种自适应功率控制冷凝除湿方法，需要的模块主要包括气压传感器1、温湿度传感器2、温度传感器3、CPU4、制冷片控制电路5、风扇控制电路6、风扇8和半导体制冷片7。

进一步，所述气压传感器1用于实时监测大气压力值。

所述温湿度传感器2用于实时监测工作环境的温度和相对湿度。所述温湿度传感器2测量到工作环境的温湿度后，将测量得到的数据转换成电信号或其他所需形式的信号输出到所述CPU4中。

所述温度传感器3实时监测半导体制冷片7冷端温度和热端温度，并将测量得到的数据转换成电信号或其他所需形式的信号输出到所述CPU4中。

所述CPU4主要包括运算逻辑部件、寄存器部件和控制部件。所述CPU4接收到信号后，对所述信号进行运算处理，并向所述制冷片控制电路5和所述风扇控制电路6发送控制命令。

所述半导体制冷片7也叫热电制冷片，是一种热泵。所述半导体制冷片7没有滑动部件，常应用于一些空间受到限制、可靠性要求高、无制冷剂污染的场合。

所述半导体制冷片7是一个热传递的工具，即当一块N型半导体材料和一块P型半导体材料联结成的热电偶对中有电流通过时，所述半导体制冷片7两端之间就会产生热量转移，从而产生温差形成冷热端。

所述风扇8为所述半导体制冷片7散热。通过主动散热的方式，可以快速降低所述半导体制冷片7热端温度，此时，所述半导体制冷片7冷端温度也会相应下降，从而达到更低的温度、并形成冷凝水，达到除湿效果，同时，通过所述风扇8对潮湿空气的循环引流提高除湿效率。

实施例2：

参见图2，所述制冷片控制电路5的电路结构如下：

PWM控制信号的输入端A1端子依次串联电阻R7和电阻R8后接地。电源输入端A1端子依次串联电阻R7和三极管V3的基极。

进一步，所述PWM控制信号的输入端A1端子有一个受所述CPU4控制的PWM信号POWER_COOL。所述信号POWER_COOL控制所述制冷片控制电路5的电源通断。电源输入端A1端子接所述半导体制冷片7的正极。调整PWM_COOL的占空比可以控制所述半导体制冷片7的制冷功率，使所述半导体制冷片7刚好工作在露点温度，从而达到最佳凝露效果。

进一步，电阻R7为4700欧姆的电阻。电阻R8为4700欧姆的电阻。

三极管V3的发射极接地。三极管V3的集电极串联PMOS管Q2的G极。三极管V3的集电极串联电阻R9的B1端子。

进一步，所述三极管V3是NPN型三极管。

电阻R9的B2端子串联二极管V4的负极。二极管V4的正极串联PMOS管Q2的D极。二极管V4的正极串联电容C6后接地。

电阻R9的B2端子串联PMOS管Q2的S极。电阻R9的B2端子依次串联电容C5、电阻R10和PMOS管Q2的D极。电阻R9的B2端子依次串联电容C5、电阻R10和电容C6后接地。

进一步，所述PMOS管Q2控制半导体制冷片工作电源，即控制PMOS管Q2的通断比例可以控制所述半导体制冷片7的制冷功率。PMOS管Q2通时，所述半导体制冷片7全功率运行，断时，所述半导体制冷片7停止运行。电阻R7、电阻R8、电阻R9和三极管V3构成所述PMOS管Q2的驱动电路。电容C5、电阻R10和二极管V4组成所述PMOS管Q2的保护电路。

优选的，所述PMOS管Q2的型号可以是SIS415DET。

进一步，电阻R9为100欧姆的电阻。电阻R10为100欧姆的电阻。电容C5容量为0.1微法。电容C6容量为10微法。

实施例3：

参见图3，风扇控制电路6的电路结构如下：

电平信号的输入端E1端子依次串联电阻R1和电阻R2后接地。电源输入端E1端子依次串联电阻R1和三极管V1的基极。

进一步，电平信号的输入端E1端子有一个受所述CPU4控制的信号SW_FAN。所述信号SW_FAN控制所述风扇8的电源。

进一步，电阻R1为4700欧姆的电阻。电阻R2为4700欧姆的电阻。

三极管V1的发射极接地。三极管V1的集电极串联PMOS管Q1的G极。三极管V1的集电极串联电阻R3的F1端子。

进一步，所述三极管V1是NPN型三极管。

电阻R3的F2端子串联PMOS管Q1的S极。电阻R3的F2端子串联二极管V2的负极。

二极管V2的正极串联PMOS管Q1的D极。二极管V2的正极串联电容C2后接地。

电阻R3的F2端子依次串联电容C1和电阻R4的H1端子。

进一步，电容C1、电阻R4和二极管V2组成所述PMOS管Q1的保护电路。所述PMOS管Q1控制所述风扇8电源的开关。

优选的，所述PMOS管Q1的型号可以是SIS415DET。

进一步，电阻R3为100欧姆的电阻。电容C1容量为0.1微法。

电阻R4的H2端子串联PMOS管Q1的D极。

电阻R4的H2端子串联电容C2后接地。

电阻R4的H2端子串联电容C3后接地。

电阻R4的H2端子串联电容C4后接地。

电阻R4的H2端子串联可调数字电位器D1的VDD端。

电阻R4的H2端子串联可调数字电位器D1的A端。

进一步，电阻R4为100欧姆的电阻。电容C2容量为10微法。电容C3容量为10微法。电容C4容量为0.1微法。

可调数字电位器D1调节风扇8的转速。

可调数字电位器D1的B端接地。可调数字电位器D1的W端为所述风扇8供电。可调数字电位器D1的GND端接地。可调数字电位器D1的AD0端和AD1端串联后接地。可调数字电位器D1的SDA端依次串联电阻R6和可调数字电位器的VLOGIC端。可调数字电位器D1的SCL端依次串联电阻R5和可调数字电位器的VLOGIC端。可调数字电位器的SDA端依次串联电阻R6和电容C7后接地。可调数字电位器的SCL端依次串联电阻R5和电容C7后接地。

进一步，所述CPU4控制所述可调数字电位器D1的控制接口(IIC总线接口)SCL的输出信号FAN_SCL，所述CPU4控制所述可调数字电位器D1的控制接口SDA的输出信号FAN_SDA,从而使所述可调数字电位器D1的W端输出可调电压。所述可调数字电位器D1的W端输出POWER_FAN信号。所述可调数字电位器D1的W端接所述风扇电源8的正极。所述可调数字电位器D1用于调节所述风扇8的转速。

进一步，电阻R5为10000欧姆的电阻。电阻R6为10000欧姆的电阻。电容C7容量为0.1微法。

进一步，电容C2、电容C3、电容C4和电容C7均为滤波电容。

实施例4：

参见图4，一种自适应功率控制冷凝除湿方法的软件流程如下：

1)按照图2和图3连接好电路。

2)对气压传感器1、温湿度传感器2、温度传感器3、CPU4、制冷片控制电路5、风扇控制电路6、半导体制冷片7和风扇8进行自检。确认无误后，对上述模块进行初始化。

3)驱动温湿度传感器，采集工作环境的温度和相对湿度数据。

4)利用CPU4对采集到的数据进行分析，并根据已经设定好的对照参数判断当前的工作环境是否需要除湿。

5)如果需要除湿，则根据采集到的温度、相对湿度和气压计算露点值。

进一步，露点指水蒸气开始液化成水时的温度。

6)根据计算得出的露点值，设定半导体制冷片的制冷功率和风扇的转速。

7)利用制冷片控制电路将半导体制冷片的制冷功率调节到设定值。利用风扇控制电路将风扇的转速调节到设定值。

8)开始利用半导体制冷片除湿。

9)除湿过程中，重新检测制冷片温度和工作环境压强，对半导体制冷片的制冷功率和风扇转速进行实时调整，并继续除湿。

10)重复步骤3和步骤4，如果还需要除湿，则重复步骤5至步骤9，如果不再需要除湿，则关闭半导体制冷片和风扇。

实施例5：

自适应功率控制冷凝除湿方法的步骤如下：

1)利用所述气压传感器1实时监测工作环境的大气压力值。

2)利用所述温湿度传感器2实时监测工作环境的温度和湿度值。

3)利用所述温度传感器3实时监测所述半导体制冷片7冷端和热端的温度。

4)所述CPU4接收所述气压传感器1、所述温湿度传感器2和所述温度传感器3中记录的数据。所述CPU4对接收到的数据进行分析和处理。

对数据进行分析处理的主要步骤如下：

4.1)根据测量得到的环境气压值、环境温度值和环境湿度值计算当前环境下的露点温度值。

4.2)从所述温度传感器3中采集到所述半导体制冷片7冷端温度值。将露点温度值和冷端温度值进行比较。如果露点温度值和冷端温度值相等，则执行步骤5。如果露点温度值和冷端温度值不相等，则执行步骤4.3。

4.3)控制所述半导体制冷片7的制冷功率，使得半导体制冷片冷端温度值达到步骤4.1中计算得到的露点温度值。

5)根据所述CPU4分析和处理后的数据，所述CPU4向所述制冷片控制电路5输送一个PWM控制信号。所述制冷片控制电路5控制所述半导体制冷片7电源的开关状态和所述半导体制冷片7的制冷功率。PWM控制信号处于高电平期间，所述制冷片控制电路5导通，使所述半导体制冷片7通电并开始工作。PWM控制信号处于低电平期间，所述制冷片控制电路5闭合，使所述半导体制冷片7停止工作。对PWM控制信号的占空比进行调节，从而调节所述制冷片控制电路5的导通和关断时间。所述制冷片控制电路5的导通和关断时间决定所述半导体制冷片7的平均制冷功率。

6)根据所述CPU4分析和处理后的数据，所述风扇控制电路6控制所述风扇8的开关和风速流量。

所述CPU4向所述风扇控制电路6的输入端E1端子输送一个电平信号。所述电平信号为高电平时，所述风扇控制电路6导通，从而使所述风扇8工作。所述电平信号为低电平时，所述风扇控制电路6关断，从而使所述风扇8停止工作。

所述CPU4通过所述风扇控制电路6中可调数字电位器D1的控制接口SCL和控制接口SDA来控制所述可调电位器D1的阻值。所述风扇控制电路6通过所述可调数字电位器D1的阻值分压来获得所述风扇8的工作电压，从而控制所述风扇8的转速。所述风扇控制电路6通过所述可调数字电位器D1的阻值分压来获得所述风扇8的工作电压，从而调节所述风扇8流量。

7)所述半导体制冷片7对工作环境进行制冷吸热。

进一步，所述半导体制冷片7是可以通过高精度的温度控制的一种电流换能型片件。所述半导体制冷片7容易被遥控、程控或者计算机控。

8)所述风扇8通过对工作环境的空气进行循环引流，将潮湿空气送入所述半导体制冷片7的冷端。当潮湿空气的温度急剧降低时，潮湿空气中的水蒸气会饱和凝露，并将空气中的水分析出，从而达到对工作环境除湿的效果。

进一步，所述半导体制冷片7的热惯性小，制冷制热时间快，除湿效率高、能耗小。

Claims (5)

1.一种自适应功率控制冷凝除湿方法，其特征在于，需要的模块主要包括气压传感器（1）、温湿度传感器（2）、温度传感器（3）、CPU（4）、制冷片控制电路（5）、风扇控制电路（6）、半导体制冷片（7）和风扇（8）；

自适应功率控制冷凝除湿方法的步骤如下：

1）利用所述气压传感器（1）实时监测工作环境的大气压力值；

2）利用所述温湿度传感器（2）实时监测工作环境的温度和湿度值；

3）利用所述温度传感器（3）实时监测所述半导体制冷片（7）冷端温度和热端温度；

4）所述CPU（4）接收所述气压传感器（1）、所述温湿度传感器（2）和所述温度传感器（3）中记录的数据；所述CPU（4）对接收到的数据进行分析和处理；

对数据进行分析和处理的主要步骤如下：

4.1）根据测量得到的环境的大气压力值、环境温度值和环境湿度值计算当前环境下的露点温度值；

4.2）从所述温度传感器（3）中采集到所述半导体制冷片（7）冷端温度值；将露点温度值和冷端温度值进行比较；如果露点温度值和冷端温度值相等，则执行步骤5）；如果露点温度值和冷端温度值不相等，则执行步骤4.3）；

4.3）控制所述半导体制冷片（7）的制冷功率，使得半导体制冷片冷端温度值达到步骤4.1）中计算得到的露点温度值；

5）根据所述CPU（4）分析和处理后的数据，所述CPU（4）向所述制冷片控制电路（5）输送一个PWM控制信号；所述制冷片控制电路（5）控制所述半导体制冷片（7）电源的开关状态和所述半导体制冷片（7）的制冷功率；PWM控制信号处于高电平期间，所述制冷片控制电路（5）导通，使所述半导体制冷片（7）通电并开始工作； PWM控制信号处于低电平期间，所述制冷片控制电路（5）关断，使所述半导体制冷片（7）停止工作；对PWM控制信号的占空比进行调节，从而调节所述制冷片控制电路（5）的导通和关断时间；所述制冷片控制电路（5）的导通和关断时间决定所述半导体制冷片（7）的平均制冷功率；

所述制冷片控制电路（5）的电路结构如下：

所述PWM控制信号的输入端A1端子依次串联电阻R7和电阻R8后接地；电源输入端A1端子依次串联电阻R7和三极管V3的基极；

三极管V3的发射极接地；三极管V3的集电极串联PMOS管Q2的G极；三极管V3的集电极串联电阻R9的B1端子；

电阻R9的B2端子串联二极管V4的负极；二极管V4的正极串联PMOS管Q2的D极；二极管V4的正极串联电容C6后接地；

电阻R9的B2端子串联PMOS管Q2的S极；电阻R9的B2端子依次串联电容C5、电阻R10和PMOS管Q2的D极；电阻R9的B2端子依次串联电容C5、电阻R10和电容C6后接地；

6）根据所述CPU（4）分析和处理后的数据，所述风扇控制电路（6）控制所述风扇（8）的开关和风速流量；

所述CPU（4）向所述风扇控制电路（6）的输入端E1端子输送一个电平信号；所述电平信号为高电平时，所述风扇控制电路（6）导通，从而使所述风扇（8）工作；所述电平信号为低电平时，所述风扇控制电路（6）关断，从而使所述风扇（8）停止工作；

所述CPU（4）通过所述风扇控制电路（6）中可调数字电位器D1的控制接口SCL和控制接口SDA来控制所述可调数字电位器D1的阻值；所述风扇控制电路（6）通过所述可调数字电位器D1的阻值分压来获得所述风扇（8）的工作电压，从而控制所述风扇（8）的转速；所述风扇控制电路（6）通过所述可调数字电位器D1的阻值分压来获得所述风扇（8）的工作电压，从而调节所述风扇（8）流量；

风扇控制电路（6）的电路结构如下：

所述电平信号的输入端E1端子依次串联电阻R1和电阻R2后接地；电源输入端E1端子依次串联电阻R1和三极管V1的基极；

三极管V1的发射极接地；三极管V1的集电极串联PMOS管Q1的G极；三极管V1的集电极串联电阻R3的F1端子；

电阻R3的F2端子串联PMOS管Q1的S极；电阻R3的F2端子串联二极管V2的负极；

二极管V2的正极串联PMOS管Q1的D极；二极管V2的正极串联电容C2后接地；

电阻R3的F2端子依次串联电容C1和电阻R4的H1端子；

电阻R4的H2端子串联PMOS管Q1的D极；电阻R4的H2端子串联电容C2后接地；

电阻R4的H2端子串联电容C3后接地；

电阻R4的H2端子串联电容C4后接地；

电阻R4的H2端子串联可调数字电位器D1的VDD端；

电阻R4的H2端子串联可调数字电位器D1的A端；

可调数字电位器D1调节风扇（8）的转速；

可调数字电位器D1的B端接地；可调数字电位器D1的W端为所述风扇（8）供电；可调数字电位器D1的GND端接地；可调数字电位器D1的AD0端和AD1端串联后接地；可调数字电位器D1的SDA端依次串联电阻R6和可调数字电位器的VLOGIC端；可调数字电位器D1的SCL端依次串联电阻R5和可调数字电位器的VLOGIC端；可调数字电位器的SDA端依次串联电阻R6和电容C7后接地；可调数字电位器的SCL端依次串联电阻R5和电容C7后接地；

7）所述半导体制冷片（7）对工作环境进行制冷吸热；

8）所述风扇（8）通过对工作环境的空气进行循环引流，将潮湿空气送入所述半导体制冷片（7）的冷端；当潮湿空气的温度急剧降低时，潮湿空气中的水蒸气会饱和凝露，并将空气中的水分析出，从而达到对工作环境除湿的效果。

2.根据权利要求1所述的一种方法，其特征在于：

电阻R1为4700欧姆的电阻；

电阻R2为4700欧姆的电阻；

电阻R3为100000欧姆的电阻；

电阻R4为100欧姆的电阻；

电阻R5为10000欧姆的电阻；

电阻R6为10000欧姆的电阻；

电阻R7为4700欧姆的电阻；

电阻R8为4700欧姆的电阻；

电阻R9为100欧姆的电阻；

电阻R10为100欧姆的电阻。

3.根据权利要求1所述的一种方法，其特征在于：电容C1容量为0.1微法；

电容C2容量为10微法；

电容C3容量为10微法；

电容C4容量为0.1微法；

电容C5容量为0.1微法；

电容C6容量为10微法；

电容C7容量为0.1微法。

4.根据权利要求1所述的一种方法，其特征在于：所述三极管V1和所述三极管V3均是NPN型三极管。

5.根据权利要求1所述的一种方法，其特征在于：所述PMOS管Q1和所述PMOS管Q2的型号包括SIS415DET。

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