CN107870736A - 支持大于4gb非线性闪存的方法及装置 - Google Patents

支持大于4gb非线性闪存的方法及装置 Download PDF

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Abstract

本发明实施例提供一种支持大于4GB非线性闪存的方法及装置。该方法包括：将非线性闪存NAND FLASH芯片容量所表示的范围增大到264字节，将NAND FLASH芯片的寻址空间扩大到264；接收第一指令；根据第一指令调用对应的函数，判断第一指令读写的芯片容量范围是否大于第一阈值，并判断第一指令读写的地址位数是否大于第一阈值，第一阈值大于32位；当第一指令读写的芯片容量范围小于等于第一阈值，且第一指令读写的地址位数小于等于第一阈值时，对NAND FLASH芯片进行访存。本发明实施例使得VxWorks系统能够支持大于4GB容量的NAND FLASH芯片，提高了VxWorks系统的存储效率。

Description

支持大于4GB非线性闪存的方法及装置
技术领域
本发明实施例涉及计算机技术领域，尤其涉及一种支持大于4GB非线性闪存的方法及装置。
背景技术
随着技术的发展，对于大容量NAND Flash存储介质的需求越来越大，VxWorks系统中现有驱动只支持页大小为512B的NAND Flash。在现有硬件的基础上迫切需要VxWorks系统能够支持大容量的NAND Flash。
VxWorks中构建NAND Flash的框架都是dosFS+TrueFFS，TrueFFS由核心层(corelayer)和三个功能层组成，该三个功能层为翻译层(translation layer)、MTD层(MTDlayer)和socket层(socket layer)。
VxWorks系统中文件系统dosFS的扇区大小为512B，TrueFFS使用的数据类型是32位，导致VxWorks系统可支持的NAND Flash器件容量较小，降低了VxWorks系统的存储效率。
发明内容
本发明实施例提供一种支持大于4GB非线性闪存的方法及装置，以提高VxWorks系统的存储效率。
本发明实施例的一个方面是提供一种支持大于4GB非线性闪存的方法，包括：
将非线性闪存NAND FLASH芯片容量所表示的范围增大到264字节，将所述NANDFLASH芯片的寻址空间扩大到264；
接收第一指令，所述第一指令为读指令或者写指令；
根据所述第一指令调用对应的函数，判断所述第一指令读写的芯片容量范围是否大于第一阈值，并判断所述第一指令读写的地址位数是否大于第一阈值，所述第一阈值大于32位；
当所述第一指令读写的芯片容量范围小于等于第一阈值，且所述第一指令读写的地址位数小于等于第一阈值时，对所述NAND FLASH芯片进行访存。
本发明实施例的另一个方面是提供一种支持大于4GB非线性闪存的装置，包括：
设置模块，用于将非线性闪存NAND FLASH芯片容量所表示的范围增大到264字节，将所述NAND FLASH芯片的寻址空间扩大到264；
接收模块，用于接收第一指令，所述第一指令为读指令或者写指令；
判断模块，用于根据所述第一指令调用对应的函数，判断所述第一指令读写的芯片容量范围是否大于第一阈值，并判断所述第一指令读写的地址位数是否大于第一阈值，所述第一阈值大于32位；
访存模块，用于当所述第一指令读写的芯片容量范围小于等于第一阈值，且所述第一指令读写的地址位数小于等于第一阈值时，对所述NAND FLASH芯片进行访存。
本发明实施例提供的支持大于4GB非线性闪存的方法及装置，通过将非线性闪存NAND FLASH芯片容量所表示的范围增大到264字节，将所述NANDFLASH芯片的寻址空间扩大到264，使得读指令或者写指令读写的芯片容量范围大于32位，读指令或者写指令读写的地址位数大于32位，使得VxWorks系统能够支持大于4GB容量的NAND FLASH芯片，提高了VxWorks系统的存储效率。
附图说明
图1为本发明实施例提供的支持大于4GB非线性闪存的方法流程图；
图2为本发明实施例提供的支持大于4GB非线性闪存的装置的结构图。
具体实施方式
图1为本发明实施例提供的支持大于4GB非线性闪存的方法流程图。本发明实施例针对VxWorks系统中文件系统dosFS的扇区大小为512B，TrueFFS使用的数据类型是32位，导致VxWorks系统可支持的NAND Flash器件容量较小，降低了VxWorks系统的存储效率，提供了支持大于4GB非线性闪存的方法，在本发明实施例中，VxWorks系统构建NAND Flash的框架为dosFS+TrueFFS，TrueFFS由核心层(core layer)和三个功能层组成，该三个功能层为翻译层(translation layer)、MTD层(MTD layer)和socket层(socket layer)，在VxWorks具有该框架的条件下，VxWorks系统支持大于4GB容量存储介质的方法具体步骤如下：
步骤S101、将非线性闪存NAND FLASH芯片容量所表示的范围增大到264字节，将所述NAND FLASH芯片的寻址空间扩大到264；
在本实施例中，为了实现VxWorks系统支持大于4GB容量的非线性闪存NANDFLASH，需要将非线性闪存NAND FLASH芯片容量所表示的范围增大到264字节，将所述NANDFLASH芯片的寻址空间扩大到264，具体的实现方式可以是：修改tFlash结构体中的chipSize成员的类型，chipSize表示芯片容量，具体的，将tFlash结构体中的芯片容量chipSize成员类型设置为long long类型。另外，当NAND FLASH芯片的地址偏移为32位时，所述NANDFLASH芯片的寻址空间只能是4GB，VxWorks系统无法支持大于4GB容量的非线性闪存NANDFLASH，因此，为了使VxWorks系统支持大于4GB容量的非线性闪存NAND FLASH，还需要修改NAND FLASH芯片的地址偏移的类型，具体的，将所述NAND FLASH芯片的地址偏移的类型设置为unsigned long long类型。
步骤S102、接收第一指令，所述第一指令为读指令或者写指令；
本实施例的执行主体可以是处理器，该处理器运行有用户程序，例如用户赋值文件，读写文件等，以读写文件为例，当处理器运行读写文件时，用户可能会将文件内容进行缓存、保存处理，处理器需要将文件内容存入非线性闪存NAND FLASH，或者，用户可能需要提取出已经存储过的文件内容，处理器需要将文件内容从非线性闪存NAND FLASH中读取出来，相应的，当用户将文件内容进行缓存、保存处理时，处理器接收用户输入的写指令，将文件内容写入非线性闪存NAND FLASH；当用户需要提取出已经存储过的文件内容时，处理器接收用户输入的读指令，并从非线性闪存NAND FLASH中读取文件内容。在本实施例中，读指令或写指令均记为第一指令。
步骤S103、根据所述第一指令调用对应的函数，判断所述第一指令读写的芯片容量范围是否大于第一阈值，并判断所述第一指令读写的地址位数是否大于第一阈值，所述第一阈值大于32位；
当处理器接收到读指令或写指令时，调用对应的函数，例如，处理器接收到读指令，则调用读函数，当处理器接收到写指令，则调用写函数，在本实施例中，处理器读或写的对象可以是NAND FLASH芯片，NAND FLASH芯片容量可以决定处理器读或写的效率。对于NAND FLASH芯片而言，数据的写入或读取是根据地址先寻址，再写入数据或读取数据的，例如，从NAND FLASH芯片读取一个数据，需要先知道该数据存储的地址，从该地址指向的空间获取该数据，地址位数可用于表征该NAND FLASH芯片可存储数据的大小。
为了实现VxWorks系统支持大于4GB容量的非线性闪存NAND FLASH，处理器在接收到读命令或写命令时，需要判断读命令或写命令读写的芯片容量范围是否大于32位，并判断读命令或写命令读写的地址位数是否大于32位。
步骤S104、当所述第一指令读写的芯片容量范围小于等于第一阈值，且所述第一指令读写的地址位数小于等于第一阈值时，对所述NAND FLASH芯片进行访存。
若读命令或写命令读写的芯片容量范围小于等于32位，且判断读命令或写命令读写的地址位数是否小于等于32位，则处理器对NAND FLASH芯片进行访存。
本发明实施例通过将非线性闪存NAND FLASH芯片容量所表示的范围增大到264字节，将所述NAND FLASH芯片的寻址空间扩大到264，使得读指令或者写指令读写的芯片容量范围大于32位，读指令或者写指令读写的地址位数大于32位，使得VxWorks系统能够支持大于4GB容量的NAND FLASH芯片，提高了VxWorks系统的存储效率。
在上述实施例的基础上，还可以将VxWorks系统支持的文件系统dosFS的扇区大小的位数设置为与NAND FLASH芯片的页大小相等的值，该设置可以提高读写效率。
在一些实施例中，在图1所示实施例的基础上，还可以将所述NAND FLASH芯片的驱动所支持的最大容量设置为与所述NAND FLASH芯片实际大小相等的值，所述NAND FLASH芯片实际大小大于4GB。
本发明实施例使得VxWorks系统能够支持大于4GB容量的NAND FLASH芯片，提高了VxWorks系统的存储效率。
图2为本发明实施例提供的支持大于4GB非线性闪存的装置的结构图。该支持大于4GB非线性闪存的装置可以是VxWorks系统中的一个模块，也可以是上述实施例所述的处理器，本发明实施例提供的支持大于4GB非线性闪存的装置可以执行支持大于4GB非线性闪存的方法实施例提供的处理流程，如图2所示，支持大于4GB非线性闪存的装置20包括设置模块21、接收模块22、判断模块23、访存模块24，其中，设置模块21用于将非线性闪存NANDFLASH芯片容量所表示的范围增大到264字节，将所述NAND FLASH芯片的寻址空间扩大到264；接收模块22用于接收第一指令，所述第一指令为读指令或者写指令；判断模块23用于根据所述第一指令调用对应的函数，判断所述第一指令读写的芯片容量范围是否大于第一阈值，并判断所述第一指令读写的地址位数是否大于第一阈值，所述第一阈值大于32位；访存模块24用于当所述第一指令读写的芯片容量范围小于等于第一阈值，且所述第一指令读写的地址位数小于等于第一阈值时，对所述NAND FLASH芯片进行访存。
本发明实施例通过将非线性闪存NAND FLASH芯片容量所表示的范围增大到264字节，将所述NAND FLASH芯片的寻址空间扩大到264，使得读指令或者写指令读写的芯片容量范围大于32位，读指令或者写指令读写的地址位数大于32位，使得VxWorks系统能够支持大于4GB容量的NAND FLASH芯片，提高了VxWorks系统的存储效率。
在上述实施例的基础上，设置模块21还用于将VxWorks系统支持的文件系统dosFS的扇区大小的位数设置为与NAND FLASH芯片的页大小相等的值。
或者，设置模块21还用于将所述NAND FLASH芯片的驱动所支持的最大容量设置为与所述NAND FLASH芯片实际大小相等的值，所述NAND FLASH芯片实际大小大于4GB。
在前述的支持大于4GB非线性闪存的装置的基础上，设置模块21具体用于将结构体中的芯片容量chipSize成员类型设置为long long类型；将所述NAND FLASH芯片的地址偏移的类型设置为unsigned long long类型。
本发明实施例提供的支持大于4GB非线性闪存的装置可以具体用于执行上述图1所提供的方法实施例，具体功能此处不再赘述。
本发明实施例使得VxWorks系统能够支持大于4GB容量的NAND FLASH芯片，提高了VxWorks系统的存储效率。
综上所述，本发明实施例通过将非线性闪存NAND FLASH芯片容量所表示的范围增大到264字节，将所述NAND FLASH芯片的寻址空间扩大到264，使得读指令或者写指令读写的芯片容量范围大于32位，读指令或者写指令读写的地址位数大于32位，使得VxWorks系统能够支持大于4GB容量的NAND FLASH芯片，提高了VxWorks系统的存储效率。
在本发明所提供的几个实施例中，应该理解到，所揭露的装置和方法，可以通过其它的方式实现。例如，以上所描述的装置实施例仅仅是示意性的，例如，所述单元的划分，仅仅为一种逻辑功能划分，实际实现时可以有另外的划分方式，例如多个单元或组件可以结合或者可以集成到另一个系统，或一些特征可以忽略，或不执行。另一点，所显示或讨论的相互之间的耦合或直接耦合或通信连接可以是通过一些接口，装置或单元的间接耦合或通信连接，可以是电性，机械或其它的形式。
所述作为分离部件说明的单元可以是或者也可以不是物理上分开的，作为单元显示的部件可以是或者也可以不是物理单元，即可以位于一个地方，或者也可以分布到多个网络单元上。可以根据实际的需要选择其中的部分或者全部单元来实现本实施例方案的目的。
另外，在本发明各个实施例中的各功能单元可以集成在一个处理单元中，也可以是各个单元单独物理存在，也可以两个或两个以上单元集成在一个单元中。上述集成的单元既可以采用硬件的形式实现，也可以采用硬件加软件功能单元的形式实现。
上述以软件功能单元的形式实现的集成的单元，可以存储在一个计算机可读取存储介质中。上述软件功能单元存储在一个存储介质中，包括若干指令用以使得一台计算机设备(可以是个人计算机，服务器，或者网络设备等)或处理器(processor)执行本发明各个实施例所述方法的部分步骤。而前述的存储介质包括：U盘、移动硬盘、只读存储器(Read-Only Memory，ROM)、随机存取存储器(Random Access Memory，RAM)、磁碟或者光盘等各种可以存储程序代码的介质。
本领域技术人员可以清楚地了解到，为描述的方便和简洁，仅以上述各功能模块的划分进行举例说明，实际应用中，可以根据需要而将上述功能分配由不同的功能模块完成，即将装置的内部结构划分成不同的功能模块，以完成以上描述的全部或者部分功能。上述描述的装置的具体工作过程，可以参考前述方法实施例中的对应过程，在此不再赘述。
最后应说明的是：以上各实施例仅用以说明本发明的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述各实施例对本发明进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分或者全部技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本发明各实施例技术方案的范围。

Claims (8)

1.一种支持大于4GB非线性闪存的方法，其特征在于，应用于VxWorks系统，包括：
将非线性闪存NAND FLASH芯片容量所表示的范围增大到264字节，将所述NAND FLASH芯片的寻址空间扩大到264；
接收第一指令，所述第一指令为读指令或者写指令；
根据所述第一指令调用对应的函数，判断所述第一指令读写的芯片容量范围是否大于第一阈值，并判断所述第一指令读写的地址位数是否大于第一阈值，所述第一阈值大于32位；
当所述第一指令读写的芯片容量范围小于等于第一阈值，且所述第一指令读写的地址位数小于等于第一阈值时，对所述NAND FLASH芯片进行访存。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，还包括：
将VxWorks系统支持的文件系统dosFS的扇区大小的位数设置为与NAND FLASH芯片的页大小相等的值。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，还包括：
将所述NAND FLASH芯片的驱动所支持的最大容量设置为与所述NAND FLASH芯片实际大小相等的值，所述NAND FLASH芯片实际大小大于4GB。
4.根据权利要求1-3任一项所述的方法，其特征在于，所述将非线性闪存NAND FLASH芯片容量所表示的范围增大到264字节，将所述NAND FLASH芯片的寻址空间扩大到264，包括：
将结构体中的芯片容量chipSize成员类型设置为long long类型；
将所述NAND FLASH芯片的地址偏移的类型设置为unsigned long long类型。
5.一种支持大于4GB非线性闪存的装置，其特征在于，包括：
设置模块，用于将非线性闪存NAND FLASH芯片容量所表示的范围增大到264字节，将所述NAND FLASH芯片的寻址空间扩大到264；
接收模块，用于接收第一指令，所述第一指令为读指令或者写指令；
判断模块，用于根据所述第一指令调用对应的函数，判断所述第一指令读写的芯片容量范围是否大于第一阈值，并判断所述第一指令读写的地址位数是否大于第一阈值，所述第一阈值大于32位；
访存模块，用于当所述第一指令读写的芯片容量范围小于等于第一阈值，且所述第一指令读写的地址位数小于等于第一阈值时，对所述NAND FLASH芯片进行访存。
6.根据权利要求5所述的支持大于4GB非线性闪存的装置，其特征在于，所述设置模块还用于将VxWorks系统支持的文件系统dosFS的扇区大小的位数设置为与NAND FLASH芯片的页大小相等的值。
7.根据权利要求5所述的支持大于4GB非线性闪存的装置，其特征在于，所述设置模块还用于将所述NAND FLASH芯片的驱动所支持的最大容量设置为与所述NAND FLASH芯片实际大小相等的值，所述NAND FLASH芯片实际大小大于4GB。
8.根据权利要求5-7任一项所述的支持大于4GB非线性闪存的装置，其特征在于，所述设置模块具体用于将结构体中的芯片容量chipSize成员类型设置为long long类型；将所述NAND FLASH芯片的地址偏移的类型设置为unsigned long long类型。
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