CN107834990A - 一种新型石英晶片 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及一种新型石英晶片。本发明：一种新型石英晶片，其特征在于，包括晶片基板、电极、镂空圆孔A和镂空圆孔B，所述的晶片基板上表面镀有所述的电极，所述的电极为镀金属膜电极，所述的晶片基板右上角均匀开设有镂空圆孔A，所述的镂空圆孔A上镀有所述的电极，所述的晶片基板右下角均匀开设有镂空圆孔B。本发明采用在增设了镂空圆孔的晶片，可以使晶片与银胶结合度更强，从而提高谐振器的频率稳定性，同时也提高的产品的合格率，生产效益高且使用寿命长。
Description
技术领域
本发明涉及石英晶体谐振器晶片技术领域，具体涉及一种新型石英晶片。
背景技术
石英晶体谐振器是利用石英晶体的压电效应而制成的谐振元件，随着科技的发展和生活水平的提高，客户对产品的电性参数、可靠性能要求越来越高。行业竞争日益激烈，制造更高可靠性谐振器是产业必要的趋势。
石英晶体谐振器的石英晶片通过导电胶固定在基座上，就目前通过导电胶直接粘固得到的石英晶体谐振器，因晶片与导电胶的粘合度不高，使得最终得到的石英晶体谐振器其频率稳定性较差，合格率较低。
发明内容
本发明的目的在于克服现有技术的不足，提供一种参数稳定、可靠性更强的新型石英晶体。
本发明的目的是通过以下技术方案来实现的：一种新型石英晶片，其特征在于，包括晶片基板、电极、镂空圆孔A和镂空圆孔B，所述的晶片基板上表面镀有所述的电极，所述的电极为镀金属膜电极，所述的晶片基板右上角均匀开设有镂空圆孔A，所述的镂空圆孔A上镀有所述的电极，所述的晶片基板右下角均匀开设有镂空圆孔B。
进一步地，所述的电极由从下往上依次为镀铬膜层、镀银膜层和镀金膜层组成。
进一步地，所述的镂空圆孔A和镂空圆孔B是通过激光刻蚀的方法制成，呈有序排列，所述的镂空圆孔A和镂空圆孔B的直径均为8~12um。
进一步地，所述的晶体基板还包括寄生抑制点，所述的寄生抑制点设置在晶片基板两侧，所述的寄生抑制点关于所述晶片基板中心轴线对称布置，所述的寄生抑制点的直径为10mm。
本发明的有益效果是：采用在增设了镂空圆孔的晶片，可以使晶片与银胶结合度更强，从而提高谐振器的频率稳定性，同时也提高的产品的合格率，生产效益高且使用寿命长。
附图说明
图1为本发明的结构示意图；
图2为图1的A-A剖视图；
图3为图1的B-B剖视图
图中，1-晶片基板，2-电极，3-寄生抑制点，4-镂空圆孔A，5-镂空圆孔B。
具体实施方式
下面结合具体实施例进一步详细描述本发明的技术方案，但本发明的保护范围不局限于以下所述。
如图1-3所示，一种新型石英晶片，其特征在于，包括晶片基板1、电极2、镂空圆孔A4和镂空圆孔B5，所述的晶片基板1上表面镀有所述的电极2，所述的电极2为镀金属膜电极，所述的晶片基板右上角均匀开设有镂空圆孔A4，所述的镂空圆孔A4上镀有所述的电极2，所述的晶片基板1右下角均匀开设有镂空圆孔B5。
进一步地，所述的电极2由从下往上依次为镀铬膜层、镀银膜层和镀金膜层组成。主电极层采用银膜，吸附层采用铬膜，与传统的重金属膜相比，具有生产成本低、化学性质稳定、频率稳定度高的优点；在银膜上镀设金膜，提高了晶片的的抗老化性能。
进一步地，所述的镂空圆孔A4和镂空圆孔B5是通过激光刻蚀的方法制成，呈有序排列，所述的镂空圆孔A4和镂空圆孔B5的直径均为8~12um。
进一步地，所述的晶体基板1还包括寄生抑制点3，所述的寄生抑制点3设置在晶片基板1两侧，所述的寄生抑制点3关于所述晶片基板1中心轴线对称布置，所述的寄生抑制点3的直径为10mm。所述的寄生抑制点3为含吸有波材料的银胶。在晶体基板1上镀上寄生抑制点3，提高对寄生响应起到抑制的作用，和电参数的一致性。
本发明的制作过程如下：将腐蚀完成的晶体基板1放置在特制的夹具中，然后使用激光刻蚀的方法刻蚀出镂空圆孔A和镂空圆孔B。将增加镂空圆孔A和镂空圆孔B的晶体基板1以不同的速率通过石英晶片多层镀膜机，完成对石英晶体表面铬、银、金膜的镀设，然后寄生抑制点3通过点胶的方式直接点涂在晶体基板1的固定位置。
以上所述仅是本发明的优选实施方式，应当理解本发明并非局限于本文所披露的形式，不应看作是对其他实施例的排除，而可用于各种其他组合、修改和环境，并能够在本文所述构想范围内，通过上述教导或相关领域的技术或知识进行改动。而本领域人员所进行的改动和变化不脱离本发明的精神和范围，则都应在本发明所附权利要求的保护范围内。
Claims (4)
1.一种新型石英晶片，其特征在于，包括晶片基板（1）、电极（2）、镂空圆孔A（4）和镂空圆孔B（5），所述的晶片基板（1）上表面镀有所述的电极（2），所述的电极（2）为镀金属膜电极，所述的晶片基板右上角均匀开设有镂空圆孔A（4），所述的镂空圆孔A（4）上镀有所述的电极（2），所述的晶片基板（1）右下角均匀开设有镂空圆孔B（5）。
2.根据权利要求1所述的一种新型石英晶片，其特征在于，所述的电极（2）由从下往上依次为镀铬膜层、镀银膜层和镀金膜层组成。
3.根据权利要求1所述的一种新型石英晶片，其特征在于，所述的镂空圆孔A（4）和镂空圆孔B（5）是通过激光刻蚀的方法制成，呈有序排列，所述的镂空圆孔A（4）和镂空圆孔B（5）的直径均为8~12um。
4.根据权利要求1所述的一种新型石英晶片，其特征在于，所述的晶体基板（1）还包括寄生抑制点（3），所述的寄生抑制点（3）设置在晶片基板（1）两侧，所述的寄生抑制点（3）关于所述晶片基板（1）中心轴线对称布置，所述的寄生抑制点（3）的直径为10mm。
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Citations (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002076817A (ja) * | 2000-08-25 | 2002-03-15 | Daishinku Corp | 圧電振動デバイス |
| JP2004032556A (ja) * | 2002-06-27 | 2004-01-29 | Kyocera Corp | 水晶発振子 |
| CN101079591A (zh) * | 2007-06-25 | 2007-11-28 | 哈尔滨工程大学 | 石英热敏谐振器 |
| JP2009105776A (ja) * | 2007-10-25 | 2009-05-14 | Nippon Dempa Kogyo Co Ltd | 表面実装用の水晶デバイス |
| CN101895272A (zh) * | 2010-07-12 | 2010-11-24 | 陈新 | 一种抑制石英晶体谐振器寄生响应的方法 |
| CN201717840U (zh) * | 2010-07-12 | 2011-01-19 | 陈新 | 一种能抑制寄生的石英晶体谐振器 |
| CN202085138U (zh) * | 2011-05-18 | 2011-12-21 | 武汉海创电子股份有限公司 | 滤波石英晶体谐振器 |
| CN203101211U (zh) * | 2013-02-28 | 2013-07-31 | 长沙理工大学 | 一种铬基三层金属膜石英晶体微天平传感器 |
| JP2015154371A (ja) * | 2014-02-18 | 2015-08-24 | 京セラクリスタルデバイス株式会社 | 水晶デバイス |
| US20180034442A1 (en) * | 2015-02-26 | 2018-02-01 | Daishinku Corporation | Piezoelectric resonator device |
| CN208079028U (zh) * | 2017-12-26 | 2018-11-09 | 东晶锐康晶体（成都）有限公司 | 一种新型石英晶片 |
-
2017
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Patent Citations (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002076817A (ja) * | 2000-08-25 | 2002-03-15 | Daishinku Corp | 圧電振動デバイス |
| JP2004032556A (ja) * | 2002-06-27 | 2004-01-29 | Kyocera Corp | 水晶発振子 |
| CN101079591A (zh) * | 2007-06-25 | 2007-11-28 | 哈尔滨工程大学 | 石英热敏谐振器 |
| JP2009105776A (ja) * | 2007-10-25 | 2009-05-14 | Nippon Dempa Kogyo Co Ltd | 表面実装用の水晶デバイス |
| CN101895272A (zh) * | 2010-07-12 | 2010-11-24 | 陈新 | 一种抑制石英晶体谐振器寄生响应的方法 |
| CN201717840U (zh) * | 2010-07-12 | 2011-01-19 | 陈新 | 一种能抑制寄生的石英晶体谐振器 |
| CN202085138U (zh) * | 2011-05-18 | 2011-12-21 | 武汉海创电子股份有限公司 | 滤波石英晶体谐振器 |
| CN203101211U (zh) * | 2013-02-28 | 2013-07-31 | 长沙理工大学 | 一种铬基三层金属膜石英晶体微天平传感器 |
| JP2015154371A (ja) * | 2014-02-18 | 2015-08-24 | 京セラクリスタルデバイス株式会社 | 水晶デバイス |
| US20180034442A1 (en) * | 2015-02-26 | 2018-02-01 | Daishinku Corporation | Piezoelectric resonator device |
| CN208079028U (zh) * | 2017-12-26 | 2018-11-09 | 东晶锐康晶体（成都）有限公司 | 一种新型石英晶片 |
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