CN107808926A - 一种基于压电厚膜mems工艺的微能量采集器及其制备方法 - Google Patents
一种基于压电厚膜mems工艺的微能量采集器及其制备方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN107808926A CN107808926A CN201711100012.1A CN201711100012A CN107808926A CN 107808926 A CN107808926 A CN 107808926A CN 201711100012 A CN201711100012 A CN 201711100012A CN 107808926 A CN107808926 A CN 107808926A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- layer
- piezoelectric
- layers
- micro
- electrode
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 title claims abstract description 33
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title claims abstract description 27
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 35
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 35
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims abstract description 35
- NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N novaluron Chemical compound C1=C(Cl)C(OC(F)(F)C(OC(F)(F)F)F)=CC=C1NC(=O)NC(=O)C1=C(F)C=CC=C1F NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 20
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 97
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 66
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims description 33
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 28
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 28
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 claims description 24
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 claims description 24
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 claims description 24
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 claims description 24
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 claims description 24
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims description 17
- VDGJOQCBCPGFFD-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-) silicon(4+) titanium(4+) Chemical compound [Si+4].[O-2].[O-2].[Ti+4] VDGJOQCBCPGFFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 238000001259 photo etching Methods 0.000 claims description 7
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 claims description 7
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 claims description 6
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 5
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 5
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 claims description 5
- 230000005496 eutectics Effects 0.000 claims description 5
- 238000000623 plasma-assisted chemical vapour deposition Methods 0.000 claims description 5
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 claims description 5
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 4
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 238000003698 laser cutting Methods 0.000 claims description 3
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 3
- 238000007747 plating Methods 0.000 claims description 3
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 2
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 15
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 11
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 8
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 5
- 239000010408 film Substances 0.000 description 4
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 4
- 238000013461 design Methods 0.000 description 3
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 3
- 238000004873 anchoring Methods 0.000 description 2
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 2
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 2
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 241001124569 Lycaenidae Species 0.000 description 1
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 238000004377 microelectronic Methods 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 1
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 238000000427 thin-film deposition Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N30/00—Piezoelectric or electrostrictive devices
- H10N30/30—Piezoelectric or electrostrictive devices with mechanical input and electrical output, e.g. functioning as generators or sensors
- H10N30/304—Beam type
- H10N30/306—Cantilevers
-
- H—ELECTRICITY
- H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
- H02N—ELECTRIC MACHINES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H02N2/00—Electric machines in general using piezoelectric effect, electrostriction or magnetostriction
- H02N2/18—Electric machines in general using piezoelectric effect, electrostriction or magnetostriction producing electrical output from mechanical input, e.g. generators
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N30/00—Piezoelectric or electrostrictive devices
- H10N30/01—Manufacture or treatment
- H10N30/03—Assembling devices that include piezoelectric or electrostrictive parts
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N30/00—Piezoelectric or electrostrictive devices
- H10N30/01—Manufacture or treatment
- H10N30/07—Forming of piezoelectric or electrostrictive parts or bodies on an electrical element or another base
- H10N30/072—Forming of piezoelectric or electrostrictive parts or bodies on an electrical element or another base by laminating or bonding of piezoelectric or electrostrictive bodies
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Micromachines (AREA)
Abstract
本发明涉及微能量采集技术领域，且公开了一种基于压电厚膜MEMS工艺的微能量采集器及其制备方法，所述微能量采集器包括上电极、下电极、硅固定基座、压电悬臂梁、质量块；所述压电悬臂梁的一端固定连接在所述硅固定基座的内侧壁上，并向与所述内侧壁相对的另一侧内侧壁延伸；所述压电悬臂梁的另一端固定连接悬空的所述质量块；所述上电极和所述下电极形成于硅固定基座上，且所述压电悬梁臂且所述上电极覆盖在所述压电悬梁臂上。本基于压电厚膜MEMS工艺的微能量采集器及其制备方法具备可以使压电厚膜的压电性能大大提升，也可以制备出压电厚膜，而且可制备器件结构更加的多样化和复杂化更高等优点。
Description
技术领域
本发明涉及微能量采集技术领域，具体为一种基于压电厚膜MEMS工艺的微能量采集器及其制备方法。
背景技术
MEMS(Micro-Electro-Mechanical System，微机电系统)制造工艺是下至纳米尺度，上至毫米尺度微结构加工工艺的通称，广义上的MEMS制造工艺，方式十分丰富，几乎涉及了各种现代加工技术，起源于半导体和微电子工艺，以光刻、外延、薄膜淀积、氧化、扩散、注入、溅射、蒸镀、刻蚀、划片和封装等为基本工艺步骤来制造复杂三维形体的微加工技术。
近年来随着无线传感网络技术的不断发展，其在各个领域都有长足的发展，但是目前对于无线传感节点等器件的电能供电方式上，还是传统的供能方式，即自身携带电源供电，由于自身携带电电源供电电量有限，采用更换电池的方式具有局限性，因此为了减少电子元件电池更换的频率，人们开始致力于在电子元件周围中吸收能量并转换为电能为其供电，而振动能是环境中广泛存在的一种能量，微能量采集器就是收集环境振动能转换为电能给无线传感节点和电子器件供电。
对现有的技术检索发现，P.Janphuang等人在《Vibrational piezoelectricenergy harvesters based on thinned bulk PZT sheets fabricated at the waferlevel》(Sensors and Actuators A:Physical，1April 2014)中提到PZT作为一种压电材料具有很多优点，目前制作PZT薄膜的方法有很多，例如：溅射、外延生长、溶胶凝胶法及丝网印刷等方法，但是这些方法大都存在一些缺点，譬如制作过程需要高温环境会对材料压电性能造成影响，薄膜的厚度受到所用技术限制，材料的均匀性、可靠性等难以保证，重复过程比较困难等等，采用块状PZT可以很好地解决这些问题，因而PZT减薄的技术极其重要，唐刚等人在《Fabrication and analysis of high-performance piezoelectric MEMSgenerators》(JOURNAL OF MICROMECHANICS AND MICROENGINEERING，2012)中将块状PZT与硅衬底键合后减薄制作成悬臂梁结构，其固有频率达到520Hz左右，器件性能得到很大提升，但是由于压电层制作在刚性衬底上的，从而限制了器件的固有频率的降低，这就大大缩减了器件的应用范围。
目前对于微能量采集器的设计有很多种类，其中一类就是基于MEMS工艺的压电式能量采集器，该器件的常用结构是压电悬臂梁自由端附着质量块，压电悬臂梁的结构一般是多层堆叠结构，由支撑层、电极层、压电薄膜或者厚膜层组成，现在普遍的基于压电薄膜的微能量采集器的压电层的制备方式是在各类基底(例如：硅、铜)上覆盖一层压电膜，其通常获取压电薄膜采用的方式是sol－gel旋涂工艺或者丝网印刷，但是压电薄膜本身其压电晶体致密性不好，并且存在大量的气孔，导致压电性能不好，而且由于工艺限制，其微能量采集器设计结构比较简单，并且在一个制备流程中只能制备一种结构的微能量采集器，不能实现同时制备多种结构的微能量采集器。
发明内容
(一)解决的技术问题
针对现有技术的不足，本发明提供了一种基于压电厚膜MEMS工艺的微能量采集器及其制备方法，具备压电厚膜压电性能大大提升，而且可制备器件结构的多样化和复杂化更高等优点，解决了传统工艺制备的压电薄膜压电性能不好，且设计结构简单的问题。
(二)技术方案
为实现上述压电厚膜压电性能大大提升，而且可制备器件结构的多样化和复杂化更高的目的，本发明提供如下技术方案：一种基于压电厚膜MEMS工艺的微能量采集器，其特征在于：
所述微能量采集器包括：上电极、下电极、硅固定基座、压电悬臂梁、质量块；
其中，所述压电悬臂梁的一端固定连接在所述硅固定基座的内侧壁上，并向与所述内侧壁相对的另一侧内侧壁延伸；
其中，所述压电悬臂梁的另一端固定连接悬空的所述质量块；
其中，所述上电极和所述下电极形成于硅固定基座上，且所述上电极覆盖在所述压电悬梁臂上。
优选的，所述硅固定基座、压电悬梁臂和质量块均为通过硅片和压电陶瓷片键合、镀膜制备的多层结构。
优选的，压电悬梁臂从下到上依次为：Si层、SiO2层、下电极金属Cu层、PZT层、上电极金属Cu层和SiO2层；硅固定基座和质量块从下到上依次为：SiO2层、Si层、SiO2层、下电极金属Cu层、PZT层、上电极金属Cu层和SiO2层。
优选的，压电悬梁臂从下到上各层的厚度分别为：Si层为150um、SiO2层为500nm、下电极金属Cu层为30.5um、PZT层为65um、上电极金属Cu层为1um，顶层SiO2为500nm；硅固定基座和质量块从下到上各层的厚度分别为：SiO2层为500nm、Si层为500um、SiO2层为500nm、下电极金属Cu层为30.5um、PZT层为65um、上电极金属Cu层为1um、顶层SiO2层为500nm。
优选的，所述硅固定基座的形状为矩形框或者正方形框。
一种如上任一项所述的一种基于压电厚膜MEMS工艺的微能量采集器的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括以下步骤：
1)在二氧化硅片上依次电镀Cu和Sn作为键合层，同时也是下电极层，且二氧化硅片的中间为硅，两侧是二氧化硅；
2)在压电陶瓷片上电镀Cu作为键合层，同时也是下电极层；
3)将做好电镀工艺的压电陶瓷片和二氧化硅片进行共晶键合，之后对键合片机械减薄、研磨并抛光；
4)根据设计好的器件结构图，使用激光切割机划取器件的图形；
5)在键合片上镀金属Cu，作为上电极层；
6)旋涂光刻胶，光刻、显影出器件上电极形状并刻蚀出上电极的形状；
7)使用PECVD生长一定厚度的SiO2介质膜，作为电极的保护层；
8)旋涂光刻胶，光刻、显影出两个电极引线接口并刻蚀出两个电极的引线接口；
9)进行背面深硅刻蚀，完成梁的释放，最终完成器件的制备。
优选的，所述步骤1)具体为：在4英寸二氧化硅片上电镀6um厚度Cu和6.5um厚度Sn做为键合层，同时也是下电极层，其中二氧化硅片的中间为500um厚度的硅，两侧是500nm的二氧化硅；所述步骤2)具体为：在4英寸的压电陶瓷片上电镀6.5um厚度Cu做为键合层，同时也是下电极层；所述步骤5)具体为：在键合片上镀1um厚度的金属Cu，作为上电极层；所述步骤7)具体为：使用PECVD生长500nm厚度的SiO2介质膜，作为电极的保护层。
(三)有益效果
与现有技术相比，本发明提供的基于压电厚膜MEMS工艺的微能量采集器及其制备方法，具备以下有益效果：
1、通过压电陶瓷片与二氧化硅片共晶键合，配合电镀工艺将金属Cu和金属Sn电镀在二氧化硅片和压电陶瓷片上作为电极，可以通过这种方式获得压电厚膜，而且不会产生气泡，相对于压电薄膜，该压电厚膜的压电性能更强。
2、通过激光切割进行器件的图形化，可以实现器件结构的更加多样和复杂，而且可操控性更强。
3、通过键合、电镀和激光切割等制备工艺，使得在同一批次的器件制备中可以同时制备多种结构的器件，可以同时制备不同结构的微能量采集器，使得制备微能量采集器的制备效率更高。
附图说明
图1：为本发明提出的微能源采集器的三维结构图；
图2：为本发明提出的一种基于压电厚膜MEMS工艺的微能量制备的MEMS工艺流程图。
具体实施方式
下面将结合本发明的实施例，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
实施例一：
图1是微能源采集器的三维结构图，包括了：上电极、下电极、硅固定基座、压电悬臂梁、和与压电悬臂梁一端固定连接并悬空的质量块。其中，所述压电悬臂梁的一端固定连接在所述硅固定基座的内侧壁上，并向与所述内侧壁相对的另一侧内侧壁延伸。所述压电悬臂梁的另一端固定连接悬空的所述质量块。所述上电极和所述下电极形成于硅固定基座上，且所述上电极覆盖在所述压电悬梁臂上。
其中压电悬臂梁是通过硅片和压电陶瓷片键合、镀膜制备的多层结构,从下到上依次为:150um厚度的Si层、500nm厚度的SiO2层、30.5um厚度的下电极金属Cu层、65um厚度的PZT层、1um厚度的上电极金属Cu层和500nm厚度的SiO2层。硅固定基底和质量块的结构相同，与压电悬臂梁的结构在于最底层多了一层500nm的SiO2层和在压电悬臂梁是150um厚度的Si层在硅固定基底与质量块中为500um厚度。
器件的工作原理是由于周围环境的振动的激励,引起了压电悬臂梁的振动,从而使压电陶瓷发生周期性形变产生电能,基于压电效应实现振动能向电能的转换。
实施例二：
图2是整个器件制备的MEMS工艺流程图，该工艺流程主要包含了金属电极的制作、PZT压电陶瓷与基底的键合、压电厚膜工艺、器件图形化工艺以及悬臂梁的释放工艺，实现了基于压电厚膜MEMS工艺的微能源采集器的制备。具体的工艺流程：
(a)在4英寸二氧化硅片(中间为500um厚度的硅，两侧是500nm的二氧化硅)上电镀6um厚度Cu和6.5um厚度Sn做为键合层，同时也是下电极层；
(b)在4英寸的压电陶瓷片上电镀6.5um厚度Cu做为键合层，同时也是下电极层；
(c)将做好电镀工艺的压电陶瓷片和二氧化硅片进行共晶键合，之后对键合片机械减薄、研磨并抛光；
(d)根据设计好的器件结构图，使用激光切割机划取器件的图形；
(e)在键合片上镀1um厚度的金属Cu，作为上电极层；
(f)旋涂光刻胶，光刻、显影出器件上电极形状并刻蚀出上电极的形状；
(g)使用PECVD生长500nm厚度的SiO2介质膜，作为电极的保护层；
(h)旋涂光刻胶，光刻、显影出上下电极引线接口并刻蚀出上下电极的引线接口；
(i)进行背面深硅刻蚀，完成梁的释放。最终完成器件的制备。
本发明通过压电陶瓷片与二氧化硅片共晶键合，配合电镀工艺将金属Cu和金属Sn电镀在二氧化硅片和压电陶瓷片上作为电极，可以使压电厚膜的厚度更薄，而且不会产生气泡，相对于压电薄膜，该压电厚膜的压电性能更强。
通过激光切割进行器件的图形化，可以实现器件结构的更加多样和复杂，而且可操控性更强。
通过键合、电镀和激光切割等制备工艺，使得在同一批次的器件制备中可以同时制备多种结构的器件，可以同时制备不同结构的微能量采集器，使得制备微能量采集器的制备效率更高，解决了传统工艺制备的压电薄膜压电性能不好，且设计结构简单的问题。
尽管已经示出和描述了本发明的实施例，对于本领域的普通技术人员而言，可以理解在不脱离本发明的原理和精神的情况下可以对这些实施例进行多种变化、修改、替换和变型，本发明的范围由所附权利要求的等同物限定。
Claims (7)
1.一种基于压电厚膜MEMS工艺的微能量采集器，其特征在于：
所述微能量采集器包括：上电极、下电极、硅固定基座、压电悬臂梁、质量块；
其中，所述压电悬臂梁的一端固定连接在所述硅固定基座的内侧壁上，并向与所述内侧壁相对的另一侧内侧壁延伸；
其中，所述压电悬臂梁的另一端固定连接悬空的所述质量块；
其中，所述上电极和所述下电极形成于硅固定基座上，且所述上电极覆盖在所述压电悬梁臂上。
2.根据权利要求1所述的一种基于压电厚膜MEMS工艺的微能量采集器，其特征在于：所述硅固定基座、压电悬梁臂和质量块均为通过硅片和压电陶瓷片键合、镀膜制备的多层结构。
3.根据权利要求2所述的一种基于压电厚膜MEMS工艺的微能量采集器，其特征在于：
压电悬梁臂从下到上依次为：Si层、SiO2层、下电极金属Cu层、PZT层、上电极金属Cu层和SiO2层；
硅固定基座和质量块从下到上依次为：SiO2层、Si层、SiO2层、下电极金属Cu层、PZT层、上电极金属Cu层和SiO2层。
4.根据权利要求3所述的一种基于压电厚膜MEMS工艺的微能量采集器，其特征在于：
压电悬梁臂从下到上各层的厚度分别为：Si层为150um、SiO2层为500nm、下电极金属Cu层为30.5um、PZT层为65um、上电极金属Cu层为1um，顶层SiO2为500nm；
硅固定基座和质量块从下到上各层的厚度分别为：SiO2层为500nm、Si层为500um、SiO2层为500nm、下电极金属Cu层为30.5um、PZT层为65um、上电极金属Cu层为1um、顶层SiO2层为500nm。
5.根据权利要求1所述的一种基于压电厚膜MEMS工艺的微能量采集器，其特征在于：所述硅固定基座的形状为矩形框或者正方形框。
6.一种权利要求1-5中任一项所述的一种基于压电厚膜MEMS工艺的微能量采集器的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括以下步骤：
1)在二氧化硅片上依次电镀Cu和Sn作为键合层，同时也是下电极层，且二氧化硅片的中间为硅，两侧是二氧化硅；
2)在压电陶瓷片上电镀Cu作为键合层，同时也是下电极层；
3)将做好电镀工艺的压电陶瓷片和二氧化硅片进行共晶键合，之后对键合片机械减薄、研磨并抛光；
4)根据设计好的器件结构图，使用激光切割机划取器件的图形；
5)在键合片上镀金属Cu，作为上电极层；
6)旋涂光刻胶，光刻、显影出器件上电极形状并刻蚀出上电极的形状；
7)使用PECVD生长一定厚度的SiO2介质膜，作为电极的保护层；
8)旋涂光刻胶，光刻、显影出两个电极引线接口并刻蚀出两个电极的引线接口；
9)进行背面深硅刻蚀，完成梁的释放，最终完成器件的制备。
7.根据权利要求6所述的基于压电厚膜MEMS工艺的微能量采集器的制备方法，其特征在于：
所述步骤1)具体为：在4英寸二氧化硅片上电镀6um厚度Cu和6.5um厚度Sn做为键合层，同时也是下电极层，其中二氧化硅片的中间为500um厚度的硅，两侧是500nm的二氧化硅；
所述步骤2)具体为：在4英寸的压电陶瓷片上电镀6.5um厚度Cu做为键合层，同时也是下电极层；
所述步骤5)具体为：在键合片上镀1um厚度的金属Cu，作为上电极层；
所述步骤7)具体为：使用PECVD生长500nm厚度的SiO2介质膜，作为电极的保护层。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201711100012.1A CN107808926B (zh) | 2017-11-09 | 2017-11-09 | 一种基于压电厚膜mems工艺的微能量采集器及其制备方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201711100012.1A CN107808926B (zh) | 2017-11-09 | 2017-11-09 | 一种基于压电厚膜mems工艺的微能量采集器及其制备方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN107808926A true CN107808926A (zh) | 2018-03-16 |
| CN107808926B CN107808926B (zh) | 2020-06-12 |
Family
ID=61591338
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201711100012.1A Active CN107808926B (zh) | 2017-11-09 | 2017-11-09 | 一种基于压电厚膜mems工艺的微能量采集器及其制备方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN107808926B (zh) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN109773426A (zh) * | 2019-01-26 | 2019-05-21 | 东莞市奕东电子有限公司 | 一种新型新能源动力电池键合片加工工艺 |
| CN110299869A (zh) * | 2019-06-28 | 2019-10-01 | 青岛黄海学院 | 一种适用于可穿戴导盲器中的自供电电源 |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101944860A (zh) * | 2010-09-11 | 2011-01-12 | 上海交通大学 | 压电悬臂梁振动能量采集器及其制备方法 |
| US20130088123A1 (en) * | 2011-10-06 | 2013-04-11 | Texas Instruments Incorporated | Soft mechanical stops to limit over-travel of proof masses in cantilevered piezoelectric devices |
| CN105186922A (zh) * | 2015-10-27 | 2015-12-23 | 南昌工程学院 | 压电-摩擦电复合式mems宽频能量采集器及其制备方法 |
| CN106252501A (zh) * | 2016-08-10 | 2016-12-21 | 上海交通大学 | 一种基于柔性衬底上的压电厚膜及其制备方法 |
| US20170288576A1 (en) * | 2013-07-05 | 2017-10-05 | Texas Instruments Incorporated | Self-powered piezoelectric energy harvesting microsystem |
-
2017
- 2017-11-09 CN CN201711100012.1A patent/CN107808926B/zh active Active
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101944860A (zh) * | 2010-09-11 | 2011-01-12 | 上海交通大学 | 压电悬臂梁振动能量采集器及其制备方法 |
| US20130088123A1 (en) * | 2011-10-06 | 2013-04-11 | Texas Instruments Incorporated | Soft mechanical stops to limit over-travel of proof masses in cantilevered piezoelectric devices |
| US20170288576A1 (en) * | 2013-07-05 | 2017-10-05 | Texas Instruments Incorporated | Self-powered piezoelectric energy harvesting microsystem |
| CN105186922A (zh) * | 2015-10-27 | 2015-12-23 | 南昌工程学院 | 压电-摩擦电复合式mems宽频能量采集器及其制备方法 |
| CN106252501A (zh) * | 2016-08-10 | 2016-12-21 | 上海交通大学 | 一种基于柔性衬底上的压电厚膜及其制备方法 |
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| HUICONG LIU等: "Piezoelectric MEMS Energy Harvester for Low-Frequency Vibrations With Wideband Operation Range and Steadily Increased Output Power", 《JOURNAL OF MICROELECTROMECHANICAL SYSTEMS》 * |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN109773426A (zh) * | 2019-01-26 | 2019-05-21 | 东莞市奕东电子有限公司 | 一种新型新能源动力电池键合片加工工艺 |
| CN110299869A (zh) * | 2019-06-28 | 2019-10-01 | 青岛黄海学院 | 一种适用于可穿戴导盲器中的自供电电源 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN107808926B (zh) | 2020-06-12 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN101944860B (zh) | 压电悬臂梁振动能量采集器及其制备方法 | |
| CN101860262B (zh) | 压电双晶片式mems能量采集器及其制备方法 | |
| CN102570902B (zh) | 一种压电-静电复合式微机械振动能量收集器及制造方法 | |
| CN108923766A (zh) | 具有改进的腔体的单晶压电射频谐振器和滤波器 | |
| CN102509844B (zh) | 一种微机械圆盘谐振器及制作方法 | |
| CN108254106B (zh) | 一种硅硅玻璃硅四层结构谐振式mems压力传感器制备方法 | |
| CN103840075B (zh) | 微型压电振动能量收集器及其制造方法 | |
| CN109238518A (zh) | 微小极间距电容式力敏传感器及其制造方法 | |
| CN103036477B (zh) | 基于柔性聚合物压电材料的多模态复合式能量采集器 | |
| CN109724721A (zh) | 无引线封装的SiC高温压力传感器及其制造方法 | |
| CN106301071A (zh) | 低频压电式mems振动能量采集器及其制备方法 | |
| CN108155831A (zh) | 一种用于采集风能的压电-摩擦电复合型能量采集器 | |
| CN103420326B (zh) | 一种mems压电能量收集器件及其制备方法 | |
| CN107808926A (zh) | 一种基于压电厚膜mems工艺的微能量采集器及其制备方法 | |
| CN106252501A (zh) | 一种基于柔性衬底上的压电厚膜及其制备方法 | |
| CN107947633B (zh) | 压电-电磁复合式振动能量收集器及其制备方法 | |
| CN102931340A (zh) | 宽频带微型压电振动能量收集器及其制作方法 | |
| Dong et al. | Design, fabrication, and characterization of bimorph micromachined harvester with asymmetrical PZT films | |
| CN107623067A (zh) | 一种便携式高纵横比层间连接的微型垂直结构热电器件及其制备方法 | |
| CN107947636B (zh) | 六维压电式能量收集器及其制作方法 | |
| CN107947521B (zh) | 一种电磁式振动能量收集器及其制备方法 | |
| CN102255042A (zh) | 一种双压电陶瓷基片俘能器及其制备方法 | |
| WO2018227308A1 (en) | Inertial devices with wafer-level integration of higher density proof masses and method of manufacturing | |
| KR101526254B1 (ko) | 진동 발전 디바이스 및 그 제조 방법 | |
| CN102544349A (zh) | 基于pmnt压电单晶的mems宽频振动能量采集器及制备方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant |