CN107800279B - 用于功率连接的低电流控制的方法和装置 - Google Patents

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Abstract

本申请公开用于功率连接的低电流控制的方法和装置。所描述的示例包括具有第一电流源(522)的控制器(图5，500)。第一电流源具有耦合到开关(502)的控制端子的输出端子。第二电流源(540)具有耦合到开关(502)的控制端子的输出端子。当控制端子上的电压低于阈值时，第二电流源向控制端子提供电流。根据另一个示例，开关(502)是场效应晶体管。在另一个示例中，第一电流源(522)由电荷泵驱动。

Description

用于功率连接的低电流控制的方法和装置
相关申请
本申请要求根据35U.S.C.§119(e)于2016年9月7日提交的题为“METHODS ANDAPPARATUS FOR LOW CURRENT CONTROL FOR A POWER CONNECTION”，发明人为K GanapathiShankar的共同拥有的美国临时专利申请序列No.62/384,558的优先权的权益，所述申请的全部内容通过引用并入本文。
技术领域
本申请总体涉及电源控制电路，并且特别涉及当电路连接到电源时用于控制所施加的功率的电路。
背景技术
电子熔丝(“电子熔断器”)电路控制将电路连接到电源的一系列功率晶体管。例如，电路板可以从总线获得其功率。当电路板插入总线插座时，总线插座中的触点将电路板连接到电源。除了其他功能之外，电子熔丝控制如何在对电路板加电时施加功率。电子熔丝通常具有以下基本控制：
a、在初始加电期间软启动(“dv/dt控制”)，其中被供应到功率晶体管的栅极的电压和电流以用户设置斜率斜升，使得输出电压缓慢斜升。
b、电流限制控制，其中监测功率晶体管电流并将其与用户设置电流极限进行比较。如果电流超过设置极限，则电子熔丝通过控制功率晶体管的栅极来尝试限制电流。
c、过电压保护：在其中监测输入并且将其与设置基准进行比较的情况下进行的保护。如果电压超过所述基准，则将功率晶体管的栅极拉至零从而断开功率晶体管。
在示例应用中，功率晶体管具有耦合到电压源的漏极端子以及耦合到负载的源极端子。功率晶体管的栅极需要处于足够的电压下以接通功率晶体管，以向输出端(Vout)提供电源电压电平。为了接通典型的功率晶体管，栅极电压必须超过源极电压一阈值电压。因为晶体管具有低接通电阻(Rdson)，所以源级电压大约为输入电压，使得输出电压近似等于输入电压。因此，为了接通功率晶体管，施加到功率晶体管的栅极的电压必须高于由输入电源(Vin)提供的电压，所述输入电源提供的电压通常是可用的最高电压电平。电荷泵通常需要在功率晶体管的栅极端子提供更高的电压。然而，电荷泵非常地低效并且具有大的电流要求。在电荷泵的输出端处仅提供电荷泵使用的功率的约20％。另外，为了提供大电流，电荷泵要求大电容器，这要求非常大的集成电路面积。
发明内容
在所描述的示例中，控制器包括第一电流源，其输出端子耦合到开关的控制端子；以及第二电流源，其输出端子耦合到开关的控制端子，当控制端子上的电压低于阈值时，第二电流源提供电流
附图说明
图1是电子熔丝电路的框图。
图2是另一个电子熔丝电路的框图。
图3是示出功率晶体管的固有电容的电路图。
图4是功率晶体管的驱动和控制电路的电路图。
图5是电路实施例的电路图。
图6A和图6B是图5的电路的操作的曲线图。
图7是另一个电路实施例的电路图。
具体实施方式
除非另外说明，否则不同附图的相应数字和符号通常指相应部分。所述附图不一定按比例绘制。
术语“耦合”可以包括由中间元件形成的连接，并且在“耦合”的任何元件之间可以存在附加元件和各种连接。
图1是电源电路100的图。电源电路100包括电子熔丝电路106，其在电源108和负载110之间耦合。晶体管102用作电源108和负载110之间的开关。控制电路104控制晶体管102，并且确定电源108何时连接到负载110以及控制当连接时从电源108供应多快的功率到负载110。因为控制电路104监测流经晶体管102的电流并且控制栅极来限制电流，所以有时被称为“电子熔丝(e fuse)”电路。
图2是另一个电源电路200的图。类似地，编号的部件执行与电源电路100(图1)的元件类似的功能。例如，晶体管202执行与图1的晶体管102相同的功能。电源电路200与电源电路100(图1)的不同之处在于，负载210是电容性负载。在实践中，大多数负载(诸如负载110(图1)和负载210)是具有大电容部件的复阻抗。
图3是示出功率晶体管302的固有电容的图。电路300是图1和图2中的电源电路100和200的简化版。VCP是电荷泵电压。为了在Vout处通过Vin的电压，晶体管302上的栅极电压必须大于Vout+Vth，其中Vth是晶体管302的栅极到源极阈值电压。在许多情况下，Vin是容易获得的最高电压源。进一步地，在电源电路中，诸如图3中的302的功率开关具有相对低的接通电阻，使得当开关302完全接通时，Vout近似等于Vin。因此，必须使用电荷泵来生成明显大于电源电压Vin的电压VCP。例如，电压VCP可以是Vin+约7伏特。在电源电路300中，电压VCP驱动电流源322以对晶体管302的栅极充电。该电流对寄生电容器320和318进行充电。在正常操作中，电容器320的值是电容器的六到八倍。然而，由电流源322在栅极处看到的电容的值取决于晶体管302的操作区域。在从零启动期间，当源极不跟随晶体管302的栅极时，来自电流源322的电流必须对电容320和318两者进行充电。当栅极电压超过阈值电压Vth时，源极开始跟随栅极(源极跟随器模式)，并且电流必须仅对电容器302进行充电，因为栅极到源极电容器Cgs被栅极端子和源级端子自举(boot strapped)。
图4是被布置耦合到功率晶体管的用于软启动或浪涌电流控制的驱动和控制电路400的图。电路400驱动功率晶体管402的栅极。晶体管402的漏极耦合到电压输入端子412。晶体管402的源极耦合到电压输出端子414。电流源422由电荷泵电路(未示出)提供的高电压VCP驱动。外部引脚436被提供用于dvdt控制。外部电容器438被示出为耦合到引脚436。在替代方案中，外部电容器438可以更换为内部电容器。
在大多数情况下，输出端子414上的电压在加电时增加的斜率被控制。例如，电路400可以控制刀片型计算机中的功率连接。当刀片型计算机插入机架时，将功率施加到所述刀片型计算机。机架背板中的Vin电源引脚供应功率以操作刀片型计算机。输出端Vout上的电压为刀片型计算机上的部件供电。期望使该输出电压Vout逐渐上升以提供刀片型计算机的部件的有序启动，并且避免突然的电压或电流尖峰造成的损坏。在启动时，电路400还控制由诸如图中的电容210的电容负载汲取的浪涌电流。通过选择电容器438的大小并将所述电容器438耦合到dvdt引脚436，这允许对晶体管402的斜升速度进行控制。
仍然参考图4，在启动时，电流源434以由电流源434的电流输出和电容器438的大小确定的速率对电容器438进行充电。运算放大器428的反相输入端处的电压由等式1确定：
Figure BDA0001401131500000041
对等式1进行时间求导得到等式2，这给出启动斜率S：
Figure BDA0001401131500000042
因此，斜率S与电容器438的大小成反比。
运算放大器428的非反相输入端通过电阻器430耦合到功率晶体管402的栅极。电阻器430和432用作分压器，使得运算放大器428的非反相输入端处的电压是晶体管402的栅极处的电压的比例分数。当晶体管402的栅极上的电压高于由电流源434和电容器438设置的期望斜率时，运算放大器428的非反相输入端处的电压高于反相输出端处的电压。响应于输入端处的差异，运算放大器428向晶体管426的栅极提供高输出信号。然后，晶体管426通过级联晶体管424传导由电流源422供应的电流中的一些。该动作将持续直到晶体管402的栅极上的电压的上升降低，使得运算放大器428的正输入端和负输入端两者上的输入相等。从运算放大器428的输出端通过晶体管426的栅极和晶体管424并且通过电阻分压器430和432形成反馈控制回路。
如上所述，在源极开始跟随栅极之后，功率开关402的固有栅极到源极电容420(Cgs)将崩塌。对于晶体管402，当VGS＞Vth+Voverdrive时功率开关402的源极开始跟随栅极，并且然后功率晶体管402进入源极跟随器模式。在电路400中，用于对晶体管402的栅极进行充电的所有电流由电流源422提供。然而，电流源422由电荷泵(图4中未示出)驱动。电荷泵需要大的片上电容器并且效率非常低。电流要求越大，电荷泵变得越大。为了支持以期望的最大斜率对固有栅极电容器418和420两者进行充电所需的电流，由等式(3)确定电流：
I＞Smax×(Cgs+Cgd) [3]
然而，由等式(4)确定栅极电压高于阈值电压Vth之后所需的电流：
I＞Smax×(Cgd) [4]
对于可以用作开关402的大多数垂直功率MOSFET，固有栅极到源极电容Cgs的大小大约是栅极到漏极电容Cgd的大小的六到八倍。因此，为了驱动饱和区域中的晶体管402的栅极，电流源422必须是驱动上述阈值区域中的晶体管402的栅极所需的大小的六到八倍。然而，如上所述，电荷泵在功率和集成电路面积两个方面是非常低效的。电荷泵越大，这些效率越低。
图5是用于电子熔丝电路500的实施例的附图。电路500包括与电路400(图4)的那些部件类似的部件。类似编号的部件执行类似功能。例如，正如图4中用于电路400的电容器438一样，在dvdt引脚536处的电容器538设置用于电路500的期望的接通斜率。由电容器538设置的上升电压被施加到运算放大器528的反相输入端。电阻器530和532提供分压器，所述分压器将晶体管502的栅极上的电压的一部分施加到运算放大器528的非反相输入端。如果运算放大器528感测到晶体管502的栅极上的电压大于由电容器538选择的斜率，则栅极502上的过剩电荷将通过晶体管526和级联晶体管524的反馈控制被排出。
电路500还包括耦合在级联晶体管524的栅极和源极之间的辅助电流源540。辅助电流源540的大小被设计使得满足等式5：
Figure BDA0001401131500000051
其中Smax是电路500支持的最高加电斜率。
因此，辅助电流源540的大小被设置为处理对被标记为520的栅极到源极电容Cgs进行充电所需的较大电流，而电流源522的大小被设置为处理对栅极到漏极电容Cgd进行充电所需的较小电流。由于电流源522提供比现有方法控制器电路中的电流更小的电流，所以较小的电荷泵可以向电流源522供应电压，从而改善功率消耗并减小电荷泵的集成电路面积。
仍然参考图5，当晶体管502的栅极上的电压低于VG-Vth(其中Vth是晶体管524的阈值电压)时，晶体管524在线性工作区域中，并且像小型电阻器那样工作，从而允许来自辅助电流源540的电流沿着路径548流入栅极。在晶体管502的栅极电压上升到高于电压VG-Vth之后，该路径被切断。另外，辅助电流源540被设计为在达到该电压电平之后切断，从而进一步降低功率消耗。
VG被设置为相对低的电压(例如4V)，使得当晶体管502上的栅极电压为高时(例如，25V)，当晶体管524的漏极电压变得高于源极电压时，晶体管524沿着路径548是未导通的。这完成了两个功能。首先，功率晶体管的阈值电压Vt通常为大约2V-3V。将VG设置为约4V导致当晶体管502的栅极电压达到晶体管502的阈值电压时并且因此当电容520(Cgs)崩塌时，路径548大致切断。因此，辅助电流源540仅在需要对电容Cgs进行充电以接通晶体管502时提供电流。
第二，将VG设置在较低的电压处允许针对辅助电流源540、运算放大器528和晶体管526使用五伏特CMOS设计，因为这些部件被晶体管524(以及电阻器530和532)保护免遭较高电压。另外，由于辅助电流源540仅在低于VG-Vth的电压下操作，所以辅助电流源540不要求电荷泵送电平电压，并且因此比电流源522更加有效。因此，辅助电流源540可以提供相对大的电流，但是仍然小并且有效。
在示例实施例中，电流源522、级联晶体管524、辅助电流源540、晶体管526、运算放大器528、电流源534和功率开关502可以在单个集成电路上形成。电容器538可以是如图5所示的外部电容器。在替代示例中，功率开关502可以在一个集成电路中，而其余部件在另一个单独的集成电路上。在进一步的替代方案中，分立部件可以形成电路500的部件中的一些或全部。功率开关502可以使用各种各样的商业可获得的器件来实现，包括背对背功率FET、单功率FET、SOI FET、双极结晶体管(BJT)和机械继电器开关。可以使用垂直FET和横向FET，诸如LDMOS FET。即使在使用单独的集成电路来实现开关和其余部件时，多芯片模块也可以针对单个封装器件中的开关和其余电路系统形成封装件。替代示例包括将电路实现为用于控制单独开关的集成电路。在另一个替代示例中，模块或电路板可以形成实施例并且可以使用分立部件来实现部件。在进一步的替代方案中，实施例可以使用现成的集成电路，诸如逻辑电路、运算放大器和功率器件。
图6A和图6B是图5的电路实施例的操作的曲线图。图6A示出不使用辅助电流源540(图5)的加电阶段。图6B示出使用辅助电流源540的实施例获得的加电阶段。
在图6A中，被标记为“dvdt”的线652是由电容器538的值(图5)建立的斜率。被标记为“Gatefb”的线654是运算放大器528(图5)的非反相输入端处的栅极反馈电压。线656是从端子512到端子514(图5)的电流。这示出来自连接到Vout的(多个)电容性负载的初始充电的浪涌电流。线658是Vout上的电压。
理想地，线654应该追随线652。然而，在图6A的示例中，电流源522(图5)不具有以期望的斜率对Cgs电容520和Cgd电容518(图5)两者进行充电的能力。因此，线654滞后于线652，直到达到晶体管502(图5)的阈值电压。晶体管502(图5)开始导通的点是其中晶体管502的栅极上的电压达到其阈值电压Vth。在该点处，运算放大器528的非反相输入端上的电压由等式[6]确定：
Figure BDA0001401131500000071
该点也在图6A中被标记出。
仍然参考图6A，当晶体管502(图5)的栅极达到Vth时，固有栅极到源极电容520(Cgs)崩塌，并且电流源522必须仅对电容518(Cgd，图5)进行充电。通过观察线654可以看出，这允许Gatefb快速恢复到dvdt电平。然而，在线656中的峰值看出，在恢复时期期间，栅极到源极电容(Cgs)的崩塌与由电流源522(图5)驱动的低得多的电容的组合导致浪涌电流的尖峰。该尖峰是不期望的，这出于许多原因，但最重要的是电路损坏的可能性。如线656所示，当功率开关502(图5)的栅极上的电压达到期望斜率652时，图5的电路系统的反馈机制在初始尖峰之后重新获得控制并强制浪涌电流进入平稳状态。如图6A的右侧处的线656所示，在足够的浪涌电流已经将端子514(图5)上的负载的电容充电到大约Vin(即Vout＝Vin)之后，浪涌电流变为接近零。
图6B示出使用图5中的辅助电流源540的实施例的加电阶段。被标记为“dvdt”的线662是由电容器538的值(图5)建立的斜率。被标记为“Gatefb”的线664是运算放大器528(图5)的非反相输入端处的栅极反馈电压。线665是从端子512到端子514(图5)的电流。线665示出来自连接到Vout的电容性负载的初始充电的浪涌电流。线668是Vout上的电压。由于辅助电流源540提供的附加电流，如线664所示的Gatefb非常紧密地追随线662的期望斜率。此外，由于晶体管502(图5)上的栅极电压更紧密地追随期望的输出，所以线665中所示的浪涌电流(比图6A的示例中)更早一些开始。在图6B中，当浪涌电流开始时，由于两个原因，线665中没有不良的尖峰。首先，没有其中Gatefb(线664)远低于dvdt(线662)的“追赶”时期。因此，Gatefb(在运算放大器528的非反相输入端处)和dvdt(在运算放大器528的反相输入端处)非常接近。这意味着运算放大器528(图5)可以非常快速地进行反应，以控制进入晶体管502(图5)的栅极的电流并且切断任何电流尖峰。其次，辅助电流源540(图5)被设计为在晶体管502(图5)的栅极处的电压达到VG-Vth(其中Vth是图5中晶体管524的阈值)之后关闭。辅助电流源540(图5)的电流被设计成匹配对电容520(图5中的Cgs)进行充电所需的电流。因此，电流源522(图5)仅提供对电容528(Cgd，图5)进行充电的电流。如图6中的线668、Vout所示，因为电流源522在电容520(Cgs，图5)的崩塌之前和之后提供对电容528(Cgd，图5)进行充电所需的相同电流，因此电路500提供非常平滑的加电斜率。
图7是另一个替代实施例的图。具有与图5中的部件类似功能的图7中的部件具有类似的附图标记。例如，晶体管702、电流源722、级联晶体管724、晶体管726、运算放大器728、电阻器730、电阻器732、电流源734和电容器738分别执行与电路500(图5)中的晶体管502、电流源522、级联晶体管524、晶体管526、运算放大器528、电阻器530、电阻器532、电流源534和电容器538类似的功能。在图7所示的实施例中，包括辅助电流源740的具体示例实施方式。
辅助电流源740包括以镜像配置的两个p沟道晶体管742和746。电流源744通过晶体管742拉出已知电流。在该示例中，VG被设置为大约4V。该电压电平被选择为晶体管702的阈值电压Vth加上晶体管724的Vth加上额外余量，以保证平滑的操作。如上所述，在启动时，晶体管702的栅极上的电压为零。因此，级联晶体管724的漏极处的电压为零。在该状态下，电压VG使级联724变得导通，从而允许镜像电流748反向流动通过晶体管724至晶体管702的栅极。晶体管742小于晶体管746。因此，由于电流镜效应，与晶体管的尺寸成比例地，通过晶体管746的电流大于通过晶体管742的电流。因此，通过晶体管742的成比例地小电流导致通过晶体管746的成比例地较大电流。当晶体管702的栅极上的电压低于小于晶体管724的阈值电压的VG时，辅助电流源740通过级联晶体管724向晶体管702的栅极提供电流。
由辅助电流源740提供的任何过电流将使得运算放大器728接通晶体管726，这将允许过电流流向地。在晶体管702的栅极电压大于VG-Vth之后，晶体管724将沿着路径748关闭，并且不允许电流在相反方向上流动。
在晶体管702的栅极电压大于VG-Vth之后，晶体管724和746将处于两种状态中的一个。在第一状态中，晶体管726接通以从晶体管702的栅极汲取电流，并且因此控制晶体管702的栅极上的电压。在该状态中，晶体管746的漏极被拉到接近地，因为晶体管726是导通的。流过晶体管746的任何电流将通过晶体管726流向地。
在第二状态中，晶体管726断开。流过晶体管746的电流将持续，直到晶体管724的源极上的电压为VG-(晶体管724的)Vth。此时，晶体管724沿着路径748是未导通的。电流可以流动通过晶体管746，直到晶体管746的漏极接近VＧ。一旦晶体管746的漏极电压达到VG，晶体管746两端没有源极到漏极电压，并且没有电流将流动通过晶体管746。因此，在所有情况下，一旦晶体管702的栅极经过VG-Vth以上，辅助电流源740将不再向晶体管702的栅极提供任何电流。
在示例实施例中，电流源722、级联晶体管724、辅助电流源740、晶体管726、运算放大器728、电流源734和开关702可被实现为单个集成电路。电容器738可以是如图7所示的外部部件。在替代示例中，开关702可以在一个集成电路中，而其余部件在另一个单独的集成电路上。在进一步的替代方案中，分立部件可以形成电路700的部件中的一些或全部。开关702可以是各种各样的商业可获得的器件，包括背对背功率FET、单功率FET、SOIFET、双极结晶体管(BJT)和机械继电器开关。即使在单独的集成电路实现开关和其余部件时，多芯片模块也可以针对单个封装器件中的开关和其余部件形成封装件。替代示例包括将电路实现为用于控制单独开关的集成电路。在另一个替代示例中，模块或电路板可以形成本申请的实施例并且可以使用分立部件来实现部件。在进一步的替代方案中，实施例可以使用现成的集成电路来形成，诸如逻辑电路、运算放大器和功率器件。
在方法中，控制器通过向功率晶体管的控制端子供应第一电流以及向控制端子供应第二电流直到控制端子上的电压大于阈值电压来控制功率开关。第二电流大于第一电流。在进一步的方法中，选择性地控制控制端子上的电压上升率。在另一个示例中，功率开关是功率晶体管。在进一步的示例中，功率晶体管是场效应晶体管。在另一个示例方法中，阈值电压大于功率晶体管的阈值电压。
在所描述的示例中，控制器包括第一电流源，其具有耦合到开关的控制端子的输出端子。第二电流源具有耦合到开关的控制端子的输出端子。当控制端子上的电压低于阈值时，第二电流源提供电流。
在另一个示例中，控制器包括加电控制，以可选择地设置开关的控制端子上的电压的上升率。
在另一个示例中，控制器使用反馈回路控制开关的控制端子上的电压的上升率。
在另一个示例中，第二电流源经由级联晶体管耦合到开关的控制端子。
在另一个示例中，第一电流源由自举电压源驱动。
在另一个示例中，开关是晶体管并且晶体管的第一电流处理端子耦合到电压源，所述电压源在控制器的控制下被提供给晶体管的第二电流处理端子。在另一个示例中，晶体管是场效应晶体管。
在另一个示例中，用于控制第一场效应晶体管的控制器包括具有输出电压的电压速率上升基准，该第一场效应晶体管耦合在具有第一输出电压的电源和所提供的节点之间并且该第一场效应晶体管具有耦合到控制端子的栅极，该输出电压具有可选择的上升率。运算放大器具有耦合到电压速率上升基准的输出电压的反相输出端，并且具有耦合到第二场效应晶体管的栅极的输出端，第二场效应晶体管的源极耦合到基准电位。第三场效应晶体管具有耦合到阈值电位的栅极、耦合到第一场效应晶体管的漏极的源极以及耦合到控制端子的漏极。分压器具有耦合到控制端子的未分压的电压输入以及耦合到运算放大器的非反相输入端的分压的输出。第一电流源耦合在第一电位和控制端子之间。第二电流源耦合在第三场效应晶体管的阈值电位和源极之间。
在另一个示例中，用于控制功率晶体管的控制端子的方法包括：向控制端子供应第一电流以及向控制端子供应第二电流，直到控制端子上的电压大于阈值电压。在另一个示例中，功率晶体管是场效应晶体管。
在所描述的实施例中，修改是可能的，并且在权利要求的范围内其他实施例是可能的。

Claims (12)

1.一种用于控制电源和提供的节点之间的连接的集成电路，其包括：
控制端子，其用于耦合到第一场效应晶体管的栅极，所述第一场效应晶体管具有耦合在所述电源和所述提供的节点之间的电流传导路径；
电压速率上升基准，其具有带有可选择的上升率的输出电压；
运算放大器，其具有耦合到所述电压速率上升基准的所述输出电压的反相输入端，并且具有耦合到第二场效应晶体管的栅极的输出端，所述第二场效应晶体管的源极耦合到基准电位；
第三场效应晶体管，其具有耦合到阈值电位的栅极、耦合到所述第二场效应晶体管的漏极的源极，以及耦合到所述控制端子的漏极；
分压器，其具有耦合到所述控制端子的未分压的电压输入端和耦合到所述运算放大器的非反相输入端的分压的电压输出端；
第一电流源，其耦合在第一电位和所述控制端子之间；以及
第二电流源，其耦合在所述阈值电位和所述第三场效应晶体管的所述源极之间。
2.根据权利要求1所述的集成电路，其中所述第一场效应晶体管在与所述控制端子相同的衬底中形成。
3.根据权利要求1所述的集成电路，其中所述第一场效应晶体管未在与所述控制端子相同的衬底中形成。
4.根据权利要求1所述的集成电路，其中所述第二电流源包括：
第一电流源晶体管，其具有耦合到所述阈值电位的源极和耦合到所述第三场效应晶体管的所述源极的漏极；以及
第二电流源晶体管，其具有耦合到所述阈值电位的源极、耦合到所述第一电流源晶体管的栅极的栅极，以及耦合到所述第二电流源晶体管的所述栅极并且经由固定电流源耦合到所述基准电位的漏极。
5.根据权利要求1所述的集成电路，其中所述第二电流源具有比所述第一电流源更高的电流容量。
6.根据权利要求1所述的集成电路，其中所述第一电流源由电荷泵供应。
7.一种用于控制功率晶体管的控制端子的方法，其包括：
将第一电流从第一电流源供应到功率晶体管的控制端子；以及
将第二电流通过级联晶体管从与所述第一电流源分开的第二电流源供应到所述控制端子，直到所述控制端子上的电压大于阈值电压，所述第二电流大于所述第一电流；以及
通过所述级联晶体管和反馈控制晶体管从所述控制端子排出电荷。
8.根据权利要求7所述的方法，包括选择性地控制所述控制端子上的所述电压的上升率。
9.根据权利要求7所述的方法，其中所述阈值电压大于所述功率晶体管的阈值电压。
10.根据权利要求7所述的方法，其中所述第一电流对所述功率晶体管的栅极到漏极电容充电，并且所述第二电流对所述功率晶体管的栅极到源极电容充电。
11.根据权利要求7所述的方法，包括通过耦合到所述控制端子的反馈回路来控制所述反馈控制晶体管。
12.根据权利要求7所述的方法，包括通过耦合到所述控制端子的反馈回路并且通过控制所述功率晶体管的斜升的电容器来控制所述反馈控制晶体管。
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