CN107768314B - 一种平板弹性压接封装igbt用陶瓷管壳及制备方法 - Google Patents
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- 239000000919 ceramic Substances 0.000 title claims abstract description 54
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 title claims abstract description 21
- 238000002788 crimping Methods 0.000 title claims description 15
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title description 7
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims abstract description 12
- 238000000227 grinding Methods 0.000 claims description 11
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 claims description 10
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 8
- 238000000137 annealing Methods 0.000 claims description 6
- 238000003754 machining Methods 0.000 claims description 5
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 4
- 229910000831 Steel Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims description 3
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims description 3
- 239000010977 jade Substances 0.000 claims description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 3
- 238000003801 milling Methods 0.000 claims description 3
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N nitrogen Substances N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 238000004080 punching Methods 0.000 claims description 3
- 239000010959 steel Substances 0.000 claims description 3
- 238000005259 measurement Methods 0.000 claims 1
- 238000003466 welding Methods 0.000 abstract description 5
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 abstract description 4
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 2
- 238000005493 welding type Methods 0.000 abstract 1
- 230000006835 compression Effects 0.000 description 5
- 238000007906 compression Methods 0.000 description 5
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- 239000000047 product Substances 0.000 description 2
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 238000005219 brazing Methods 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 230000002860 competitive effect Effects 0.000 description 1
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 description 1
- 239000012467 final product Substances 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 238000011031 large-scale manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 description 1
- 238000012858 packaging process Methods 0.000 description 1
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 229910052573 porcelain Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000012216 screening Methods 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
- 230000009466 transformation Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/02—Containers; Seals
- H01L23/04—Containers; Seals characterised by the shape of the container or parts, e.g. caps, walls
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/48—Manufacture or treatment of parts, e.g. containers, prior to assembly of the devices, using processes not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326
- H01L21/4803—Insulating or insulated parts, e.g. mountings, containers, diamond heatsinks
- H01L21/4807—Ceramic parts
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/02—Containers; Seals
- H01L23/06—Containers; Seals characterised by the material of the container or its electrical properties
- H01L23/08—Containers; Seals characterised by the material of the container or its electrical properties the material being an electrical insulator, e.g. glass
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/70—Bipolar devices
- H01L29/72—Transistor-type devices, i.e. able to continuously respond to applied control signals
- H01L29/739—Transistor-type devices, i.e. able to continuously respond to applied control signals controlled by field-effect, e.g. bipolar static induction transistors [BSIT]
- H01L29/7393—Insulated gate bipolar mode transistors, i.e. IGBT; IGT; COMFET
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- Engineering & Computer Science (AREA)
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- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Ceramic Products (AREA)
Abstract
本发明涉及一种平板弹性压接封装IGBT用陶瓷管壳,包含有上盖和陶瓷底座,所述上盖盖置于陶瓷底座上,所述陶瓷底座包含有发射极、发射极密封环、发射极法兰、瓷环和门极引线管,所述发射极密封环内缘同心焊接在发射极的外缘,所述发射极密封环外缘同心焊接在瓷环的下端面,所述发射极法兰同心焊接在瓷环的上端面,所述门极引线管焊接在瓷环的壳壁内,在所述发射极的正面均匀布置有多个分体式台架,每个分体式台架与发射极之间通过弹性接触机构弹性连接。本发明既保持了原有压接式封装双面散热的功能,又可以保证每个芯片通过弹性压接与钼片、集电极、发射极之间接触良好,从根本上解决了原有一体式台架封装时有部分芯片压接不良的问题。
Description
技术领域
本发明涉及一种陶瓷管壳及其制备方法,可以实现IGBT器件的平板弹性压接式封装,属于电力电子技术领域。
背景技术
平板压接式陶瓷封装IGBT具有无焊层、无引线键合、双面散热和失效短路保护的特点,从而具有更低的热阻、更高的工作结温、更低的寄生电感、更宽的安全工作区和更高的可靠性,主要在柔性直流输电中串联应用,同时在应用环境苛刻和可靠性要求高的应用领域也很有竞争优势。
尽管平板压接式陶瓷封装IGBT在性能和可靠性上更具优势,但是要实现数十个IGBT芯片的全面积无死角均匀受力,对工艺的要求极为苛刻,陶瓷管壳作为封装实施的载体,对实现器件性能至关重要,特别是多台架发射极群的加工精度,包括台架整体平面度、台架高度、台架面和散热面平行度等综合差异必须在10μ以内。
而在制备过程中材料应力、切削应力、焊接高温形变、镀层厚度差异等许多环节都会影响其原有设计精度,从而造成封装失败。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是针对上述现有技术的弱点和隐患,提供一种平板弹性压接封装IGBT用陶瓷管壳及制备方法,实现IGBT的平板弹性压接封装。
本发明解决上述问题所采用的技术方案为:一种平板弹性压接封装IGBT用陶瓷管壳,包含有上盖和陶瓷底座,所述上盖盖置于陶瓷底座上,上盖包含有集电极和集电极法兰,集电极法兰同心焊接在集电极的外缘;所述陶瓷底座包含有发射极、发射极密封环、发射极法兰、瓷环和门极引线管,所述发射极密封环内缘同心焊接在发射极的外缘,所述发射极密封环外缘同心焊接在瓷环的下端面,所述发射极法兰同心焊接在瓷环的上端面,所述门极引线管焊接在瓷环的壳壁内,其特征在于:在所述发射极的正面均匀布置有多个分体式台架,每个分体式台架与发射极之间通过弹性接触机构弹性连接。
优选地,所述弹性接触机构包括开设在发射极与分体式台架上的导柱定位孔和弹簧安置腔,一个弹簧安置腔对应两个位于其两侧的导柱定位孔,并且在导柱定位孔和弹簧安置腔内分别设置有导柱和弹簧。
优选地,所述导柱定位孔顶端有足够空间,当分体式台架与发射极紧密压接时,导柱不会顶到定位孔顶端。
一种平板弹性压接封装IGBT用陶瓷管壳的制备方法,所述分体式台架采用无氧铜型材切割而成,所述方法包括以下步骤:
分体式台架切割:合金圆盘铣刀、数控切割、预留厚度0.05-0.1mm;
发射极表面打孔/倒角:加工导柱定位孔和弹簧安置腔,加工中心制作,转速为2500转/min,推进速度为200mm/min,孔倒角0.5×45°,边倒角0.3×45°;
分体式台架精磨:采用行星轮四轴双面精磨,磨料采用500目白钢玉,转速800转/分,磨削量0.05-0.1mm;
分体式台架退火:800℃氢氮混合气氛中保温30分钟,冷却时间不低于1小时,退火后硬度35-40HV;
安装:分体式台架不电镀,通过导柱和弹簧安装在陶瓷底座上。
优选地,分体式台架精磨时每一盘为1个批次,每一个批次分体式台架厚度差异控制在10μm以内,通过进一步测量分级,使分体式台架厚度差异控制在3μm或更小的范围内。
与现有技术相比,本发明的特点在于:
1、避免了一体式台架精雕时产生的切削应力对发射极精度的影响,这常常是导致压接式封装失效的主要原因。
2、既保持了原有压接式封装双面散热的功能,又可以保证每个芯片通过弹性压接与钼片、集电极、发射极之间接触良好,从根本上解决了原有一体式台架封装时有部分芯片压接不良的问题。
3、分体式台架由于在惰性气体保护的密封环境内,因此不需要电镀,这样既可以避免镀层厚度差异对发射极精度的影响,而且裸铜接触电阻更低,器件压降更小,并且通过对分体式台架的分级筛选,可以使台架精度控制在3μm或更小的范围内,这样可以制造出性能更优异、可靠性更高的IGBT器件,为航空、军工等更高要求的应用领域服务。
4、弹性压接封装可以降低各部件的工艺难度,有利于实现规模化生产。
附图说明
图1为本发明的内部结构示意图。
图2为图1中A处的放大图。
图3为图1的俯视图。
其中:
集电极1
陶瓷底座2
集电极1.1
集电极法兰1.2
发射极2.1
发射极密封环2.2
发射极法兰2.3
瓷环2.4
门极引线管2.5
导柱定位孔2.1.1
弹簧安置腔2.1.2
导柱2.1.3
弹簧2.1.4
分体式台架3。
具体实施方式
以下结合实施例对本发明作进一步详细描述。
如图1—3所示,本发明涉及一种平板弹性压接封装IGBT用陶瓷管壳,包含有上盖1和陶瓷底座2,所述上盖1盖置于陶瓷底座2上,上盖1包含有集电极1.1和集电极法兰1.2,集电极法兰1.2同心焊接在集电极1.1的外缘,其制备工艺同普通压接式陶瓷管壳上盖制造工艺相同。
所述陶瓷底座2包含有发射极2.1、发射极密封环2.2、发射极法兰2.3、瓷环2.4和门极引线管2.5。所述发射极密封环2.2内缘同心焊接在发射极2.1的外缘,所述发射极密封环2.2外缘同心焊接在瓷环2.4的下端面,所述发射极法兰2.3同心焊接在瓷环2.4的上端面,所述门极引线管2.5焊接在瓷环2.4的壳壁内。
在所述发射极2.1的正面均匀布置有多个分体式台架3,每个分体式台架3与发射极2.1之间通过弹性接触机构弹性连接。该弹性接触机构包括开设在发射极2.1与分体式台架3上的导柱定位孔2.1.1和弹簧安置腔2.1.2,一个弹簧安置腔2.1.2对应两个位于其两侧的导柱定位孔2.1.1,并且在导柱定位孔2.1.1和弹簧安置腔2.1.2内分别设置有导柱2.1.3和弹簧2.1.4,所述导柱定位孔2.1.1顶端有足够空间,当分体式台架3与发射极2.1紧密压接时,导柱2.1.3不会顶到定位孔顶端。
所述陶瓷底座2除分体式台架3、导柱2.1.3和弹簧2.1.4以外,其发射极2.1表面仅需通过加工中心预打导柱定位孔和弹簧安置腔,其余瓷环加工工艺和瓷环金属化工艺以及法兰、电极、门极引线管钎焊工艺与普通晶闸管陶瓷底座制备工艺相同。
所述分体式台架3采用无氧铜型材切割而成,其工艺流程如下:
切割:合金圆盘铣刀、数控切割、预留厚度0.05-0.1mm,预留的厚度主要是为了后面的精磨预留。
打孔/倒角:加工导柱定位孔和弹簧安置腔,加工中心制作,S=2500,F=200,孔倒角0.5×45°、边倒角0.3×45°,其中S为转头的转速,单位是转/min,F为转头的推进速度,单位是mm/min;
精磨:采用行星轮四轴双面精磨,磨料采用500目白钢玉,转速800转/分,磨削量0.05-0.1mm。每一盘为1个批次,每一个批次分体式台架厚度差异可以控制在10μm以内,通过进一步测量分级,可使分体式台架厚度差异控制在3μm或更小的范围内。
退火:800℃氢氮混合气氛中保温30分钟,冷却时间不低于1小时,退火后硬度35-40HV。
安装:分体式台架不电镀,通过导柱和弹簧安装在陶瓷底座圆盘上,也可在客户处安装。
导柱采用拉挤无氧铜棒,自动断料机断料,直径公差控制在±0.02mm,长度公差控制在±0.2mm。弹簧可根据产品压力要求进行定制式采购。
除上述实施例外,本发明还包括有其他实施方式,凡采用等同变换或者等效替换方式形成的技术方案,均应落入本发明权利要求的保护范围之内。
Claims (4)
1.一种平板弹性压接封装IGBT用陶瓷管壳,包含有上盖和陶瓷底座,所述上盖盖置于陶瓷底座上,上盖包含有集电极和集电极法兰,集电极法兰同心焊接在集电极的外缘;所述陶瓷底座包含有发射极、发射极密封环、发射极法兰、瓷环和门极引线管,所述发射极密封环内缘同心焊接在发射极的外缘,所述发射极密封环外缘同心焊接在瓷环的下端面,所述发射极法兰同心焊接在瓷环的上端面,所述门极引线管焊接在瓷环的壳壁内,其特征在于:在所述发射极的正面均匀布置有多个分体式台架,每个分体式台架与发射极之间通过弹性接触机构弹性连接;
所述弹性接触机构包括开设在发射极与分体式台架上的导柱定位孔和弹簧安置腔,一个弹簧安置腔对应两个位于其两侧的导柱定位孔,并且在导柱定位孔和弹簧安置腔内分别设置有导柱和弹簧。
2.根据权利要求1所述的一种平板弹性压接封装IGBT用陶瓷管壳,其特征在于:所述导柱定位孔顶端有足够空间,当分体式台架与发射极紧密压接时,导柱不会顶到定位孔顶端。
3.一种如权利要求1所述的平板弹性压接封装IGBT用陶瓷管壳的制备方法,其特征在于:所述分体式台架采用无氧铜型材切割而成,所述方法包括以下步骤:
分体式台架切割:合金圆盘铣刀、数控切割、预留厚度0.05-0.1mm;
发射极表面打孔/倒角:加工导柱定位孔和弹簧安置腔,加工中心制作,转速为2500转/min,推进速度为200mm/min,孔倒角0.5×45°,边倒角0.3×45°;
分体式台架精磨:采用行星轮四轴双面精磨,磨料采用500目白钢玉,转速800转/分,磨削量0.05-0.1mm;
分体式台架退火:800℃氢氮混合气氛中保温30分钟,冷却时间不低于1小时,退火后硬度35-40HV;
安装:分体式台架不电镀,通过导柱和弹簧安装在陶瓷底座上。
4.根据权利要求3所述的一种平板弹性压接封装IGBT用陶瓷管壳的制备方法,其特征在于:分体式台架精磨时每一盘为1个批次,每一个批次分体式台架厚度差异控制在10μm以内,通过进一步测量分级,使分体式台架厚度差异控制在3μm或更小的范围内。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201710987752.5A CN107768314B (zh) | 2017-10-21 | 2017-10-21 | 一种平板弹性压接封装igbt用陶瓷管壳及制备方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201710987752.5A CN107768314B (zh) | 2017-10-21 | 2017-10-21 | 一种平板弹性压接封装igbt用陶瓷管壳及制备方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN107768314A CN107768314A (zh) | 2018-03-06 |
CN107768314B true CN107768314B (zh) | 2023-08-22 |
Family
ID=61268465
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201710987752.5A Active CN107768314B (zh) | 2017-10-21 | 2017-10-21 | 一种平板弹性压接封装igbt用陶瓷管壳及制备方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN107768314B (zh) |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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CN109979896B (zh) * | 2019-03-07 | 2021-07-09 | 浙江叶尼塞电气有限公司 | 一种全新igbt模块 |
CN110047806B (zh) * | 2019-05-15 | 2023-12-08 | 江阴市赛英电子股份有限公司 | 一种方形陶瓷管壳及制备工艺 |
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CN111146154A (zh) * | 2019-12-27 | 2020-05-12 | 中国电子科技集团公司第十三研究所 | 可以实现平行封焊自动对位的封装结构及制备方法 |
CN112951926B (zh) * | 2021-01-31 | 2022-10-21 | 中国电子科技集团公司第十三研究所 | 激光探测器用陶瓷外壳、激光探测器及制备方法 |
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-
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- 2017-10-21 CN CN201710987752.5A patent/CN107768314B/zh active Active
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---|---|
CN107768314A (zh) | 2018-03-06 |
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Legal Events
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PB01 | Publication | ||
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SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
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GR01 | Patent grant | ||
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