CN107741665A - 一种液晶面板 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种液晶面板，包括阵列基板，其一侧面设有显示区和非显示区，所述非显示区包括至少一金属导线；彩膜基板，与所述阵列基板相对设置；黑矩阵层，贴附于所述彩膜基板朝向所述阵列基板一侧的表面；沟槽，下凹于所述黑矩阵层朝向所述阵列基板一侧的表面，或贯穿于所述黑矩阵层；每一沟槽与一金属导线相对设置；以及彩膜电极，贴附于所述黑矩阵层朝向所述阵列基板一侧的表面。

Description

一种液晶面板
技术领域
本发明涉及显示器面板等领域，具体为一种液晶面板。
背景技术
TFT-LCD的制作，一般是先分别单独制造阵列基板(Array)和彩膜基板(ColorFilter，CF)，然后再将阵列基板和彩膜基板进行对位成盒(Cell)。
目前广泛应用的VA型(Vertical Alignment)液晶显示，传统制程为阵列基板会制作栅极层、阻挡层、源极层、电极沟道和钝化层，彩膜基板会制作黑矩阵、滤光片和间隔物层。在对位成盒之前，由于液晶配向的需要，要分别在Array基板和CF基板表面涂布PI液(Polyimide)并形成定向膜。
目前PI涂布的方式一般为注入式(inject)，该涂布方式对PI液涂布定位精度控制比较难，加之目前面板设计的边框越来越窄，对PI涂布定位精度的要求越来越高，因此传统的彩膜基板制作都会在面板外围设计一圈PS层，以作为PI液涂布时的挡墙来控制面板外围PI液的位置精度。
随着液晶面板制作工艺的提高，为提高生产效率和提升面板显示质量，有别于传统的制作流程，新工艺制程为阵列基板会制作栅极层、阻挡层、源极层、电极沟道、钝化层、黑矩阵、滤光片、间隔物层、聚苯乙烯(PS)挡墙等，彩膜基板会制作黑矩阵，新工艺制程下彩膜基板不再制作聚苯乙烯挡墙，也就是说彩膜基板外围不再有聚苯乙烯阻挡层控制PI涂覆精度，将会影响面板后续制作流程，更严重的会影响面板正常显示。因此需寻求其他方法来控制彩膜基板的PI液涂布精度。
发明内容
本发明的目的是：提供一种液晶面板，以解决现有工艺加工的液晶面板中的彩膜基板因聚苯乙烯挡墙缺失而导致的PI涂布精度不可控的问题。
实现上述目的的技术方案是：一种液晶面板，包括阵列基板，其一侧面设有显示区和非显示区，所述非显示区包括至少一金属导线；彩膜基板，与所述阵列基板相对设置；黑矩阵层，贴附于所述彩膜基板朝向所述阵列基板一侧的表面；沟槽，下凹于所述黑矩阵层朝向所述阵列基板一侧的表面，或贯穿于所述黑矩阵层；每一沟槽与一金属导线相对设置；以及彩膜电极，贴附于所述黑矩阵层朝向所述阵列基板一侧的表面。
在本发明一较佳的实施例中，所述沟槽设有两条，两条所述沟槽所对应的所述金属导线相邻。
在本发明一较佳的实施例中，至少一条沟槽所对应的金属导线的宽度为所有金属导线中最宽的。
在本发明一较佳的实施例中，所述沟槽在所述阵列基板上的投影范围，小于所述金属导线在所述阵列基板上的投影范围。
在本发明一较佳的实施例中，所述沟槽的横截面的形状为梯形；和/或，所述非显示区的横截面的形状为倒置的梯形。
在本发明一较佳的实施例中，所述非显示区包括栅极层，贴附于所述阵列基板一侧的表面；栅绝缘层，贴附于所述栅极层表面；阻挡层，贴附于所述栅绝缘层表面；以及源极层，贴附于所述阻挡层表面。
在本发明一较佳的实施例中，所述沟槽的宽度与所述源极层的宽度比的范围为60～90％之间。
在本发明一较佳的实施例中，所述的液晶面板还包括钝化层，包覆在所述源极层、所述栅绝缘层、所述阻挡层、所述源极层以及所述阵列基板的表面。
在本发明一较佳的实施例中，所述阻挡层包括非晶硅层，贴附于所述栅绝缘层表面；以及“N”型非晶硅层，贴附于所述非晶硅层表面。
在本发明一较佳的实施例中，所述金属导线包括栅极导线，设于所述阵列基板的栅极层中；以及源极导线，设于所述阵列基板的源极层中。
本发明的优点是：本发明的液晶面板，根据面板新工艺制程下的彩膜基板外围的非显示区设计的特点，在不影响面板显示质量的前提下，重新巧妙地在黑矩阵层上设计沟槽来控制PI液涂布精度，避免聚苯乙烯挡墙缺失后因聚苯乙烯材料的涂布位置精度不可控带来的一系列问题，本液晶面板简单，而且节省材料，节省工艺流程，同时有效的提高了面板的质量以及加工效率。
附图说明
下面结合附图和实施例对本发明作进一步解释。
图1是本发明现有技术中的彩膜基板以及阵列基板结构示意图。
图2是本发明实施例的彩膜基板以及阵列基板结构示意图一。
图3是本发明实施例的彩膜基板以及阵列基板结构示意图二。
其中，
1阵列基板； 2彩膜基板；
11阵列基板本体； 12栅极层；
13栅绝缘层； 14非晶硅层；
15“N”型非晶硅层； 16钝化层；
17显示区； 18非显示区；
19源极层；
22黑矩阵层； 23彩膜电极；
251第一沟槽； 252第二沟槽。
具体实施方式
以下实施例的说明是参考附加的图式，用以例示本发明可用以实施的特定实施例。本发明所提到的方向用语，例如「上」、「下」、「前」、「后」、「左」、「右」、「顶」、「底」等，仅是参考附加图式的方向。因此，使用的方向用语是用以说明及理解本发明，而非用以限制本发明。
如图1所示，液晶面板采用新工艺制程后，彩膜基板2只剩下黑矩阵层(BlackMatrix)，黑矩阵层的作用是遮光，为避免面板外围漏光，在面板外围会全部覆盖黑矩阵层。阵列基板1的非显示区设有多条金属导线，这些金属导线的粗细不一，由于不同金属导线上加载的电压或电流信号通常不同，所以位于同一金属层上的相邻两条金属导线之间需间隔一定的距离。
实施例1，如图2所示，一种液晶面板，包括阵列基板1、彩膜基板2、黑矩阵层22、沟槽、彩膜电极23。
其中，所述阵列基板1的一侧面设有显示区18和非显示区17。非显示区17包括栅极层、栅绝缘层、阻挡层、源极层、金属导线。所述栅绝缘层贴附于所述栅极层表面；所述阻挡层贴附于所述栅绝缘层表面，所述源极层贴附于所述阻挡层表面。所述栅极层和源极层之间由上至下分布有栅绝缘层13以及阻挡层。该阻挡层包括设于所述栅绝缘层13上的非晶硅层14以及“N”型非晶硅层15。其中，钝化层包覆在所述源极层、所述栅绝缘层、所述阻挡层、所述源极层以及所述阵列基板的表面。以使源极导线不容易被氧化。其中，所述栅极层中设有栅极导线，所述源极层中设有源极导线。本实施例中，所述金属导线包括位于所述栅极层中的栅极导线和/或源极层中的源极导线。
其中，所述彩膜基板2与所述阵列基板1相对设置。所述黑矩阵层22贴附于所述彩膜基板2朝向所述阵列基板1一侧的表面。为了实现精确控制PI涂覆效果，所述沟槽下凹于所述黑矩阵层22朝向所述阵列基板1一侧的表面，或贯穿于所述黑矩阵层22；每一沟槽与一金属导线相对设置。所述彩膜电极23贴附于所述黑矩阵层朝向所述阵列基板一侧的表面，而所述栅极层12上的栅极导线和源极层19上的源极导线横向、纵向分布，又由于阵列基板1上金属导线可以遮光，在其对应的彩膜基板2上进行开设沟槽的设计，如此，沟槽同样可以起到控制聚苯乙烯材料覆时精度定位的“挡墙”作用。所述沟槽的宽度与所述源极层的宽度比的范围为60～90％之间，具体宽度可以由设计人员根据非显示区的宽度自行调节，以方便PI涂布及调整阻光效果。
其中，由于所述彩膜基板2与所述阵列基板1相对设置，所述沟槽在设置时，也需与所述阵列基板上1的金属导线相对设置，且所述沟槽在所述阵列基板1上的竖直投影完全落入所述金属导线所在范围内，本实施例中，所述沟槽在所述阵列基板上的投影范围，小于所述金属导线在所述阵列基板上的投影范围。这样就能够使所述配向膜阻挡结构与所述金属导线相互配合，起到聚苯乙烯挡墙的作用。
具体的，所述沟槽包括第一沟槽251，而每一所述第一沟槽251的分布结构与其所对应的一所述金属导线的分布结构对应，因此，每一所述沟槽的在阵列基板上的竖直投影完全落在其所对应的金属导线上。
本实施例中，所述第一沟槽251设置有一条，该第一沟槽251沿非显示区17的外围设置。而第一沟槽251所对应的金属导线选择源极层19中的源极导线。为了增加阻挡效果，该第一沟槽251所对应的金属导线为所有金属导线中最宽的。所述第一沟槽251的横截面的形状为梯形结构和/或所述非显示区的横截面的形状为倒置的梯形，梯形结构这种设计有利于加工设计。
实施例2，本实施例与实施例1的区别在于，如图3所示，鉴于一条所述沟槽的阻挡作用较聚苯乙烯挡墙的作用差，因此可以寻找相隔间距较大或最大的两根相邻金属导线。
其中，在实施例1的基础上增加第二沟槽252。所述第二沟槽252所对应的金属导线选择栅极层12中的栅极导线。这样，所述第一沟槽251和第二沟槽252在聚苯乙烯材料涂布时同时起到阻挡作用。
实施例3，本实施例与实施例1或实施例2的区别在于，所述第一沟槽251所对应的金属导线包括栅极层12中的栅极导线和源极层19中的源极导线。若所述栅极导线和源极导线沿阵列基板板面的横向、水平纵向分布，则所述第一沟槽251在阵列基板1的板面的横向上的投影可以落入在栅极导线上，在阵列基板1的板面的纵向上的投影落入在源导线上。
实施例4，本实施例是实施例2的一个扩展方案，如果在实际加工条件允许的情况下，即不影响各基板性能的情况下，为了增加PI涂覆效果，则可以多选择几条不相邻的金属导线和设计与该金属导线相对应的沟槽来起到聚苯乙烯挡墙的作用。
以上仅为本发明的较佳实施例而已，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。

Claims (10)

1.一种液晶面板，其特征在于，包括
阵列基板，其一侧面设有显示区和非显示区，所述非显示区包括至少一金属导线；
彩膜基板，与所述阵列基板相对设置；
黑矩阵层，贴附于所述彩膜基板朝向所述阵列基板一侧的表面；
沟槽，下凹于所述黑矩阵层朝向所述阵列基板一侧的表面，或贯穿于所述黑矩阵层；每一沟槽与一金属导线相对设置；以及
彩膜电极，贴附于所述黑矩阵层朝向所述阵列基板一侧的表面。
2.根据权利要求1所述的液晶面板，其特征在于，所述沟槽设有两条，两条所述沟槽所对应的所述金属导线相邻。
3.根据权利要求1所述的液晶面板，其特征在于，至少一条沟槽所对应的金属导线的宽度为所有金属导线中最宽的。
4.根据权利要求1所述的液晶面板，其特征在于，所述沟槽在所述阵列基板上的投影范围，小于所述金属导线在所述阵列基板上的投影范围。
5.根据权利要求1所述的液晶面板，其特征在于，
所述沟槽的横截面的形状为梯形；和/或，
所述非显示区的横截面的形状为倒置的梯形。
6.根据权利要求1所述的液晶面板，其特征在于，所述非显示区包括
栅极层，贴附于所述阵列基板一侧的表面；
栅绝缘层，贴附于所述栅极层表面；
阻挡层，贴附于所述栅绝缘层表面；以及
源极层，贴附于所述阻挡层表面。
7.根据权利要求6所述的液晶面板，其特征在于，
所述沟槽的宽度与所述源极层的宽度比的范围为60～90％之间。
8.根据权利要求6所述的液晶面板，其特征在于，还包括
钝化层，包覆在所述源极层、所述栅绝缘层、所述阻挡层、所述源极层以及所述阵列基板的表面。
9.根据权利要求6所述的液晶面板，其特征在于，所述阻挡层包括
非晶硅层，贴附于所述栅绝缘层表面；以及
“N”型非晶硅层，贴附于所述非晶硅层表面。
10.根据权利要求6所述的液晶面板，其特征在于，所述金属导线包括
栅极导线，设于所述阵列基板的栅极层中；以及
源极导线，设于所述阵列基板的源极层中。
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