CN107702802A - 一种检测电机控制器mosfet温度的装置 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种检测电机控制器MOSFET温度的装置,包括若干光学镜头、光纤、光路汇集装置、热成像传感器、MOSFET模块；若干所述光学镜头均匀设置于电机控制器的MOSFET模块各位置，所述光学镜头与电机控制器内部的MOSFET模块对应设置，所述光学镜头通过光纤与光路汇集装置连接，所述热成像传感器与光路汇集装置对应设置。本发明解决了“现有技术中，对电机控制器MOSFET的检测方法一般将温度传感器放置在MOSFET附近通过热传导的形式感应MOSFET的温度，从而测量该位置的温度；而该方式受传感器放置位置影响较大，不能获取MOSFET整体的温度信息”这一问题，能够很好的检测MOSFET模块的温度。
Description
技术领域
本发明属于温度检测领域，涉及一种电机控制器，具体是一种检测电机控制器MOSFET温度的装置。
背景技术
电机控制器电机控制器是通过主动工作来控制电机按照设定的方向、速度、角度、响应时间进行工作的集成电路；在电动车辆中，电机控制器的功能是根据档位、油门、刹车等指令，将动力电池所存储的电能转化为驱动电机所需的电能，来控制电动车辆的启动运行、进退速度、爬坡力度等行驶状态，或者将帮助电动车辆刹车，并将部分刹车能量存储到动力电池中。它是电动车辆的关键零部件之一；
在现有技术中，对电机控制器MOSFET的检测方法一般采取以下方式，将温度传感器放置在MOSFET附近或者放置在MOSFET内部，通过热传导的形式感应MOSFET的温度，传感器将温度信号转换为电信号，传输给使用者，从而测量该位置的温度。
但是现有技术中电机控制器MOSFET的检测方法存在以下问题，受传感器放置位置影响较大，不能获取MOSFET整体的温度信息。为解决上述缺陷，现提供一种解决方案。
发明内容
本发明的目的在于提供一种检测电机控制器MOSFET温度的装置。
本发明的目的可以通过以下技术方案实现：
一种检测电机控制器MOSFET温度的装置，包括若干光学镜头、光纤、光路汇集装置、热成像传感器、MOSFET模块；
其中，若干所述光学镜头均匀设置于电机控制器的MOSFET模块各位置，所述光学镜头与电机控制器内部的MOSFET模块对应设置，所述光学镜头通过光纤与光路汇集装置连接，所述热成像传感器与光路汇集装置对应设置。
进一步地，所述光学镜头用于收集MOSFET模块的热辐射光，并通过光纤将热辐射光传输到光路汇集装置。
进一步地，所述光路汇集装置接收所述光学镜头通过光纤传输的热辐射光并将热辐射光传输到热成像传感器。
进一步地，所述热成像传感器用于将光路汇集装置传输过来的热辐射光转换成温度信息；
所述热成像传感器电连接有数据分析与处理装置，数据分析与处理装置通信连接有比对装置和MCU，所述比对装置与所述MCU通信连接，所述MCU电连接有MOSFET驱动装置、警报装置和显示装置；
其中，所述热成像传感器向所述数据分析与处理装置传输温度信息。
进一步地，所述数据分析与处理装置接收所述热成像传感器传输的温度信息并在温度信息超过阈值时向所述比对装置传输计时命令，所述数据分析与处理装置在温度信息低于阈值时向所述比对装置传输停止命令；
所述数据分析与处理装置向所述MCU传输温度信息；
所述比对装置在接收所述数据分析与处理装置传输的计时命令时自动开始计时并在计时时间达到预设值时向所述MCU传输警报命令；
所述比对装置接收所述数据分析与处理装置传输的停止命令并停止计时。
进一步地，所述MCU接收所述数据分析与处理装置传输的温度信息并自动获取一段时间内的温度信息平均值、最大值和最小值；
所述MCU接收所述比对装置传输的警报命令并向警报装置传输警报命令，所述MCU向所述MOSFET驱动装置传输停止命令；
所述MCU向所述显示装置传输温度信息、温度信息的最大值、最小值、平均值。
进一步地，所述MOSFET接收所述MCU传输的停止命令并自动驱动MOSFET停止工作；
所述警报装置接收所述MCU传输的警报命令并发出警报；
所述显示装置接收所述MCU传输的温度信息、温度信息的最大值、最小值、平均值并进行实时显示。
本发明的有益效果：一种检测电机控制器MOSFET温度的装置，在使用时，通过光学镜头采集MOSFET模块的辐射光并通过光路汇集装置将辐射光汇集，之后再通过热成像传感装置将其转换为温度信息，实现了对MOSFET模块温度的精准测量；从而解决了“现有技术中，对电机控制器MOSFET的检测方法一般采取将温度传感器放置在MOSFET附近或者放置在MOSFET内部，通过热传导的形式感应MOSFET的温度，传感器将温度信号转换为电信号，传输给使用者，从而测量该位置的温度；而该方式受传感器放置位置影响较大，不能获取MOSFET整体的温度信息”这一问题。
附图说明
为了便于本领域技术人员理解，下面结合附图对本发明作进一步的说明。
图1为本发明结构框图；
图2为本发明的系统控制框图。
具体实施方式
如图1-2所示，一种检测电机控制器MOSFET温度的装置,包括若干光学镜头1、光纤2、光路汇集装置3、热成像传感器4、MOSFET模块5；
其中，若干所述光学镜头1均匀设置于电机控制器的MOSFET模块5各位置，所述光学镜头1与电机控制器内部的MOSFET模块5对应设置，所述光学镜头1通过光纤2与光路汇集装置3连接，所述热成像传感器4与光路汇集装置3对应设置。
进一步地，所述光学镜头1用于收集MOSFET模块5的热辐射光，并通过光纤2将热辐射光传输到光路汇集装置3。
进一步地，所述光路汇集装置3接收所述光学镜头1通过光纤2传输的热辐射光并将热辐射光传输到热成像传感器4。
进一步地，所述热成像传感器4用于将光路汇集装置3传输过来的热辐射光转换成温度信息；
所述热成像传感器4电连接有数据分析与处理装置，数据分析与处理装置通信连接有比对装置和MCU，所述比对装置与所述MCU通信连接，所述MCU电连接有MOSFET驱动装置、警报装置和显示装置；
其中，所述热成像传感器4向所述数据分析与处理装置传输温度信息。
进一步地，所述数据分析与处理装置接收所述热成像传感器4传输的温度信息并在温度信息超过阈值时向所述比对装置传输计时命令，所述数据分析与处理装置在温度信息低于阈值时向所述比对装置传输停止命令；
所述数据分析与处理装置向所述MCU传输温度信息；
所述比对装置在接收所述数据分析与处理装置传输的计时命令时自动开始计时并在计时时间达到预设值时向所述MCU传输警报命令；
所述比对装置接收所述数据分析与处理装置传输的停止命令并停止计时。
进一步地，所述MCU接收所述数据分析与处理装置传输的温度信息并自动获取一段时间内的温度信息平均值、最大值和最小值；
所述MCU接收所述比对装置传输的警报命令并向警报装置传输警报命令，所述MCU向所述MOSFET驱动装置传输停止命令；
所述MCU向所述显示装置传输温度信息、温度信息的最大值、最小值、平均值。
进一步地，所述MOSFET接收所述MCU传输的停止命令并自动驱动MOSFET停止工作；
所述警报装置接收所述MCU传输的警报命令并发出警报；
所述显示装置接收所述MCU传输的温度信息、温度信息的最大值、最小值、平均值并进行实时显示。
一种检测电机控制器MOSFET温度的装置，在使用时，通过光学镜头采集MOSFET模块的辐射光并通过光路汇集装置将辐射光汇集，之后再通过热成像传感装置将其转换为温度信息，实现了对MOSFET模块温度的精准测量；从而解决了“现有技术中，对电机控制器MOSFET的检测方法一般采取将温度传感器放置在MOSFET附近或者放置在MOSFET内部，通过热传导的形式感应MOSFET的温度，传感器将温度信号转换为电信号，传输给使用者，从而测量该位置的温度；而该方式受传感器放置位置影响较大，不能获取MOSFET整体的温度信息”这一问题。
以上内容仅仅是对本发明结构所作的举例和说明，所属本技术领域的技术人员对所描述的具体实施例做各种各样的修改或补充或采用类似的方式替代，只要不偏离发明的结构或者超越本权利要求书所定义的范围，均应属于本发明的保护范围。
Claims (7)
1.一种检测电机控制器MOSFET温度的装置,其特征在于，包括若干光学镜头(1)、光纤(2)、光路汇集装置(3)、热成像传感器(4)、MOSFET模块(5)；
其中，若干所述光学镜头(1)均匀设置于电机控制器的MOSFET模块(5)各位置，所述光学镜头(1)与电机控制器内部的MOSFET模块(5)对应设置，所述光学镜头(1)通过光纤(2)与光路汇集装置(3)连接，所述热成像传感器(4)与光路汇集装置(3)对应设置。
2.根据权利要求1所述的一种检测电机控制器MOSFET温度的装置，其特征在于，所述光学镜头(1)用于收集MOSFET模块(5)的热辐射光，并通过光纤(2)将热辐射光传输到光路汇集装置(3)。
3.根据权利要求1所述的一种检测电机控制器MOSFET温度的装置，其特征在于，所述光路汇集装置(3)接收所述光学镜头(1)通过光纤(2)传输的热辐射光并将热辐射光传输到热成像传感器(4)。
4.根据权利要求1所述的一种检测电机控制器MOSFET温度的装置，其特征在于，所述热成像传感器(4)用于将光路汇集装置(3)传输过来的热辐射光转换成温度信息；
所述热成像传感器(4)电连接有数据分析与处理装置，数据分析与处理装置通信连接有比对装置和MCU，所述比对装置与所述MCU通信连接，所述MCU电连接有MOSFET驱动装置、警报装置和显示装置；
其中，所述热成像传感器(4)向所述数据分析与处理装置传输温度信息。
5.根据权利要求4所述的一种检测电机控制器MOSFET温度的装置，其特征在于，所述数据分析与处理装置接收所述热成像传感器(4)传输的温度信息并在温度信息超过阈值时向所述比对装置传输计时命令，所述数据分析与处理装置在温度信息低于阈值时向所述比对装置传输停止命令；
所述数据分析与处理装置向所述MCU传输温度信息；
所述比对装置在接收所述数据分析与处理装置传输的计时命令时自动开始计时并在计时时间达到预设值时向所述MCU传输警报命令；
所述比对装置接收所述数据分析与处理装置传输的停止命令并停止计时。
6.根据权利要求5所述的一种检测电机控制器MOSFET温度的装置，其特征在于，所述MCU接收所述数据分析与处理装置传输的温度信息并自动获取一段时间内的温度信息平均值、最大值和最小值；
所述MCU接收所述比对装置传输的警报命令并向警报装置传输警报命令，所述MCU向所述MOSFET驱动装置传输停止命令；
所述MCU向所述显示装置传输温度信息、温度信息的最大值、最小值、平均值。
7.根据权利要求6所述的一种检测电机控制器MOSFET温度的装置，其特征在于，所述MOSFET接收所述MCU传输的停止命令并自动驱动MOSFET停止工作；
所述警报装置接收所述MCU传输的警报命令并发出警报；
所述显示装置接收所述MCU传输的温度信息、温度信息的最大值、最小值、平均值并进行实时显示。
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