CN107689409A - 发光二极管 - Google Patents

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Abstract

一种发光二极管，包括发光二极管芯片、围设于所述发光二极管芯片周围的第一反射层、覆盖于所述发光二极管芯片之上的第一透光层、第二透光层，所述发光二极管芯片具有一主主出光面及位于所述主主出光面相对一侧的第一电极和第二电极，还包括位于所述第一反射层和第一透光层之间且围设于所述发光二极管芯片之间的第二反射层，所述第二反射层的折射率小于所述第一反射层的折射率，所述第一电极和第二电极的底面外露与所述第一反射层的底面。

Description

发光二极管
技术领域
本发明涉及一种发光二极管，特别涉及一种光指向性强、色温均匀的发光二极管。
背景技术
发光二极管(Light Emitting Diode，LED)是一种可将电流转换成特定波长范围的光电半导体元件。发光二极管以其亮度高、工作电压低、功耗小、易与集成电路匹配、驱动简单、寿命长等优点，从而可作为光源而广泛应用于照明领域。
传统的发光二极管具是通过将发光二极管芯片芯片固定在一基板上，然后在所述发光二极管芯片周缘形成反射杯并在反射杯内填充封装材料及荧光粉来调节发光二极管的出光光效，甚至会在发光二极管封装结构上的设置透镜来扩大发光二极管的出光角度。所述发光二极管底部出射的光线往往会被封装材料的吸收以及基板的阻挡而不能出射，所述发光二极管芯片产生的光线从形成在基板之上的反射杯顶部出射，最终经过透镜或者其它扩光元件使得发光二极管的出光角度进一步增加。
然而这种结构发光二极管出光时，因反射杯的内壁对光线的反射使得自发光二极管芯片出射的光线的角度被扩大，同时光线经过封装材料以及荧光粉的作用后使得自反射杯顶部出射光线的光指向性不强，所述反射杯顶部周缘各处的出光色温不均匀。因此，有必要对发光二极管的结构进行改进，使得其能够满足光指向性更强、出光色温更加均匀。
发明内容
有鉴于此，本发明提供一种光指向性强、发光色温色温均匀的发光二极管。
一种发光二极管，包括发光二极管芯片、围设于所述发光二极管芯片周围的第一反射层、覆盖于所述发光二极管芯片之上的第一透光层、第二透光层，所述发光二极管芯片具有一主主出光面及位于所述主主出光面相对一侧的第一电极和第二电极，还包括位于所述第一反射层和第一透光层之间且围设于所述发光二极管芯片之间的第二反射层，所述第二反射层的折射率小于所述第一反射层的折射率，所述第一电极和第二电极的底面外露与所述第一反射层的底面。
进一步地，所述第二反射层具有一第一表面及与所述第一表面相对的一第二表面，所述第一表面与所述第一反射层无缝贴合，所述第二表面与所述发光二极管的主出光面共面。
进一步地，所述第二反射层的反射率小于40%，所述第二反射层的厚度大于100nm。
进一步地，所述第一反射层的厚度与所述第二反射层的厚度之和等于所述发光二极管芯片的高度。
进一步地，所述第一反射层的底部与所述第一电极、第二电极的底面共面设置。
进一步地，所述第一透光层由透光性、导热性能良好的材料组成。
进一步地，所述第一透光层与所述发光二极管芯片的主出光面、所述第二反射层的第二表面之间无缝贴合。
进一步地，所述第二透光层由封装胶体组成，所述第二透光层的厚度大于所述第一透光层的厚度。
进一步地，所述第二透光层中包含有荧光粉。
进一步地，所述发光二极管进一步具有一中心轴线，所述发光二极管芯片、所述第一反射层、第二反射层、第一透光层、第二透光层均关于所述中心轴线对称设置，所述第一反射层、第二反射层、第一透光层、第二透光层的外周缘共面设置。
在本发明所述发光二极管中，自所述发光二极管芯片主出光面出射的靠近所述中心轴线方向角度较小、光强度较大的光线直接透过所述第一透光层、第二透光层后出射。自所述发光二极管芯片周缘出射的远离所述中心轴线出光角度较大、光强度较小的光线经过所述第一反射层反射后朝向第一透光层一侧，被反射的光线位于所述主出光面周缘处被所述第二反射层进行阻挡、吸收，防止该被反射的光线的出光角度增加，同时减小了光线在第二反射层处进一步被大量反射后在靠近所述中心轴线周缘区域出现光晕，从而造成所述发光二极管出光色温不均匀的现象，从而使得本发明所述发光二极管光指向性强、出光色温均匀。
附图说明
图1为本发明所述发光二极管的剖视图。
图2为图1所示发光二极管的光路图。
主要元件符号说明
发光二极管 100
中心轴线 110
发光二极管芯片 10
主出光面 101
第一电极 11
第二电极 12
第一反射层 20
第二反射层 30
第一表面 21、31
第二表面 22、32
第一透光层 40
第二透光层 50
如下具体实施方式将结合上述附图进一步说明本发明。
具体实施方式
下面将结合本发明实施方式中的附图，对本发明实施方式中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施方式仅仅是本发明一部分实施方式，而不是全部的实施方式。
基于本发明中的实施方式，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施方式，都属于本发明保护的范围。
本文中所使用的方位词“第一”、“第二”均是以使用时依据具体元件的位置定义，而并不限定。
除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本发明的技术领域的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本发明的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施方式的目的，不是旨在于限制本发明。
如图1所示，本发明实施例所述发光二极管100包括发光二极管芯片10、围设于所述发光二极管芯片10周围的第一反射层20、第二反射层30、以及覆盖于所述发光二极管芯片10之上的第一透光层40、第二透光层50。
所述发光二极管具有一中心轴线110，所述发光二极管芯片10、第一反射层20、第二反射层30、第一透光层40以及所述第二透光层50均关于所述中心轴线110对称设置。进一步地，所述第一反射层20、第二反射层30、第一透光层40和第二透光层50的外周缘均共面设置。
所述发光二极管芯片10具有一主出光面101、以及位于所述主出光面101相对一侧间隔设置的第一电极11和第二电极12。所述发光二极管芯片10的数量可为多个，且所述发光二极管芯片10根据需要可选择为蓝光、红光、绿光发光二极管芯片中的一种或者多种。
在本发明实施例中，所述第一电极11和第二电极12的底部均外露于所述第一反射层20。
进一步地，所述第一电极11为P电极，所述第二电极12为N电极。可以理解地，所述第一电极11为N电极，所述第二电极12为P电极。
进一步地，所述发光二极管芯片10的高度为H，所述第一反射层的厚度为H1，所述第二反射层的厚度为H2，那么满足：H=H1+H2。
所述第一反射层20由高反射率不透光材料组成。所述第一反射层20围设于所述发光二极管芯片10的周缘。所述第一反射层20具有一第一表面21以及与所述第一表面21相对的一第二表面22。所述第一表面21与所述发光二极管芯片10的第一电极11、第二电极12的底部共面。所述第二表面22低于所述发光二极管芯片10的主出光面101设置。
所述第二反射层30由低反射率材料组成，例如铬。所述第二反射层30位于所述第一反射层20与所述第一透光层40之间且围设于所述发光二极管芯片10的周缘。
所述第二反射层30具有第一表面31以及与所述第一表面31相对的一第二表面32。所述第二反射层30的第一表面31与所述第一反射层20的第二表面22无缝贴合。所述第二反射层30的第二表面32与所述发光二极管芯片10的主出光面101共面设置。所述第二反射层30的反射率小于所述第一反射层20的反射率。
在本发明实施例中，所述第二反射层30的反射率小于40%，所述第二反射层的厚度H2>100nm。所述第二反射层30可以阻挡、吸收所述发光二极管芯片10的出光main101周缘处的部分光线，防止该处的光线被进一步大量反射而增加发光二极管芯片10的出射光线的出光角度。
所述第一透光层40由透光性、导热性能良好的材料组成。所述第一透光层40覆盖于所述发光二极管芯片10及所述第二反射层30之上且与所述发光二极管芯片10的主出光面101以及所述第二反射层30的第二表面32无缝贴合。所述第一透光层40对自发光二极管芯片10出射的光线进行大量透射,同时可以吸收所述发光二极管芯片10产生的部分热量并散发至外界，辅助增加所述发光二极管芯片10的散热性。
所述第二透光层50由封装胶体组成，所述第二透光层50设置于所述第一透光层40的之上。所述第二透光层50的厚度大于所述第一透光层40的厚度。在本发明实施例中，所述第二透光层50中包含有荧光粉。
请同时参附图2所示，在本发明所述发光二极管100中，自所述发光二极管芯片10主出光面101出射的靠近所述中心轴线110方向角度较小、光强度较大的光线直接透过所述第一透光层40、第二透光层50后出射。自所述发光二极管芯片10周缘出射的远离所述中心轴线110出光角度较大、光强度较小的光线经过所述第一反射层20反射后朝向第一透光层40一侧，被反射的光线位于所述主出光面101周缘处被所述第二反射层30进行阻挡、吸收，防止该被反射的光线的出光角度增加，同时减小了光线在第二反射层30处进一步被大量反射后在靠近所述中心轴线110周缘区域出现光晕，从而造成所述发光二极管100出光色温不均匀的现象。如此本发明所述发光二极管100实现了出光指向性强、出光色温均匀。
可以理解的是，对于本领域的普通技术人员来说，可以根据本发明的技术构思做出其它各种相应的改变与变形，而所有这些改变与变形都应属于本发明的权利要求的保护范围。

Claims (10)

1.一种发光二极管，包括发光二极管芯片、围设于所述发光二极管芯片周围的第一反射层、覆盖于所述发光二极管芯片之上的第一透光层、第二透光层，所述发光二极管芯片具有一主出光面及位于所述主出光面相对一侧的第一电极和第二电极，其特征在于：还包括位于所述第一反射层和第一透光层之间且围设于所述发光二极管芯片周缘的第二反射层，所述第二反射层的反射率小于所述第一反射层的反射率，所述第一电极和第二电极的底面外露与所述第一反射层的底面。
2.如权利要求1所述发光二极管，其特征在于：所述第二反射层具有一第一表面及与所述第一表面相对的一第二表面，所述第一表面与所述第一反射层无缝贴合，所述第二表面与所述发光二极管的主出光面共面。
3.如权利要求1所述发光二极管，其特征在于：所述第二反射层的反射率小于40%，所述第二反射层的厚度大于100nm。
4.如权利要求1所述发光二极管，其特征在于：所述第一反射层的厚度与所述第二反射层的厚度之和等于所述发光二极管芯片的高度。
5.如权利要求1所述发光二极管，其特征在于：所述第一反射层的底部与所述第一电极、第二电极的底面共面设置。
6.如权利要求1所述发光二极管，其特征在于：所述第一透光层由透光性、导热性能良好的材料组成。
7.如权利要求1所述发光二极管，其特征在于：所述第一透光层与所述发光二极管芯片的主出光面、所述第二反射层的第二表面之间无缝贴合。
8.如权利要求1所述发光二极管，其特征在于：所述第二透光层由封装胶体组成，所述第二透光层的厚度大于所述第一透光层的厚度。
9.如权利要求1所述发光二极管，其特征在于：所述第二透光层中包含有荧光粉。
10.如权利要求1所述发光二极管，其特征在于：所述发光二极管进一步具有一中心轴线，所述发光二极管芯片、所述第一反射层、第二反射层、第一透光层、第二透光层均关于所述中心轴线对称设置，所述第一反射层、第二反射层、第一透光层、第二透光层的外周缘共面设置。
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