CN107674991B - 整体防泄漏式真空电子束熔炼装置 - Google Patents

整体防泄漏式真空电子束熔炼装置 Download PDF

Info

Publication number
CN107674991B
CN107674991B CN201710692716.6A CN201710692716A CN107674991B CN 107674991 B CN107674991 B CN 107674991B CN 201710692716 A CN201710692716 A CN 201710692716A CN 107674991 B CN107674991 B CN 107674991B
Authority
CN
China
Prior art keywords
water
crucible
flange plate
hole
water tank
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201710692716.6A
Other languages
English (en)
Other versions
CN107674991A (zh
Inventor
罗立平
慈连鳌
赵国华
许文强
张晓卫
高学林
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Shenyang Tengao Machinery Manufacturing Co ltd
Research Institute of Physical and Chemical Engineering of Nuclear Industry
Original Assignee
Shenyang Tengao Machinery Manufacturing Co ltd
Research Institute of Physical and Chemical Engineering of Nuclear Industry
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Shenyang Tengao Machinery Manufacturing Co ltd, Research Institute of Physical and Chemical Engineering of Nuclear Industry filed Critical Shenyang Tengao Machinery Manufacturing Co ltd
Priority to CN201710692716.6A priority Critical patent/CN107674991B/zh
Publication of CN107674991A publication Critical patent/CN107674991A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN107674991B publication Critical patent/CN107674991B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
    • C22B—PRODUCTION AND REFINING OF METALS; PRETREATMENT OF RAW MATERIALS
    • C22B9/00—General processes of refining or remelting of metals; Apparatus for electroslag or arc remelting of metals
    • C22B9/16—Remelting metals
    • C22B9/22—Remelting metals with heating by wave energy or particle radiation
    • C22B9/228—Remelting metals with heating by wave energy or particle radiation by particle radiation, e.g. electron beams
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P10/00—Technologies related to metal processing
    • Y02P10/25—Process efficiency

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Toxicology (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Crucibles And Fluidized-Bed Furnaces (AREA)
  • Continuous Casting (AREA)

Abstract

本发明公开了一种整体防泄漏式真空电子束熔炼装置，包括真空室，以及水冷坩埚；所述的水冷坩埚包括，包括顶部中心形成有物料池的坩埚，以及与所述的坩埚底部固定连接的法兰板；本发明的水冷坩埚结合热源及真空容器，用于真空金属冶炼提纯的工艺技术，提高了安全性和可靠性。尤其是安装式机构，将进出水口安置在真空室外侧，真空室内部无焊缝，无加工面，即使漏水也会流向真空室外，保证了安全性能。

Description

整体防泄漏式真空电子束熔炼装置
技术领域
本发明涉及一种真空电子束熔炼装置，特别是涉及一种整体防泄漏式真空电子束熔炼装置。
背景技术
真空金属冶炼提纯技术，在蒸发系统中，使用水冷焊接铜坩埚作为蒸发热源的载体，铜具有非常好的导热性能，在水冷条件下，可以很好的降低自身温度，保证使用性能。现有的冷却水道一般采用下进上出的水路结构。
而且现有的真空电子束熔炼装置都是直接将水冷坩埚直接放置在真空室内做载体使用，导致真空室内管路连接复杂，存在安全隐患。
发明内容
本发明的目的是针对现有技术中存在的技术缺陷，而提供一种整体防泄漏式真空电子束熔炼装置。
为实现本发明的目的所采用的技术方案是：
一种整体防泄漏式真空电子束熔炼装置，包括真空室，以及水冷坩埚；所述的水冷坩埚包括，
包括顶部中心形成有物料池的坩埚，以及与所述的坩埚底部固定连接的法兰板；
物料池底部水冷机构包括于坩埚于物料池底部向内凹陷地形成的水槽，所述的水槽由所述的法兰板将下开口封闭，其中，在所述的水槽内固定设置有导流立柱，所述的导流立柱上端或下端形成有过流孔以使所述的水槽与过流孔配合构成上下迂回式水道；
物料池周侧水冷机构包括形成在所述的坩埚于物料池周侧的底部且下端口被所述的法兰板密封的n个水孔，n为不小于3的自然数；形成在所述的法兰板上的n个通孔；与所述的通孔一一对应地固定设置且可匹配插入所述的水孔中并与水孔保持间隔的导水管，以及形成在所述的法兰板底面的连通部，水孔两两为一组且由连接槽连通，所述的连通部用以连通两组水孔间对应的导水管，
所述的真空室开设有安装孔，所述的水冷坩埚通过法兰板固定设置在所述的安装孔处。
所述的水槽与所述的水孔或导水管由接引部导通；所述的水槽互不直接连通，所述的连通部互不直接连通，所述的水孔、连接槽、导水管、水槽、接引部及连通部构成整体单向通道。
所述的水槽为一段C型水槽，所述的水槽的一端与进水管连通，另一端与导水管或水孔由接引部导通，或者，所述的水槽的两端分别与导水管或水孔由接引部导通，对应的导水管或水孔与进水管和出水管导通。
所述的水槽为两段直线水槽，直线水槽的一端分别对应设置进水管或出水管，所述的直线水槽的另一端分别与导水管或水孔由接引部导通
物料池周侧水冷机构的水槽的两端和物料池底部水冷机构的两个未设置连通部的导水管分别对应与进水管和出水管连接。
所述的水孔沿坩埚的轴向平行设置，水槽等宽等深设置且深度方向均与坩埚的轴向平行，所述的水孔和水槽的壁厚在5-10mm。
还包括测温机构，在坩埚的物料池底部和/或物料池周侧设置有轴向延伸的测量孔，在法兰板上对应设置穿孔，所述的测温机构匹配地穿过穿孔插入所述的测量孔。
还包括与所述的法兰板密封固定连接底法兰板，在所述的法兰板底面形成有连通槽，所述的底法兰板将所述的连通槽下端口封闭以构成所述的连通部。
所述的连接槽形成在坩埚的下表面或法兰板的上表面并由法兰板或坩埚将连接槽的槽口封闭以构成水流通道。
所述的过流孔由导流立柱端部的通孔形成，
所述的过流孔由所述的导流立柱端面与水槽顶面或法兰板上表面间的间隙构成。
所述的水槽两侧形成有弧形凹窝以定位所述的导流立柱，所述的导流立柱过渡配合或者过盈配合地设置在所述的水槽内。
所述的连通部为连通管，所述的连通管与对应的导通的两根所述的导水管一体形成。
所述的坩埚底端形成有外凸式与法兰板匹配的连接环，所述的连接环与所述的真空室外壁固定连接。
与现有技术相比，本发明的有益效果是：
本发明的水冷坩埚结合热源及真空容器，用于真空金属冶炼提纯的工艺技术，提高了安全性和可靠性。尤其是安装式机构，将进出水口安置在真空室外侧，真空室内部无焊缝，无加工面，即使漏水也会流向真空室外，保证了安全性能。
附图说明
图1所示为本发明的真空电子束熔炼用冷坩埚的爆炸态结构示意图；
图2所示为图1所示的另一视角结构示意图；
图3所示为坩埚底部侧视图；
图4所示为坩埚的另一视角结构示意图；
图4所示为底座示意图；
图5所示为底座装载于坩埚底部的结构示意图；
图6所示为水冷坩埚的组状态结构示意图。
图7所示为本发明的水冷坩埚安装示意图。
具体实施方式
以下结合附图和具体实施例对本发明作进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。
如图所示，本发明公开了一种整体防泄漏式真空电子束熔炼装置，包括真空室5，以及水冷坩埚；所述的水冷坩埚，包括，
包括顶部中心形成有物料池11的坩埚1，以及与所述的坩埚底部固定连接的底座2；其中，所述的坩埚为热良导体，如铜材质，所述的座板2为不锈钢材质，充分结合不锈钢的良好加工性和铜的导热性。其中，为实现坩埚和座板的密封连接，两者相接触面优选为平面并在两者间设置密封板，如橡胶板密封。
物料池底部水冷机构包括于坩埚于物料池底部向内凹陷地形成的水槽12，所述的水槽由所述的底座将下开口封闭，其中，在所述的水槽内固定设置有导流立柱13，所述的导流立柱上端或下端形成有过流孔以使所述的水槽与过流孔配合构成上下迂回式水道；其中，所述的过流孔为导流立柱端部的通孔，或者由导流立柱与水槽顶面或者座板上表面间的间隙构成，即导流立柱的长度小于水槽深度，通过插入到底或者底端与坩埚底部齐平构成过流孔，其中，导流立柱优选为圆柱形或方柱形，当然也可采用其他截面形状，只要能实现对液体的阻断即可。在坩埚底部设置水槽且该水槽由座板将水槽的下端面封闭形成腔式水道，同时在水道内设置导流立柱，该导流立柱将水道阻断只留有过流孔，相邻的两导流立柱的过流孔成上下交错配置，即在坩埚内形成上下迂回式单向水道，通过水流在单向水道的流动实现降温效果。
物料池周侧水冷机构包括形成在所述的坩埚于物料池周侧的底部且下端口被所述的底座密封的n个水孔14，n为不小于3的自然数；形成在所述的底座2上的n个通孔；与所述的通孔一一对应地固定设置且可匹配插入所述的水孔中并与水孔保持间隔的导水管21，以及形成在所述的底座底面的连通部22，水孔两两为一组且由连接槽连通，所述的连通部用以连通两组水孔间对应的导水管，所述的水槽11与所述的水孔14由接引部23导通；所述的连接槽15形成在所述的坩埚的底面或者座板的上表面，只需要满足坩埚和座板的密封连接即可。
所述的水槽互不直接连通，所述的连通部互不直接连通，所述的水孔、连接槽、导水管、水槽、接引部23及连通部22构成整体单向通道。
所述的水冷坩埚作为真空室的一部分，即所述的真空室5开设有安装孔，所述的水冷坩埚埚通过法兰板固定设置在所述的安装孔51处。
具体地说，所述的坩埚底端形成有外凸式连接环10，所述的连接环10与所述的真空室外壁法兰式固定连接，同时，所述的连接环10的上表面内圈形成有凹槽，在所述的凹槽内嵌设有密封圈。
本发明的水冷坩埚，对不同部位采用不同方式的流道设计，针对性强，可有效保证水冷管坩埚的水冷效果和均匀性，同时，两种流道设计，均在坩埚体内无焊缝，避免了漏水的安全隐患，提高了设备的可靠性，降低了加工成本，通过打水孔和内嵌导水管的方式以及套管内外循环式共同形成循环水道，可以保证加工精度，可通过调整孔径和水孔位置以及水槽宽度灵活调整水道冷却面积，使得冷却面积增大，满足不同热负荷的要求。
在具体实现上，为实现流路的整体设计，如图所示，本发明第一实施例为所述的水槽为两段直线水槽，所述的n为偶数，所述的连通部为n/2-1个以将对应组的导水管连通，剩余的两个导水管分别通过接引部连接至所述的直线水槽的一端，直线水槽的另一端分别对应设置进水管和出水管。所述的接引部优选为接引管，其可与对应的导水管一体形成。
具体来说，n为12，即坩埚体上开设有12个水孔，12个水孔分为六组，具有5个连通部，5个连通部将其中5组水孔的导水管进行串联以构成串联式流路，同时剩余的两个导水管分别通过接引部，如接引管连接至直线水槽，以作为物料池周侧水冷机构的进水和出水，同时，直线水槽的另一端分别与进水管和出水管相连，具体是通过底座上的通孔或输水管相连接，整体水路流向为通过底部的一个水槽进入，在水槽内进行上下迂回式前进后经接引部进入导流管，然后依次在导水管、水孔、连接槽、水孔、导水管间往复流动，直至经接引部回流至另一个直线水槽，最终排出。即，将物料池周侧水冷机构的水路串接在两个直线水槽间。
其中，为满足散热效果和安装效果，所述的水孔及水槽沿坩埚的轴向平行设置且在坩埚内密布，所述的水孔和水槽与物料池的壁厚在5-10mm。因为坩埚优选为铜质，其具有良好的导热性能，冷却效果取决于换热面积和水流量，密布的水孔即水槽可以形成较大的换热面积，水孔与物料池的距离即壁厚较小，可以将热量快速导出，多点均布的水孔设计，即能有效满足设计需要，保证冷却性能。
进一步地，为保证水流道的顺畅，所述的导水管内的水流截面积、导水管和水孔间的水流截面积相同、所述的连接槽的水流截面积均与过流孔的水流截面积对应。如，所述的导水管的内径为10-16mm，所述的导水管外壁与水孔间距在3-5mm。采用匹配的大小配置，保证水流通道完整顺畅，而且，也能有效避免死区，杜绝局部蒸发出现。
为提高设备的实用性，还包括测温机构，在坩埚的物料池底部和/或物料池周侧设置有轴向延伸的测量孔，在底座上对应设置穿孔，所述的测温机构匹配地穿过穿孔插入所述的测量孔。采用内开孔式安装定位测温机构，如测温热电偶，安装简单，可实现多点同时测温，而且同时还保证坩埚体内无焊缝，提高使用安全性。
作为其中一种具体实施方式，所述的连通部22为连通管，所述的连通管与对应的导通的两根所述的导水管一体形成。即，采用U型结构，所述的连通管与导水管可采用不同直径以起到安装定位的效果，将两根导水管直接一体制成，减少连接焊缝，而且整体式导水管可直接采用过盈配合等方式，整体减少焊接，进一步提高使用安全性。同时，为避免连通管外露，所述的底座下表面形成有将所述的连通嵌含其中的定位槽。即，采用U型结构，将两根导水管直接一体制成，减少连接焊缝，进一步提高使用安全性，杜绝电子束击穿带来的漏水风险。
作为其中另一种具体实施方式，还包括与所述的底座通过多个螺钉密封固定连接的基座3，所述的连通部22为形成在所述的底座底面的连通槽，所述的基座将连通槽下开口封堵以局限为水流通道。所述的底座和基座均为不锈钢材质，在坩埚和底座间设置有密封板，在底座和基座间设置有密封板，如橡胶板组，采用多点螺钉安装，有效保证各处密封性，而且充分利用不锈钢的易加工性，保证了加工精度，降低了加工难度和成本。整体结构简单，流道各部分衔接顺畅，使用效果好。同时，所述的接引部也可采用同样的槽式设计。所述的基座上开设有与所述的剩余的两个导水管对应的开孔并在开孔处设有对应的进水管和出水管，其通过法兰固定连接并连通。
同时，为减少电子束击穿带来的漏水风险，与电子轰击区上下对应的区域内，即两个直线水槽之间不设置水槽，减少焊接点设置，提高整体的使用安全性。
进一步地，所述的导流立柱过渡配合或者过盈配合地设置在所述的水槽内，过盈配合或过渡配合以保证对水流的阻断作用，同时实现了对导流立柱在水槽内的定位，所述的水槽两侧形成有弧形凹窝以定位所述的导流立柱。即，在进行水槽的加工后，还需要在水槽内进一步钻出导流立柱装配孔，该装配孔与导流立柱形成过盈配合或过渡配合，减小水道间的过流量。而对于导流立柱长度小于水槽深度的情况，通过不同深度的立柱装配孔即可实现过流孔间隙的控制。
第二具体实施例
为实现整体流路设计，所述的n为奇数，所述的水槽为一段C型水槽，一个导水管与进水管连通，水槽一端与出水管连通，一个水孔与所述的水槽的另一端由接引部连通，所述的连通部为(n-1)/2个以连通对应组的导水管。C型水槽的布局，使得物料池底部同样具有较多均布的降温点，实现底部温控。采用物料池底部水冷机构的流路与物料池周侧的水冷机构的流路串联的方式，对于不同部位采用不同结构参数设计，同样能实现温度的控制，当然，在该实施例中，同样也可以将水槽由接引部，如接引管连通至导水管，则，此时n应该为偶数。其余结构与第一实施例相似，在此不再展开描述。
第三实施例
所述的n为偶数，所述的水槽为一段C型水槽，所述的水槽的两端分别与一组水孔通过接引部连通，所述的两段接引部及水槽构成该组水孔的连接槽，所述的连通部为n/2-1个以连通对应组的导水管,剩余的两个导水管分别与进水管和出水管连通。该实施例与第二实施例不同之处在于将物料池底部水冷机构的流路串接在物料池周侧的水冷机构的流路中部，其余结构与第一实施例相似，在此不再展开描述。
当然，作为本实施例的进一步变形，还可采用水槽的两端或一端由接引部，如接引管直接连通至对应的导水管，则对应调整连通部的数量即可，在此不复赘述。
以上所述仅是本发明的优选实施方式，应当指出的是，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本发明的保护范围。

Claims (12)

1.一种整体防泄漏式真空电子束熔炼装置，其特征在于，包括真空室，以及水冷坩埚；所述的水冷坩埚包括，包括顶部中心形成有物料池的坩埚，以及与所述的坩埚底部固定连接的法兰板；物料池底部水冷机构包括于坩埚于物料池底部向内凹陷地形成的水槽，所述的水槽由所述的法兰板将下开口封闭，其中，在所述的水槽内固定设置有导流立柱，所述的导流立柱上端或下端形成有过流孔以使所述的水槽与过流孔配合构成上下迂回式水道；物料池周侧水冷机构包括形成在所述的坩埚于物料池周侧的底部且下端口被所述的法兰板密封的n个水孔，n为不小于3的自然数；形成在所述的法兰板上的n个通孔；与所述的通孔一一对应地固定设置且可匹配插入所述的水孔中并与水孔保持间隔的导水管，以及形成在所述的法兰板底面的连通部，水孔两两为一组且由连接槽连通，所述的连通部用以连通两组水孔间对应的导水管，所述的真空室开设有安装孔，所述的水冷坩埚通过法兰板固定设置在所述的安装孔处，所述的水槽与所述的水孔或导水管由接引部导通；所述的水槽互不直接连通，所述的连通部互不直接连通，所述的水孔、连接槽、导水管、水槽、接引部及连通部构成整体单向通道，所述水槽的两端和两个未设置连通部的导水管分别对应与进水管和出水管连接。
2.如权利要求1所述的整体防泄漏式真空电子束熔炼装置，其特征在于，所述的水槽为一段C型水槽，所述的水槽的一端与进水管连通，另一端与导水管或水孔由接引部导通，或者，所述的水槽的两端分别与导水管或水孔由接引部导通，对应的导水管或水孔与进水管和出水管导通。
3.如权利要求1所述的整体防泄漏式真空电子束熔炼装置，其特征在于，所述的水槽为两段直线水槽，直线水槽的一端分别对应设置进水管或出水管，所述的直线水槽的另一端分别与导水管或水孔由接引部导通。
4.如权利要求 2或3所述的整体防泄漏式真空电子束熔炼装置，其特征在于，所述的水孔沿坩埚的轴向平行设置，水槽等宽等深设置且深度方向均与坩埚的轴向平行，所述的水孔和水槽的壁厚在5-10mm。
5.如权利要求 2或3所述的整体防泄漏式真空电子束熔炼装置，其特征在于，还包括测温机构，在坩埚的物料池底部和/或物料池周侧设置有轴向延伸的测量孔，在法兰板上对应设置穿孔，所述的测温机构匹配地穿过穿孔插入所述的测量孔。
6.如权利要求 2或3所述的整体防泄漏式真空电子束熔炼装置，其特征在于，还包括与所述的法兰板密封固定连接底法兰板，在所述的法兰板底面形成有连通槽，所述的底法兰板将所述的连通槽下端口封闭以构成所述的连通部。
7.如权利要求 2或3所述的整体防泄漏式真空电子束熔炼装置，其特征在于，所述的连接槽形成在坩埚的下表面或法兰板的上表面并由法兰板或坩埚将连接槽的槽口封闭以构成水流通道。
8.如权利要求 2或3所述的整体防泄漏式真空电子束熔炼装置，其特征在于，所述的过流孔由导流立柱端部的通孔形成。
9.如权利要求 2或3所述的整体防泄漏式真空电子束熔炼装置，其特征在于，所述的过流孔由所述的导流立柱端面与水槽顶面或法兰板上表面间的间隙构成。
10.如权利要求 2或3所述的整体防泄漏式真空电子束熔炼装置，其特征在于，所述的水槽两侧形成有弧形凹窝以定位所述的导流立柱，所述的导流立柱过渡配合或者过盈配合地设置在所述的水槽内。
11.如权利要求 2或3所述的整体防泄漏式真空电子束熔炼装置，其特征在于，所述的连通部为连通管，所述的连通管与对应的导通的两根所述的导水管一体形成。
12.如权利要求1所述的整体防泄漏式真空电子束熔炼装置，其特征在于，所述的坩埚底端形成有外凸式与法兰板匹配的连接环，所述的连接环与所述的真空室外壁固定连接。
CN201710692716.6A 2017-08-14 2017-08-14 整体防泄漏式真空电子束熔炼装置 Active CN107674991B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201710692716.6A CN107674991B (zh) 2017-08-14 2017-08-14 整体防泄漏式真空电子束熔炼装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201710692716.6A CN107674991B (zh) 2017-08-14 2017-08-14 整体防泄漏式真空电子束熔炼装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN107674991A CN107674991A (zh) 2018-02-09
CN107674991B true CN107674991B (zh) 2023-06-30

Family

ID=61134269

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201710692716.6A Active CN107674991B (zh) 2017-08-14 2017-08-14 整体防泄漏式真空电子束熔炼装置

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN107674991B (zh)

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CH383522A (de) * 1960-05-21 1964-10-31 Heraeus Gmbh W C Verfahren zum induktiven Abschmelzen eines Metallstabes im Hochvakuum und Hochvakuumschmelzanlage zur Durchführung dieses Verfahrens
JPH03277728A (ja) * 1990-03-27 1991-12-09 Shinko Electric Co Ltd コールドウォール型ルツボの炉体構造
CN203498449U (zh) * 2013-10-23 2014-03-26 北京有色金属研究总院 电子束冷床炉

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH02171587A (ja) * 1988-12-26 1990-07-03 Kawasaki Refract Co Ltd 金属溶解用るつぼ
FR2648375B1 (fr) * 1989-06-14 1991-09-27 Delachaux Sa Dispositif de soudure aluminothermique; creuset et couvercle de creuset entrant dans sa composition
CN201397039Y (zh) * 2009-01-14 2010-02-03 贵州贵航能发装备制造有限公司 带有焊接冷却管路的真空感应熔炼用冷坩埚
CN101832709A (zh) * 2009-03-11 2010-09-15 贵州贵航能发装备制造有限公司 感应熔炼用单水路拼装式冷坩埚及其制作方法
CN201463537U (zh) * 2009-03-11 2010-05-12 贵州贵航能发装备制造有限公司 真空感应熔炼用冷坩埚系统
CN105091584A (zh) * 2015-09-21 2015-11-25 核工业理化工程研究院 电子束熔炼炉用水冷坩埚
CN207525306U (zh) * 2017-08-14 2018-06-22 核工业理化工程研究院 整体防泄漏式真空电子束熔炼装置

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CH383522A (de) * 1960-05-21 1964-10-31 Heraeus Gmbh W C Verfahren zum induktiven Abschmelzen eines Metallstabes im Hochvakuum und Hochvakuumschmelzanlage zur Durchführung dieses Verfahrens
JPH03277728A (ja) * 1990-03-27 1991-12-09 Shinko Electric Co Ltd コールドウォール型ルツボの炉体構造
CN203498449U (zh) * 2013-10-23 2014-03-26 北京有色金属研究总院 电子束冷床炉

Non-Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
冷坩埚感应悬浮熔炼技术;冯涤，骆合力，邹敦叙，张春福;钢铁研究学报(04);全文 *
真空感应凝壳炉熔炼系统的设计;宋静思;訾雁;牟鑫;张哲魁;孙足来;;真空(05);全文 *

Also Published As

Publication number Publication date
CN107674991A (zh) 2018-02-09

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN107356114B (zh) 真空电子束熔炼用冷坩埚
CN107666202B (zh) 一种关于新能源汽车电机的冷却装置
CN101922883A (zh) 制冷剂导管和具有该制冷剂导管的换热器
CN111927942B (zh) 一种液冷散热结构和变速箱壳体
US4508951A (en) Fluid baffle assembly for a water-cooled welding torch
CN107674991B (zh) 整体防泄漏式真空电子束熔炼装置
JP2011050936A (ja) 流通式管型反応装置
CN107300323B (zh) 水冷坩埚
CN110315042B (zh) 一种用于水平连铸精密白铜合金管的搅拌装置
CN107328239B (zh) 无焊缝式水冷坩埚
CN106197086A (zh) 带间隔排列的圆形板及弓形板的热交换器
CN207525306U (zh) 整体防泄漏式真空电子束熔炼装置
CN110445293A (zh) 一种水冷式伺服电机的水路结构
CN110984307B (zh) 一种排水管用隔板
CN107328234B (zh) 套管水道式水冷坩埚及真空电子束熔炼装置
CN207456162U (zh) 真空电子束熔炼用冷坩埚
CN212182755U (zh) 激光器壳体及激光器
CN106655631A (zh) 一种混合动力汽车电机的冷却水套结构
CN111336843B (zh) 一种圆形结构的水冷板式换热器
CN107267771B (zh) 整体式真空电子束熔炼装置
CN207525307U (zh) 真空电子束熔炼装置
CN207379275U (zh) 套管水道式水冷坩埚及真空电子束熔炼装置
CN208567597U (zh) 一种内外双对流管式换热器
US2100747A (en) Recirculating water jacket
CN217547145U (zh) 蒸汽加热装置

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant