CN107674944B - 一种花键轴的调质处理方法 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及一种花键轴的调质处理方法，通过对调质处理中的淬火和两次回火步骤，以及在先热处理的正火、球化退火等步骤的温度和时间的优化，强化了花键轴的力学性能，获得了理想的硬度以及硬度均匀性；通过加入Mn、Cr、Zr、Nb、稀土元素Y和La对花键轴的组分进行了优化，从而显著增加了花键轴的奥氏体稳定性，提高了花键轴的淬透性和淬硬性，并提高了产品的耐磨性和抗疲劳性能；并且，使花键轴的表面获得了马氏体和贝氏体细晶组织。

Description

一种花键轴的调质处理方法
技术领域
本发明涉及金属热处理领域，具体的说，是涉及一种花键轴的调质处理方法。
背景技术
花键和花键轴是各种机械设备传动系统中的关键零件，其性能的优劣直接影响产品的整体质量的好坏。花键轴用钢的合金化体系与淬透能力的高低，决定了花键和花键轴的综合性能。花键轴淬火后要保证合理的心部硬度，在花键轴加工选材时，针对不同要求的花键轴，选用具有不同淬透性的钢，以使工件达到服役要求和良好的综合力学性能。另一方面，在花键轴的热处理过程中，在热应力和组织应力的共同作用下，花键轴不可避免要发生变形。花键轴产生变形将直接影响花键轴的使用精度。所以，钢的化学成分组成、原始组织状态、热处理工艺参数设置、淬火介质的冷却性能、热处理前的应力状态分布以及花键轴的形状尺寸等都将影响花键轴的热处理变形。
轴类零件一般处在恶劣的工作环境中，既要高速旋转，同时还要承受冲击、弯曲、扭转等多种载荷。这就要求轴类零件要有足够的刚度、强度、耐疲劳、耐磨损以及精度稳定性。花键轴一般经过调质处理，以达到局部表层淬硬。目前，花键轴产品的轴身表面硬度偏低，淬硬层浅，抗剥落和抗事故能力弱而不能满足使用要求。用户迫切要求提高花键轴淬硬层深度和耐磨性，并具有良好的抗疲劳能力，以提高使用寿命，降低轴耗和生产成本。
发明内容
为了解决提高花键轴力学性能和耐磨性的问题，本发明提供了一种花键轴的调质处理方法，使花键轴产品能够获得足够的淬硬层深度和耐磨性，以及良好的抗疲劳能力。
一种花键轴的调质处理方法，其特征在于，所述花键轴的表面为马氏体组织和贝氏体组织，芯部为珠光体组织；所述调质处理方法包括如下步骤：
(1)淬火加热所述花键轴坯料至950～1050℃保温0.5～1h后，油冷；
(2)当所述花键轴坯料冷却到200～350℃时，放入回火炉中，在600～700℃保温0.5～1h回火处理，然后随炉冷却至250～300℃后，加热至450～500℃进行二次回火，保温1～2h后，出炉空冷至室温。
所述调质处理前，先将花键轴坯料加热到1100～1200℃后保温1～2h，再出炉锻造；然后将锻造后的所述花键轴坯料正火加热至1000～1100℃奥氏体化0.5～1h，再随炉冷却至850～900℃进行球化退火1～2h，然后空冷至室温。
所述花键轴坯料的成分及重量百分比为0.25％～0.35％的C，0.30％～0.50％的Si，3.50％～4.50％的Cr，1.00％～2.00％的Mn，0.15％～0.25％的Zr，0.10％～0.20％的Nb，0.03％～0.05％的Y，0.03％～0.05％的La，余量为铁和不可避免的杂质。
所述花键轴热处理后的表面硬度:75～80HS，轴端部硬度为65～75HS，硬度均匀性为±2.0HS。
所述球化退火后的花键轴坯料显微组织为粒状珠光体和弥散状碳化物，晶粒度为8级。
优选地，所述花键轴的表面至表面以下20～40mm的范围内为马氏体组织和贝氏体组织。
本发明通过对调质处理中的淬火和两次回火步骤，以及在先热处理的正火、球化退火等步骤的温度和时间的优化，强化了花键轴的力学性能，获得了理想的硬度以及硬度均匀性；通过加入Mn、Cr、Zr、Nb、稀土元素Y和La对花键轴的组分进行了优化，从而显著增加了花键轴的奥氏体稳定性，提高了花键轴的淬透性和淬硬性，并提高了产品的耐磨性和抗疲劳性能；并且，使花键轴的表面获得了马氏体和贝氏体细晶组织。
具体实施方式
下面结合实施例和对比例对本发明进一步详细说明。
实施例1：
一种花键轴的调质处理方法，其特征在于，所述花键轴的表面至表面以下20mm的范围内为马氏体组织和贝氏体组织，芯部为珠光体组织；所述调质处理方法包括如下步骤：
(1)淬火加热所述花键轴坯料至950℃保温1h后，油冷；
(2)当所述花键轴坯料冷却到200℃时，放入回火炉中，在700℃保温0.5h回火处理，然后随炉冷却至250℃后，加热至500℃进行二次回火，保温1h后，出炉空冷至室温。
所述调质处理前，先将花键轴坯料加热到1100℃后保温2h，再出炉锻造；然后将锻造后的所述花键轴坯料正火加热至1100℃奥氏体化0.5h，再随炉冷却至850℃进行球化退火2h，然后空冷至室温。
所述花键轴坯料的成分及重量百分比为0.35％的C，0.50％的Si，4.50％的Cr，2.00％的Mn，0.25％的Zr，0.20％的Nb，0.05％的Y，0.05％的La，余量为铁和不可避免的杂质。
所述花键轴热处理后的表面硬度为75HS，轴端部硬度为65HS，硬度均匀性为±2.0HS。
所述球化退火后的花键轴坯料显微组织为粒状珠光体和弥散状碳化物，晶粒度为8级。
实施例2：
一种花键轴的调质处理方法，其特征在于，所述花键轴的表面至表面以下40mm的范围内为马氏体组织和贝氏体组织，芯部为珠光体组织；所述调质处理方法包括如下步骤：
(1)淬火加热所述花键轴坯料至1050℃保温0.5h后，油冷；
(2)当所述花键轴坯料冷却到350℃时，放入回火炉中，在600℃保温1h回火处理，然后随炉冷却至300℃后，加热至450℃进行二次回火，保温2h后，出炉空冷至室温。
所述调质处理前，先将花键轴坯料加热到1200℃后保温1h，再出炉锻造；然后将锻造后的所述花键轴坯料正火加热至1000℃奥氏体化1h，再随炉冷却至900℃进行球化退火1h，然后空冷至室温。
所述花键轴坯料的成分及重量百分比为0.25％的C，0.30％的Si，3.50％的Cr，1.00％的Mn，0.15％的Zr，0.10％的Nb，0.03％的Y，0.03％的La，余量为铁和不可避免的杂质。
所述花键轴热处理后的表面硬度为80HS，轴端部硬度为75HS，硬度均匀性为±2.0HS。
所述球化退火后的花键轴坯料显微组织为粒状珠光体和弥散状碳化物，晶粒度为8级。
实施例3：
一种花键轴的调质处理方法，其特征在于，所述花键轴的表面至表面以下30mm的范围内为马氏体组织和贝氏体组织，芯部为珠光体组织；所述调质处理方法包括如下步骤：
(1)淬火加热所述花键轴坯料至1000℃保温1h后，油冷；
(2)当所述花键轴坯料冷却到250℃时，放入回火炉中，在600℃保温0.5h回火处理，然后随炉冷却至280℃后，加热至480℃进行二次回火，保温1h后，出炉空冷至室温。
所述调质处理前，先将花键轴坯料加热到1100℃后保温1h，再出炉锻造；然后将锻造后的所述花键轴坯料正火加热至1000℃奥氏体化0.5h，再随炉冷却至850℃进行球化退火1h，然后空冷至室温。
所述花键轴坯料的成分及重量百分比为0.25％的C，0.40％的Si，4.50％的Cr，1.50％的Mn，0.15％的Zr，0.20％的Nb，0.03％的Y，0.03％的La，余量为铁和不可避免的杂质。
所述花键轴热处理后的表面硬度为78HS，轴端部硬度为70HS，硬度均匀性为±2.0HS。
所述球化退火后的花键轴坯料显微组织为粒状珠光体和弥散状碳化物，晶粒度为8级。
对比例1：
采用与本发明不同的热处理工艺时，由于热处理温度或时间的差异，尤其是正火、球化退火、淬火、两次回火的热处理顺序被改变后，将导致含碳量不均匀，尤其是淬火步骤时，溶入奥氏体中的碳含量不一致，同样是淬火马氏体的硬度也会不一致。
对比例2：
采用不同于本发明的合金成分的花键轴，由于缺少增加淬透性和淬硬性的Mn、Cr、Zr、Nb、稀土元素Y和La等作用元素，使获得的花键轴的表面硬度仅为55HS以下，硬度均匀性也无法保证。
由实施例1-2和对比例1-2可以看出，本发明通过对调质处理中的淬火和两次回火步骤，以及在先热处理的正火、球化退火等步骤的温度和时间的优化，强化了花键轴的力学性能，获得了理想的硬度以及硬度均匀性；通过加入Mn、Cr、Zr、Nb、稀土元素Y和La对花键轴的组分进行了优化，从而显著增加了花键轴的奥氏体稳定性，提高了花键轴的淬透性和淬硬性，并提高了产品的耐磨性和抗疲劳性能；并且，使花键轴的表面获得了马氏体和贝氏体细晶组织。
尽管已经示出和描述了本发明的实施例，本领域的普通技术人员可以理解：在不脱离本发明的原理和宗旨的情况下可以对这些实施例进行多种变化、修改、替换和变型，本发明的范围由权利要求及其等同物限定。

Claims (5)

1.一种花键轴的调质处理方法，其特征在于，所述花键轴的表面为马氏体组织和贝氏体组织，芯部为珠光体组织；所述调质处理方法包括如下步骤：
(1) 淬火加热所述花键轴坯料至950～1050℃保温0.5～1h后，油冷；
(2) 当所述花键轴坯料冷却到200～350℃时，放入回火炉中，在600～700℃保温0.5～1h回火处理，然后随炉冷却至250～300℃后，加热至450～500℃进行二次回火，保温1～2h后，出炉空冷至室温；
所述调质处理前，先将花键轴坯料加热到1100～1200℃后保温1～2h，再出炉锻造；然后将锻造后的所述花键轴坯料正火加热至1000～1100℃奥氏体化0.5～1h，再随炉冷却至850～900℃进行球化退火1～2h，然后空冷至室温。
2.根据权利要求1所述的花键轴的调质处理方法，其特征在于：所述花键轴坯料的成分及重量百分比为0.25％～0.35％的C，0.30％～0.50％的Si，3.50％～4.50％的Cr，1.00％～2.00％的Mn，0.15％～0.25％的Zr，0.10％～0.20％的Nb，0.03％～0.05％的Y，0.03％～0.05％的La，余量为铁和不可避免的杂质。
3.根据权利要求1所述的花键轴的调质处理方法，其特征在于：所述花键轴热处理后的表面硬度为75～80HS，轴端部硬度为65～75HS，硬度均匀性为±2.0HS。
4.根据权利要求1至3任一项所述的花键轴的调质处理方法，其特征在于：所述球化退火后的花键轴坯料显微组织为粒状珠光体和弥散状碳化物，晶粒度为8级。
5.根据权利要求1至3任一项所述的花键轴的调质处理方法，其特征在于：所述花键轴的表面至表面以下20～40mm的范围内为马氏体组织和贝氏体组织。
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