CN107623477B - 一种降低变频驱动器噪声的方法 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及电子控制技术领域，公开降低变频驱动器噪声的方法，该方法包括：步骤1，在不改变最终等效的功率输出情况下，在上桥臂和下桥臂导通期间，在上桥臂和下桥臂上轮流插入无功功率，改变半导体开关的频率。该降低变频驱动器噪声的方法克服了现有技术中的降低变频器开关噪声较高的问题，实现了噪音的降低。
Description
技术领域
本发明涉及电子控制技术领域，具体地，涉及一种降低变频驱动器噪声的方法。
背景技术
用变频器传动电动机时，由于输出电压电流中含有高次谐波分量，气隙的高次谐波磁通增加，故噪声增大。电磁噪声由以下特征：由于变频器输出中的低次谐波分量与转子固有机械频率谐振，则转子固有频率附近的噪声增大。变频器输出中的高次谐波分量与铁心机壳轴承架等谐振，在这些部件的各自固有频率附近处的噪声增大。
变频器传动电动机产生的噪声特别是刺耳的噪声与PWM控制的开关频率有关，尤其在低频区更为显著。一般采用以下措施平抑和减小噪声：在变频器输出侧连接交流电抗器。该种方法由于成本高，体积大不适合批量使用，也不利于产品的小型化。
发明内容
本发明的目的是提供一种降低变频驱动器噪声的方法，该降低变频驱动器噪声的方法克服了现有技术中的降低变频器开关噪声较高的问题，实现了噪音的降低。
为了实现上述目的，本发明提供一种降低变频驱动器噪声的方法，该方法包括：步骤1，在不改变最终等效的功率输出情况下，在上桥臂和下桥臂导通期间，在上桥臂和下桥臂上轮流插入无功功率，改变半导体开关的频率。
优选地，该方法包括：
预设6个半导体开关，其中，两两相配合形成一组开关组；任意一组开关组中的两个半导体开关分别属于上桥臂和下桥臂，轮流开启所述开关组中的两个半导体开关，驱动电机的转动，通过在上桥臂和下桥臂上轮流插入无功功率，改变两个半导体开关的开关频率。
优选地，该方法还包括：
检测变频驱动器的噪音强度，在所述噪音强度值大于预设值的情况下，执行步骤1。
优选地，在步骤1中，通过驱动信号控制所述半导体开关的打开或关闭。
优选地，所述半导体开关为MOSFET管或IGBT管。
优选地，轮流开启所述开关组中的两个半导体开关，驱动电机的转动的方法包括：
轮流开启所述开关组中的两个半导体开关，以依次导通驱动电机中的线圈，驱动所述驱动电机的转动。
通过上述技术方案，本发明通过改变开关频率的方式，改变噪声频率实现降噪，通过改变开关频率使得产生的声音频率在人耳的听力范围外，或者将频率调整到人耳不敏感区域，实现降噪。
本发明的其它特征和优点将在随后的具体实施方式部分予以详细说明。
附图说明
附图是用来提供对本发明的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与下面的具体实施方式一起用于解释本发明，但并不构成对本发明的限制。在附图中：
图1是说明本发明的一种降低变频驱动器噪声的方法的6个半导体开关的系统结构图；
图2是说明本发明的一种6个导通周期的半导体开关导通波形图；
图3是图2中的半导体开关导通T0～T1时刻的波形波形图；
具体实施方式
以下结合附图对本发明的具体实施方式进行详细说明。应当理解的是，此处所描述的具体实施方式仅用于说明和解释本发明，并不用于限制本发明。
本发明提供一种降低变频驱动器噪声的方法，该方法包括：步骤1，在不改变最终等效的功率输出情况下，在上桥臂和下桥臂导通期间，在上桥臂和下桥臂上轮流插入无功功率，改变半导体开关的频率。
通过上述技术方案，本发明通过改变开关频率的方式，改变噪声频率实现降噪，通过改变开关频率使得产生的声音频率在人耳的听力范围外，或者将频率调整到人耳不敏感区域，实现降噪。
本发明提供一种降低变频驱动器，该方法可以包括：
预设6个半导体开关，其中，两两相配合形成一组开关组；任意一组开关组中的两个半导体开关分别属于上桥臂和下桥臂，轮流开启所述开关组中的两个半导体开关，驱动电机的转动，通过在上桥臂和下桥臂上轮流插入无功功率，改变两个半导体开关的开关频率。
通过上述的实施方式，可以实现6半导体开关驱动，图1所示为六桥臂的变频驱动图，M1，M4的半导体开关(例如MOSFET，IGBT等)闭合，M2，M3，M5，M6断开，此时导通一路线圈。轮流开起半导体开关，从而驱动电机转动。
在本发明的具体实施方式中，该方法还可以包括：
检测变频驱动器的噪音强度，在所述噪音强度值大于预设值的情况下，执行步骤1。
通过上述的实施方式，本发明的变频驱动器，可以实现噪音的检测，从而启动开关的控制。
在本发明的一种具体实施方式中，在步骤1中，通过驱动信号控制所述半导体开关的打开或关闭。
通过上述的实施方式，可以实现半导体开关的打开或关闭，从而可以驱动电机的转动。
在该种实施方式中，所述半导体开关为MOSFET管或IGBT管。
通过上述的实施方式中，可以实现线路的导通或关断，从而可以实现半导体开关的控制。
在该种实施方式中，轮流开启所述开关组中的两个半导体开关，驱动电机的转动的方法可以包括：
轮流开启所述开关组中的两个半导体开关，以依次导通驱动电机中的线圈，驱动所述驱动电机的转动。
通过上述的实施方式，可以实现驱动电机的驱动，通过驱动线圈实现转动。
图2常规的6个导通周期的驱动开关导通图。上述的M1，M4导通期间对应图中T0～T1时刻。采取本方案加入一定降噪频率后，T0～T1时刻的波形如图3所示。从而改变原方案的开关频率，实现改变噪声频谱最终实现降低噪声。
以上结合附图详细描述了本发明的优选实施方式，但是，本发明并不限于上述实施方式中的具体细节，在本发明的技术构思范围内，可以对本发明的技术方案进行多种简单变型，这些简单变型均属于本发明的保护范围。
另外需要说明的是，在上述具体实施方式中所描述的各个具体技术特征，在不矛盾的情况下，可以通过任何合适的方式进行组合，为了避免不必要的重复，本发明对各种可能的组合方式不再另行说明。
此外，本发明的各种不同的实施方式之间也可以进行任意组合，只要其不违背本发明的思想，其同样应当视为本发明所公开的内容。
Claims (6)
1.一种降低变频驱动器噪声的方法，其特征在于，该方法包括：步骤1，在不改变最终等效的功率输出情况下，在上桥臂和下桥臂导通期间，在上桥臂和下桥臂上轮流插入无功功率，改变半导体开关的频率。
2.根据权利要求1所述的降低变频驱动器噪声的方法，其特征在于，该方法包括：
预设6个半导体开关，其中，两两相配合形成一组开关组；任意一组开关组中的两个半导体开关分别属于上桥臂和下桥臂，轮流开启所述开关组中的两个半导体开关，驱动电机的转动，通过在上桥臂和下桥臂上轮流插入无功功率，改变两个半导体开关的开关频率。
3.根据权利要求1所述的降低变频驱动器噪声的方法，其特征在于，该方法还包括：
检测变频驱动器的噪音强度，在所述噪音强度值大于预设值的情况下，执行步骤1。
4.根据权利要求2所述的降低变频驱动器噪声的方法，其特征在于，在步骤1中，通过驱动信号控制所述半导体开关的打开或关闭。
5.根据权利要求2所述的降低变频驱动器噪声的方法，其特征在于，所述半导体开关为MOSFET管或IGBT管。
6.根据权利要求2所述的降低变频驱动器噪声的方法，其特征在于，轮流开启所述开关组中的两个半导体开关，驱动电机的转动的方法包括：
轮流开启所述开关组中的两个半导体开关，以依次导通驱动电机中的线圈，驱动所述驱动电机的转动。
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