CN107611238A - 一种led芯片级封装器件及其制作方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开的一种LED芯片级封装器件包括发光二极管晶片、包覆发光二极管晶片的荧光胶以及设置于发光二极管晶片底部的正电极和负电极，还包括第一结合层、第二结合层、第一导电层和第二导电层，所述第一结合层和第二结合层分别与正电极和负电极连接，第一导电层和第二导电层分别与第一结合层和第二结合层连接，第一导电层的面积大于正电极的面积，第二导电层的面积大于负电极的面积。第一导电层和第二导电层增加了LED芯片级封装器件正电极和负电极的面积，降低LED芯片级封装器件对贴片设备以及贴装电路板精度的要求，降低了LED芯片级封装器件的应用成本；增加LED芯片级封装器件与贴装电路板附着力，提高了LED芯片级封装器件贴片的良品率和使用稳定性。
Description
技术领域
本发明涉及半导体照明领域，具体涉及一种LED芯片级封装器件及其制作方法。
背景技术
LED芯片级封装器件通常采用没有支架的封装方式，LED芯片级封装器件与电路板的焊接面积等于发光二极管晶片电极的面积，由于发光二极管晶片的电极面积很小，使得LED芯片级封装器件在贴装的时候，需要精度很高的贴装设备来进行贴装，而满足条件的贴装设备价格昂贵，提升了LED芯片级封装器件的贴装成本；LED芯片级封装器件对贴装电路板的精度要求也高，进一步地提高了LED芯片级封装器件的使用成本；另一方面，由于焊接面积小，LED芯片级封装器件与电路板之间焊接之后的附着力小，导致LED芯片级封装器件易脱落，降低了LED芯片级封装器件贴片的良品率和使用稳定性。
发明内容
本发明的主要目的是提供一种LED芯片级封装器件及其制作方法，旨在降低LED芯片级封装器件的应用成本，提高LED芯片级封装器件使用的良品率和稳定性，采用的技术方案为：
一种LED芯片级封装器件，所述LED芯片级封装器件包括发光二极管晶片、包覆发光二极管晶片的荧光胶以及设置于发光二极管晶片底部的正电极和负电极，结合层和导电层，所述结合层设置在发光二极管晶片底部，所述结合层与荧光胶紧密贴合，所述结合层包括第一结合层和第二结合层，第一结合层与正电极连接，所述第二结合层与负电极连接，且第一结合层和第二接合层之间存有间隙；所述导电层设置在发光二极管晶片底部，所述导电层包括第一导电层和第二导电层，所述第一导电层与第一结合层连接，第二导电层与第二结合层连接，第一导电层和第二导电层相互绝缘，其中第一导电层的面积与大于正电极的面积，第二导电层的面积大于负电极的面积。
进一步的，所述第一结合层覆盖正电极，第二结合层覆盖负电极；所述第一导电层覆盖第一结合层，第二导电层覆盖第二结合层。
进一步的，所述结合层和导电层外边缘不超过所述荧光胶的外边缘。
进一步的，所述结合层的材料为金属钛或者金属镍。
一种LED芯片级封装器件的制作方法，包括以下步骤：
①提供LED芯片级封装器件，所述LED芯片级封装器件包括发光二极管晶片、包覆发光二极管晶片的荧光胶以及设置于发光二极管晶片底部的正电极和负电极，所述荧光胶包覆在发光二极管的四周和顶部；
②采用真空溅射镀膜设备或者蒸镀设备在LED芯片级封装器件的底部形成第一结合层、第二结合层、第一导电层和第二导电层使第一导电层的面积与大于正电极的面积，第二导电层的面积大于负电极的面积，且第一结合层、第二结合层、第一导电层和第二导电层的边缘均不超过所述荧光胶的边缘。
进一步的，在所述步骤②中采用真空溅射镀膜设备或者蒸镀设备在LED芯片级封装器件的底部形成导电层之后，采用蚀刻工艺将正电极和负电极之间的导电层和结合层去除后形成第一导电层和第二导电层。
进一步的，所述步骤②中利用钢网或者胶带覆盖正电极和负电极之间的间隙，采用真空溅射镀膜设备或者蒸镀设备在LED芯片级封装器件的底部形成结合层和导电层之后，去除钢网或者胶带，在LED芯片级封装器件的底部形成第一结合层、第二结合层、第一导电层和第二导电层。
本发明所述一种LED芯片级封装器件的底部设有结合层和导电层，所述结合层与荧光胶紧密贴合，导电层再附着在结合层上，避免导电层直接与荧光胶贴合，增加了导电层与LED芯片级封装器件之间的贴合力；
所述导电层包括第一导电层和第二导电层，所述第一导电层和第二导电层分别通过结合层与正电极和负电极电连接，所述第一导电层和第二导电层分别增加了正电极和负电极的面积，降低LED芯片级封装器件对贴片设备以及贴装电路板精度的要求，降低了LED芯片级封装器件的应用成本；增加LED芯片级封装器件与贴装电路板贴合的附着力，提高了LED芯片级封装器件贴片的良品率和使用稳定性。
附图说明
图1为本发明一种LED芯片级封装器件的结构示意图。
本发明目的的实现、功能特点及优点将结合实施例，参照附图做进一步说明。
具体实施方式
应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。
实施例1
参照图1，提出本发明的的一实施例，所述LED芯片级封装器件1包括发光二极管晶片11、包覆在发光二极管晶片11四周和顶部的荧光胶12以及设置于发光二极管晶片11底部的正电极13和负电极14。
所述LED芯片级封装器件1的底部还设有结合层2，所述结合层包括第一结合层21和第二结合层22，第一结合层21与荧光胶12紧密贴合并覆盖正电极13；所述第二结合层22与荧光胶12紧密贴合并覆盖负电极14，所述第一结合层21和第二结合层22之间存有间隙；所述结合层2的材料为金属钛或者金属镍，即所述第一结合层21和第二接合层22相互绝缘。
所述LED芯片级封装器件1的底部还设有导电层3，所述导电层包括第一导电层31和第二导电层32，所述第一导电层31覆盖第一结合层21，所述第二导电层32覆盖第二结合层22，且第一导电层31的面积大于正电极13的面积，第二导电层32的面积大于负电极14的面积。
所述第一结合层21、第二结合层22、第一导电层31和第二导电层32的外边缘边缘均不超过所述荧光胶12的边缘。
导电层直接贴合在荧光胶12、正电极和负电极上时结合力小，导电层2易与荧光胶12、正电极和负电极产生间隙；本发明所述结合层2与荧光胶紧密贴合，导电层3再附着在结合层2上，避免导电层3直接与荧光胶贴合，导电层与结合层2之间的贴合力大，增加了导电层与LED芯片级封装器件1之间的贴合力，避免导电层3与LED芯片级封装器件1之间产生间隙。
所述第一导电层31和第二导电层32分别通过第一结合层21和第二结合层22与正电极13和负电极14电连接，所述第一导电层31的面积大于正电极13的面积，第二导电层32的面积大于负电极14的面积，第一导电层31和第二导电层32增加了正电极13和负电极14的面积，在LED芯片级封装器件1贴片时扩大正电极13和负电极14的贴装面积，降低LED芯片级封装器件1对贴片设备以及贴装电路板精度的要求，降低了LED芯片级封装器件1的应用成本；增加LED芯片级封装器件1对贴装电路板的附着力，提高了LED芯片级封装器件1的贴片的良品率和使用的稳定性。
本发明所述LED芯片级封装器件1的制作方法包括以下步骤：
a.提供LED芯片级封装器件，所述LED芯片级封装器件包括发光二极管晶片、包覆在发光二极管晶片顶部和四周的荧光胶以及设置于发光二极管晶片底部的正电极和负电极；
b.采用真空溅射镀膜设备或者蒸镀设备在LED芯片级封装器件的底部形成结合层和导电层，采用蚀刻工艺将正电极和负电极之间的结合层导电层去除后形成第一结合层、第二结合层、第一导电层和第二导电层。
实施例2
与实施例1不同的是，所述LED芯片级封装器件1的制作方法包括以下步骤：
a’.提供LED芯片级封装器件，所述LED芯片级封装器件包括发光二极管晶片、包覆在发光二极管晶片顶部和四周的荧光胶以及设置于发光二极管晶片底部的正电极和负电极；
b’.利用钢网或者胶带覆盖正电极和负电极之间的间隙，采用真空溅射镀膜设备或者蒸镀设备将表面形成结合层和导电层，去除钢网或者胶带，在LED芯片级封装器件底部形成第一结合层、第二结合层、第一导电层和第二导电层。
以上所述仅为本发明的优选实施例，并非因此限制本发明的专利范围，凡是利用本发明说明书及附图内容所作的等效结构变换，或直接或间接运用在其他相关的技术领域，均同理包括在本发明的专利保护范围内。
Claims (7)
1.一种LED芯片级封装器件，所述LED芯片级封装器件包括发光二极管晶片、包覆发光二极管晶片的荧光胶以及设置于发光二极管晶片底部的正电极和负电极，其特征在于，还包括结合层和导电层，所述结合层设置在发光二极管晶片底部，所述结合层与荧光胶紧密贴合，所述结合层包括第一结合层和第二结合层，第一结合层与正电极连接，所述第二结合层与负电极连接，且第一结合层和第二接合层之间存有间隙；所述导电层设置在发光二极管晶片底部，所述导电层包括第一导电层和第二导电层，所述第一导电层与第一结合层连接，第二导电层与第二结合层连接，第一导电层和第二导电层相互绝缘，其中第一导电层的面积与大于正电极的面积，第二导电层的面积大于负电极的面积。
2.根据权利要求1所述的一种LED芯片级封装器件，其特征在于，所述第一结合层覆盖正电极，第二结合层覆盖负电极；所述第一导电层覆盖第一结合层，第二导电层覆盖第二结合层。
3.根据权利要求1所述的一种LED芯片级封装器件，其特征在于，所述结合层和导电层外边缘不超过所述荧光胶的外边缘。
4.根据权利要求1所述的一种LED芯片级封装器件，其特征在于，所述结合层的材料为金属钛或者金属镍。
5.一种LED芯片级封装器件的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：
①提供LED芯片级封装器件，所述LED芯片级封装器件包括发光二极管晶片、包覆发光二极管晶片的荧光胶以及设置于发光二极管晶片底部的正电极和负电极，所述荧光胶包覆在发光二极管的四周和顶部；
②采用真空溅射镀膜设备或者蒸镀设备在LED芯片级封装器件的底部形成第一结合层、第二结合层、第一导电层和第二导电层。
6.根据权利要求5所述的一种LED芯片级封装器件的制作方法，其特征在于，在所述步骤②中采用真空溅射镀膜设备或者蒸镀设备在LED芯片级封装器件的底部形成导电层之后，采用蚀刻工艺将正电极和负电极之间的导电层和结合层去除后形成第一导电层和第二导电层。
7.根据权利要求5所述的一种LED芯片级封装器件的制作方法，其特征在于，所述步骤②中利用钢网或者胶带覆盖正电极和负电极之间的间隙，采用真空溅射镀膜设备或者蒸镀设备在LED芯片级封装器件的底部形成结合层和导电层之后，去除钢网或者胶带，在LED芯片级封装器件的底部形成第一结合层、第二结合层、第一导电层和第二导电层。
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