CN107591435A - 一种显示面板、显示装置及其制作方法 - Google Patents

Abstract

本申请提供一种显示面板、显示装置及其制作方法，以避免偏光膜容易产生开胶问题的同时，也能改善外界紫外光线照射薄膜晶体管时导致薄膜晶体管不能正常关断问题。该显示面板包括设置在透明衬底基板之上的偏光膜，设置在所述偏光膜之上的薄膜晶体管层，以及设置在所述薄膜晶体管层之上的发光层，所述发光层发出的光经所述透明衬底基板出射。

Description

一种显示面板、显示装置及其制作方法

技术领域

本申请涉及半导体技术领域，尤其涉及一种显示面板、显示装置及其制作方法。

背景技术

平面显示器(F1at Pane1 Disp1ay，FPD)己成为市场上的主流产品，平面显示器的种类也越来越多，如液晶显示器(Liquid Crysta1 Disp1ay，LCD)、有机发光二极管(Organic Light Emitted Diode，OLED)显示器、等离子体显示面板(P1asma Disp1ayPane1，PDP)及场发射显示器(Field Emission Display，FED)等。

而作为FPD产业核心技术的薄膜晶体管(Thin Film Transistor，TFT)背板技术，也在经历着深刻的变革。尤其是金属氧化物薄膜晶体管(Metal Oxide Thin FilmTransistor，MOTFT)，由于具有较高的迁移率(在5～50cm2/Vs左右)、制作工艺简单、成本较低，且具有优异的大面积均匀性等特点，因此MOTFT技术自诞生以来便备受业界瞩目。

目前主动矩阵有机发光显示设备(Active-matrix organic light emittingdiode，AMOLED)进入到产品化评估阶段，整机信赖性的优劣关系到产品大规模量产的重要问题。而AMOLED显示设备的TFT工艺制程不可避免地受紫外光照射，而紫外光的照射会使TFT阈值电压负向漂移，使得TFT不能正常关断，进而使显示面板产生显示效果劣化的问题。另外，偏振片的贴覆是AMOLED产品的必要后段工序，人力和材料成本较高，并且在进行高温高湿信赖性测试时会出现开胶的情况，也会导致显示效果劣化的问题。

发明内容

本申请提供一种显示面板、显示装置及其制作方法，以避免偏光膜设置容易产生开胶问题的同时，也能改善外界紫外光线照射薄膜晶体管时导致薄膜晶体管不能正常关断问题。

本申请实施例提供一种显示面板，包括设置在透明衬底基板之上的偏光膜，设置在所述偏光膜之上的薄膜晶体管层，以及设置在所述薄膜晶体管层之上的发光层，所述发光层发出的光经所述透明衬底基板出射。

优选的，所述发光层包括出光区，所述偏光膜在与所述出光区对应的区域设置有镂空结构。

优选的，所述透明衬底基板背离所述偏光膜的一面还设置有紫外吸收膜。

优选的，所述紫外吸收膜的背离所述透明衬底基板的一面呈凹凸状。

优选的，所述紫外吸收膜的材质为结晶型氧化铟锡。

本申请实施例还提供一种显示装置，包括本申请实施例提供的所述显示面板。

本申请实施例还提供一种显示面板的制作方法，包括：

在透明衬底基板之上形成偏光膜；

在所述偏光膜之上形成薄膜晶体管层；

在所述薄膜晶体管层之上形成发光层，其中，所述发光层发出的光经所述透明衬底基板出射。

优选的，所述在透明衬底基板之上形成偏光膜，具体包括：

采用旋涂或狭缝式涂布方式形成第一薄膜；

以预设温度退火所述第一薄膜第一预设时长；

采用紫外光照射所述第一薄膜第二预设时长，形成所述偏光膜。

优选的，所述发光层包括出光区，在形成所述偏光膜之后，所述制作方法还包括：去除所述偏光膜的与所述出光区对应的薄膜。

优选的，所述在透明衬底基板之上形成偏光膜之前，所述制作方法还包括：在所述透明衬底基板的背离所述偏光膜的一面形成结晶型氧化铟锡。

本申请实施例有益效果如下：本申请实施例提供的显示面板，在透明衬底基板之上设置有偏光膜，薄膜晶体管层设置在偏光膜之上，发光层设置在薄膜晶体管层之上，且发光层发出的光经透明衬底基板出射，即，偏光膜设置在显示面板的出光侧且位于薄膜晶体管层以及发光层之下，可以在实现偏光膜自身作用的同时，避免偏光膜设置在显示面板外侧时容易发生开胶的问题，而且，由于偏光膜可对紫外光进行遮挡，进而也可以改善外界紫外光线对照射TFT时导致的TFT不能正常关断问题。

附图说明

图1为本申请实施例提供的显示面板的结构示意图；

图2为本申请实施例提供的偏光膜设置有镂空结构的显示面板结构示意图；

图3为本申请实施例提供的设置有紫外吸收膜的显示面板结构示意图；

图4为本申请实施例提供的一种具体的设置有紫外吸收膜的显示面板结构示意图；

图5为本申请实施例提供的一种具体的显示面板的结构示意图；

图6为本申请实施例提供的设置有偏光膜与不设置偏光膜的对比示意图；

图7为本申请实施例提供的一种显示面板的制作流程示意图；

图8为本申请实施例中，制备完成紫外吸收膜的显示面板的结构示意图；

图9为本申请实施例中，制备完成偏光膜的显示面板的结构示意图；

图10为本申请实施例中，制备完成遮光层的显示面板的结构示意图；

图11为本申请实施例中，制备完成过渡层的显示面板的结构示意图；

图12为本申请实施例中，制备完成有源层的显示面板的结构示意图；

图13为本申请实施例中，制备完成栅极的显示面板的结构示意图；

图14为本申请实施例中，制备完成阳极层的显示面板的结构示意图；

图15为本申请实施例中，制备完成阴极层的显示面板的结构示意图。

具体实施方式

下面结合说明书附图对本申请实施例的实现过程进行详细说明。需要注意的是，自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的，仅用于解释本申请，而不能理解为对本申请的限制。

参见图1所示，本申请实施例提供一种显示面板，包括设置在透明衬底基板1之上的偏光膜2，设置在偏光膜2之上的薄膜晶体管层3，以及设置在薄膜晶体管层3之上的发光层4，发光层4发出的光经透明衬底基板1出射。

本申请实施例提供的显示面板，在透明衬底基板1之上设置有偏光膜2，薄膜晶体管层3设置在偏光膜2之上，发光层4设置在薄膜晶体管层3之上，且发光层3发出的光经透明衬底基板1出射，即，本申请实施例的显示面板为底发射型显示面板，偏光膜2设置在显示面板的出光侧且位于薄膜晶体管层3以及发光层4之下，可以在实现偏光膜自身作用的同时，避免偏光膜2设置在显示面板外侧时容易发生开胶的问题，而且，由于偏光膜2可对紫外光进行遮挡，进而也可以改善外界紫外光线对照射薄膜晶体管时导致的薄膜晶体管不能正常关断问题。外界紫外光可以是经过容器和腔体反射后，从透明衬底基板侧照射到薄膜晶体管的紫外光。

优选的，参见图2所示，发光层4包括出光区40，偏光膜2在与出光区40对应的区域设置有镂空结构20，优选的，镂空结构20在透明衬底基板1上的正投影与出光区40在透明衬底基板1上的正投影重叠。在具体实施时，对于显示面板而言，其包括有多个呈阵列分布的像素单元，而发光层在像素单元对应有出光区，本申请实施例中，通过在偏光膜2的与出光区40对应的区域设置镂空结构20，可以提高显示面板的出光光强以及降低显示面板的功耗。

优选的，参见图3所示，透明衬底基板1背离偏光膜2的一面还设置有紫外吸收膜5。本申请实施例中，透明衬底基板1背离偏光膜2的一面还设置有紫外吸收膜5时，可以进一步遮挡外界紫外光对薄膜晶体管的照射，进一步改善外界紫外光线对照射薄膜晶体管时导致的薄膜晶体管不能正常关断问题。

优选的，参见图4所示，紫外吸收膜5的背离透明衬底基板1的一面呈凹凸状。本申请实施例中，紫外吸收膜5的背离透明衬底基板1的一面呈凹凸状，可以使紫外遮挡膜5对外界光形成漫反射，可以达到防治眩光的目的。

优选的，紫外吸收膜5的材质为结晶型氧化铟锡。本申请实施例中，紫外吸收膜5的材质为结晶型氧化铟锡时，可以在制作显示面板的其它膜层之前，在透明衬底基板的背面先形成结晶型氧化铟锡，进而在后续对显示面板的其它膜层进行刻蚀图案化时，可以同时对紫外吸收膜5的表面进行刻蚀，使紫外吸收膜5的表面粗糙化，进而可以省去使紫外吸收膜5的背离偏光膜2的一面呈凹凸状的制作工艺。

参见图5所示，在具体实施时，薄膜晶体管层3具体可以包括有源层31、设置在有源层31之上的栅极绝缘层32、设置在栅极绝缘层32之上的栅极33、设置在栅极33之上的层间介质层34、设置在层间介质层34之上的源极35和漏极36，其中，源极35和漏极36分别通过不同的过孔与有源层31接触。有源层31的材质具体可以为金属氧化物半导体，优选的，可以为铟镓锌氧化物(indium gallium zinc oxide，IGZO)。偏光膜2与薄膜晶体管层3之间还可以设置有过渡层6，过渡层6与偏光膜2之间还可以设置有遮光层7，优选的，遮光层7在透明衬底基板1上的正投影与有源层31在透明衬底基板1上的正投影重叠。偏光膜2具体可以为圆偏光膜。

而对于发光层4，其具体可以包括阳极层41、位于阳极层41之上的有机发光层42、位于有机发光层42之上的阴极层43，具体的，阳极层41可以为透明阴极层，材质可以为氧化铟锡，阴极层43可以为反射阴极层，材质可以为铝，进而可以使有机发光层42发出的光经反射阴极层反射后经透明衬底基板1出射，有机发光层42可以为出射白光的有机发光层，发光层还可以包括像素界定层44。薄膜晶体管层3与发光层4之间还可以设置有彩膜层8，彩膜层8与薄膜晶体管层3之间还可以设置有保护层9，彩膜层8与发光层4之间还可以设置有平坦层10。其中，彩膜层8用于将有机发光层42的白光过滤为红、绿或蓝单色光。阳极层41通过过孔与漏极36接触。

参见图6所示，针对薄膜晶体管不能正常关断的问题，即在0灰阶下直接使显示面板开启导致发光的L0发亮问题，本申请进行了信赖性测试，将一块面板分为左右两半，图6的左边视图为贴本申请实施例提供的偏光膜，图6的右边视图为不贴本申请实施例提供的偏光膜。贴偏光膜部分可以明显减弱环境光的照射，所以L0未发亮。而未贴偏光膜部分会产生明显的L0发亮的问题，导致对比度下降，画面显示劣化。

本申请实施例还提供一种显示装置，包括本申请实施例提供的显示面板。

参见图7所示，本申请实施例还提供一种显示面板的制作方法，包括：

步骤101、在透明衬底基板之上形成偏光膜。

优选的，在透明衬底基板之上形成偏光膜，具体包括：

采用旋涂或狭缝式涂布方式形成第一薄膜；

以预设温度退火第一薄膜第一预设时长；

采用紫外光照射第一薄膜第二预设时长，形成偏光膜。

步骤102、在偏光膜之上形成薄膜晶体管层；

步骤103、在薄膜晶体管层之上形成发光层，其中，发光层发出的光经透明衬底基板出射。

优选的，发光层包括出光区，在形成偏光膜之后，制作方法还包括：去除偏光膜的与出光区对应的薄膜。

优选的，在透明衬底基板之上形成偏光膜之前，制作方法还包括：在透明衬底基板的背离偏光膜的一面形成结晶型氧化铟锡。

为了更详细的对本申请提供的显示面板的制作方法进行说明，结合附图8至附图15举例如下：

步骤一，在透明衬底基板1的背面采用磁控溅射方法沉积135nm结晶型氧化铟锡，作为紫外吸收膜5。透明衬底基板1具体可以为玻璃基板。在透明衬底基板背面形成结晶型氧化铟锡的示意图如图8所示。

步骤二，采用狭缝式涂覆方式在透明衬底基板1之上涂覆第一薄膜，预设温度下退火第一预设时长，去除溶剂；采用紫外光照射第一薄膜第二预设时长，获得具有偏振特性的偏光膜2，制作完成偏光膜的示意图如图9所示；

步骤三，用磁控溅射方法沉积135nm的非晶型氧化铟锡，可以对紫外光进行遮挡，并进行图形化，形成遮光层7，由图9可以看出，在对遮光层7进行图案化刻蚀时，也会对透明衬底基板下方的结晶型氧化铟锡产生轻微刻蚀。制作完成的示意图如图如图10所示。

步骤四，利用等离子体增强化学的气相沉积法制备厚度为300nm的过渡层6，制作完成过渡层的示意图如图11所示。

步骤五，利用磁控溅射的方法沉积40nm的IGZO层，并进行图案化，形成有源层31，制作完成有源层的示意图如图12所示。

步骤六，利用等离子体增强化学的气相沉积法制备厚度为150nm的SiOx作为栅极绝缘32；用磁控溅射方法沉积MoNb/Cu/MoNb(30nm/420nm/30nm)，采用自对准工艺进行图形化形成栅极33，制作完成栅极的示意图如图13所示。

步骤七，利用等离子体增强化学的气相沉积法制备厚度为300nm的SiOx膜层，并进行图形化，作为层间介质层34；采用磁控溅射方法制备厚度为50～400nm的源、漏电极膜，并根据所需图形进行光刻和刻蚀，形成源极35和漏极36；利用等离子体增强化学的气相沉积法沉积厚度为300nm的SiOx，并根据需要进行图形化作为保护层9；形成图案化的彩膜层8；对做完彩膜层8的基板进行平坦化，形成平坦层10,；沉积1350nm的ITO，并进行图形化，形成阳极层41，由图11到图12可以看出，在对阳极层41的刻蚀过程中，结晶型氧化铟锡会被再次进行刻蚀，形成更粗糙的凹凸状表面，制作完成阳极层的示意图如图14所示。

步骤八，形成像素界定层44,；采用喷墨打印或蒸镀的方法进行有机发光层42；采用蒸镀方式，进行Al膜沉积，形成阴极层43，制作完阴极层的示意图如图15所示。

本申请实施例有益效果如下：本申请实施例提供的显示面板，在透明衬底基板之上设置有偏光膜，薄膜晶体管层设置在偏光膜之上，发光层设置在薄膜晶体管层之上，且发光层发出的光经透明衬底基板出射，即，偏光膜设置在显示面板的出光侧且位于薄膜晶体管层以及发光层之下，可以在实现偏光膜自身作用的同时，避免偏光膜设置在显示面板外侧时容易发生开胶的问题，而且，由于偏光膜可对紫外光进行遮挡，进而也可以改善外界紫外光线对照射TFT时导致的TFT不能正常关断问题。

显然，本领域的技术人员可以对本申请进行各种改动和变型而不脱离本申请的精神和范围。这样，倘若本申请的这些修改和变型属于本申请权利要求及其等同技术的范围之内，则本申请也意图包含这些改动和变型在内。

Claims (10)

1.一种显示面板，其特征在于，包括设置在透明衬底基板之上的偏光膜，设置在所述偏光膜之上的薄膜晶体管层，以及设置在所述薄膜晶体管层之上的发光层，所述发光层发出的光经所述透明衬底基板出射。

2.如权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述发光层包括出光区，所述偏光膜在与所述出光区对应的区域设置有镂空结构。

3.如权利要求1或2所述的显示面板，其特征在于，所述透明衬底基板背离所述偏光膜的一面还设置有紫外吸收膜。

4.如权利要求3所述的显示面板，其特征在于，所述紫外吸收膜的背离所述透明衬底基板的一面呈凹凸状。

5.如权利要求4所述的显示面板，其特征在于，所述紫外吸收膜的材质为结晶型氧化铟锡。

6.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求1-5任一项所述的显示面板。

7.一种显示面板的制作方法，其特征在于，包括：

在透明衬底基板之上形成偏光膜；

在所述偏光膜之上形成薄膜晶体管层；

在所述薄膜晶体管层之上形成发光层，其中，所述发光层发出的光经所述透明衬底基板出射。

8.如权利要求7所述的制作方法，其特征在于，所述在透明衬底基板之上形成偏光膜，具体包括：

采用旋涂或狭缝式涂布方式形成第一薄膜；

以预设温度退火所述第一薄膜第一预设时长；

采用紫外光照射所述第一薄膜第二预设时长，以形成所述偏光膜。

9.如权利要求8所述的制作方法，其特征在于，所述发光层包括出光区，在形成所述偏光膜之后，所述制作方法还包括：去除所述偏光膜的与所述出光区对应的薄膜。

10.如权利要求7所述的制作方法，其特征在于，所述在透明衬底基板之上形成偏光膜之前，所述制作方法还包括：在所述透明衬底基板的背离所述偏光膜的一面形成结晶型氧化铟锡。