CN107585769A - 一种制备颗粒硅籽晶的系统及方法 - Google Patents

Abstract

本发明涉及晶体硅制备技术领域，旨在提供一种制备颗粒硅籽晶的系统及方法，其能够制备出纯度、球度高的颗粒硅籽晶。本发明提供的制备颗粒硅籽晶的系统，包括挡板、熔融装置以及喷射装置，挡板与喷射装置的喷射部间隔设置。经熔融装置将多晶硅料加热至熔融状态，得到熔融多晶硅；将熔融多晶硅经喷射装置分散为多晶硅液滴，并经过挡板分散为更小的多晶硅液滴；多晶硅液滴在空中进行冷却凝固，得到颗粒硅籽晶。本发明提供的制备颗粒硅籽晶的系统够制备出纯度、球度高的颗粒硅籽晶，具有较小的物料损失量并且不易产生粉尘。本发明提供的制备颗粒硅籽晶的方法，由于采用上述的制备颗粒硅籽晶的系统，因此也具有上述的有益。

Description

一种制备颗粒硅籽晶的系统及方法

技术领域

本发明涉及晶体硅制备技术领域，具体而言，涉及一种制备颗粒硅籽晶的系统及方法。

背景技术

改良西门子法和流化床法是制造多晶硅的主要方法，两种方法均需要多晶硅晶种作为硅沉积载体，改良西门子法通常采用的是圆柱形多晶硅细棒或正方体型多晶硅硅棒作为硅沉积载体，流化床法采用小粒径硅颗粒作为硅沉积载体。

颗粒硅籽晶通常采用研磨、破碎等机械粉碎方法制备。以破碎法制备颗粒硅籽晶为例，在多晶硅硅棒破碎过程中，引入外来杂质和碎颗粒表面氧化的概率很大，此外，很容易在破碎过程中产生硅粉尘，导致物料损失。低纯度颗粒硅籽晶是影响颗粒硅纯度的主要因素，高纯颗粒硅籽晶制备技术是获得高纯颗粒硅的基础性关键技术。在颗粒硅籽晶制备过程中抑制硅粉尘的产生，也是急需解决的问题。

颗粒硅籽晶形貌对流化床工艺的稳定性有重要影响。不规则颗粒硅籽晶，即低球度颗粒硅籽晶在流化床中的占比越高，相对应地最小流化态速度越低，太低的最小流化态速度不利于流化床的稳定运行，会导致流化床沸腾程度提高，会增加床层孔隙率，更加容易产生硅粉尘。

发明内容

本发明旨在提供一种制备颗粒硅籽晶的系统，其能够制备出纯度、球度高的颗粒硅籽晶，具有较小的物料损失量并且不易产生粉尘。

本发明的另一目的在于提供一种采用上述制备颗粒硅籽晶的系统的方法。

本发明的实施例是这样实现的：

一种制备颗粒硅籽晶的系统，其包括挡板；用于将固体硅料熔融的熔融装置，熔融装置包括具备有导流口的容纳腔；用于将经导流口流出的熔融液滴喷射至挡板的喷射装置，挡板与喷射装置的喷射部间隔设置。

本发明的实施例中提供的制备颗粒硅籽晶的系统，包括挡板；用于将固体硅料熔融的熔融装置，熔融装置包括具备有导流口的容纳腔；用于将经导流口流出的熔融液滴喷射至挡板的喷射装置，挡板与喷射装置的喷射部间隔设置。在实施过程中，经熔融装置将多晶硅料加热至熔融状态，得到熔融多晶硅；将熔融多晶硅经喷射装置分散为多晶硅液滴，并经过挡板分散为更小的多晶硅液滴；多晶硅液滴在空中进行冷却凝固，得到颗粒硅籽晶。冷却液滴使其变为固体颗粒，液滴会在表面张力作用下形成高球形度的球形液滴，球形液滴变为球形多晶硅固体颗粒。本发明的实施例中提供的制备颗粒硅籽晶的系统够制备出纯度、球度高的颗粒硅籽晶，具有较小的物料损失量并且不易产生粉尘。

在本发明的一个实施例中：

上述喷射装置为连接在导流口的喷嘴以及与容纳腔连通的高压气体注入装置。

在本发明的一个实施例中：

上述喷射装置设置为靠近导流口的高压气体喷射装置。

在本发明的一个实施例中：

上述挡板上设置有凸起部，凸起部与喷射装置的喷射部相对设置。

在本发明的一个实施例中：

上述凸起部设置为半球形。

在本发明的一个实施例中：

上述制备颗粒硅籽晶的系统包括挡板轨道装置，挡板与挡板轨道装置可滑动地连接，使挡板靠近或远离喷射装置的喷射部。

在本发明的一个实施例中：

上述制备颗粒硅籽晶的系统还包括籽晶收集装置，籽晶收集装置具备有收集腔室；挡板、喷射装置以及导流口均设置在收集腔室内。

在本发明的一个实施例中：

上述籽晶收集装置开设有连通收集腔室的高纯气体置换口。

一种制备颗粒硅籽晶的方法，采用上述任意一种制备颗粒硅籽晶的系统，制备颗粒硅籽晶的方法包括，

熔融步骤：经熔融装置将多晶硅料加热至熔融状态，得到熔融多晶硅；

分散步骤：将熔融多晶硅经喷射装置分散为多晶硅液滴，并经过挡板分散为更小的多晶硅液滴；

冷却步骤：将多晶硅液滴在空中进行冷却凝固，得到颗粒硅籽晶。

在本发明的一个实施例中：

上述熔融步骤的熔融多晶硅的温度为1450℃至2250℃。

本发明实施例的有益效果是：

本发明的实施例中提供的制备颗粒硅籽晶的系统，包括挡板；用于将固体硅料熔融的熔融装置，熔融装置包括具备有导流口的容纳腔；用于将经导流口流出的熔融液滴喷射至挡板的喷射装置，挡板与喷射装置的喷射部间隔设置。在实施过程中，经熔融装置将多晶硅料加热至熔融状态，得到熔融多晶硅；将熔融多晶硅经喷射装置分散为多晶硅液滴，并经过挡板分散为更小的多晶硅液滴；多晶硅液滴在空中进行冷却凝固，得到颗粒硅籽晶。冷却液滴使其变为固体颗粒，液滴会在表面张力作用下形成高球形度的球形液滴，球形液滴变为球形多晶硅固体颗粒。本发明的实施例中提供的制备颗粒硅籽晶的系统够制备出纯度、球度高的颗粒硅籽晶，具有较小的物料损失量并且不易产生粉尘。

本发明的实施例中提供的制备颗粒硅籽晶的方法，由于采用上述的制备颗粒硅籽晶的系统，因此也具备有够制备出纯度、球度高的颗粒硅籽晶，具有较小的物料损失量并且不易产生粉尘的有益效果。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，应当理解，以下附图仅示出了本发明的某些实施例，因此不应被看作是对范围的限定，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他相关的附图。

图1为本发明实施例1提供的制备颗粒硅籽晶的系统10采用第一种喷射装置300的整体结构示意图；

图2为本发明实施例1提供的制备颗粒硅籽晶的系统10采用第二种喷射装置300的整体结构示意图。

图标：10-制备颗粒硅籽晶的系统；100-挡板；110-凸起部；120-挡板轨道装置；200-熔融装置；210-容纳腔；220-气体置换口；300-喷射装置；310-喷嘴；320-高压气体注入装置；330-高压气体喷射装置；400-籽晶收集装置；410-收集腔室；420-高纯气体置换口。

具体实施方式

为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。通常在此处附图中描述和示出的本发明实施例的组件可以以各种不同的配置来布置和设计。

因此，以下对在附图中提供的本发明的实施例的详细描述并非旨在限制要求保护的本发明的范围，而是仅仅表示本发明的选定实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

应注意到：相似的标号和字母在下面的附图中表示类似项，因此，一旦某一项在一个附图中被定义，则在随后的附图中不需要对其进行进一步定义和解释。

在本发明实施例的描述中，需要说明的是，若出现术语“上”、“下”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，或者是该发明产品使用时惯常摆放的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。此外，本发明的描述中若出现术语“第一”、“第二”等仅用于区分描述，而不能理解为指示或暗示相对重要性。

在本发明实施例的描述中，还需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，若出现术语“设置”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。

实施例1：

图1为本发明实施例1提供的制备颗粒硅籽晶的系统10采用第一种喷射装置300的整体结构示意图。请参照图1，本实施例提供一种制备颗粒硅籽晶的系统10，其包括挡板100；用于将固体硅料熔融的熔融装置200，熔融装置200包括具备有导流口的容纳腔210。用于将经导流口流出的熔融液滴喷射至挡板100的喷射装置300，挡板100与喷射装置300的喷射部间隔设置。

在本实施例中，提供的第一种喷射装置300设置为连接在导流口的喷嘴310以及与容纳腔210连通的高压气体注入装置320。将喷射装置300设置为连接在导流口的喷嘴310以及与容纳腔210连通的高压气体注入装置320，硅料在容纳腔210内加热至熔融状态，熔融硅液流经高压气体注入装置320加压，经加压的熔融硅液流由喷嘴310喷出后分散为液滴，并经过挡板100分散为更小的多晶硅液滴，多晶硅液滴在空中进行冷却凝固，得到颗粒硅籽晶。同时调节高压气体注入装置320的压力值，可满足用户对于多晶硅颗粒的粒径大小不同的需求。

需要说明的，在本实施例中，将喷射装置300设置为连接在导流口的喷嘴310以及与容纳腔210连通的高压气体注入装置320，硅料在容纳腔210内加热至熔融状态，熔融硅液流经高压气体注入装置320加压，经加压的熔融硅液流由喷嘴310喷出后分散为液滴，并经过挡板100分散为更小的多晶硅液滴，多晶硅液滴在空中进行冷却凝固，得到颗粒硅籽晶。同时调节高压气体注入装置320的压力值，可满足用户对于多晶硅颗粒的粒径大小不同的需求。可以理解的，在其他具体实施例中，也可以根据用户的需求，将喷射装置300设置为其他结构。

图2为本发明实施例1提供的制备颗粒硅籽晶的系统10采用第二种喷射装置300的整体结构示意图。请参照图2，在本实施例中，提供的第二种喷射装置300设置为靠近导流口的高压气体喷射装置330。将喷射装置300设置为靠近导流口的高压气体喷射装置330，硅料在容纳腔210内加热至熔融状态，熔融硅液流经导流口导出，经高压气体喷射装置330吹散多晶硅液流，熔融硅料经高压气体喷射装置330吹散后分散为液滴。液滴再经挡板100碰撞，分散为更小的液滴，冷却液滴使其变为固体颗粒，液滴会在表面张力作用下形成高球形度的球形液滴，球形液滴变为球形多晶硅固体颗粒。

需要说明的，在本实施例中，将喷射装置300设置为靠近导流口的高压气体喷射装置330，硅料在容纳腔210内加热至熔融状态，熔融硅液流经导流口导出，经高压气体喷射装置330吹散多晶硅液流，熔融硅料经高压气体喷射装置330吹散后分散为液滴。液滴再经挡板100碰撞，分散为更小的液滴，冷却液滴使其变为固体颗粒，液滴会在表面张力作用下形成高球形度的球形液滴，球形液滴变为球形多晶硅固体颗粒。可以理解的，在其他具体实施例中，也可以根据用户的需求，将喷射装置300设置为其他结构。

在本实施例中，挡板100上设置有凸起部110，凸起部110与喷射装置300的喷射部相对设置。在挡板100上设置与喷射部相对的凸起部110，便于将经喷射装置300喷射出的多晶硅液滴经凸起部110分散为更小的液滴，同时可向多个方向飞溅。

需要说明的，在本实施例中，在挡板100上设置与喷射部相对的凸起部110，便于将经喷射装置300喷射出的多晶硅液滴经凸起部110分散为更小的液滴，同时可向多个方向飞溅。可以理解的，在其他具体实施例中，也可以根据用户的需求，不设置凸起部110。

在本实施例中，凸起部110设置为半球状。将凸起部110设置为半球状，便于将经喷射装置300喷射出的多晶硅液滴经凸起部110分散为更小的液滴，同时可向多个方向飞溅，避免单方向飞溅引起多晶硅液滴连结的现象。

需要说明的，在本实施例中，凸起部110设置为半球状。将凸起部110设置为半球状，便于将经喷射装置300喷射出的多晶硅液滴经凸起部110分散为更小的液滴，同时可向多个方向飞溅，避免单方向飞溅引起多晶硅液滴连结的现象。可以理解的，在其他具体实施例中，也可以根据用户的需求，将凸起部110设置为其他形状，例如正三棱锥或正四棱锥，正五棱锥等。

在本实施例中，制备颗粒硅籽晶的系统10包括挡板轨道装置120，挡板100与挡板轨道装置120可滑动地连接，使挡板100靠近或远离喷射装置300的喷射部。设置挡板轨道装置120，挡板100与挡板轨道装置120可滑动地连接，使挡板100靠近或远离喷射装置300的喷射部，通过靠近或远离喷射装置300的喷射部，进而可以实现对多晶硅颗粒的大小进行调节。可根据用户对多晶硅颗粒大小不同的需求，调节挡板100距离喷射装置300的喷射部的距离。

需要说明的，在本实施例中，设置挡板轨道装置120，挡板100与挡板轨道装置120可滑动地连接，使挡板100靠近或远离喷射装置300的喷射部，通过靠近或远离喷射装置300的喷射部，进而可以实现对多晶硅颗粒的大小进行调节。可根据用户对多晶硅颗粒大小不同的需求，调节挡板100距离喷射装置300的喷射部的距离。可以理解的，在其他具体实施例中，也可以根据用户的需求，不设置挡板轨道装置120。

在本实施例中，制备颗粒硅籽晶的系统10还包括籽晶收集装置400，籽晶收集装置400具备有收集腔室410；挡板100、喷射装置300以及导流口均设置在收集腔室410内。设置籽晶收集装置400是为了便于收集制备好了的颗粒硅籽晶。

需要说明的，在本实施例中，设置籽晶收集装置400是为了便于收集制备好了的颗粒硅籽晶。可以理解的，在其他具体实施例中，也可以根据用户的需求，不设置籽晶收集装置400采用现有的收集装置。

在本实施例中，籽晶收集装置400开设有连通收集腔室410的高纯气体置换口420。在籽晶收集装置400开设连通收集腔室410的高纯气体置换口420，便于向收集腔室410内注入高纯气体，以置换收集腔室410内的空气，保证多晶硅颗粒的纯度。

需要说明的，在本实施例中，在籽晶收集装置400开设连通收集腔室410的高纯气体置换口420，便于向收集腔室410内注入高纯气体，以置换收集腔室410内的空气，保证多晶硅颗粒的纯度。可以理解的，在其他具体实施例中，也可以根据用户的需求，不设置高纯气体置换口420。

在本实施例中，熔融装置200上开设有连通容纳腔210的气体置换口220。设置气体置换口220便于向容纳腔210内通入高纯气体以置换容纳腔210内的空气，提高熔融多晶硅的纯度。

需要说明的，在本实施例中，设置气体置换口220便于向容纳腔210内通入高纯气体以置换容纳腔210内的空气，提高熔融多晶硅的纯度。可以理解的，在其他具体实施例中，也可以根据用户的需求，不设置气体置换口220。

可选地，在本实施例中，高纯气体包括高纯氮气，可以理解的这里的高纯气体并不限于高纯氮气，在其他具体实施例中，也可以根据用户的需求，将高纯气体设置为高纯氩气等。

本发明的实施例中提供的制备颗粒硅籽晶的系统10，包括挡板100；用于将固体硅料熔融的熔融装置200，熔融装置200包括具备有导流口的容纳腔210；用于将经导流口流出的熔融液滴喷射至挡板100的喷射装置300，挡板100与喷射装置300的喷射部间隔设置。在实施过程中，经熔融装置200将多晶硅料加热至熔融状态，得到熔融多晶硅；将熔融多晶硅经喷射装置300分散为多晶硅液滴，并经过挡板100分散为更小的多晶硅液滴；多晶硅液滴在空中进行冷却凝固，得到颗粒硅籽晶。冷却液滴使其变为固体颗粒，液滴会在表面张力作用下形成高球形度的球形液滴，球形液滴变为球形多晶硅固体颗粒。本发明的实施例中提供的制备颗粒硅籽晶的系统10够制备出纯度、球度高的颗粒硅籽晶，具有较小的物料损失量并且不易产生粉尘。

本发明的实施例中还提供了一种采用上述制备颗粒硅籽晶的系统10的制备颗粒硅籽晶的方法，包括，

熔融步骤：经熔融装置200将多晶硅料加热至熔融状态，得到熔融多晶硅。多晶硅料的来源可以是多晶硅棒料、多晶硅棒破碎料、硅粉尘料以及通过其他方法制备或者在其他过程中产生的多晶硅料。加热的方式包括火焰加热、电加热、等离子加热、激光加热、感应加热。熔融多晶硅的温度控制为1450℃至2250℃；优选地，熔融多晶硅的温度为1480℃至2120℃；再优选地，熔融多晶硅的温度为1580℃至2020℃，通过温度的控制，可以控制熔融多晶硅的粘度，即流动性能。熔融多晶硅的粘度随其温度上升而减小。

分散步骤：将熔融多晶硅经喷射装置300分散为多晶硅液滴，并经过挡板100分散为更小的多晶硅液滴。具体地，熔融硅液流经高压气体注入装置320加压，经加压的熔融硅液流由喷嘴310喷出后分散为液滴，并经过挡板100分散为更小的多晶硅液滴。优选地，熔融硅液流由导流口导流，经高压气体喷射装置330吹散多晶硅液流，熔融硅料经高压气体喷射装置330吹散后分散为液滴。液滴再经挡板100碰撞，分散为更小的液滴。

冷却步骤：将多晶硅液滴在空中进行冷却凝固，得到颗粒硅籽晶。具体地，对经分散多晶硅液流形成的液滴进行冷却，由于表面张力的作用会变为球形液滴，最终会变为球形多晶硅固体颗粒。为了保持颗粒硅籽晶的纯度，冷却室内可选择性地充入保护气氛，如氮气。

实施例2：

本实施例提供一种颗粒硅籽晶的制备方法，其包括以下步骤。

S1、熔融步骤

经熔融装置200将多晶硅料加热至熔融状态，得到熔融多晶硅。将熔融多晶硅的温度控制在2250℃。

S2、分散步骤

将熔融多晶硅经喷射装置300分散为多晶硅液滴，并经过挡板100分散为更小的多晶硅液滴。

S3、冷却步骤

将多晶硅液滴在空中进行冷却凝固，得到颗粒硅籽晶。

实施例3：

本实施例提供一种颗粒硅籽晶的制备方法，其包括以下步骤。

S1、熔融步骤

经熔融装置200将多晶硅料加热至熔融状态，得到熔融多晶硅。将熔融多晶硅的温度控制在2120℃。

S2、分散步骤

将熔融多晶硅经喷射装置300分散为多晶硅液滴，并经过挡板100分散为更小的多晶硅液滴。

S3、冷却步骤

将多晶硅液滴在空中进行冷却凝固，得到颗粒硅籽晶。

实施例4：

本实施例提供一种颗粒硅籽晶的制备方法，其包括以下步骤。

S1、熔融步骤

经熔融装置200将多晶硅料加热至熔融状态，得到熔融多晶硅。将熔融多晶硅的温度控制在2020℃。

S2、分散步骤

将熔融多晶硅经喷射装置300分散为多晶硅液滴，并经过挡板100分散为更小的多晶硅液滴。

S3、冷却步骤

将多晶硅液滴在空中进行冷却凝固，得到颗粒硅籽晶。

实施例5：

本实施例提供一种颗粒硅籽晶的制备方法，其包括以下步骤。

S1、熔融步骤

经熔融装置200将多晶硅料加热至熔融状态，得到熔融多晶硅。将熔融多晶硅的温度控制在1580℃。

S2、分散步骤

将熔融多晶硅经喷射装置300分散为多晶硅液滴，并经过挡板100分散为更小的多晶硅液滴。

S3、冷却步骤

将多晶硅液滴在空中进行冷却凝固，得到颗粒硅籽晶。

实施例6：

本实施例提供一种颗粒硅籽晶的制备方法，其包括以下步骤。

S1、熔融步骤

经熔融装置200将多晶硅料加热至熔融状态，得到熔融多晶硅。将熔融多晶硅的温度控制在1480℃。

S2、分散步骤

将熔融多晶硅经喷射装置300分散为多晶硅液滴，并经过挡板100分散为更小的多晶硅液滴。

S3、冷却步骤

将多晶硅液滴在空中进行冷却凝固，得到颗粒硅籽晶。

实施例7：

本实施例提供一种颗粒硅籽晶的制备方法，其包括以下步骤。

S1、熔融步骤

经熔融装置200将多晶硅料加热至熔融状态，得到熔融多晶硅。将熔融多晶硅的温度控制在1450℃。

S2、分散步骤

将熔融多晶硅经喷射装置300分散为多晶硅液滴，并经过挡板100分散为更小的多晶硅液滴。

S3、冷却步骤

将多晶硅液滴在空中进行冷却凝固，得到颗粒硅籽晶。

综上所述，本发明的实施例中提供的制备颗粒硅籽晶的方法，由于采用上述的制备颗粒硅籽晶的系统10，因此也具备有够制备出纯度、球度高的颗粒硅籽晶，具有较小的物料损失量并且不易产生粉尘的有益效果。

以上所述仅为本发明的优选实施例而已，并不用于限制本发明，对于本领域的技术人员来说，本发明可以有各种更改和变化。凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。

Claims (10)

1.一种制备颗粒硅籽晶的系统，其特征在于，包括：

挡板；

用于将固体硅料熔融的熔融装置，所述熔融装置包括具备有导流口的容纳腔；

用于将经所述导流口流出的熔融液滴喷射至所述挡板的喷射装置，所述挡板与所述喷射装置的喷射部间隔设置。

2.根据权利要求1所述的制备颗粒硅籽晶的系统，其特征在于：

所述喷射装置为连接在所述导流口的喷嘴以及与所述容纳腔连通的高压气体注入装置。

3.根据权利要求1所述的制备颗粒硅籽晶的系统，其特征在于：

所述喷射装置设置为靠近所述导流口的高压气体喷射装置。

4.根据权利要求1所述的制备颗粒硅籽晶的系统，其特征在于：

所述挡板上设置有凸起部，所述凸起部与所述喷射装置的喷射部相对设置。

5.根据权利要求4所述的制备颗粒硅籽晶的系统，其特征在于：

所述凸起部设置为半球形。

6.根据权利要求1所述的制备颗粒硅籽晶的系统，其特征在于：

所述制备颗粒硅籽晶的系统包括挡板轨道装置，所述挡板与所述挡板轨道装置可滑动地连接，使所述挡板靠近或远离所述喷射装置的喷射部。

7.根据权利要求1所述的制备颗粒硅籽晶的系统，其特征在于：

所述制备颗粒硅籽晶的系统还包括籽晶收集装置，所述籽晶收集装置具备有收集腔室；所述挡板、所述喷射装置以及所述导流口均设置在所述收集腔室内。

8.根据权利要求7所述的制备颗粒硅籽晶的系统，其特征在于：

所述籽晶收集装置开设有连通所述收集腔室的高纯气体置换口。

9.一种制备颗粒硅籽晶的方法，其特征在于：

所述制备颗粒硅籽晶的方法采用权利要求1至8任意一项所述的制备颗粒硅籽晶的系统；所述制备颗粒硅籽晶的方法包括，

熔融步骤：经所述熔融装置将多晶硅料加热至熔融状态，得到熔融多晶硅；

分散步骤：将所述熔融多晶硅经所述喷射装置分散为多晶硅液滴，并经过所述挡板分散为更小的多晶硅液滴；

冷却步骤：将所述多晶硅液滴在空中进行冷却凝固，得到颗粒硅籽晶。

10.根据权利要求9所述的制备颗粒硅籽晶的方法，其特征在于：

所述熔融步骤的所述熔融多晶硅的温度为1450℃至2250℃。