CN1075827A - 耦合微波能的装置 - Google Patents

耦合微波能的装置 Download PDF

Info

Publication number
CN1075827A
CN1075827A CN92109190.7A CN92109190A CN1075827A CN 1075827 A CN1075827 A CN 1075827A CN 92109190 A CN92109190 A CN 92109190A CN 1075827 A CN1075827 A CN 1075827A
Authority
CN
China
Prior art keywords
microwave
reative cell
coaxial conductor
conductor
resonator
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN92109190.7A
Other languages
English (en)
Other versions
CN1028064C (zh
Inventor
H·克吕梅尔
E·默森
H·福格特
G·魏德曼
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Schott AG
Original Assignee
Schott Glaswerke AG
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Schott Glaswerke AG filed Critical Schott Glaswerke AG
Publication of CN1075827A publication Critical patent/CN1075827A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN1028064C publication Critical patent/CN1028064C/zh
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05H—PLASMA TECHNIQUE; PRODUCTION OF ACCELERATED ELECTRICALLY-CHARGED PARTICLES OR OF NEUTRONS; PRODUCTION OR ACCELERATION OF NEUTRAL MOLECULAR OR ATOMIC BEAMS
    • H05H1/00—Generating plasma; Handling plasma
    • H05H1/24—Generating plasma
    • H05H1/46—Generating plasma using applied electromagnetic fields, e.g. high frequency or microwave energy
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01P—WAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
    • H01P5/00—Coupling devices of the waveguide type
    • H01P5/02—Coupling devices of the waveguide type with invariable factor of coupling
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01P—WAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
    • H01P5/00—Coupling devices of the waveguide type
    • H01P5/08—Coupling devices of the waveguide type for linking dissimilar lines or devices
    • H01P5/10—Coupling devices of the waveguide type for linking dissimilar lines or devices for coupling balanced with unbalanced lines or devices
    • H01P5/103—Hollow-waveguide/coaxial-line transitions

Abstract

将微波能耦合入一反应室(14)的装置，它具有电 气稳定的调节，在临界测试和功率的变化情况下仍在 许可的限度内。在波导线(2)和反应室(14)之间的同 轴导体是这样构成的，它至少和反应室(14)构成了应 用微波频率的一带有损耗的谐振器。同轴导体(4)可 以具有一个吸收器(10)或由不良导电材料制成。还 存在金属板(13)和外导体段(6)之间留出有一环形隙 使谐振器的品质因数变差。

Description

本发明涉及将微波能耦合至一反应室特别是耦合到等离子体-CVD-涂覆室的装置，具有一微波导线和在微波导线和反应室之间放置的同轴导体，其中至少一同轴导体（4）和反应室（14）形成了供应用微波频率的一谐振器。
在进行基质涂覆时，特别是对放电球形基质涂覆时，基质放在一反应室内并处于借微波激励的反应气体的等离子体气氛下。涂层的质量取决于照射微波能量的恒定性等。如果对照射的微波射线进行调整，随后进行处理的放电涂层就具有不同的质量。对照射入的微波能的恒定性起决定性影响的部件是承担将微波能量耦合到反应室内的部件。
DE-3905303A1公开了一个通过微波产生等离子体的装置，该装置的同轴导体中安置着一个放电管，它转入到反应室。同轴导体和反应室与放电管一块共同形成了为施加微波频率的共振器。通过在同轴导体适当的端板上安放金属节流门或金属附加物使微波能量损失减小。在DE-4028525中描述了一个类似的装置。
US-4886346中公开了另外一个微波部件装置，使用该装置可产生一旋转对称微波场（E01微波场），并以此在一个玻璃容器内产生放置对称等离子体。为了调节射入的微波，耦合装置有两个调节部件，为了电气稳定运行，它们能在1/10mm范围内进行准确地调节。如果反应器的温度不是准确地恒定，在这个数量级长度的改变很容易出现。
在对耦合装置进行相对较大的测试时是非常昂贵的。此外为了大功率而最好使用的磁控管作为微波源的频率随温度、功率和使用时间长短变化。这样，同样导致了失谐，以致在反应室内的微波能量不能在所要求的值上。
在J.Physipue，1982，L    71描述了部分原理上和US-4866346所谓的Surfaguide结构一样的部件。用它们产生一形成等离子体的旋转对称微波场。该装置也需要两个调节元件，它们同样必须非常准确地调整且这样的调整必须保持在非常小的公差范围内。
US-4971651公开了耦合微波的方法和装置，其中吸收或控制部件以这样的方式引入到微波幅射范围内，使得设此项措施等离子体密度局部提高的电磁场受到抑制或脱离控制。以这样的方式电磁场强度在等离子体中分布并使微波处理的结果均衡。根据US-4971651吸收或控制部件必须具有准确确定的形式并且放置在微波导体内准确确定的地点，并以此完成它的任务。形式和地点必须在预实验中确定。如果例如微波导体和放电容器形状的变化，吸收器及控制部件的长度和形状也必须重新确定，由此来保证均衡性。US-4971651并没有任何提示，一个微波耦合器在等离子体内必须如何构形，和该耦合装置对出现几何形状尺寸和耦合装置功率改变的进一步限定。
本发明的任务是完成一个耦合装置，该装置将微波波导体的微波能量传送到反应室，其中耦合装置应具有电气稳定的调节，由于温度变化而产生的临界测试和功率改变时该调节能保持在允许的限定内。
该任务是由谐振器带有预定的损耗，
同轴导体具有具有两段（5、6、8，9），
第一段（5、8）与微波导线（2）相联以及在朝反应室（14）方向连续变大直径的内导体（8）和外导体（5）共同形成过渡段，其中外导体最小直径D1小于反应室（14）的直径和外导体最大直径D2大于等于反应室（14）的直径和第二段（6、9）由具有恒定外径D2的同轴导体组成的装置解决的。有优点的构形是从属权利要求的主题。一般情况下微波部件是由良导电金属材料制成的，谐振器应维持较高的品质因数。相对于一般的力求进一步改善谐振器的品质因数，如果使用一个较通常的使用谐振器具有明确较差的品质因数，其好处在于对由于几何变化产生失配具有敏感性。耦合装置的品质因数不允许进一步变差到不能激励在反应室内的等离子体。当考虑这些要点确定耦合功率时，现有技术中对温度的稳定性的要求可进一步放弃。在几个应用例中，仅仅采用一粗的温度稳定性就足够了。
该装置可根据一实施例而不敏感，至少同轴导体的部分是由不良导电材料，例如由不良导电金属制造的。这些可以是同轴导体的外导体和/或内导体的部分。
除了应用不良导电金属例如钢外，部件例如可以由石墨组成或带有石墨涂层。
在进行放电球形基质涂层时，放电球形基质和另一容器部分，特别是一金属板共同构成了真空容器和这样的反应室。在这样形成的反应室内，金属板可以由不良导电材料组成。
根据另一个实施例谐振器的品质因数要求可由在耦合装置内装入一吸收器而减少。和在US-4971651中所公开的现有技术相反，吸收器在耦合装置中的位置和安排进一步无关紧要。尽可能的使已经在同轴导体内存在的部件形成吸收器。在一个同轴导体内，用于例如E-场耦合的内导体借助于一个支环固定在外导体上。该支环在一个特殊的实施例中形成一个吸收器，其中该支环是由介电材料制成的。例如支环可由玻璃陶瓷组成，这样的好处在于尽管由于吸收微波能的强热，它几乎不伸涨，所以本身和其它部件不因伸涨而损坏。
还存在不使用吸收材料制造支环和让水流过它的可能性。在这种情况下，提供的支环由两部分组成，在两部分的一个部分内装入一个让水流过它的环形铣削件。支环也可以做成让水流过的环形塑料管或玻璃管。在作为吸收器形成的支环范围内使用水对使用微波在2.45GHz范围是有优点的。对于使用其它的微波频率其它合适的液态吸收器已经公知了。
离开反应室的支环的距离应至少是所应用微波频率波长的1/2，由此，实际通过支环激励的非旋转对称方式本身在吸收器和反应室之间的范围内已足够强烈的衰减了。
进一步吸收微波的可能性在于，让外导体在几微米距离设有电接触在反应室一导电部件上部结束。通过这样形成缝隙的功率幅射同样也作为损失源。在外导体范围的逆反射可以通过商用微波吸收器在外部空间予以抑制。
如果反应室的直径是由放电球形基质的直径确定的，那么选择过渡范围的最小直径要小于放电球形基质的直径。过渡截面外导体的最大直径大于等于反应室的直径，也就是在涂覆放电球形基质的情况下大于等于放电球形基质的直径。
如果外导体-内导体直径关系恒定，波阻并不改变。根据内导体的构形，可以得到E-场耦合或H-场耦合。
同轴导体过渡截面的最窄处作为波形类型滤波器，这样仅旋转对称的TEM-波形类型是可传播的。
连续扩大过渡范围的作用在于使用同轴导体不碰撞地扩展到与反应室直径相应的直径。该直径必须选择得如此之小，仅使得所应用微波频率的TEM-模式可以在相连的第二段中传播。
如果反应室通过由最大直径50mm放电球确定，这样例如使用2.45GHz微波进行涂覆是适合的。根据要涂覆的放电球的大小也可能需要其它的微波频率。
和过渡段相接并一直达到反应室范围的第二段由恒定直径D2的同轴导体组成。选择它的直径仅使TEM-同轴模式可以传播。
在放电球内点燃的等离子体是内导体的继续且这样实现了进一步传播TEM-波。
选取同轴导体第二段的长度应和调节件一块使同轴导体/反应室系统给出一最佳功率。
在过渡段范围和波导体之间也可设置一通常同轴电缆，它可完成波形类型滤波器的任务。
给出的实施例将借助附图进一步加以说明。
图1示意性地给出一个耦合装置;
图2示意性地给出另外一个实施例的耦合装置;
图3给出对于不同损耗系数与同轴导体长度相关的功率反射系数。
图1示意性地给出带有耦合装置的微波设备。一磁控管和形成单通路的一波导体2相连。在波导体内实现耦合的地点之前安放一个三螺旋变量器3作为调节元件。耦合装置有一同轴导体4，其有内导体7、8、9和一外导体5、6。内导体7突进在微波波导内以产生E-场耦合，在过渡段5、8和一个端部段6、9向下延伸。内导体在过渡段8连续地扩大，直至达到端部段9的直径。与此相应还形成外导体过渡区域5，过渡段5、8直径的比例关系是恒定的。外导体过渡区域5的最小直径D1小于要被涂覆放电球12的直径。外导体过渡区域5的最大直径D2大于等于放电球12的直径。
第二段6有恒定的外直径D2。
内导体段9将由一个支环10保持在外导体段6。该支环10是作为吸收器形成的并减低了谐振器的品质因数。谐振器是由在图1中的微波波导体2的线段20，同轴导体4和反应室14构成的。在内导体端部段9的端部设置一密封元件11，它安放在放电球12的颈部并将其密封。放电球12和金属板13共同形成了真空室14，在其内进行涂覆反应。为此在板13设置有入气口16和周边的出气口17。
部件5、6、8、9可以由不良导电材料制造或者例如用石墨涂覆。
在此示出的支环10是园盘薄片并且与同轴导体4的轴垂直装入的，能用水冲洗。支环10的位置是无关紧要的，它在所示的位置上既可进一步向上又可进一步向下放置，然而应当遵守其最小距离应是在吸收器10和反应室14之间应用微波频率的λ/2。
使谐振器品质因数变差的另外可能性同样在图1中示意出来，外导体6没有和金属板13相接触，而是结束在该板的上部。这样形成了一个环形隙，通过该隙可以辐射微波能量。通过一个没有画出的在外部空间的吸收器可以阻止向外辐射的微波能达到外部空间。
图2和图1的区别在于，不使用三螺旋变量器作为调节元件而在微波波导体2内装入一短路滑板18，以及为了H-场口合内导体7和微波波导体2的壁相联。进而吸收器10两部分形成环形管19，且具有一个入口21和一个出口22，这样可使例如水流过吸收器。
图3给出了与同轴导体4长度相关的功率反射系数。当同轴导体长度约518mm时，在最佳调节下曲线Ⅰ表示谐振器的频率为2.45GHz，反射功率在518范围内等于0，这就是说整个功率用于点火和维持等离子体。
在使用这理想的谐振器时通过温度波动同轴导体长度改变了，在1/10mm时反射已经呈跳变，同轴导体长度变化约1mm时意味着反射系数提高约50%。当谐振器的品质因素变坏时，例如通过加入吸收器可明显地使反射系数减小。当装入吸收器时损失仅是10%（曲线Ⅱ），相对于同样的长度变化整个装置已经6倍地不灵敏了。通过选取吸收器能这样对灵敏度进行控制，使得因长度变化引起谐振器的灵敏度和同时造成的损失总是较小。这样可以放弃附加的温度稳定性，使得整个装置价格合适。
标号表
1    磁控管
2    波导体
3    螺旋变量器
4    同轴导体
5    第一段外导体
6    第二段外导体
7    内导体
8    过渡范围内导体
9    端部段内导体
10    吸收器
11    密封元件
12    放电球形基质
13    金属板
14    反应室
15    环形隙
16    气体入口
17    气体出口
18    滑板
19    带有液体在内流过的管
20    微波导体的端部段
21    流入口
22    流出口

Claims (17)

1、将微波能耦合到一反应室，特别是耦合到等离子体-CVD-涂覆室的装置，具有一微波导线和在微波导线和反应室之间放置的同轴导体，其中至少一同轴导体(4)和反应室(14)形成了供应用微波频率的一谐振器，其特征是：
谐振器带有预定的损耗，
同轴导体具有具有两段(5、6、8，9)，
第一段(5、8)与微波导线(2)相联以及在朝反应室(14)方向连续变大直径的内导体(8)和外导体(5)共同形成过渡段，其中外导体最小直径D1小于反应室(14)的直径和外导体最大直径D2大于等于反应室(14)的直径和
第二段(6、9)由具有恒定外径D2的同轴导体组成。
2、按权利要求1的装置，其特征是同轴导体（4）的至少一部分是由不良导电材料组成。
3、按权利要求1或2的装置，其特征是至少组成反应室（14）的部件（13）是由不良导电材料组成。
4、按权利要求1至3中任一个的装置，其特征是一和要涂覆的放电球形基质（12）一块形成反应室（14）的容器（13）是由不良导电材料组成。
5、按权利要求1至4中任何一个的装置，其特征是同轴导体（4）具有石墨。
6、按权利要求1至5中任何一个的装置，其特征是在同轴导体（4）内放置一微波吸收器（10）。
7、按权利要求6的装置，其特征是微波接收器（10）是一夹住同轴导体（4）的内导体（9）的支环。
8、按权利要求7的装置，其特征是支环由玻璃陶瓷组成。
9、按权利要求7的装置，其特征是支环由液体可以通过的管（19）组成。
10、按权利要求9的装置，其特征是管由玻璃或塑料组成。
11、按权利要求7至10中任一个的装置，其特征是支环距反应室的距离至少应为应用微波频率的半波长。
12、按权利要求11的装置，其特征是距离为应用微波频率的一个波长。
13、按权利要求1至12中任一个的装置，其特征是同轴导体（4）的外导体（6）和反应室（14）的一导电部件（13）有一段距离地安放着。
14、按权利要求1至13中任一个的装置，其特征是微波导线（2）的部分是谐振器的组成部分和微波导线（2）仅具有三螺旋变量器（3）作为调节元件。
15、按权利要求1至13中任一个的装置，其特征是仅由同轴导体（4）和反应室（14）构成谐振器，和微波导线仅具有短路滑板（18）作为调节元件。
16、按权利要求1至15中任一个的装置，其特征是同轴导体（4）的第一段（5、8）的外导体-内导体之间直径的比例关系是恒定的。
17、按权利要求1至16中任一个的装置，其特征是在微波导线（2）和同轴导体（4）的第一段（5、8）之间放置一同轴电缆，它是谐振器的组成部分。
CN92109190.7A 1991-07-10 1992-07-10 耦合微波能的装置 Expired - Fee Related CN1028064C (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DEP4122802.2 1991-07-10
DE4122802A DE4122802C1 (zh) 1991-07-10 1991-07-10

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN1075827A true CN1075827A (zh) 1993-09-01
CN1028064C CN1028064C (zh) 1995-03-29

Family

ID=6435818

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN92109190.7A Expired - Fee Related CN1028064C (zh) 1991-07-10 1992-07-10 耦合微波能的装置

Country Status (6)

Country Link
US (1) US5300901A (zh)
EP (1) EP0522300A3 (zh)
JP (1) JPH05190103A (zh)
CN (1) CN1028064C (zh)
CA (1) CA2073391A1 (zh)
DE (1) DE4122802C1 (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1037388C (zh) * 1993-12-24 1998-02-11 电子科技大学 一种功率合成电路

Families Citing this family (34)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2727244B1 (fr) * 1994-11-18 1996-12-13 Thomson Tubes Electroniques Cavite resonante a couplage facilite
US5855119A (en) * 1995-09-20 1999-01-05 Sun Microsystems, Inc. Method and apparatus for cooling electrical components
US5873258A (en) 1995-09-20 1999-02-23 Sun Microsystems, Inc Sorption refrigeration appliance
US6244056B1 (en) 1995-09-20 2001-06-12 Sun Microsystems, Inc. Controlled production of ammonia and other gases
US5842356A (en) * 1995-09-20 1998-12-01 Sun Microsystems, Inc. Electromagnetic wave-activated sorption refrigeration system
RU2166703C2 (ru) * 1995-09-20 2001-05-10 Сан Майкросистемз, Инк. Холодильная установка с абсорбирующей парой
US5916259A (en) 1995-09-20 1999-06-29 Sun Microsystems, Inc. Coaxial waveguide applicator for an electromagnetic wave-activated sorption system
DE19710157A1 (de) * 1997-03-12 1998-10-01 Nukem Nuklear Gmbh Verfahren und Vorrichtung zum Eindampfen sulfathaltiger Lösungen
JP3813741B2 (ja) * 1998-06-04 2006-08-23 尚久 後藤 プラズマ処理装置
TW492040B (en) 2000-02-14 2002-06-21 Tokyo Electron Ltd Device and method for coupling two circuit components which have different impedances
US7003979B1 (en) 2000-03-13 2006-02-28 Sun Microsystems, Inc. Method and apparatus for making a sorber
DE102004030344B4 (de) * 2004-06-18 2012-12-06 Carl Zeiss Vorrichtung zum Beschichten optischer Gläser mittels plasmaunterstützter chemischer Dampfabscheidung (CVD)
CN100352793C (zh) * 2006-01-20 2007-12-05 杨鸿生 用于以天然气制乙烯的槽波导微波化学反应设备及制备方法
ES2513866T3 (es) 2009-05-13 2014-10-27 Sio2 Medical Products, Inc. Revestimiento e inspección de recipientes
US9545360B2 (en) 2009-05-13 2017-01-17 Sio2 Medical Products, Inc. Saccharide protective coating for pharmaceutical package
US9458536B2 (en) 2009-07-02 2016-10-04 Sio2 Medical Products, Inc. PECVD coating methods for capped syringes, cartridges and other articles
US11624115B2 (en) 2010-05-12 2023-04-11 Sio2 Medical Products, Inc. Syringe with PECVD lubrication
JP5631088B2 (ja) * 2010-07-15 2014-11-26 国立大学法人東北大学 プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法
US9878101B2 (en) 2010-11-12 2018-01-30 Sio2 Medical Products, Inc. Cyclic olefin polymer vessels and vessel coating methods
US9272095B2 (en) 2011-04-01 2016-03-01 Sio2 Medical Products, Inc. Vessels, contact surfaces, and coating and inspection apparatus and methods
JP6095678B2 (ja) 2011-11-11 2017-03-15 エスアイオーツー・メディカル・プロダクツ・インコーポレイテッド 薬剤パッケージ用の不動態化、ｐＨ保護又は滑性皮膜、被覆プロセス及び装置
US11116695B2 (en) 2011-11-11 2021-09-14 Sio2 Medical Products, Inc. Blood sample collection tube
EP2677838B1 (en) 2012-06-18 2017-12-06 Whirlpool Corporation Microwave heating apparatus
WO2014071061A1 (en) 2012-11-01 2014-05-08 Sio2 Medical Products, Inc. Coating inspection method
EP2920567B1 (en) 2012-11-16 2020-08-19 SiO2 Medical Products, Inc. Method and apparatus for detecting rapid barrier coating integrity characteristics
US9764093B2 (en) 2012-11-30 2017-09-19 Sio2 Medical Products, Inc. Controlling the uniformity of PECVD deposition
EP2925903B1 (en) 2012-11-30 2022-04-13 Si02 Medical Products, Inc. Controlling the uniformity of pecvd deposition on medical syringes, cartridges, and the like
EP2961858B1 (en) 2013-03-01 2022-09-07 Si02 Medical Products, Inc. Coated syringe.
EP2971228B1 (en) 2013-03-11 2023-06-21 Si02 Medical Products, Inc. Coated packaging
US9937099B2 (en) 2013-03-11 2018-04-10 Sio2 Medical Products, Inc. Trilayer coated pharmaceutical packaging with low oxygen transmission rate
US9863042B2 (en) 2013-03-15 2018-01-09 Sio2 Medical Products, Inc. PECVD lubricity vessel coating, coating process and apparatus providing different power levels in two phases
JP5819448B2 (ja) * 2014-01-06 2015-11-24 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置、異常判定方法及びマイクロ波発生器
EP3693493A1 (en) 2014-03-28 2020-08-12 SiO2 Medical Products, Inc. Antistatic coatings for plastic vessels
CN116982977A (zh) 2015-08-18 2023-11-03 Sio2医药产品公司 具有低氧气传输速率的药物和其他包装

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2527549A (en) * 1943-02-04 1950-10-31 Jr Robert A Herring Concentric line construction
US2453759A (en) * 1943-12-20 1948-11-16 Bell Telephone Labor Inc Tapered union for concentric conductor lines
US2751499A (en) * 1944-05-22 1956-06-19 Bell Telephone Labor Inc Tuning and frequency stabilizing arrangement
US2646470A (en) * 1950-03-25 1953-07-21 Machlett Lab Inc Ultrahigh-frequency tetrode
NL245452A (zh) * 1958-11-19
US4475092A (en) * 1982-12-20 1984-10-02 Motorola, Inc. Absorptive resonant cavity filter
IT8622037V0 (it) * 1986-05-30 1986-05-30 Sebastiano Nicotra Oscillatore a microonde a risuonatore dielettrico.
US4866346A (en) * 1987-06-22 1989-09-12 Applied Science & Technology, Inc. Microwave plasma generator
US4794354A (en) * 1987-09-25 1988-12-27 Honeywell Incorporated Apparatus and method for modifying microwave
US5024716A (en) * 1988-01-20 1991-06-18 Canon Kabushiki Kaisha Plasma processing apparatus for etching, ashing and film-formation
US4886346A (en) * 1988-02-16 1989-12-12 Westinghouse Electric Corp. Method and apparatus for improving the angular aperture of an aodlf
DE3905303C2 (de) * 1988-02-24 1996-07-04 Hitachi Ltd Vorrichtung zur Erzeugung eines Plasmas durch Mikrowellen
JP2922223B2 (ja) * 1989-09-08 1999-07-19 株式会社日立製作所 マイクロ波プラズマ発生装置
US4971651A (en) * 1990-02-05 1990-11-20 Hitachi, Ltd. Microwave plasma processing method and apparatus

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1037388C (zh) * 1993-12-24 1998-02-11 电子科技大学 一种功率合成电路

Also Published As

Publication number Publication date
CA2073391A1 (en) 1993-01-11
EP0522300A2 (de) 1993-01-13
US5300901A (en) 1994-04-05
JPH05190103A (ja) 1993-07-30
DE4122802C1 (zh) 1992-12-17
EP0522300A3 (en) 1993-09-22
CN1028064C (zh) 1995-03-29

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN1075827A (zh) 耦合微波能的装置
US3911318A (en) Method and apparatus for generating electromagnetic radiation
US6481370B2 (en) Plasma processsing apparatus
CN1227710C (zh) 用于产生均匀加工速率的方法和装置
US7430985B2 (en) Plasma processing equipment
US6622650B2 (en) Plasma processing apparatus
US5578165A (en) Coil configurations for improved uniformity in inductively coupled plasma systems
US6172321B1 (en) Method and apparatus for plasma processing apparatus
Wu et al. The influence of antenna configuration and standing wave effects on density profile in a large-area inductive plasma source
KR100604107B1 (ko) 플라즈마 에칭 시스템
MX2007008639A (es) Aparato para depositar una cubierta en una superficie interna de un contenedor.
CN107155256A (zh) 一种表面波等离子体装置
US7088047B2 (en) Inductively coupled plasma generator having low aspect ratio
US6812646B2 (en) Method and device for attenuating harmonics in semiconductor plasma processing systems
CN104684235A (zh) 一种电感线圈组及电感耦合等离子体处理装置
US6700458B2 (en) Device and method for coupling two circuit components which have different impedances
US5078823A (en) Plasma reactor
US6649021B2 (en) Apparatus and method for plasma processing high-speed semiconductor circuits with increased yield
CN101609780A (zh) 微波等离子处理装置以及微波的给电方法
RU2196395C1 (ru) Плазменный реактор и устройство для генерации плазмы (варианты)
CN1009140B (zh) 产生和/或接收交变磁场的射频线圈系统
CN219591343U (zh) 电感耦合等离子体装置以及镀膜设备
JPH06188237A (ja) プラズマ形成装置
EP0448077A2 (de) Mikrowellen-Plasmatron
Baysar Microwave heating applications of fluidized beds: High-purity silicon production

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
C19 Lapse of patent right due to non-payment of the annual fee
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee