CN107566683A - 光电转换芯片及图像传感器及光电转换芯片的制造方法 - Google Patents

Abstract

本发明提供了一种光电转换芯片及图像传感器及光电转换芯片的制造方法，光电转换芯片包括多个光电转换芯片单元，多个光电转换芯片单元中的相邻的两个光电转换芯片单元之间的距离d相等。本发明避免了现有技术中两个光电转换芯片单元之间的距离不统一而导致的工作人员无法方便确认多组分别来自相邻两个光电转换芯片单元的相邻的两个光电转换素子之间的距离，而造成检测误差，扫描像素点的缺失的现象，提高了图像传感器的精度。

Description

光电转换芯片及图像传感器及光电转换芯片的制造方法

技术领域

本发明涉及接触式图像传感设备技术领域，具体而言，涉及一种光电转换芯片及图像传感器及光电转换芯片的制造方法。

背景技术

现有的图像传感器结构如图1所示，其设有起支撑作用的框体1，框体1内设有光学透镜2，光学透镜2的一侧设有光源单元3，光学透镜2的上方设有透明板4，光学透镜2的下方设有线路板5，线路板5上位于透镜2的正下方设有一列光电转换芯片6，一列光电转换芯片6是根据扫描长度的需要，由几个光电转换芯片单元依次排列组成的。光电转换芯片单元顶部表面设有感光视窗，内部设有电路，光电转换芯片的功能是将光信号转换成电信号。图像传感器工作时，光源单元3发出的光，透过透明板4照射到原稿上，原稿上的图像、文字等产生反射光和激励光，这些反射光和激励光再穿过透明板4，进入光学透镜2，从光学透镜2另一端出来的反射光和激励光照射到光电转换芯片6的感光视窗上，光电转换芯片6把接受到的光信号转换成电信号，原稿不断移动，其上所记载的图像、文字信息就会被连续读取下来，完成原稿的图像信息扫描过程。

原有的图像传感器搭载的一列光电转换芯片6，是由几个光电转换芯片单元依次排列组成的。光电转换芯片单元是从一张晶体盘上将光电转换芯片单元切割下来，将切割后的光电转换芯片单元紧密排列粘接在一起，实现光电转换芯片的高分辨率扫描。但实际上，无论光电转换芯片单元如何紧密排列，由于进行切割，光电转换芯片单元周围不可避免的存在毛刺，以及粘贴工艺技术水平的限制，这样就使相邻的两个光电转换芯片单元不可能毫无缝隙地拼接在一起，且每两个光电转换芯片单元间的缝隙大小都不固定。如图2所示，一列光电转换芯片6中，光电转换芯片单元61和光电转换芯片单元62间的间距为b，光电转换芯片单元62和光电转换芯片单元63间的间距为c，光电转换芯片单元61和光电转换芯片单元62上相邻的光电转换素子间的间距为b’，光电转换芯片单元62和光电转换芯片单元63上相邻的光电转换素子间的间距为c’。因为缝隙的b和c存在，及相邻的两个光电转换芯片单元上相邻的光电转换素子间的间距为b’和c’远远大于同一光电转换芯片上相邻像素点间的间距f，会出现扫描像素点的缺失。因为缝隙大小的不固定，增加了信号处理的难度，无法对缺失像素点进行填充补正。

发明内容

本发明的主要目的在于提供一种光电转换芯片及图像传感器及光电转换芯片的制造方法，以解决现有技术中的图像传感器的光电转换芯片处理复杂的问题。

为了实现上述目的，根据本发明的一个方面，提供了一种光电转换芯片，光电转换芯片包括多个光电转换芯片单元，多个光电转换芯片单元中的相邻的两个光电转换芯片单元之间的距离d相等。

每个光电转换芯片单元都具有多个光电转换素子，相邻两个光电转换芯片单元之间的距离d小于或等于同一光电转换芯片单元内的相邻两个光电转换素子之间的距离f。

进一步地，分别来自相邻两个光电转换芯片单元的相邻的两个光电转换素子之间的距离e等于或小于同一光电转换芯片单元内的相邻两个光电转换素子之间的距离f。

进一步地，多个光电转换芯片单元等间距地设置。

进一步地，分别来自相邻两个光电转换芯片单元的相邻的两个光电转换素子之间的距离e等于或小于光电转换素子的长度a。

进一步地，光电转换芯片的长度与待扫描物体的长度相等。

根据本发明的另一方面，提供了一种包括图像传感器，包括上述光电转换芯片。

进一步地，图像传感器还包括：透镜，透镜设置在光电转换芯片的上方。

进一步地，图像传感器还包括：线路板，光电转换芯片设置在线路板的中心位置。

进一步地，图像传感器还包括：框体，框体内部设置有安装空间，透镜、线路板及光电转换芯片均安装在安装空间中。

根据本发明的另一方面，提供了一种制造光电转换芯片的制造方法，其中，光电转换芯片为上述光电转换芯片，该方法包括：量取待扫描物体的尺寸；根据待扫描物体的尺寸，在整体晶体盘上得到待扫描物体的光电转换芯片预设尺寸；根据光电转换芯片预设尺寸对整体晶体盘进行剪裁；校验剪裁下来的光电转换芯片中的分别来自相邻两个光电转换芯片单元的相邻的两个光电转换素子之间的距离e是否大于同一光电转换芯片单元内的相邻两个光电转换素子之间的距离f，如果e大于f，则进行计算机像素点补正处理，如果e小于或等于f，则完成光电转换芯片制作。

应用本发明的技术方案，由于本发明中的多个光电转换芯片单元中的相邻的两个光电转换芯片单元之间的距离d相等，从而避免了现有技术中两个光电转换芯片单元之间的距离不统一而导致的工作人员无法方便确认多组分别来自相邻两个光电转换芯片单元的相邻的两个光电转换素子之间的距离，而造成检测误差，扫描像素点的缺失的现象，提高了图像传感器的精度。

附图说明

构成本申请的一部分的说明书附图用来提供对本发明的进一步理解，本发明的示意性实施例及其说明用于解释本发明，并不构成对本发明的不当限定。在附图中：

图1示意性示出了现有技术的图像传感器的结构图；

图2示意性示出了现有技术中的光电转换芯片的结构图；

图3示意性示出了本发明的光电转换芯片的结构图。

其中，上述附图包括以下附图标记：

10、光电转换芯片单元；20、光电转换素子。

具体实施方式

需要说明的是，在不冲突的情况下，本申请中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。下面将参考附图并结合实施例来详细说明本发明。

正如背景技术中所记载的，参见图2所示，因为缝隙b和c存在，及相邻的两个光电转换芯片单元上相邻的光电转换素子间的间距为b’和c’远远大于同一光电转换芯片上相邻像素点间的间距f，会出现扫描像素点的缺失。因为缝隙大小的不固定，增加了信号处理的难度，无法对缺失像素点进行填充补正。

参见图3所示，为了解决上述问题，本发明提供了一种光电转换芯片，光电转换芯片包括多个光电转换芯片单元10，每个光电转换芯片单元10都具有多个光电转换素子20，相邻两个光电转换芯片单元10之间的距离d小于或等于同一光电转换芯片单元10内的相邻两个光电转换素子20之间的距离f。

由于本发明中的光电转换芯片的相邻两个光电转换芯片单元之间的距离d等于或小于同一光电转换芯片单元内的相邻两个光电转换素子20之间的距离f，从而避免了现有技术中两个光电转换芯片单元之间的距离过大而导致的，来自相邻两个光电转换芯片单元的相邻的两个光电转换素子20之间的距离远远大于同一光电转换芯片单元内的相邻两个光电转换素子20之间的距离所造成的扫描像素点的缺失的现象，提高了图像传感器的精度。

为了进一步地防止来自相邻两个光电转换芯片单元的相邻的两个光电转换素子20之间的距离远远大于同一光电转换芯片单元内的相邻两个光电转换素子20之间的距离所造成的扫描像素点的缺失的现象的发生，本发明中的分别来自相邻两个光电转换芯片单元10的相邻的两个光电转换素子20之间的距离e等于或小于同一光电转换芯片单元10内的相邻两个光电转换素子20之间的距离f。本发明中的分别来自相邻两个光电转换芯片单元10的相邻的两个光电转换素子20之间的距离e等于或小于同一光电转换芯片单元10内的相邻两个光电转换素子20之间的距离f，从而避免了现有技术中两个光电转换芯片单元之间的距离过大而导致的，来自相邻两个光电转换芯片单元的相邻的两个光电转换素子20之间的距离远远大于同一光电转换芯片单元内的相邻两个光电转换素子20之间的距离所造成的扫描像素点的缺失的现象。

优选地，本发明中的分别来自相邻两个光电转换芯片单元10的相邻的两个光电转换素子20之间的距离e小于同一光电转换芯片单元10内的相邻两个光电转换素子20之间的距离f。

为了方便工作人员检测是否合格，本发明中的多个光电转换芯片单元10等间距地设置。

优选地，为了进一步防止来自相邻两个光电转换芯片单元的相邻的两个光电转换素子20之间的距离远远大于同一光电转换芯片单元内的相邻两个光电转换素子20之间的距离所造成的扫描像素点的缺失的现象的发生，提高扫描精度，本发明中的分别来自相邻两个光电转换芯片单元10的相邻的两个光电转换素子20之间的距离e等于或小于光电转换素子20的长度a。

其中，本发明中的所述光电转换芯片的长度与待扫描物体的长度相等。

根据本发明中的另一方面，提供了一种图像传感器，该图像传感器包括光电转换芯片，该光电转换芯片为上述光电转换芯片。

其中，本发明中的图像传感器还包括透镜，所述透镜设置在所述光电转换芯片的上方，其中，本发明中的透镜设置在光电转换芯片的上方。

在一种优选实施例中，由于本发明中的光电转换芯片为被剪裁下来的一整片，其很方便确定中心，为了方便安装，本发明中的所述图像传感器还包括线路板，所述光电转换芯片设置在所述线路板的中心位置。安装时，工作人员只需将整片光电转换芯片的中心对准线路板的中心位置即可。

为了方便安装，本发明中的所述图像传感器还包括框体，所述框体内部设置有安装空间，所述透镜、所述线路板及所述光电转换芯片均安装在所述安装空间中。

根据本发明的另一方面，提供了一种制造光电转换芯片的制造方法，具体为制造上述光电装换芯片的制造方法，该方法包括：量取待扫描物体的尺寸；根据所述待扫描物体的尺寸，在整体晶体盘上得到所述待扫描物体的光电转换芯片预设尺寸，根据所述光电转换芯片预设尺寸对所述整体晶体盘进行剪裁。从而有效避免了现有技术逐条裁剪造成的误差，校验剪裁下来的光电转换芯片中的分别来自相邻两个光电转换芯片单元的相邻的两个光电转换素子之间的距离e是否大于同一光电转换芯片单元内的相邻两个光电转换素子之间的距离f，如果e大于f，则进行计算机像素点补正处理，如果e小于或等于f，则完成光电转换芯片制作。其中，本发明中的制造光电转换芯片的制造方法在进行量取步骤时具体操作为，量取待扫描物体的尺寸，根据待测物体的尺寸计算出光电转换芯片单元的数量，将一定数量光电转换芯片单元成块切割下来，并粘贴到线路基板上。

从以上的描述中，可以看出，本发明上述的实施例实现了如下技术效果：

由于本发明中的光电转换芯片的相邻两个光电转换芯片单元之间的距离d等于或小于同一光电转换芯片单元内的相邻两个所述光电转换素子20之间的距离f，从而避免了现有技术中两个光电转换芯片单元之间的距离过大而导致的，来自相邻两个光电转换芯片单元的相邻的两个光电转换素子20之间的距离远远大于同一光电转换芯片单元内的相邻两个光电转换素子20之间的距离所造成的扫描像素点的缺失的现象，提高了图像传感器的精度。

应该指出，上述详细说明都是例示性的，旨在对本申请提供进一步的说明。除非另有指明，本文使用的所有技术和科学术语具有与本申请所属技术领域的普通技术人员通常理解的相同含义。

需要注意的是，这里所使用的术语仅是为了描述具体实施方式，而非意图限制根据本申请的示例性实施方式。如在这里所使用的，除非上下文另外明确指出，否则单数形式也意图包括复数形式，此外，还应当理解的是，当在本说明书中使用术语“包含”和/或“包括”时，其指明存在特征、步骤、操作、器件、组件和/或它们的组合。

需要说明的是，本申请的说明书和权利要求书及上述附图中的术语“第一”、“第二”等是用于区别类似的对象，而不必用于描述特定的顺序或先后次序。应该理解这样使用的术语在适当情况下可以互换，以便这里描述的本申请的实施方式例如能够以除了在这里图示或描述的那些以外的顺序实施。

此外，术语“包括”和“具有”以及他们的任何变形，意图在于覆盖不排他的包含，例如，包含了一系列步骤或单元的过程、方法、系统、产品或设备不必限于清楚地列出的那些步骤或单元，而是可包括没有清楚地列出的或对于这些过程、方法、产品或设备固有的其它步骤或单元。

为了便于描述，在这里可以使用空间相对术语，如“在……之上”、“在……上方”、“在……上表面”、“上面的”等，用来描述如在图中所示的一个器件或特征与其他器件或特征的空间位置关系。应当理解的是，空间相对术语旨在包含除了器件在图中所描述的方位之外的在使用或操作中的不同方位。

例如，如果附图中的器件被倒置，则描述为“在其他器件或构造上方”或“在其他器件或构造之上”的器件之后将被定位为“在其他器件或构造下方”或“在其他器件或构造之下”。因而，示例性术语“在……上方”可以包括“在……上方”和“在……下方”两种方位。该器件也可以其他不同方式定位(旋转90度或处于其他方位)，并且对这里所使用的空间相对描述作出相应解释。

在上面详细的说明中，参考了附图，附图形成本文的一部分。在附图中，类似的符号典型地确定类似的部件，除非上下文以其他方式指明。在详细的说明书、附图及权利要求书中所描述的图示说明的实施方案不意味是限制性的。在不脱离本文所呈现的主题的精神或范围下，其他实施方案可以被使用，并且可以作其他改变。将容易理解的是，如本文一般所描述的及附图所图示说明的，本公开的方面可以在广泛种类的不同的配置中被编排、代替、组合、分开以及设计，所有这些在本文被明确地考虑。

根据本申请所描述的特定实施方案的本公开将不受限制，其被意图作为各种方面的图示说明。如对本领域技术人员将是清晰的那样，在不脱离本公开的精神和范围下可以作许多修改和变更。在本公开范围内，功能上等同的方法和设备，除了本文所列举的那些之外，从前述说明书来看对本领域技术人员将是清晰的。这样的修改和变更意图落入所附权利要求书的范围内。本公开将仅由所附权利要求书的条款以及这样的权利要求所给予权利的等同物的全部范围限制。将理解的是，本公开不限于特定的方法、试剂、化合物、组成或生物系统，其当然可以变化。也将理解的是，本文所使用的术语仅是出于描述特定的实施方案的目的，而并非意图是限制性的。

以上所述仅为本发明的优选实施例而已，并不用于限制本发明，对于本领域的技术人员来说，本发明可以有各种更改和变化。凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。

Claims (10)

1.一种光电转换芯片，其特征在于，所述光电转换芯片包括多个光电转换芯片单元(10)，多个所述光电转换芯片单元(10)中的相邻的两个所述光电转换芯片单元(10)之间的距离d相等。

2.根据权利要求1所述的光电转换芯片，其特征在于，每个所述光电转换芯片单元(10)都具有多个光电转换素子(20)，相邻两个所述光电转换芯片单元(10)之间的距离d小于或等于同一所述光电转换芯片单元(10)内的相邻两个所述光电转换素子(20)之间的距离f。

3.根据权利要求2所述的光电转换芯片，其特征在于，分别来自相邻两个所述光电转换芯片单元(10)的相邻的两个所述光电转换素子(20)之间的距离e等于或小于同一光电转换芯片单元(10)内的相邻两个所述光电转换素子(20)之间的距离f。

4.根据权利要求3所述的光电转换芯片，其特征在于，分别来自相邻两个所述光电转换芯片单元(10)的相邻的两个所述光电转换素子(20)之间的距离e等于或小于所述光电转换素子(20)的长度a。

5.根据权利要求1所述的光电转换芯片，其特征在于，所述光电转换芯片的长度与待扫描物体的长度相等。

6.一种图像传感器，包括光电转换芯片，其特征在于，所述光电转换芯片为权利要求1至5中任一项所述的光电转换芯片。

7.根据权利要求6所述的图像传感器，其特征在于，所述图像传感器还包括：

透镜，所述透镜设置在所述光电转换芯片的上方。

8.根据权利要求7所述的图像传感器，其特征在于，所述图像传感器还包括：

线路板，所述光电转换芯片设置在所述线路板的中心位置。

9.根据权利要求8所述的图像传感器，其特征在于，所述图像传感器还包括：

框体，所述框体内部设置有安装空间，所述透镜、所述线路板及所述光电转换芯片均安装在所述安装空间中。

10.一种制造光电转换芯片的制造方法，其特征在于，所述光电转换芯片为权利要求1至5中任一项所述的光电转换芯片，所述方法包括：

量取待扫描物体的尺寸；

根据所述待扫描物体的尺寸，在整体晶体盘上得到所述待扫描物体的光电转换芯片预设尺寸；

根据所述光电转换芯片预设尺寸对所述整体晶体盘进行剪裁；

校验剪裁下来的所述光电转换芯片中的分别来自相邻两个所述光电转换芯片单元(10)的相邻的两个所述光电转换素子(20)之间的距离e是否大于同一光电转换芯片单元(10)内的相邻两个所述光电转换素子(20)之间的距离f，如果e大于f，则进行计算机像素点补正处理，如果e小于或等于f，则完成所述光电转换芯片制作。