CN107563100A - 基于黑盒理论分析接触电阻变化规律的方法 - Google Patents
基于黑盒理论分析接触电阻变化规律的方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN107563100A CN107563100A CN201710928058.6A CN201710928058A CN107563100A CN 107563100 A CN107563100 A CN 107563100A CN 201710928058 A CN201710928058 A CN 201710928058A CN 107563100 A CN107563100 A CN 107563100A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- mrow
- msup
- guide rail
- armature
- mfrac
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 22
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 title claims abstract description 10
- 235000000332 black box Nutrition 0.000 title claims abstract description 10
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 21
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 21
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims abstract description 14
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 claims description 13
- 230000006698 induction Effects 0.000 claims description 5
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 5
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 4
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000005672 electromagnetic field Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 1
- 239000004744 fabric Substances 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 210000001503 joint Anatomy 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 1
- 230000006641 stabilisation Effects 0.000 description 1
- 238000011105 stabilization Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Measurement Of Resistance Or Impedance (AREA)
- Linear Motors (AREA)
Abstract
本发明公开了基于黑盒理论分析接触电阻阻抗变化规律的方法，包括以下步骤：a.设定接触电阻为作为导轨的金属圆环和作为电枢的导体滑臂之间电接触时产生的电阻，所述导轨设置在一带金属转轴的绝缘圆盘边部，所述导轨和金属转轴之间通过导体片导通；在电枢末端和金属转轴的一端接入脉冲功率电源构成回路，采用驱动机构驱动金属转轴带动绝缘圆盘上的导轨旋转；b.构建回路的等效电路，再根据回路电压定律，构造等效电路的回路电压方程；c.求解电枢内电流密度，采用数据拟合得到电枢横截面法向电流密度的表达式；测定电枢与导轨的电势差，采用数据拟合得到电势差变化的表达式，根据公式R=U/I得到导轨和电枢间的阻抗变化表达式。
Description
技术领域
本发明涉及一种基于黑盒理论分析接触电阻变化规律的方法。
背景技术
电枢在通电导轨上滑动形成接触电阻，在滑动过程中，受间隙、摩擦产生热量、热量导致的变形等因素影响，二者之间的电阻会不断变化，现有技术还没有能够分析接触电阻变化规律的方法。
发明内容
本发明公开了基于黑盒理论分析接触电阻变化规律的方法，可以分析接触导体间电阻变化规律，有利于提高对接触导体进行控制的精确度。
本发明通过以下技术方案实现：
基于黑盒理论分析接触电阻阻抗变化规律的方法，包括以下步骤：
a.设定接触电阻为作为导轨的金属圆环和作为电枢的导体滑臂之间电接触时产生的电阻，所述导轨设置在一带金属转轴的绝缘圆盘边部，所述导轨和金属转轴之间通过导体片导通；在电枢末端和金属转轴的一端接入脉冲功率电源构成回路，采用驱动机构驱动金属转轴带动绝缘圆盘上的导轨旋转；
b.构建回路的等效电路，再根据回路电压定律，构造等效电路的回路电压方程；
c.求解电枢内电流密度，采用数据拟合得到电枢横截面法向电流密度的表达式；测定电枢与导轨的电势差，采用数据拟合得到电势差变化的表达式，根据公式R＝U/I得到导轨和电枢间的阻抗变化表达式。
本发明的进一步方案是，步骤b构建的等效电路由串联的脉冲功率电源U、接触电阻Rr、电枢电阻Ra、导轨电阻Rc、导轨等效电感L、炮口电压Ur组成；
所述回路电压方程为：
R(t)＝Rc(t)+Ra(t)+Rr(t)，
L(t)＝L'·l(t)，
式中i(t)表示回路电流，R(t)表示回路电阻，L(t)表示回路电感，L'表示导轨的电感梯度，v(t)表示电枢与导轨之间的相对速度，l(t)表示运动过程中导轨长度增加量。
本发明的进一步方案是，步骤c根据MAXWELL电磁理论，建立接触电阻的电磁场分布方程为：
式中▽表示哈密顿算子，σ、μ、A分别表示电枢的电导率、磁导率、矢量磁位，V表示电枢与导轨间的相对运动速度矢量，Js表示为源电流密度，t表示时间；
采用Strang算子分裂算法，将电磁场分布方程的每一个时间步[tn，tn+1]采用以下A、B分裂格式：
式中νx表示导轨与电枢之间的x轴相对速度；
对第一时间步长的A分裂格式求解，将其计算结果和边界条件分别作为初始条件和边界条件赋给第一时间步长的B分裂格式，然后对第一时间步长的B分裂格式求解，将其计算结果和边界条件分别作为初始条件和边界条件赋给第二时间步长的A分裂格式，再对第二时间步长的A分裂格式求解，将其计算结果和边界条件分别作为初始条件和边界条件赋给第二时间步长的B分裂格式，如此顺序计算，最后一个时间步长的B分裂格式计算结果即为最终结果的电枢和导轨之间的磁感应强度B。
本发明的优点在于：
一、建立模型测量各参数，理论计算和实验测量相验证确保所得到接触电阻变化规律的科学性和精确度；
二、通过算子分裂算法将对流扩散方程分裂为一个二阶的二维抛物型方程和一个一阶的双曲型方程，二者都具有成熟和稳定的数值算法，都可以得到稳定和精度较高的解，进而得到滑动电接触电阻间磁场分布方程的稳定结果，实现对接触电阻间电流密度的精确计算。
附图说明
图1为导轨与电枢结构示意图。
具体实施方式
基于黑盒理论分析接触电阻阻抗变化规律的方法，包括以下步骤：
a.设定接触电阻为如图1所示的作为导轨的金属圆环1和作为电枢的导体滑臂2之间电接触时产生的电阻，所述导轨设置在一带金属转轴3的绝缘圆盘4边部，所述导轨和金属转轴3之间通过导体片5导通，在金属圆环1和滑臂2上不等距嵌入多个测量设备7，包括：磁探针、霍尔器件、分压计及红外温度探测仪器；在电枢末端和金属转轴3的一端接入脉冲功率电源构成回路，采用作为驱动机构的电动机驱动金属转轴3带动绝缘圆盘5上的导轨旋转；
b.构建由串联的脉冲功率电源U、接触电阻Rr、电枢电阻Ra、导轨电阻Rc、导轨等效电感L、炮口电压Ur组成的等效电路，再根据回路电压定律，构造等效电路的回路电压方程：
R(t)＝Rc(t)+Ra(t)+Rr(t)，
L(t)＝L'·l(t)，
式中i(t)表示回路电流，R(t)表示回路电阻，L(t)表示回路电感，L'表示导轨的电感梯度，v(t)表示电枢与导轨之间的相对速度，l(t)表示运动过程中导轨长度增加量；电感梯度L'可以通过近似公式或有限元方法计算得到，v(t)根据电动机转速与金属圆环1的半径可计算得到，l(t)等于v(t)与时间的乘积，U(t)为设定值，炮口电压Ur(t)可通过分压计测量得到，电枢电阻Ra为定值，导轨电阻Rc为l(t)与导轨电阻率的乘积；
c.求解电枢内电流密度；
根据MAXWELL电磁理论，建立接触电阻的电磁场分布方程：
式中▽表示哈密顿算子，σ、μ、A、V分别表示导体的电导率、磁导率、矢量磁位、电枢与导轨间的相对运动速度矢量，Js表示为源电流密度，t表示时间；
采用Strang算子分裂算法，将电磁场分布方程的每一个时间步[tn，tn+1]采用以下A、B分裂格式：
式中νx表示导轨与电枢之间的相对速度；A分裂格式是二阶的二维抛物型方程，具有成熟和稳定的数值算法，如有限元、有限差分，都可以得到稳定和精度较高的解，本实施例采用P-R差分格式进行离散，P-R差分格式是一种两步法，即：把一个时间步[tk，tk+1]分成两步，第一时间步[tk，tk+1/2]在空间y方向上用隐式，空间x方向用显式；第二时间步[tk，tk+1]在空间x方向上用隐式，空间y方向用显式，对扩散项每步均采用中心差分格式；P-R差分格式结构简单，无条件稳定，具有二阶精度；B分裂格式是一阶的双曲型方程，可以采取特征线法、欧拉法等进行求解，本实施例不做赘述。
A分裂格式反映的是导轨和电枢中外部激励电流在导体内部引起的磁感应强度随着时间由外至内逐步扩散的过程；B分裂格式反映的是电枢运动过程中切割磁力线引起的感应电流在导体内部产生的磁感应强度的变化，其中间量是有物理意义的。电枢运动产生的在导体内部的感生电流属于涡流，涡流的方向与外加电流方向相反，实际测量的导轨激励电流中已经包含了感生电流，因此B分裂格式中采用的边界条件应与A分裂格式中边界条件相同；B分裂格式计算的初始条件采用A格式计算结果。
对第一时间步长的A分裂格式求解，将其计算结果和边界条件分别作为初始条件和边界条件赋给第一时间步长的B分裂格式，然后对第一时间步长的B分裂格式求解，将其计算结果和边界条件分别作为初始条件和边界条件赋给第二时间步长的A分裂格式，再对第二时间步长的A分裂格式求解，将其计算结果和边界条件分别作为初始条件和边界条件赋给第二时间步长的B分裂格式，如此顺序计算，最后一个时间步长的B分裂格式计算结果即为最终结果的电枢和导轨之间的磁感应强度B；
根据公式▽×B＝μJ，计算电流密度J分别在x轴、y轴方向的分量：
继而计算得到电流密度
以环形电流计、示波器测量得到回路的实际电流密度，采用数据拟合方法，将理论电流密度与实际电流密度拟合得到电枢横截面法向电流密度的表达式；
采用分压计、示波器测量电枢和导轨之间的电势差，采用数据拟合得到电势差变化的表达式，根据公式R＝U/I得到导轨和电枢间的阻抗变化表达式。
随着电枢和导轨的材质、尺寸变化，表达式形式不一。
Claims (3)
1.基于黑盒理论分析接触电阻阻抗变化规律的方法，其特征在于包括以下步骤：
a.设定接触电阻为作为导轨的金属圆环(1)和作为电枢的导体滑臂(2)之间电接触时产生的电阻，所述导轨设置在一带金属转轴(3)的绝缘圆盘(4)边部，所述导轨和金属转轴(3)之间通过导体片(5)导通；在电枢末端和金属转轴(3)的一端接入脉冲功率电源构成回路，采用驱动机构驱动金属转轴(3)带动绝缘圆盘(5)上的导轨旋转；
b.构建回路的等效电路，再根据回路电压定律，构造等效电路的回路电压方程；
c.求解电枢内电流密度，采用数据拟合得到电枢横截面法向电流密度的表达式；测定电枢与导轨的电势差，采用数据拟合得到电势差变化的表达式，根据公式R＝U/I得到导轨和电枢间的阻抗变化表达式。
2.如权利要求1所述的基于黑盒理论分析接触电阻阻抗变化规律的方法，其特征在于：步骤b构建的等效电路由串联的脉冲功率电源U、接触电阻Rr、电枢电阻Ra、导轨电阻Rc、导轨等效电感L、炮口电压Ur组成；
所述回路电压方程为：
<mrow>
<mi>U</mi>
<mrow>
<mo>(</mo>
<mi>t</mi>
<mo>)</mo>
</mrow>
<mo>=</mo>
<mi>R</mi>
<mrow>
<mo>(</mo>
<mi>t</mi>
<mo>)</mo>
</mrow>
<mi>i</mi>
<mrow>
<mo>(</mo>
<mi>t</mi>
<mo>)</mo>
</mrow>
<mo>+</mo>
<mi>L</mi>
<mrow>
<mo>(</mo>
<mi>t</mi>
<mo>)</mo>
</mrow>
<mfrac>
<mrow>
<mi>d</mi>
<mi>i</mi>
<mrow>
<mo>(</mo>
<mi>t</mi>
<mo>)</mo>
</mrow>
</mrow>
<mrow>
<mi>d</mi>
<mi>t</mi>
</mrow>
</mfrac>
<mo>+</mo>
<mi>i</mi>
<mrow>
<mo>(</mo>
<mi>t</mi>
<mo>)</mo>
</mrow>
<msup>
<mi>L</mi>
<mo>&prime;</mo>
</msup>
<mo>&CenterDot;</mo>
<mi>v</mi>
<mrow>
<mo>(</mo>
<mi>t</mi>
<mo>)</mo>
</mrow>
<mo>+</mo>
<msub>
<mi>U</mi>
<mi>r</mi>
</msub>
<mrow>
<mo>(</mo>
<mi>t</mi>
<mo>)</mo>
</mrow>
<mo>,</mo>
</mrow>
R(t)＝Rc(t)+Ra(t)+Rr(t)，
L(t)＝L'·l(t)，
式中i(t)表示回路电流，R(t)表示回路电阻，L(t)表示回路电感，L'表示导轨的电感梯度，v(t)表示电枢与导轨之间的相对速度，l(t)表示运动过程中导轨长度增加量。
3.如权利要求1所述的基于黑盒理论分析接触电阻阻抗变化规律的方法，其特征在于：步骤c根据MAXWELL电磁理论，建立接触电阻的电磁场分布方程为：
<mrow>
<mo>&dtri;</mo>
<mo>&times;</mo>
<mrow>
<mo>(</mo>
<mfrac>
<mn>1</mn>
<mrow>
<mi>&mu;</mi>
<mi>&sigma;</mi>
</mrow>
</mfrac>
<mo>&dtri;</mo>
<mo>&times;</mo>
<mi>A</mi>
<mo>)</mo>
</mrow>
<mo>-</mo>
<mi>&sigma;</mi>
<mrow>
<mo>(</mo>
<mo>-</mo>
<mfrac>
<mrow>
<mo>&part;</mo>
<mi>A</mi>
</mrow>
<mrow>
<mo>&part;</mo>
<mi>t</mi>
</mrow>
</mfrac>
<mo>+</mo>
<mi>V</mi>
<mo>&times;</mo>
<mo>(</mo>
<mrow>
<mo>&dtri;</mo>
<mo>&times;</mo>
<mi>A</mi>
</mrow>
<mo>)</mo>
<mo>)</mo>
</mrow>
<mo>=</mo>
<msub>
<mi>J</mi>
<mi>s</mi>
</msub>
<mo>,</mo>
</mrow>
式中▽表示哈密顿算子，σ、μ、A分别表示电枢的电导率、磁导率、矢量磁位，V表示电枢与导轨间的相对运动速度矢量，Js表示为源电流密度，t表示时间；采用Strang算子分裂算法，将电磁场分布方程的每一个时间步[tn，tn+1]采用以下A、B分裂格式：
<mrow>
<mi>A</mi>
<mo>:</mo>
<mfenced open = "{" close = "">
<mtable>
<mtr>
<mtd>
<mfrac>
<mrow>
<mo>&part;</mo>
<msup>
<mi>B</mi>
<mrow>
<mo>(</mo>
<mn>1</mn>
<mo>)</mo>
</mrow>
</msup>
</mrow>
<mrow>
<mo>&part;</mo>
<mi>t</mi>
</mrow>
</mfrac>
<mo>=</mo>
<mfrac>
<mn>1</mn>
<mrow>
<mi>&sigma;</mi>
<mi>&mu;</mi>
</mrow>
</mfrac>
<mo>(</mo>
<mfrac>
<mrow>
<msup>
<mo>&part;</mo>
<mn>2</mn>
</msup>
<msup>
<mi>B</mi>
<mrow>
<mo>(</mo>
<mn>1</mn>
<mo>)</mo>
</mrow>
</msup>
</mrow>
<mrow>
<mo>&part;</mo>
<msup>
<mi>x</mi>
<mn>2</mn>
</msup>
</mrow>
</mfrac>
<mo>+</mo>
<mfrac>
<mrow>
<msup>
<mo>&part;</mo>
<mn>2</mn>
</msup>
<msup>
<mi>B</mi>
<mrow>
<mo>(</mo>
<mn>1</mn>
<mo>)</mo>
</mrow>
</msup>
</mrow>
<mrow>
<mo>&part;</mo>
<msup>
<mi>y</mi>
<mn>2</mn>
</msup>
</mrow>
</mfrac>
<mo>)</mo>
</mtd>
</mtr>
<mtr>
<mtd>
<msup>
<mi>B</mi>
<mrow>
<mo>(</mo>
<mn>1</mn>
<mo>)</mo>
</mrow>
</msup>
<mo>(</mo>
<mi>x</mi>
<mo>,</mo>
<mi>y</mi>
<mo>,</mo>
<mi>t</mi>
<mo>)</mo>
<mo>=</mo>
<mi>B</mi>
<mo>(</mo>
<mi>x</mi>
<mo>,</mo>
<mi>y</mi>
<mo>,</mo>
<mi>t</mi>
<mo>)</mo>
</mtd>
</mtr>
</mtable>
</mfenced>
<mo>,</mo>
</mrow>
<mrow>
<mi>B</mi>
<mo>:</mo>
<mfenced open = "{" close = "">
<mtable>
<mtr>
<mtd>
<mfrac>
<mrow>
<mo>&part;</mo>
<msup>
<mi>B</mi>
<mrow>
<mo>(</mo>
<mn>2</mn>
<mo>)</mo>
</mrow>
</msup>
</mrow>
<mrow>
<mo>&part;</mo>
<mi>t</mi>
</mrow>
</mfrac>
<mo>=</mo>
<msub>
<mi>v</mi>
<mi>x</mi>
</msub>
<mfrac>
<mrow>
<mo>&part;</mo>
<msup>
<mi>B</mi>
<mrow>
<mo>(</mo>
<mn>2</mn>
<mo>)</mo>
</mrow>
</msup>
</mrow>
<mrow>
<mo>&part;</mo>
<mi>x</mi>
</mrow>
</mfrac>
</mtd>
</mtr>
<mtr>
<mtd>
<msup>
<mi>B</mi>
<mrow>
<mo>(</mo>
<mn>2</mn>
<mo>)</mo>
</mrow>
</msup>
<mo>(</mo>
<mi>x</mi>
<mo>,</mo>
<mi>y</mi>
<mo>,</mo>
<mi>t</mi>
<mo>)</mo>
<mo>=</mo>
<msup>
<mi>B</mi>
<mrow>
<mo>(</mo>
<mn>1</mn>
<mo>)</mo>
</mrow>
</msup>
<mo>(</mo>
<mi>x</mi>
<mo>,</mo>
<mi>y</mi>
<mo>,</mo>
<mi>t</mi>
<mo>)</mo>
</mtd>
</mtr>
</mtable>
</mfenced>
<mo>,</mo>
</mrow>
式中vx表示导轨与电枢之间的x轴相对速度；
对第一时间步长的A分裂格式求解，将其计算结果和边界条件分别作为初始条件和边界条件赋给第一时间步长的B分裂格式，然后对第一时间步长的B分裂格式求解，将其计算结果和边界条件分别作为初始条件和边界条件赋给第二时间步长的A分裂格式，再对第二时间步长的A分裂格式求解，将其计算结果和边界条件分别作为初始条件和边界条件赋给第二时间步长的B分裂格式，如此顺序计算，最后一个时间步长的B分裂格式计算结果即为最终结果的电枢和导轨之间的磁感应强度B。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201710928058.6A CN107563100B (zh) | 2017-09-30 | 2017-09-30 | 基于黑盒理论分析接触电阻变化规律的方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201710928058.6A CN107563100B (zh) | 2017-09-30 | 2017-09-30 | 基于黑盒理论分析接触电阻变化规律的方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN107563100A true CN107563100A (zh) | 2018-01-09 |
| CN107563100B CN107563100B (zh) | 2020-06-05 |
Family
ID=60984592
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201710928058.6A Active CN107563100B (zh) | 2017-09-30 | 2017-09-30 | 基于黑盒理论分析接触电阻变化规律的方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN107563100B (zh) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN108418476A (zh) * | 2018-04-28 | 2018-08-17 | 上海特波电机有限公司 | 直流电机快速能耗制动装置 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20080177514A1 (en) * | 2006-12-29 | 2008-07-24 | Sung-Moo Kim | Method for modeling varactor by direct extraction of parameters |
| CN203894330U (zh) * | 2014-06-18 | 2014-10-22 | 珠海市华晶微电子有限公司 | 一种多电阻测试装置 |
-
2017
- 2017-09-30 CN CN201710928058.6A patent/CN107563100B/zh active Active
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20080177514A1 (en) * | 2006-12-29 | 2008-07-24 | Sung-Moo Kim | Method for modeling varactor by direct extraction of parameters |
| CN203894330U (zh) * | 2014-06-18 | 2014-10-22 | 珠海市华晶微电子有限公司 | 一种多电阻测试装置 |
Non-Patent Citations (2)
| Title |
|---|
| HUIQIONG DENG等: "Analysis of the impedance measurement of transmission lines with two-phase short circuit", 《2011 INTERNATIONAL CONFERENCE ON CONSUMER ELECTRONICS, COMMUNICATIONS AND NETWORKS (CECNET)》 * |
| 梁亚芹: "铝电解电容器电极箔与引线间接触电阻的改进", 《电子元件与材料》 * |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN108418476A (zh) * | 2018-04-28 | 2018-08-17 | 上海特波电机有限公司 | 直流电机快速能耗制动装置 |
| CN108418476B (zh) * | 2018-04-28 | 2023-12-29 | 上海特波电机有限公司 | 直流电机快速能耗制动装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN107563100B (zh) | 2020-06-05 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| Chen et al. | Anisotropy of Alfvénic turbulence in the solar wind and numerical simulations | |
| Ren et al. | Inclusion boundary reconstruction and sensitivity analysis in electrical impedance tomography | |
| CN103234869A (zh) | 油藏流体在线高压旋转粘度计 | |
| Xu et al. | Multiple parameters׳ estimation in horizontal well logging using a conductance-probe array | |
| CN108049865B (zh) | 随钻感应测井电场刻度方法 | |
| CN107563100A (zh) | 基于黑盒理论分析接触电阻变化规律的方法 | |
| Cao et al. | Direct image reconstruction for 3-D electrical resistance tomography by using the factorization method and electrodes on a single plane | |
| Michalski et al. | 3-D approach to designing the excitation coil of an electromagnetic flowmeter | |
| CN109270455B (zh) | 基于弱敏集合卡尔曼滤波的感应电机状态监测方法 | |
| CN106953569A (zh) | 感应电机转子电阻估计方法及系统 | |
| Tan et al. | Determining the boundary of inclusions with known conductivities using a Levenberg–Marquardt algorithm by electrical resistance tomography | |
| Zhang et al. | A study of electrode compensation model improvement in micro-electrical discharge machining milling based on large monolayer thickness | |
| Shen et al. | Evaluation of multi-order derivatives by local radial basis function differential quadrature method | |
| CN106199355A (zh) | 静电探针差动测量方法 | |
| Majka et al. | Diagnosis of a ferroresonance type through visualisation | |
| Lv et al. | Analytical modelling for edge effects and impedance characteristics of the transverse eddy current displacement sensors with rectangular coils | |
| CN105074443A (zh) | 水中的宽动态范围电导率测量 | |
| Zec et al. | Three-dimensional numerical investigations of Lorentz force eddy current testing | |
| CN104180838B (zh) | 获得编码器上标尺刻度误差的方法 | |
| Cruse et al. | Green's function formulation of laplace's equation for electromagnetic crack detection | |
| CN104750943A (zh) | 一种基于数值模拟的气液两相界面积计算方法 | |
| CN103630752A (zh) | 两种频率正弦波叠加信号激励的溶液电导率的测量系统 | |
| CN107609306A (zh) | 采用算子分裂算法分析滑动电接触导体间场分布的方法 | |
| Chhabra et al. | Effect of Magnetic Field on Viscous Flow through Composite Porous Channel using Boundary Element Method | |
| CN114062433B (zh) | 一种适用于管道内粒子精确定位的电阻抗检测芯片 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| CP02 | Change in the address of a patent holder | ||
| CP02 | Change in the address of a patent holder |
Address after: 223400 Eighth Floor, Andong Building, No. 10 Haian Road, Lianshui County, Huaian City, Jiangsu Province Patentee after: HUAIYIN INSTITUTE OF TECHNOLOGY Address before: 223005 Jiangsu city of Huaian province Mei Cheng Road Economic Development Zone No. 1 Patentee before: HUAIYIN INSTITUTE OF TECHNOLOGY |
|
| TR01 | Transfer of patent right | ||
| TR01 | Transfer of patent right |
Effective date of registration: 20231225 Address after: No. 92, Feiyao South Road, Huai'an Economic and Technological Development Zone, Huai'an City, Jiangsu Province, 223001 Patentee after: Jiangsu Shunhai Technology Co.,Ltd. Address before: 223400 8th floor, Anton building, 10 Haian Road, Lianshui, Huaian, Jiangsu Patentee before: HUAIYIN INSTITUTE OF TECHNOLOGY |