CN107546098B - 调节排气流路的尺寸的等离子处理装置 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及一种调节排气流路的尺寸的等离子处理装置。本发明的调节排气流路的尺寸的等离子处理装置包括：腔室；卡盘，其设置于所述腔室内部，以放置基板；排气泵，其连接于所述腔室，以吸入存在于所述腔室内部的工程气体；排气流路，其形成于所述腔室与所述卡盘之间，以使工程气体向所述排气泵方向流动；以及排气流路调节部，其设置于所述腔室内部，以使所述排气流路的尺寸能够变化。

Description

调节排气流路的尺寸的等离子处理装置
技术领域
本发明涉及一种调节排气流路的尺寸的等离子处理装置。
背景技术
如图1所示，现有的等离子处理装置包括在内部具有利用等离子处理基板1的空间的腔室2、使工程气体流入这种腔室2内部的喷头3、对流入的工程气体施加高频电压形成等离子的天线4、位于腔室2的内部并与放置基板的卡盘5、以及连接于腔室2一侧以吸入工程气体的排气泵6。
腔室2内部形成有排气流路7，以使工程气体向排气泵6方向流动。
一方面，为改善基板1的均匀性(Uniformity)，均匀处理基板1的内侧和外侧极为重要，为此，需要控制等离子处理装置的多种工程环境，其一种方法是，通过调节排气流路7的尺寸来调节等离子停留于腔室2内部的时间，改善基板1的均匀性。
现有技术中所使用的方法是，通过改变腔室2的形状本身来调节排气流路7的尺寸。
然而，在这种方法中，排气流路7的尺寸是固定的，因而所存在的问题是，很难统一适用于利用等离子处理装置处理的多种基板，需要根据基板更换腔室2。
此外，由于通过改变腔室2的形状来调节排气流路7的尺寸，所存在的问题是，腔室2在基板1的处理过程中容易被副产物污染，且容易因等离子而受损，从而导致腔室2的更换周期变短。
上述作为背景技术说明的事项仅用于加深对本发明的背景的理解，不能被理解为相当于本领域的一般的技术人员所已知的现有技术。
现有技术文献
专利文献
(专利文献1)KR 10-2014-0140514(2014.12.09)
发明内容
技术问题
本发明的目的在于，提供一种利用排气流路调节部调节排气流路的尺寸，从而无需更换腔室即可适用于多种产品，防止腔室内壁在工程过程中直接受影响的能够调节排气流路的尺寸的等离子处理装置。
技术方案
为达成这种目的，本发明的调节排气流路的尺寸的等离子处理装置，其特征在于，包括：腔室，其包括位于上部的第一腔室和从所述第一腔室向下扩展而形成的第二腔室；卡盘，其设置于所述腔室内部，以放置基板；排气泵，其连接于所述第二腔室一侧，以吸入存在于所述腔室内部的工程气体；排气流路，其形成于所述腔室与所述卡盘之间，以使工程气体向所述排气泵方向流动；以及排气流路调节部，其设置于所述腔室内部，以使所述排气流路的尺寸能够变化，在所述第一腔室和第二腔室内部空间升降而调节所述排气流路的尺寸，所述排气流路调节部包括：上端位于所述第一腔室内部且形成为中空的圆柱形状的环形部、在所述环形部的外周面上向所述环形部的外侧方向延伸而形成且位于所述第二腔室内部的延伸部、以及与所述延伸部连接而伸缩的升降部，所述环形部与所述升降部连动而升降来调节所述排气流路的尺寸，且所述环形部始终位于高于所述卡盘的位置。
其特征在于，包括：腔室，其包括位于上部的第一腔室和从所述第一腔室向下扩展而形成的第二腔室；卡盘，其设置于所述腔室内部，以放置基板；排气泵，其连接于所述第二腔室一侧，以吸入存在于所述腔室内部的工程气体；排气流路，其形成于所述腔室与所述卡盘之间，以使工程气体向所述排气泵方向流动；以及排气流路调节部，其包括：引导部，该引导部包括上端结合于所述第二腔室上端内壁且内径向下缩小的中空形状的第一引导部、和在所述第一引导部下端向下延伸而形成且形成为中空的圆柱形状的第二引导部；上端位于所述第二引导部内部或外部且形成为中空的圆柱形状的环形部；在所述环形部外周面上向所述环形部的外侧方向延伸而形成且位于所述第二腔室内部的延伸部；以及与所述延伸部连接而伸缩的升降部，所述环形部与所述升降部连动而升降来调节所述排气流路的尺寸，且所述环形部始终位于高于所述卡盘的位置。
另外，本发明的特征在于，所述延伸部为以环形部为中心延伸的中空的圆盘形状或以环形部为中心延伸的具有长度的板材形状。
另外，本发明的特征在于，所述环形部和延伸部包括铝而构成。
另外，本发明的特征在于，所述延伸部从中心沿外侧方向形成有孔或狭缝。
另外，本发明的特征在于，所述环形部的表面形成有阳极氧化膜或氧化钇膜。
发明的效果
根据本发明，可以实现如下多种效果。
第一，具有无需改变腔室形状，可通过升降排气流路调节部调节排气流路的尺寸的优点。
第二，在工程过程中排气流路调节部覆盖腔室，因而具有在需要时可以更换比腔室价格低廉的排气流路调节部，从而延长腔室更换周期的优点。
附图说明
图1是现有的等离子处理装置的结构图。
图2是本发明的调节排气流路的尺寸的等离子处理装置的结构图。
图3是本发明的调节排气流路的尺寸的等离子处理装置的另一实施例的结构图。
图4是作为本发明的调节排气流路的尺寸的等离子处理装置的一主要部分的排气流路调节部的结构图。
图5是本发明的调节排气流路的尺寸的等离子处理装置的另一实施例的结构图。
图6的(a)是作为本发明的调节排气流路的尺寸的等离子处理装置的一主要部分的排气流路调节部的平面图。
图6的(b)是作为本发明的调节排气流路的尺寸的等离子处理装置的一主要部分的排气流路调节部的另一实施例的平面图。
图7是作为本发明的调节排气流路的尺寸的等离子处理装置的一主要部分的排气流路调节部的另一实施例的平面图。
图8是示出作为本发明的调节排气流路的尺寸的等离子处理装置的一主要部分的排气流路调节部的另一实施例的平面图的图。
符号说明
10：基板 20：腔室
30：卡盘 40：排气泵
50：排气流路 60：排气流路调节部
61：环形部 62：延伸部
63：升降部 64：引导部
64a：第一引导部 64b：第二引导部
M：动力部 H：贯通部
具体实施方式
本发明的目的、特定优点及新特征将在下面结合附图描述的详细说明和实施例中变得更容易理解。值得注意的是，在本说明书中对各图的构成要素标记参考符号时，就相同的构成要素而言，即使在不同的图中标示，也尽量使其具有相同的编号。此外，尽管第一、第二等术语可以用于说明多种构成要素，但所述构成要素不限于所述术语。所述术语仅用于区分一个构成要素与另一个构成要素的目的。此外，在说明本发明的过程中，当判断对相关公知技术的具体说明反而多余地使本发明的主旨不清楚时，省略其详细说明。
如图2所示，本发明的调节排气流路的尺寸的等离子处理装置包括：腔室20、卡盘30、排气泵40、排气流路50以及排气流路调节部60。
腔室20在内部具有利用等离子处理基板10的空间，在位于这种腔室20的内部空间的卡盘30上放置基板10。
排气泵40位于腔室20的外部，且与腔室20连接，以吸入腔室20内部工程气体。
此外，在腔室20内部空间存在工程气体，腔室20内壁与卡盘30之间形成有排气流路50，排气泵40与腔室20连接，且与排气流路50连通。
这种排气流路50由排气流路调节部60调节尺寸。
排气流路调节部60包括：环形部61、延伸部62、升降部63。
环形部61呈内部形成为中空的圆柱形状，其位于卡盘30的上部。
延伸部62以环形部61为中心在环形部61的一侧延伸，也可以在环形部61下端向环形部61的外侧方向延伸而形成。延伸部62与升降部63连接，以使环形部61和延伸部62升降。
升降部63的一端与延伸部62的另一端连接，其另一端与腔室外部的缸体、直线电机等多种动力源M连接。
升降部63的一端靠这种动力源M上升和下降，因此与其连接的延伸部62也随之上升和下降，其结果是，环形部61上升和下降。
环形部61与升降部63连动而上升和下降，以调节排气流路50的尺寸。
腔室20包括形成于上部的第一腔室22和从这种第一腔室22向下扩展形成的第二腔室24，环形部61的上端位于第一腔室22的内部，延伸部62向环形部61的外侧方向延伸而形成，位于第二腔室24内部，环形部61和延伸部62随着升降部63工作而升降。
此时，第一腔室22与环形部61之间可以接触，但为了环形部61的升降，优选彼此隔开。
通常，当排气泵40工作时，工程气体通过形成于卡盘30与第二腔室24的顶棚内壁之间的排气流路50流动，而在本发明中，利用环形部61和延伸部62将排气流路50规定为卡盘30与延伸部62之间的区域，且可随着环形部61和延伸部62的升降调节排气流路50的尺寸。
因此，当环形部61和延伸部62下降时，排气流路50的尺寸会减少，排气流路50的尺寸所减少的量是环形部61下降后位于第二腔室24区域的长度的量，工程气体会通过形成于卡盘30与延伸部62之间的排气流路50流动。当环形部61和延伸部62上升时，排气流路50按照与上述原理相反的原理增加，根据基板10的尺寸，无需改变腔室20的形状即可调节排气流路50的尺寸。
此外，腔室20内壁被排气流路调节部60覆盖，不会直接暴露于等离子，因而可以延长更换周期，需要时，可以更换比腔室20价格低廉的排气流路调节部60，从而在最优的工程环境下对基板10进行等离子处理。
如图3所示，排气流路调节部60还包括位于卡盘30的上部，内部形成为中空，且一侧结合于腔室20的内部的引导部64。
基板10一般位于腔室20下部，当腔室20由第一腔室22和第二腔室24形成时，通常会位于第二腔室24空间。此时，引导部64位于第二腔室24、且其下端位于基板10的上方，从而有利于集中地向基板10提供等离子。
亦即，引导部64包括中空的尺寸向另一侧方向逐渐变小的漏斗形状的第一引导部64a和在第一引导部64a的另一侧延伸形成且形成为中空的圆柱形状的第二引导部64b，且优选第二引导部64b的内径形成为比基板10的直径大规定尺寸的量。
分散的等离子经由在第一引导部64a的另一侧方向上中空的尺寸逐渐变小的漏斗形状时向中央密集，因而具有提高基板处理的均匀性的优点。
一方面，如图3至图5所示，优选第二引导部64b和环形部61重叠。亦即，环形部61的上端位于第二引导部62b内部，环形部61在上下方向上移动而升降。
第二引导部64b和环形部61可以以第二引导部64b的中空的直径大于环形部61的外周面的直径而使环形部61的上端插入第二引导部64b的形式或环形部61的中空的直径大于第二引导部64b的外周面的直径而使第二引导部64b的下端插入环形部61的形式重叠。
第二引导部64b被固定，环形部61升降而调节排气流路50的尺寸。
此时，第二引导部62b与环形部61之间可以接触，但为了环形部61的升降，优选彼此隔开。
如图6所示，延伸部62可以是以环形部61为中心延伸的中空的圆盘形状或以环形部61为中心延伸的具有长度的板材形状。
当延伸部62为圆盘形状时，覆盖腔室20，因而具有将副产物施加于腔室20的影响减少到最低程度的优点；当延伸部62为板材形状时，具有将升降时副产物悬浮减少到最低程度的优点，因而优选根据工程环境选择。
环形部61和延伸部62优选铝和铝合金的等轻金属材质。尤其，由铝构成的环形部61和延伸部62具有重量轻、耐蚀性优异的优点。
如图7至图8所示，延伸部62可以在中心沿外侧方向形成有由两个以上的孔或狭缝构成的贯通部H。
此时，当贯通部H由两个以上的孔构成时，优选沿从中心向外侧方向直线延伸的假想的线形成有多个孔。
此外，如图7所示，当延伸部62形成为圆形时，优选贯通部H在延伸部的中心沿圆周方向隔开一定角度而形成多个。
当延伸部62形成有贯通部H时，重量会变轻，且在升降和下降时发生的阻力因孔而减少，因而具有将副产物悬浮减少到最低程度的优点。
一方面，也可以在由铝构成的延伸部62形成贯通部H。
优选在环形部61和延伸部62的表面涂覆阳极氧化膜或氧化钇膜。
在环形部61和延伸部62的表面涂覆阳极氧化膜、氧化钇膜，将提高耐蚀性，因而具有延长更换周期的优点。
本发明的调节排气流路的尺寸的等离子处理装置的基板处理方法如下，在卡盘30放置基板10，利用排气流路调节部60调节排气流路50的尺寸，并利用等离子处理基板10。
此时，利用等离子对基板10进行的处理可以是蚀刻或蒸镀。
此外，根据反复进行蚀刻和蒸镀的博施工程(Bosch process)中的基板处理方法，在卡盘放置基板10，利用排气流路调节部60调节排气流路50的尺寸，利用等离子对基板10进行蚀刻，利用排气流路调节部60调节排气流路50的尺寸，并利用等离子对基板10进行蒸镀。
此时，蚀刻和蒸镀反复进行两次以上，用于蚀刻的等离子可通过对工程气体SF6施加高频电压形成，用于蒸镀的等离子可通过对工程气体C4F8施加高频电压形成。
尽管通过具体实施例对本发明进行了详细说明，但这些是为具体说明本发明而进行的描述，本发明不限于根据本发明的调节排气流路的尺寸的等离子处理装置，显然，本领域的一般的技术人员可以在本发明的技术思想范围内对本发明实施变型或改良。
本发明的单纯变型及变更均属于本发明的所属领域，因而本发明的具体保护范围将通过所附权利要求书变得更为清楚。

Claims (6)

1.一种调节排气流路的尺寸的等离子处理装置，其特征在于，包括：
腔室，其包括位于上部的第一腔室和从所述第一腔室向下扩展而形成的第二腔室；
卡盘，其设置于所述腔室内部，以放置基板；
排气泵，其连接于所述第二腔室一侧，以吸入存在于所述腔室内部的工程气体；
排气流路，其形成于所述腔室与所述卡盘之间，以使工程气体向所述排气泵方向流动；以及
排气流路调节部，其设置于所述腔室内部，以使所述排气流路的尺寸能够变化，在所述第一腔室和第二腔室内部空间升降而调节所述排气流路的尺寸，所述排气流路调节部包括：上端位于所述第一腔室内部且形成为中空的圆柱形状的环形部、在所述环形部的外周面上向所述环形部的外侧方向延伸而形成且位于所述第二腔室内部的延伸部、以及与所述延伸部连接而伸缩的升降部，
所述环形部与所述第一腔室接触，所述环形部与所述升降部连动而升降来调节所述排气流路的尺寸，且所述环形部始终位于高于所述卡盘的位置。
2.一种调节排气流路的尺寸的等离子处理装置，其特征在于，包括：
腔室，其包括位于上部的第一腔室和从所述第一腔室向下扩展而形成的第二腔室；
卡盘，其设置于所述腔室内部，以放置基板；
排气泵，其连接于所述第二腔室一侧，以吸入存在于所述腔室内部的工程气体；
排气流路，其形成于所述腔室与所述卡盘之间，以使工程气体向所述排气泵方向流动；以及
排气流路调节部，其包括：引导部，该引导部包括上端结合于所述第二腔室上端内壁且内径向下缩小的中空形状的第一引导部、和在所述第一引导部下端向下延伸而形成且形成为中空的圆柱形状的第二引导部；上端位于所述第二引导部内部或外部且形成为中空的圆柱形状的环形部；在所述环形部外周面上向所述环形部的外侧方向延伸而形成且位于所述第二腔室内部的延伸部；以及与所述延伸部连接而伸缩的升降部，
所述环形部与所述第二引导部接触，所述环形部与所述升降部连动而升降来调节所述排气流路的尺寸，且所述环形部始终位于高于所述卡盘的位置。
3.根据权利要求1或2所述的调节排气流路的尺寸的等离子处理装置，其特征在于，
所述延伸部为以环形部为中心延伸的中空的圆盘形状或以环形部为中心延伸的具有长度的板材形状。
4.根据权利要求1或2所述的调节排气流路的尺寸的等离子处理装置，其特征在于，
所述环形部和延伸部包括铝而构成。
5.根据权利要求1或2所述的调节排气流路的尺寸的等离子处理装置，其特征在于，
所述延伸部从中心沿外侧方向形成有孔或狭缝。
6.根据权利要求1或2所述的调节排气流路的尺寸的等离子处理装置，其特征在于，
所述环形部的表面形成有阳极氧化膜或氧化钇膜。
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Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101987577B1 (ko) * 2018-01-24 2019-06-10 주식회사 기가레인 승강하는 유도부와 연동하는 배기조절부를 포함하는 기판 처리 장치
KR101987576B1 (ko) * 2018-01-24 2019-06-10 주식회사 기가레인 승강하는 유도부와 연동하는 연동부를 포함하는 기판 처리 장치
KR102078364B1 (ko) * 2019-04-25 2020-02-17 주식회사 기가레인 배출흐름조절부 및 이를 포함하는 플라즈마 처리장치
KR102312364B1 (ko) * 2019-12-24 2021-10-13 주식회사 테스 기판처리장치
KR102478349B1 (ko) * 2022-07-07 2022-12-16 주식회사 기가레인 기판 처리 장치

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1429398A (zh) * 1999-12-30 2003-07-09 兰姆研究有限公司 应用于等离子体加工系统中的线性驱动系统
CN1479936A (zh) * 2000-10-04 2004-03-03 ��ķ�о����޹�˾ 用于等离子体限定的晶片区域压力控制
CN1489778A (zh) * 2000-08-11 2004-04-14 兰姆研究有限公司 晶片区域的压力控制
CN1610766A (zh) * 2002-03-06 2005-04-27 应用材料公司 整体式的可拆卸屏蔽罩组件
CN102318043A (zh) * 2009-09-15 2012-01-11 住友精密工业股份有限公司 电浆蚀刻装置

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7987814B2 (en) * 2008-04-07 2011-08-02 Applied Materials, Inc. Lower liner with integrated flow equalizer and improved conductance
TWI762170B (zh) * 2011-10-05 2022-04-21 美商應用材料股份有限公司 包括對稱電漿處理腔室的電漿處理設備與用於此設備的蓋組件
US20130333616A1 (en) * 2012-06-18 2013-12-19 Tel Solar Ag Plasma processing system with movable chamber housing parts
GB201309583D0 (en) * 2013-05-29 2013-07-10 Spts Technologies Ltd Apparatus for processing a semiconductor workpiece
KR20150110947A (ko) * 2014-03-21 2015-10-05 피에스케이 주식회사 기판 처리 장치 및 방법

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1429398A (zh) * 1999-12-30 2003-07-09 兰姆研究有限公司 应用于等离子体加工系统中的线性驱动系统
CN1489778A (zh) * 2000-08-11 2004-04-14 兰姆研究有限公司 晶片区域的压力控制
CN1479936A (zh) * 2000-10-04 2004-03-03 ��ķ�о����޹�˾ 用于等离子体限定的晶片区域压力控制
CN1610766A (zh) * 2002-03-06 2005-04-27 应用材料公司 整体式的可拆卸屏蔽罩组件
CN102318043A (zh) * 2009-09-15 2012-01-11 住友精密工业股份有限公司 电浆蚀刻装置

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