CN107525480B - 一种深孔测量方法及装置 - Google Patents
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Abstract
本申请实施例提供一种半导体存储器制造工艺过程中深孔测量方法和装置，所述方法包括：获取深孔图像，对所述深孔图像进行处理得到所述深孔第一边界各点的坐标以及第二边界各点的坐标；根据所述深孔第一边界各点的坐标和第二边界各点的坐标计算得到各中心点坐标；选取所述深孔顶部中心点作为第一基准中心点，选取所述深孔底部中心点作为第二基准中心点，根据第一基准中心点和第二基准中心点确定基准中心线；计算各中心点坐标相对于所述基准中心线在水平方向上的偏离程度值作为所述深孔的弯曲度值。本申请实施例可以有效提高深孔测量的准确性和效率。
Description
技术领域
本申请实施例涉及半导体技术领域，具体涉及一种半导体存储器制造工艺过程中深孔测量方法及装置。
背景技术
在半导体技术领域，深孔的弯曲程度和倾斜程度对后续工艺中深孔的填充、刻蚀均匀性具有显著影响。若深孔弯曲程度高、倾斜度大，会影响半导体器件的电学性能。因此，如何准确测量深孔的特性成为一个重要的问题。
现有技术中，在测量深孔的弯曲度时，一般通过人眼判断深孔的纵向剖面电镜图，来比较深孔的弯曲度，进而统计弯曲的深孔的个数。
申请人经过研究发现，现有技术提供的测量方法存在如下缺点：现有技术提供的方法是通过人眼判断、比较深孔弯曲的个数，存在无法量化定性、主观性强、不准确、效率较低的缺陷。
发明内容
本申请实施例提供了一种深孔测量方法及装置，旨在解决现有技术深孔测量不准确、效率低的缺陷。
为此，本申请实施例提供如下技术方案：
本申请实施例的第一方面公开了一种深孔测量方法，包括：获取深孔图像，对所述深孔图像进行处理得到所述深孔第一边界各点的坐标以及第二边界各点的坐标；根据所述深孔第一边界各点的坐标和第二边界各点的坐标计算得到各中心点坐标；选取所述深孔顶部中心点作为第一基准中心点，选取所述深孔底部中心点作为第二基准中心点，根据第一基准中心点和第二基准中心点确定基准中心线；计算各中心点坐标相对于所述基准中心线在水平方向上的偏离程度值作为所述深孔的弯曲度值。
本申请实施例的第二方面公开了一种深孔测量装置，包括：图像处理单元，用于获取深孔图像，对所述深孔图像进行处理得到所述深孔第一边界各点的坐标以及第二边界各点的坐标；中心点坐标确定单元，用于根据所述深孔第一边界各点的坐标和第二边界各点的坐标计算得到各中心点坐标；基准中心线确定单元，用于选取所述深孔顶部中心点作为第一基准中心点，选取所述深孔底部中心点作为第二基准中心点，根据第一基准中心点和第二基准中心点确定基准中心线；弯曲度计算单元，用于计算各中心点坐标相对于所述基准中心线在水平方向上的偏离程度值作为所述深孔的弯曲度值。
本申请实施例的第三方面公开了一种用于深孔测量的装置，包括有存储器，以及一个或者一个以上的程序，其中一个或者一个以上程序存储于存储器中，且经配置以由一个或者一个以上处理器执行所述一个或者一个以上程序包含用于进行以下操作的指令：获取深孔图像，对所述深孔图像进行处理得到所述深孔第一边界各点的坐标以及第二边界各点的坐标；根据所述深孔第一边界各点的坐标和第二边界各点的坐标计算得到各中心点坐标；选取所述深孔顶部中心点作为第一基准中心点，选取所述深孔底部中心点作为第二基准中心点，根据第一基准中心点和第二基准中心点确定基准中心线；计算各中心点坐标相对于所述基准中心线在水平方向上的偏离程度值作为所述深孔的弯曲度值。
本申请实施例的第四方面，公开了一种机器可读介质，其上存储有指令，当由一个或多个处理器执行时，使得装置执行如第一方面所述的深孔测量方法。
本申请实施例提供的深孔测量方法及装置，可以通过对深孔图像进行处理，获得离散化的深孔各边界点坐标，并根据深孔两侧的各边界点坐标计算得到各中心点坐标，并确定基准中心线，计算各中心点坐标相对于所述基准中心线在水平方向上的偏离程度值作为所述深孔的弯曲度值。本申请实施例通过对深孔图像的离散量化处理获得各边界点坐标，有效提高了计算精度。此外，本申请通过计算中心点坐标与基准中心线的偏离程度衡量深孔的弯曲度，得到更为准确的结果。
附图说明
为了更清楚地说明本申请实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请中记载的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本申请一实施例提供的深孔测量方法流程；
图2为本申请实施例提供的深孔横截面示意图；
图3为本申请实施例提供的离散量化深孔边界示意图；
图4为本申请实施例提供的深孔弯曲度计算方法示意图；
图5为本申请一实施例深孔倾斜度示意图；
图6为本申请另一实施例深孔弯曲度示意图；
图7为本申请一实施例提供的深孔测量装置示意图；
图8是根据一示例性实施例示出的一种用于深孔测量装置的框图。
具体实施方式
下面将参考若干示例性实施方式来描述本申请的原理和精神。应当理解，给出这些实施方式仅仅是为了使本领域技术人员能够更好地理解进而实现本申请，而并非以任何方式限制本申请的范围。相反，提供这些实施方式是为了使本公开更加透彻和完整，并且能够将本公开的范围完整地传达给本领域的技术人员。
申请人在研究本申请的过程中发现，现有技术提供的测量方法通过人眼判断、比较深孔弯曲的个数，无法实现量化定性，存在主观性强、不准确、效率低的缺陷。而深孔的特性会影响半导体器件性能，因此需要提供一种深孔测量方法及装置，以有效提高深孔测量的准确性和效率。
在本申请实施例中使用的术语是仅仅出于描述特定实施例的目的，而非旨在限制本申请。在本申请实施例和所附权利要求书中所使用的单数形式的“一种”、“所述”和“该”也旨在包括多数形式，除非上下文清楚地表示其他含义。还应当理解，本文中使用的术语“和/或”是指并包含一个或多个相关联的列出项目的任何或所有可能组合。
下面将结合附图1至附图6对本申请示例性实施例示出的深孔测量方法进行介绍。
参见图1，为本申请一实施例提供的深孔测量方法流程图。如图1所示，可以包括：
S101，获取深孔图像，对所述深孔图像进行处理得到所述深孔第一边界各点的坐标以及第二边界各点的坐标。
具体实现时，所述深孔图像可以包括一个或多个深孔。如图2所示，为本申请实施例提供的深孔横截面示意图。在一幅深孔横截面图像中，可以包括多个深孔。
在一些实施方式中，在计算深孔弯曲度时，可以测量多个晶圆包含的深孔的弯曲度值。每个晶圆可以选取不同的测量位置，例如可以选取17个测量位置，每个测量位置测量多个深孔的弯曲度值。例如，每个测量位置测量10个深孔的弯曲度值。需要说明的是，当测量的深孔图像为多个，每个深孔图像包括多个深孔时，保存深孔图像、测量位置、晶圆之间的对应关系，以便于后续计算。
下面以测量一个深孔的弯曲度值为例进行说明，测量多个深孔的实现可以参照测量一个深孔的实现而进行。
在一些实施方式中，，所述获取深孔图像，对所述深孔图像进行处理得到所述深孔第一边界各点的坐标和第二边界各点的坐标包括以下步骤：
S101A，获取所述深孔图像的灰度图像。
一般地，图像的边缘由图像灰度发生急剧变化的点组成。因此，若拍摄的深孔图像为彩色图像，可以先将其转换为灰度图像。
S101B，对所述灰度图像进行降噪处理。
具体实现时，可以采用现有技术提供的方法对灰度图像进行图像降噪处理，本申请对具体实现方式不进行限定，例如可以采用高斯滤波器进行降噪处理。
S101C，所述降噪处理后的灰度图像进行边缘检测处理，获得所述深孔第一边界各点的坐标以及第二边界各点的坐标。需要说明的是，对所述灰度图像进行降噪处理。
具体实现时，对降噪处理后的灰度图像进行边缘检测处理可以采用sobel、canny等边缘算子提取边缘的方法，本申请对此不进行限定。在检测得到深孔边界后，即可以获得组成第一边界的各点坐标以及组成第二边界的各点坐标。其中，第一边界具体为深孔的左边界，第二边界具体为深孔的右边界。参见图3，为本申请实施例提供的离散量化深孔边界示意图。如图3所示，深孔的左右边界通过离散化量化处理，可以得到由左右边界点构成的左右边界线。如图3所示，在深孔顶部描绘了横轴，用于描述深孔各边界点、中心点的横坐标。其中，如图3所示，深孔顶部中心点坐标为(0,0)。图3中，通过深孔左右边界线刻画出深孔的位置(Position)，描绘出了深孔的形态面貌。
S102，根据所述深孔第一边界各点的坐标和第二边界各点的坐标计算得到各中心点坐标。
具体实现时，可以按照以下公式计算各中心点坐标：
其中，Xi为第i个中心点的横坐标，XAi为第一边界上第i个点的横坐标，XBi为第二边界上第i个点的横坐标，i为正整数，i的取值范围可以根据经验或者需要设定。
举例说明，假设第一边界包括120个点，分别是A1(XA1，YA1)、A2(XA2，YA2)、A3(XA3，YA3)……A120(XA120，YA120)；假设第二边界包括120个点，分别是B1(XB1，YB1)、B2(XB2，YB2)、B3(XB3，YB3)……B120(XB120，YB120)。
根据同一水平线上边界点的坐标，根据公式(1)计算得到中心点坐标可以是：
……
以此类推，可以得到各中心点的横坐标，各中心点的纵坐标与其处于水平线上的边界点的纵坐标相同。
S103，选取所述深孔顶部中心点作为第一基准中心点，选取所述深孔底部中心点作为第二基准中心点，根据第一基准中心点和第二基准中心点确定基准中心线。
如图4所示，在计算得到处于同一水平方向上的边界点的中心点坐标后，选取深孔顶部中心点即第一个中心点作为第一基准中心点，选取深孔底部中心点即最后一个中心点作为第二基准中心点，获取第一基准中心点和第二基准中心点的连线作为基准中心线。其中，基准中心线包含的点的个数与各中心点的个数相同，与第一边界、第二边界包含的边界点的个数相同。在确定基准中心线后，根据预先设置的坐标系即可以确定所述基准中心线上各点的坐标。
S104，计算各中心点坐标相对于所述基准中心线在水平方向上的偏离程度值作为所述深孔的弯曲度值。
需要说明的是，在理想情况下，深孔应当是平滑的、笔直的、不倾斜的，深孔两个边界对应的中心点形成的连线应当与基准中心线重合。因此，可以通过衡量各中心点坐标相对于所述基准中心线在水平方向上的偏离程度值来确定深孔的弯曲度。具体实现时，可以计算深孔各边界点的中心点相对于基准中心线的水平方向上的位置方差，以此反映深孔弯曲程度。
具体实现时，可以通过以下公式计算弯曲度值T：
其中，T为弯曲度值，Xi为第i个中心点的横坐标，Xi′为基准中心线上第i个点的横坐标，n为中心点的个数。
需要说明的是，中心点的个数越多，由此得到的精度越高，计算结果更正确，但同时计算量越大。中心点的个数越少，精度越低，计算量越少。因此，可以根据实验或者对计算精度的具体要求，设置n的取值范围，以便既能够满足一定的精度要求又能够保证计算效率。具体实现时，n的取值例如可以是120，在此不进行设定。
具体实现时，可以根据公式(4)计算得到深孔的弯曲度值，弯曲度值越大，表示深孔的弯曲程度越严重。如图4所示，可以根据第一边界的各点以及第二边界的各点计算得到各中心点的坐标。图4中，横轴代表各点的横坐标，纵轴代表各点的纵坐标，positon用于表示位置。顶部中心点与底部中心点的连线为基准中心线。从图4可以看出，与基准中心线偏离程度大的点对应的弯曲度也大。
在一些实施方式中，所述方法还包括：确定第一基准点对应的法线；计算所述法线与所述基准中心线的夹角值，作为所述深孔的倾斜度值。举例说明，深孔顶部中心点坐标即为(X1，Y1)，其中，X1的计算方式如公式(2)所示。Y1的取值与YA1或者YB1相同。在确定第一基准中心点后，即可以确定该第一基准中心点的法线。例如，所述法线与所述第一基准中心点垂直，与由第一边界的第一个点、第二边界的第一个点、第一个中心点构成的水平线垂直。基准中心线与法线的夹角可以有效反映深孔的倾斜度。如图5所示，为深孔倾斜角示意图。在本申请中，可以将逆时针方向倾斜的倾斜角定义为正值，将顺时针方向倾斜的倾斜角定义为负值。
需要说明的是，在本申请中，可以实现批量测量深孔的弯曲度。例如，在半导体工艺制程线上，一般是按批次(Lot)进行测算。一个Lot晶圆数量不等，例如可以是25片。每片晶圆可以选取多个测量位置，例如每个晶圆测量17个点位。每一个测量位置一般测10个深孔，即得到10个翘曲值T。
具体实现时，所述计算各中心点坐标相对于所述法线在水平方向上的偏离程度值作为所述深孔的弯曲度值包括：获取各测量位置对应的各深孔的中心点坐标，分别计算各深孔的中心点坐标相对于所述基准中心线在水平方向上的偏离程度值作为所述深孔的弯曲度值；和/或，获取各晶圆对应的各测量位置对应的深孔中心点坐标，分别计算各深孔的中心点坐标相对于所述基准中心线在水平方向上的偏离程度值作为所述深孔的弯曲度值。
进一步地，还可以对测量得到的多个深孔的弯曲度值、倾斜度值进行统计、分析。例如，可以根据计算得到的每个测量位置对应的多个深孔的弯曲度值和/或倾斜度值，确定所述测量位置对应的深孔弯曲度值和/或倾斜度值的平均值、方差值、最大值、最小值；和/或，根据计算得到的每个晶圆对应的多个深孔的弯曲度值和/或倾斜度值，确定所述晶圆对应的深孔弯曲度值和/或倾斜度值的平均值、方差值、最大值、最小值。又如，还可以确定所述弯曲度值和/或倾斜度值所属的阈值区间，根据所述弯曲度值和/或倾斜度值所属的阈值区间确定所述深孔的质量等级。举例说明，若判断弯曲度值属于第一阈值区间，则判断其质量等级为优；若判断弯曲度值属于第二阈值区间，则判断其质量等级为良；若判断弯曲度值属于第三阈值区间，则判断其质量等级为中；若判断弯曲度值属于第四阈值区间，则判断其质量等级为差。当然，也可以结合倾斜度值一起判断深孔的质量。当然，以上仅为示例性说明，不视为对本申请的限制。
需要说明的是，由于每次需要测量几个甚至数十Lot，数据处理量较大。为了提高计算效率，可以使用宏编辑的方式进行计算。例如，可以保存测量的深孔的各点坐标、该点所属的晶圆、晶圆的测量位置之间的对应关系。首先可以计算出每个测量位置包含的深孔的弯曲度值、每个晶圆包含的各深孔的弯曲度值、每个批次包含的深孔的弯曲度值，确定每个测量位置、每个晶圆、每个批次弯曲度值的平均值、最大值、最小值及方差等，还可以显示该统计分析结果。如图6所示，可以测量得到多个深孔的弯曲度值(bending)与倾斜度值(Tilting Angle)。进一步地，还可以统计深孔弯曲度值的最大值、最小值、均值、方差等。举例说明，图6第一行各深孔弯曲度值的均值为0.138，倾斜度值的均值为-0.047；图6第二行各深孔弯曲度值的均值为0.154，倾斜度值的均值为-0.014；图6第三行各深孔弯曲度值的均值为0.376，倾斜度值的均值为0.387；图6第四行各深孔弯曲度值的均值为0.258，倾斜度值的均值为-0.371。从图6可以看出，利用本申请计算的弯曲度值与实际人眼定性判断得到的弯曲度结果一致。
需要说明的是，在本申请中通过将深孔的电镜灰度值图形基于像素点进行离散坐标化，将图形信息转换成数字信息，最终达到可以进行量化计算弯曲程度的目的。同时，由于深孔蚀刻的截面切片图制样容易倾斜，本申请中选择基于深孔顶部和底部中心点的拟合中心线作为基准中心线，利用各中心点与基准中心线的位置方差计算弯曲度值，可以有效规避通孔截面切片图制样造成的倾斜因素的干扰。
综上所述，本申请能够达到如下有益效果：在本申请中，通过数学标量来定量表征深孔的弯曲程度，最终达到通过对比弯曲程度量化值优化选取深孔刻蚀工艺、找出刻蚀过程中气体比率、流量、能量大小等影响弯曲程度的关键因素的目的。此外，使用数学标量来表征深孔蚀刻的弯曲严重程度和倾斜角度，不仅可以提高测量效率，还可以排除人眼主观判断的差异性，提高精确度。在本申请中，还可以通过分析统计数据准确判断影响弯曲程度的关键因素，制定弯曲程度的合格标准，并确定工艺窗口，从而获得笔直的深孔刻蚀形貌，既有助于离子注入不会受侧壁阻挡，又能提高后续深孔薄膜沉积和深孔底部氧化硅、氮化硅、氧化硅、复合层刻蚀均匀性，最终获得良好的电学性能。
下面对本申请实施例提供的方法对应的设备进行介绍。
参见图7，为本申请一实施例提供的深孔测量装置示意图。
一种深孔测量装置700，包括：
图像处理单元701，用于获取深孔图像，对所述深孔图像进行处理得到所述深孔第一边界各点的坐标以及第二边界各点的坐标。其中，所述图像处理单元701的具体实现可以参照图1所示实施例的S101而实现。
中心点坐标确定单元702，用于根据所述深孔第一边界各点的坐标和第二边界各点的坐标计算得到各中心点坐标。其中，所述中心点坐标确定单元502的具体实现可以参照图1所示实施例的S102而实现。
基准中心线确定单元703，用于选取所述深孔顶部中心点作为第一基准中心点，选取所述深孔底部中心点作为第二基准中心点，根据第一基准中心点和第二基准中心点确定基准中心线。其中，所述法线确定单元703的具体实现可以参照图1所示实施例的S103而实现。
第一弯曲度计算单元704，用于计算各中心点坐标相对于所述基准中心线在水平方向上的偏离程度值作为所述深孔的弯曲度值。其中，所述第一弯曲度计算单元704的具体实现可以参照图1所示实施例的S104而实现。
在一些实施方式中，所述图像处理单元具体包括：
灰度图像获取单元，用于获取所述深孔图像的灰度图像；
降噪单元，用于对所述灰度图像进行降噪处理；
边缘检测单元，用于对所述降噪处理后的灰度图像进行边缘检测处理，获得所述深孔第一边界各点的坐标以及第二边界各点的坐标。
在一些实施方式中，所述中心点坐标确定单元具体用于通过以下公式计算得到各中心点坐标：
其中，Xi为第i个中心点的横坐标，XAi为第一边界上第i个点的横坐标，XBi为第二边界上第i个点的横坐标，i为正整数。
在一些实施方式中，所述第一弯曲度计算单元具体用于：通过以下公式计算得到深孔的弯曲度值：
其中，T为弯曲度值，Xi为第i个中心点的横坐标，Xi′为基准中心线上第i个点的横坐标，n为中心点的个数。
在一些实施方式中，所述装置还包括：
法线确定单元，用于确定第一基准点对应的法线；
倾斜度计算单元，用于计算所述法线与所述基准中心线的夹角值，作为所述深孔的倾斜度值。
在一些实施方式中，所述装置还包括：
保存单元，用于当所述深孔图像为多个，每个深孔图像包括多个深孔时，保存深孔图像、测量位置、晶圆之间的对应关系；
所述第一弯曲度计算单元具体用于：
获取各测量位置对应的各深孔的中心点坐标，分别计算各深孔的中心点坐标相对于所述法线在水平方向上的偏离程度值作为所述深孔的弯曲度值；和/或，获取各晶圆对应的各测量位置对应的深孔中心点坐标，分别计算各深孔的中心点坐标相对于所述法线在水平方向上的偏离程度值作为所述深孔的弯曲度值。
在一些实施方式中，所述装置还包括：
第二弯曲度计算单元，用于根据计算得到的每个测量位置对应的多个深孔的弯曲度值，确定所述测量位置对应的深孔弯曲度值的平均值、方差值、最大值、最小值；
第三弯曲度计算单元，用于根据计算得到的每个晶圆对应的多个深孔的弯曲度值，确定所述晶圆对应的深孔弯曲度值的平均值、方差值、最大值、最小值。
在一些实施方式中，所述装置还包括：
质量等级确定单元，用于确定所述弯曲度值所属的阈值区间，根据所述弯曲度值所属的阈值区间确定所述深孔的质量等级。
参见图8，是本申请另一实施例提供的深孔测量的装置的框图。包括：至少一个处理器801(例如CPU)，存储器802和至少一个通信总线803，用于实现这些装置之间的连接通信。处理器801用于执行存储器802中存储的可执行模块，例如计算机程序。存储器802可能包含高速随机存取存储器(RAM：Random Access Memory)，也可能还包括非不稳定的存储器(non-volatile memory)，例如至少一个磁盘存储器。一个或者一个以上程序存储于存储器中，且经配置以由一个或者一个以上处理器801执行所述一个或者一个以上程序包含用于进行以下操作的指令：获取深孔图像，对所述深孔图像进行处理得到所述深孔第一边界各点的坐标以及第二边界各点的坐标；根据所述深孔第一边界各点的坐标和第二边界各点的坐标计算得到各中心点坐标；选取所述深孔顶部中心点作为第一基准中心点，选取所述深孔底部中心点作为第二基准中心点，根据第一基准中心点和第二基准中心点确定基准中心线；计算各中心点坐标相对于所述基准中心线在水平方向上的偏离程度值作为所述深孔的弯曲度值。
在一些实施方式中，处理器801执行获取深孔图像，对所述深孔图像进行处理得到所述深孔第一边界各点的坐标和第二边界各点的坐标的操作的指令具体包括：获取所述深孔图像的灰度图像；对所述灰度图像进行降噪处理；对所述降噪处理后的灰度图像进行边缘检测处理，获得所述深孔第一边界各点的坐标以及第二边界各点的坐标。
在一些实施方式中，处理器801具体用于执行所述一个或者一个以上程序包含用于进行以下操作的指令：当所述深孔图像为多个，每个深孔图像包括多个深孔时，保存深孔图像、测量位置、晶圆之间的对应关系；获取各测量位置对应的各深孔的中心点坐标，分别计算各深孔的中心点坐标相对于所述基准中心线在水平方向上的偏离程度值作为所述深孔的弯曲度值；和/或，获取各晶圆对应的各测量位置对应的深孔中心点坐标，分别计算各深孔的中心点坐标相对于所述基准中心线在水平方向上的偏离程度值作为所述深孔的弯曲度值。
在一些实施方式中，处理器801具体用于执行所述一个或者一个以上程序包含用于进行以下操作的指令：根据计算得到的每个测量位置对应的多个深孔的弯曲度值，确定所述测量位置对应的深孔弯曲度值的平均值、方差值、最大值、最小值；和/或，根据计算得到的每个晶圆对应的多个深孔的弯曲度值，确定所述晶圆对应的深孔弯曲度值的平均值、方差值、最大值、最小值。
在一些实施方式中，处理器801具体用于执行所述一个或者一个以上程序包含用于进行以下操作的指令：确定所述弯曲度值所属的阈值区间，根据所述弯曲度值所属的阈值区间确定所述深孔的质量等级。
在示例性实施例中，还提供了一种包括指令的非临时性计算机可读存储介质，例如包括指令的存储器，上述指令可由装置的处理器执行以完成上述方法。例如，所述非临时性计算机可读存储介质可以是ROM、随机存取存储器(RAM)、CD-ROM、磁带、软盘和光数据存储设备等。
一种机器可读介质，例如该机器可读介质可以为非临时性计算机可读存储介质，当所述介质中的指令由装置(终端或者服务器)的处理器执行时，使得装置能够执行如图1所示的深孔测量方法，所述方法包括：获取深孔图像，对所述深孔图像进行处理得到所述深孔第一边界各点的坐标以及第二边界各点的坐标；根据所述深孔第一边界各点的坐标和第二边界各点的坐标计算得到各中心点坐标；选取所述深孔顶部中心点作为第一基准中心点，选取所述深孔底部中心点作为第二基准中心点，根据第一基准中心点和第二基准中心点确定基准中心线；计算各中心点坐标相对于所述基准中心线在水平方向上的偏离程度值作为所述深孔的弯曲度值。
其中，本申请装置各单元或模块的设置可以参照图1所示的方法而实现，在此不赘述。
本领域技术人员在考虑说明书及实践这里公开的发明后，将容易想到本申请的其它实施方案。本申请旨在涵盖本申请的任何变型、用途或者适应性变化，这些变型、用途或者适应性变化遵循本申请的一般性原理并包括本公开未公开的本技术领域中的公知常识或惯用技术手段。说明书和实施例仅被视为示例性的，本申请的真正范围和精神由下面的权利要求指出。
应当理解的是，本申请并不局限于上面已经描述并在附图中示出的精确结构，并且可以在不脱离其范围进行各种修改和改变。本申请的范围仅由所附的权利要求来限制
需要说明的是，在本文中，诸如第一和第二等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来，而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。而且，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者设备不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、物品或者设备所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括一个……”限定的要素，并不排除在包括所述要素的过程、方法、物品或者设备中还存在另外的相同要素。本申请可以在由计算机执行的计算机可执行指令的一般上下文中描述，例如程序模块。一般地，程序模块包括执行特定任务或实现特定抽象数据类型的例程、程序、对象、组件、数据结构等等。也可以在分布式计算环境中实践本申请，在这些分布式计算环境中，由通过通信网络而被连接的远程处理设备来执行任务。在分布式计算环境中，程序模块可以位于包括存储设备在内的本地和远程计算机存储介质中。
本说明书中的各个实施例均采用递进的方式描述，各个实施例之间相同相似的部分互相参见即可，每个实施例重点说明的都是与其他实施例的不同之处。尤其，对于装置实施例而言，由于其基本相似于方法实施例，所以描述得比较简单，相关之处参见方法实施例的部分说明即可。以上所描述的装置实施例仅仅是示意性的，其中所述作为分离部件说明的单元可以是或者也可以不是物理上分开的，作为单元显示的部件可以是或者也可以不是物理单元，即可以位于一个地方，或者也可以分布到多个网络单元上。可以根据实际的需要选择其中的部分或者全部模块来实现本实施例方案的目的。本领域普通技术人员在不付出创造性劳动的情况下，即可以理解并实施。以上所述仅是本申请的具体实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本申请原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本申请的保护范围。
Claims (9)
1.一种半导体器件的深孔测量方法，其特征在于，包括：
获取深孔图像，对所述深孔图像进行处理得到所述深孔第一边界各点的坐标以及第二边界各点的坐标；所述第一边界为所述深孔的左边界，所述第二边界为所述深孔的右边界；
根据所述深孔第一边界各点的坐标和第二边界各点的坐标计算得到各中心点坐标；
选取所述深孔顶部中心点作为第一基准中心点，选取所述深孔底部中心点作为第二基准中心点，根据第一基准中心点和第二基准中心点确定基准中心线；
计算各中心点坐标相对于所述基准中心线在水平方向上的偏离程度值作为所述深孔的弯曲度值；
还包括：
当所述深孔图像为多个，每个深孔图像包括多个深孔时，保存深孔图像、测量位置、晶圆之间的对应关系；
所述计算各中心点坐标相对于所述基准中心线在水平方向上的偏离程度值作为所述深孔的弯曲度值包括：
获取各测量位置对应的各深孔的中心点坐标，分别计算各深孔的中心点坐标相对于所述基准中心线在水平方向上的偏离程度值作为所述深孔的弯曲度值；和/或，
获取各晶圆对应的各测量位置对应的深孔中心点坐标，分别计算各深孔的中心点坐标相对于所述基准中心线在水平方向上的偏离程度值作为所述深孔的弯曲度值。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述计算各中心点坐标相对于所述基准中心线在水平方向上的偏离程度值作为所述深孔的弯曲度值具体通过以下公式：
其中，T为弯曲度值，Xi为第i个中心点的横坐标，X′i为基准中心线上第i个点的横坐标，n为中心点的个数。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：
确定第一基准点对应的法线；
计算所述法线与所述基准中心线的夹角值，作为所述深孔的倾斜度值。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述获取深孔图像，对所述深孔图像进行处理得到所述深孔第一边界各点的坐标和第二边界各点的坐标包括：
获取所述深孔图像的灰度图像；
对所述灰度图像进行降噪处理；
对所述降噪处理后的灰度图像进行边缘检测处理，获得所述深孔第一边界各点的坐标以及第二边界各点的坐标。
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述根据所述深孔第一边界各点的坐标和第二边界各点的坐标计算得到各中心点坐标具体通过以下公式：
其中，Xi为第i个中心点的横坐标，XAi为第一边界上第i个点的横坐标，XBi为第二边界上第i个点的横坐标，i为正整数。
6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：
根据计算得到的每个测量位置对应的多个深孔的弯曲度值，计算得到所述测量位置对应的深孔弯曲度值的平均值、方差值、最大值、最小值；和/或，
根据计算得到的每个晶圆对应的多个深孔的弯曲度值，计算得到所述晶圆对应的深孔弯曲度值的平均值、方差值、最大值、最小值。
7.一种半导体器件的深孔测量装置，其特征在于，包括：
图像处理单元，用于获取深孔图像，对所述深孔图像进行处理得到所述深孔第一边界各点的坐标以及第二边界各点的坐标；所述第一边界为所述深孔的左边界，所述第二边界为所述深孔的右边界；
中心点坐标确定单元，用于根据所述深孔第一边界各点的坐标和第二边界各点的坐标计算得到各中心点坐标；
基准中心线确定单元，用于选取所述深孔顶部中心点作为第一基准中心点，选取所述深孔底部中心点作为第二基准中心点，根据第一基准中心点和第二基准中心点确定基准中心线；
第一弯曲度计算单元，用于计算各中心点坐标相对于所述基准中心线在水平方向上的偏离程度值作为所述深孔的弯曲度值；
还包括：
当所述深孔图像为多个，每个深孔图像包括多个深孔时，保存深孔图像、测量位置、晶圆之间的对应关系；
则，所述第一弯曲度计算单元，具体用于获取各测量位置对应的各深孔的中心点坐标，分别计算各深孔的中心点坐标相对于所述基准中心线在水平方向上的偏离程度值作为所述深孔的弯曲度值；和/或，
获取各晶圆对应的各测量位置对应的深孔中心点坐标，分别计算各深孔的中心点坐标相对于所述基准中心线在水平方向上的偏离程度值作为所述深孔的弯曲度值。
8.一种用于半导体器件的深孔测量的装置，其特征在于，包括有存储器，以及一个或者一个以上的程序，其中一个或者一个以上程序存储于存储器中，且经配置以由一个或者一个以上处理器执行所述一个或者一个以上程序包含用于进行以下操作的指令：
获取深孔图像，对所述深孔图像进行处理得到所述深孔第一边界各点的坐标以及第二边界各点的坐标；所述第一边界为所述深孔的左边界，所述第二边界为所述深孔的右边界；
根据所述深孔第一边界各点的坐标和第二边界各点的坐标计算得到各中心点坐标；
选取所述深孔顶部中心点作为第一基准中心点，选取所述深孔底部中心点作为第二基准中心点，根据第一基准中心点和第二基准中心点确定基准中心线；
计算各中心点坐标相对于所述基准中心线在水平方向上的偏离程度值作为所述深孔的弯曲度值；
还包括：
当所述深孔图像为多个，每个深孔图像包括多个深孔时，保存深孔图像、测量位置、晶圆之间的对应关系；
所述计算各中心点坐标相对于所述基准中心线在水平方向上的偏离程度值作为所述深孔的弯曲度值包括：
获取各测量位置对应的各深孔的中心点坐标，分别计算各深孔的中心点坐标相对于所述基准中心线在水平方向上的偏离程度值作为所述深孔的弯曲度值；和/或，
获取各晶圆对应的各测量位置对应的深孔中心点坐标，分别计算各深孔的中心点坐标相对于所述基准中心线在水平方向上的偏离程度值作为所述深孔的弯曲度值。
9.一种机器可读介质，其上存储有指令，当由一个或多个处理器执行时，使得装置执行如权利要求1至6中一个或多个所述的深孔测量方法。
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