CN107507832A - 一种三维存储器件的沟槽角度控制方法以及控制装置 - Google Patents

Abstract

本方案提供一种三维存储器件的沟槽角度控制方法以及控制装置，其中该控制方法基于离子注入工艺(IMP Process)，首先确定位于三维存储器件衬底中表征待开设沟槽位置的预设标记，然后，根据所述预设标记，确定沟槽角度控制的第一方向，最后，基于所述第一方向，将所述三维存储器旋转预设角度，以使离子注入设备按照第二方向对所述三维存储器的沟槽进行离子注入操作。可见，本方案在现有离子注入设备的基础上，通过旋转预设角度改变三维存储器的硅片离子注入方向，进而控制离子注入的角度，实现了对沟槽垂直角度的精确控制，避免了IMP剂量改变以及电荷迁移，保障离子注入工艺的稳定性以及存储器的性能。

Description

一种三维存储器件的沟槽角度控制方法以及控制装置

技术领域

本发明涉及闪存存储器领域，更具体地说，涉及一种三维存储器件的沟槽角度控制方法以及控制装置。

背景技术

NAND闪存是一种比硬盘驱动器更好的存储设备，随着人们追求功耗低、质量轻和性能佳的非易失存储产品，在电子产品中得到了广泛的应用。目前，平面结构的NAND闪存已近实际扩展的极限，为了进一步的提高存储容量，降低每比特的存储成本，提出了3D结构的NAND存储器。

在三维存储器结构中，高深宽比的沟槽对离子注入的角度提出了更高的要求，为保障存储器稳定的电学性能，需要严格控制离子注入角度的精准度。而随着三维存储器的存储能量的提升，更多的存储结构导致沟槽的深度也越来越大，离子注入角度微小的偏差会大大影响IMP剂量，进而会导致电荷的迁移，因此离子注入角度的控制成为三维存储器件一大挑战。发明人发现，目前的离子注入设备只能对沟槽角度进行水平方向的控制，垂直方向没法控制，因此利用注入设备这种特性与深沟槽特殊结构相结合来精确控制三维存储器件沟槽离子注入角度。因此，如何提供一种三维存储器件的沟槽角度控制方法，避免IMP剂量改变以及电荷迁移，是本领域技术人员亟待解决的一大技术问题。

发明内容

有鉴于此，本发明提供了一种三维存储器件的沟槽角度控制方法以及控制装置，将三维存储器件进行90°旋转，实现了对沟槽垂直角度的控制，避免了IMP剂量改变以及电荷迁移。

为实现上述目的，本发明提供如下技术方案：

一种三维存储器件的沟槽角度控制方法，基于离子注入工艺，包括：

确定位于三维存储器件衬底中表征待开设沟槽位置的预设标记；

根据所述预设标记，确定沟槽角度控制的第一方向；

基于所述第一方向，将所述三维存储器旋转预设角度，以使离子注入设备按照第二方向对所述三维存储器的沟槽进行离子注入操作。

可选的，当所述预设角度为90°时，所述第二方向与所述第一方向垂直。

可选的，在确定位于三维存储器件衬底中表征待开设沟槽位置的预设标记之前，还包括：

提供衬底；

在所述衬底中设置有预设标记。

可选的，所述在所述衬底中设置有预设标记，包括：

确定所述预设标记距离所述衬底的第一边的间距为第一预设间距值。

一种三维存储器件的沟槽角度控制装置，基于离子注入工艺，包括：

第一确定模块，用于确定位于三维存储器件衬底中表征待开设沟槽位置的预设标记；

第二确定模块，用于根据所述预设标记，确定沟槽角度控制的第一方向；

控制模块，用于基于所述第一方向，将所述三维存储器旋转预设角度，以使离子注入设备按照第二方向对所述三维存储器的沟槽进行离子注入操作。

可选的，当所述预设角度为90°时，所述第二方向与所述第一方向垂直。

可选的，还包括：

提供模块，用于提供衬底；

设置模块，用于在所述衬底中设置有预设标记。

可选的，所述设置模块包括：

确定单元，用于确定所述预设标记距离所述衬底的第一边的间距为第一预设间距值。

与现有技术相比，本发明所提供的技术方案具有以下优点：

本方案提供一种三维存储器件的沟槽角度控制方法，基于离子注入工艺，该控制方法首先确定位于三维存储器件衬底中表征待开设沟槽位置的预设标记，然后，根据所述预设标记，确定沟槽角度控制的第一方向，最后，基于所述第一方向，将所述三维存储器旋转预设角度，以使离子注入设备按照第二方向对所述三维存储器的沟槽进行离子注入操作。可见，本方案在现有离子注入设备的基础上，通过旋转预设角度改变三维存储器的硅片离子注入方向，进而控制离子注入的方向，实现了对沟槽垂直角度的控制，避免了IMP剂量改变以及电荷迁移。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据提供的附图获得其他的附图。

图1为本实施例提供的一种3D NAND存储器件的结构示意图；

图2为本实施例提供的一种离子注入设备的操作视角图；

图3为本实施例提供的一种三维存储器件的沟槽角度控制方法的流程示意图；

图4为本实施例提供的一种三维存储器件的沟槽角度控制方法的又一流程示意图；

图5为本实施例提供的一种三维存储器件的沟槽角度控制方法的又一流程示意图；

图6为本实施例提供的又一种3D NAND存储器件的结构示意图；

图7为本实施例提供的一种三维存储器件的沟槽角度控制装置的结构示意图；

图8为本实施例提供的又一种三维存储器件的沟槽角度控制装置的结构示意图；

图9为本实施例提供的又一种三维存储器件的沟槽角度控制装置的结构示意图。

具体实施方式

下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

本方案提供一种三维存储器件的沟槽角度控制方法以及控制装置，其中该控制方法基于离子注入工艺，首先确定位于三维存储器件衬底中表征待开设沟槽位置的预设标记，然后，根据所述预设标记，确定沟槽角度控制的第一方向，最后，基于所述第一方向，将所述三维存储器旋转预设角度，以使离子注入设备按照第二方向对所述三维存储器的沟槽进行离子注入操作。可见，本方案在现有离子注入设备的基础上，通过旋转预设角度改变三维存储器的硅片离子注入方向，进而控制离子注入的角度，实现了对沟槽垂直角度的精确控制，避免了IMP剂量改变以及电荷迁移，保障离子注入工艺的稳定性以及存储器的性能。

具体的，请参阅图1以及图2，其中，图1为本实施例提供的一种3D NAND存储器件的结构示意图，图2为本实施例提供的存储器件的预设标记的结构示意图，图3为本实施例提供的一种三维存储器件的沟槽角度控制方法的流程示意图，该沟槽角度控制方法，基于离子注入工艺，包括步骤：

S31、确定位于三维存储器件衬底中表征待开设沟槽位置的预设标记；

S32、根据所述预设标记，确定沟槽角度控制的第一方向；

S33、基于所述第一方向，将所述三维存储器旋转预设角度，以使离子注入设备按照第二方向对所述三维存储器的沟槽进行离子注入操作。

其中，预设角度可以为任意角度，通过角度控制器可以旋转到所需的角度。例如，当所述预设角度为90°时，所述第二方向与所述第一方向垂直。而本方案中并不局限于预设角度的大小，如，可以为60°或者其他值，优选的，在本实施例中，选用预设角度为90度。

可见，本方案在现有离子注入设备的基础上，通过旋转预设角度改变三维存储器的硅片离子注入方向，进而控制离子注入的角度，实现了对沟槽垂直角度的精确控制，避免了IMP剂量改变以及电荷迁移，保障离子注入工艺的稳定性以及存储器的性能。

在上述实施例的基础上，本实施例提供的三维存储器件的沟槽角度控制方法，还可以在确定位于三维存储器件衬底中表征待开设沟槽位置的预设标记之前，还包括步骤，如图4所示：

S41、提供衬底；

S42、在所述衬底中设置有预设标记。

其中，结合图1，在衬底上形成堆叠的存储结构，之后，在需要做trench的部分，需要在衬底上设置预设标记，如，该标记可以为图2中的“三角”，又或者，本实施例提供的三维存储器件的沟槽角度控制方法中，在所述衬底中设置有预设标记，还可以通过图5中的步骤实现，如包括步骤：

S51、确定所述预设标记距离所述衬底的第一边的间距为第一预设间距值。

此步骤的目的是为了给预设标记一个参考位置，如，设置衬底的水平边为第一边，然后该预设标记可以位于衬底中预设高度，即，如图6所示，预设标记距离第一边为第一预设间距d，但本实施例中，不限定第一预设间距d的具体数值。

综上，采用本实施例提供的控制方法，可以在不改变现有技术中离子注入设备的基础上，通过调整硅片的角度，实现对三维存储器的不同维度的角度进行离子注入，其中，不同维度可以为水平方向或竖直方向。

在上述实施例的基础上，本实施例还提供了一种三维存储器件的沟槽角度控制装置，如图7所示，包括：

第一确定模块71，用于确定位于三维存储器件衬底中表征待开设沟槽位置的预设标记；

第二确定模块72，用于根据所述预设标记，确定沟槽角度控制的第一方向；

控制模块73，用于基于所述第一方向，将所述三维存储器旋转预设角度，以使离子注入设备按照第二方向对所述三维存储器的沟槽进行离子注入操作。

其中，当所述预设角度为90°时，所述第二方向与所述第一方向垂直。

可选的，在上述实施例的基础上，如图8所示，本实施例提供的三维存储器件的沟槽角度控制装置还包括：

提供模块81，用于提供衬底；

设置模块82，用于在所述衬底中设置有预设标记。

除此，如图9所示，所述设置模块包括：

确定单元91，用于确定所述预设标记距离所述衬底的第一边的间距为第一预设间距值。

其装置的工作原理请参见方法实施例，在此不重复叙述。

所述三维存储器件的沟槽角度控制装置包括处理器和存储器，上述第一确定模块、第二确定模块以及控制模块等均作为程序单元存储在存储器中，由处理器执行存储在存储器中的上述程序单元来实现相应的功能。

处理器中包含内核，由内核去存储器中调取相应的程序单元。内核可以设置一个或以上，通过调整内核参数来解决了现有技术中由于不良的沟槽角度控制会导致IMP剂量改变，进而会导致电荷的迁移的问题。

存储器可能包括计算机可读介质中的非永久性存储器，随机存取存储器(RAM)和/或非易失性内存等形式，如只读存储器(ROM)或闪存(flash RAM)，存储器包括至少一个存储芯片。

本发明实施例提供了一种存储介质，其上存储有程序，该程序被处理器执行时实现所述三维存储器件的沟槽角度控制方法。

本发明实施例提供了一种处理器，所述处理器用于运行程序，其中，所述程序运行时执行所述三维存储器件的沟槽角度控制方法。

本发明实施例提供了一种设备，设备包括处理器、存储器及存储在存储器上并可在处理器上运行的程序，处理器执行程序时实现以下步骤：

确定位于三维存储器件衬底中表征待开设沟槽位置的预设标记；

根据所述预设标记，确定沟槽角度控制的第一方向；

基于所述第一方向，将所述三维存储器旋转预设角度，以使离子注入设备按照第二方向对所述三维存储器的沟槽进行离子注入操作。

可选的，当所述预设角度为90°时，所述第二方向与所述第一方向垂直。

可选的，在确定位于三维存储器件衬底中表征待开设沟槽位置的预设标记之前，还包括：

提供衬底；

在所述衬底中设置有预设标记。

可选的，所述在所述衬底中设置有预设标记，包括：

确定所述预设标记距离所述衬底的第一边的间距为第一预设间距值。

本申请还提供了一种计算机程序产品，当在数据处理设备上执行时，适于执行初始化有如下方法步骤的程序：

确定位于三维存储器件衬底中表征待开设沟槽位置的预设标记；

根据所述预设标记，确定沟槽角度控制的第一方向；

基于所述第一方向，将所述三维存储器旋转预设角度，以使离子注入设备按照第二方向对所述三维存储器的沟槽进行离子注入操作。

可选的，当所述预设角度为90°时，所述第二方向与所述第一方向垂直。

可选的，在确定位于三维存储器件衬底中表征待开设沟槽位置的预设标记之前，还包括：

提供衬底；

在所述衬底中设置有预设标记。

可选的，所述在所述衬底中设置有预设标记，包括：

确定所述预设标记距离所述衬底的第一边的间距为第一预设间距值。

综上所述，本方案提供一种三维存储器件的沟槽角度控制方法以及控制装置，其中该控制方法基于离子注入工艺(IMP Process)，首先确定位于三维存储器件衬底中表征待开设沟槽位置的预设标记，然后，根据所述预设标记，确定沟槽角度控制的第一方向，最后，基于所述第一方向，将所述三维存储器旋转预设角度，以使离子注入设备按照第二方向对所述三维存储器的沟槽进行离子注入操作。可见，本方案在现有离子注入设备的基础上，通过旋转预设角度改变三维存储器的硅片离子注入方向，进而控制离子注入的角度，实现了对沟槽垂直角度的精确控制，避免了IMP剂量改变以及电荷迁移，保障离子注入工艺的稳定性以及存储器的性能。

本说明书中各个实施例采用递进的方式描述，每个实施例重点说明的都是与其他实施例的不同之处，各个实施例之间相同相似部分互相参见即可。对所公开的实施例的上述说明，使本领域专业技术人员能够实现或使用本发明。对这些实施例的多种修改对本领域的专业技术人员来说将是显而易见的，本文中所定义的一般原理可以在不脱离本发明的精神或范围的情况下，在其它实施例中实现。因此，本发明将不会被限制于本文所示的这些实施例，而是要符合与本文所公开的原理和新颖特点相一致的最宽的范围。

Claims (8)

1.一种三维存储器件的沟槽角度控制方法，其特征在于，基于离子注入工艺，包括：

确定位于三维存储器件衬底中表征待开设沟槽位置的预设标记；

根据所述预设标记，确定沟槽角度控制的第一方向；

基于所述第一方向，将所述三维存储器旋转预设角度，以使离子注入设备按照第二方向对所述三维存储器的沟槽进行离子注入操作。

2.根据权利要求1所述的三维存储器件的沟槽角度控制方法，其特征在于，当所述预设角度为90°时，所述第二方向与所述第一方向垂直。

3.根据权利要求1所述的三维存储器件的沟槽角度控制方法，其特征在于，在确定位于三维存储器件衬底中表征待开设沟槽位置的预设标记之前，还包括：

提供衬底；

在所述衬底中设置有预设标记。

4.根据权利要求3所述的三维存储器件的沟槽角度控制方法，其特征在于，所述在所述衬底中设置有预设标记，包括：

确定所述预设标记距离所述衬底的第一边的间距为第一预设间距值。

5.一种三维存储器件的沟槽角度控制装置，其特征在于，基于离子注入工艺，包括：

第一确定模块，用于确定位于三维存储器件衬底中表征待开设沟槽位置的预设标记；

第二确定模块，用于根据所述预设标记，确定沟槽角度控制的第一方向；

控制模块，用于基于所述第一方向，将所述三维存储器旋转预设角度，以使离子注入设备按照第二方向对所述三维存储器的沟槽进行离子注入操作。

6.根据权利要求5所述的三维存储器件的沟槽角度控制装置，其特征在于，当所述预设角度为90°时，所述第二方向与所述第一方向垂直。

7.根据权利要求5所述的三维存储器件的沟槽角度控制装置，其特征在于，还包括：

提供模块，用于提供衬底；

设置模块，用于在所述衬底中设置有预设标记。

8.根据权利要求3所述的三维存储器件的沟槽角度控制装置，其特征在于，所述设置模块包括：

确定单元，用于确定所述预设标记距离所述衬底的第一边的间距为第一预设间距值。